「processing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a load on a high-order layer as much as possible by solving relay processing in low-order layers (PHY layer, MAC layer) without depending on the high-order layer for providing a stable and fast wireless network.例文帳に追加

安定した高速な無線ネットワークを提供するために、中継処理を上位レイヤに頼るのではなく下位レイヤ（ＰＨＹ層，ＭＡＣ層）で解決させ、上位レイヤの負荷を極力減らす。 - 特許庁

TERMINAL LAYER SETTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT WITH A PLURALITY OF WIRING LAYER, TERMINAL LAYER SETTING PROGRAM, WIRING TERMINAL EXTENSION PROCESSING PROGRAM, AND TERMINAL-EXTENDING COMPONENT USED FOR SETTING OF TERMINAL LAYER THEREOF例文帳に追加

複数の配線層を有する半導体回路の端子層設定方法、端子層設定プログラム、配線端子延長処理プログラム、および、その端子層を設定に用いられる端子延長用コンポーネント - 特許庁

The second layer of the resin layer 103 adhering to the wiring layer 102 adheres to the first surface of a base layer 101 by the second heating processing at a second temperature which is higher than the first temperature.例文帳に追加

第１の温度より高い第２の温度における第２の加熱処理によって、配線層１０２に付着された樹脂層１０３の第２の層が、ベース層１０１の第１の面に付着される。 - 特許庁

Damages made on the exposed surface of the lower layer metal film by the oxygen-based plasma processing are removed by performing hydrogen-based plasma processing.例文帳に追加

酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, a resin layer is arranged in an opposing region between the dielectric plate and the processing vessel.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理装置においては、誘電体板と処理容器との対向領域に樹脂層を配置している。 - 特許庁

In parallel to such reproduction processing, processing for informing existence of a HDDVD layer is performed (S120, S121).例文帳に追加

かかる再生処理に並行して、ＨＤＤＶＤ層が存在することを通知するための処理が行われる（Ｓ１２０、Ｓ１２１）。 - 特許庁

At this time, BTS 102 performs W-CDMA-based radio line control processing and specific processing of the layer 2.例文帳に追加

このとき、ＢＴＳ１０２において、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の無線回線制御処理および所定のレイヤ２処理を行う。 - 特許庁

After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.例文帳に追加

その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Here, a surface processing layer 34 comprising a silane coupling agent or a metal chelate agent is formed, in advance, on a section which is in contact with a bonding layer 35 of the moisture-proof layer 31.例文帳に追加

ここで、防湿層３１の接合層３５と接触する部分に、予めシランカップリング剤又は金属キレート剤による表面処理層３４を形成する。 - 特許庁

An electroless plating layer 2 and an electrolytic plating layer 3 are laminated on the surface of the resin film 1, to which processing for enhancing the adhesion with the electroless plating layer 2 is applied, in this order.例文帳に追加

無電解めっき層２との密着性を高める加工を施した樹脂フィルム１の表面に、無電解めっき層２と電解めっき層３とをこの順に積層する。 - 特許庁

By applying anodic oxidation processing to the Al layer 5 (alumite treatment), a part from a surface of the Al layer 5 to designated depth is changed to an alumite layer 6 in which pore 6a exists.例文帳に追加

Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。 - 特許庁

An NAS 10, in a hardware configuration, includes a PHY chip 102 for processing a physical layer of an OSI reference model and an SOC 104 for processing a data link layer of the OSI reference model and for processing up to any layer of a network layer or higher of the OSI reference model.例文帳に追加

ＮＡＳ１０は、ハードウェアの構成において、ＯＳＩ参照モデルの物理層の処理を行うＰＨＹチップ１０２と、ＯＳＩ参照モデルのデータリンク層の処理を行うとともに、ＯＳＩ参照モデルのネットワーク層以上の何れかの層までの処理を行うＳＯＣ１０４とが別々に設けられている。 - 特許庁

Consequently, the pattern of the resist mask for processing the shape of the (p) layer or (n) layer of the top layer is formed to be a size smaller than the pattern of the resist mask for processing the shape of the (i) layer though a mask having the same shape is used.例文帳に追加

上記構成により、同一の形状を有するマスクを用いながらも、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンを、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンよりも、１回り小さく形成することができる。 - 特許庁

The developing method (substrate processing method) for developing a resist layer 101 disposed on a substrate 100 includes a solution layer formation step of supplying a developer onto the resist layer 101 and forming a solution layer 102 on the resist layer 101 using a surface tension of the developer, and a processing step of advancing development of the resist layer 101 by the solution layer 102.例文帳に追加

この現像方法（基板処理方法）は、基板１００上に配置されたレジスト層１０１を現像する現像方法であって、レジスト層１０１上に現像液を供給し、現像液の表面張力を利用してレジスト層１０１上に液層１０２を形成する液層形成工程と、液層１０２によるレジスト層１０１の現像を進行させる処理工程と、を備える。 - 特許庁

AAL(ATM adaptation layer) processing circuits 103a-1 to 103a-3 execute prescribed frame processing and come into the next reception-enabled state when one frame of processing is finished.例文帳に追加

ＡＡＬ処理回路１０３ａ−１〜１０３ａ−３は、所定のフレーム処理を行うと共に、１フレームの処理が終了した場合に次の受付可能状態となる。 - 特許庁

To a semiconductor material, the damage processing orthogonal to the processing distortion direction of the processed layer formed by slice processing is performed.例文帳に追加

前記ダメージ加工には、レーザ光、サンドブラスター、高圧水、ダイヤモンドワイヤ、或はダイヤモンドワイヤで造られたブラシを用いた加工や、純水氷結粒子の衝突加工が好適である。 - 特許庁

To perform optical signal processing over a wide band without being limited by a signal processing speed of IP layer processing and to construct an IP network system at low cost.例文帳に追加

ＩＰレイヤ処理の信号処理速度の限界を受けることなく、広帯域の光信号処理を行うことができ、かつ安価にＩＰネットワークシステムを構築する。 - 特許庁

In the cutting processing step, the massive object 15 with the antioxidant layer 15a formed thereon is subjected to cutting processing within processing fluid 16 so as to have a predetermined shape.例文帳に追加

切断加工工程では、酸化防止層１５ａが形成された塊状体１５を、予め定められた形状となるように、加工液１６中で切断加工する。 - 特許庁

Further, a washing processing P3 washing the excessive borax in the gelatinized coat layer with ammonia water or water is carried out between the gelling processing P2 and the casting processing P4.例文帳に追加

また、ゲル化処理Ｐ２とキャスティング処理Ｐ４との間に、ゲル化したコート層の余分な硼砂をアンモニア水または水により洗浄する洗浄処理Ｐ３を行う。 - 特許庁

When the data identifier is a specific data identifier, corresponding processing is applied to the data identifier in a data identifier corresponding processing step 104, and the processing of the layer N is finished.例文帳に追加

データ識別子が特定のデータ識別子であった場合は、そのデータ識別子に対応したデータ識別子対応処理ステップ104を行い、レイヤ（Ｎ）を終了する。 - 特許庁

To provide a silylation processing method which allows use of a compact silylation processing apparatus capable of reducing the processing cost and silylating a damaged portion of an inter-layer insulating film.例文帳に追加

コンパクトで処理コストの低減を可能ならしめるシリル化処理装置を用いることが可能な、層間絶縁膜のダメージ部をシリル化するシリル化処理方法を提供すること。 - 特許庁

In a switch equipment for performing layer-2 protocol processing, by checking the value of fields in communication data using the protocols of the layer 3 or of the higher layer and in a switch equipment for performing layer-3 protocol processing, by checking the value in the communication data of the layer 2 or of the lower layer, the semantic contents of the value are comprehended to perform appropriate transfer control.例文帳に追加

レイヤ２のプロトコル処理を行うスイッチ機器においては、レイヤ３以上のプロトコルを用いた通信データにおけるフィールドの値をチェックすることによって、また、レイヤ３のプロトコル処理を行うスイッチ機器においては、レイヤ２以下の通信データにおける値をチェックすることによって、その値が意味する内容を理解し、適切な転送制御を行う。 - 特許庁

After sensing the electromagnetic wave r radiated by the processing layer 4 when so removing the insulation layer 2 by the laser L as to expose the processing layer 4, the thickness t of the insulation layer 2 are so calculated from the required number of shots of the laser L to remove the insulation layer 2 as to decide the distribution of the thicknesses t of the insulation layer 2 by comparing calculated values with a decision reference value.例文帳に追加

レーザＬによる絶縁層２の除去によって処理層４が露出した時に該処理層４が放射する電磁波ｒを検出して、絶縁層２を除去するのに要したレーザＬのショット数から絶縁層２の厚みｔを算出し、判定基準値と比較することにより絶縁層２の厚みｔ分布を判定した。 - 特許庁

Then the processing trough 24 is reciprocated and vibrated, whereby the seed rice 14 on the processing trough 24 can be effectively and uniformly dispersed in the form of a thin layer (particularly in the form of a single layer) and be rolled.例文帳に追加

ここで、処理トラフ２４が往復振動されることで、処理トラフ２４上の種籾１４が、効果的に、薄層状（特に単層状）に均一に分散できると共に、転動できる。 - 特許庁

The thickness of the surface deterioration layer formed at a test process is actually measured, beforehand, and a processing condition table T1 is created which is to be related to the processing conditions and the surface deterioration layer.例文帳に追加

予め、テスト加工工程で形成された表面変質層の膜厚を実測し、加工条件と表面変質層の膜厚を関係付ける加工条件テーブルＴ１を作成する。 - 特許庁

A light receiving region 410 of a light receiving element layer 400 selected by a light receiving processing control section 123 placed under the liquid crystal slit layer 300 performs the light receiving processing.例文帳に追加

受光素子層４００は液晶スリット層３００の下に設けられ受光処理制御部１２３により選択された受光領域４１０において受光処理を行なう。 - 特許庁

The processing method for the solution layer includes carrying out dielectric barrier discharge processing on a solution layer 20, for example, applied over a surface (first surface 11) of the base 10 by using a discharge electrode 30.例文帳に追加

溶液層の処理方法は、基体１０の表面（第１面１１）に例えば塗布された溶液層２０に放電用電極３０を用いて誘電体バリア放電処理を施す。 - 特許庁

To achieve shortening of a processing time and reduction in cost by efficiently planarizing additional layer in a processing method of planarizing additional layer, such as, insulating film formed on the surface of a wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面に形成された絶縁膜などの付加層を平坦化する加工方法において、効率よく付加層を平坦化し、加工時間の短縮ならびにコストの低減を図る。 - 特許庁

Subsequently, a phosphorus is introduced into the I-layer 2 to form a phosphorus processing layer 4 having a relatively high impurity concentration to the exposed I-layer 2, which surrounds the I-layer 2 with the layer 4 and the substrate 1, increasing a carrier concentration per unit volume in the I-layer 2 by decreasing the volume of the I-layer 2.例文帳に追加

続いてＩ層２にリンを導入して、露出したＩ層２に相対的に不純物濃度が高いリン処理層４を形成することにより、Ｉ層２をリン処理層４およびｎ型高濃度基板１で囲み、Ｉ層２の体積を小さくしてＩ層２における単位体積あたりのキャリア濃度を上げる。 - 特許庁

By applying development processing, a portion of a non-crosslinked lower layer resist material film is removed while leaving the crosslinked lower layer resist film 3b.例文帳に追加

現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。 - 特許庁

OPTICAL INFORMATION PROCESSING SYSTEM BY MAKING USE OF OPTICAL ABERRATION AND INFORMATION MEDIUM HAVING RECORDING LAYER WHICH IS PROTECTED BY TRANSPARENT LAYER WITH UNEVEN THICKNESS例文帳に追加

光学的収差を利用した光情報処理システムおよび厚みムラのある透明層で保護された記録層を持つ情報媒体 - 特許庁

A data processing method uses a receiver device consisting of MAC (Medium Access Control) layer and RLC (Radio Link Control) layer to process a data unit.例文帳に追加

データ処理方法は、データユニットの処理のためにＭＡＣ（Medium Access Control）層とＲＬＣ（Radio Link Control）層から構成された受信者装置を利用する。 - 特許庁

In the processing, a wiring portion in an actual wiring layer present in the mask region is converted into a wiring portion in a virtual wiring layer.例文帳に追加

この処理により、マスク領域内に存在する実配線層の配線部分が仮想配線層内の配線部分に変換される。 - 特許庁

To enhance the processing performance of both an application level gateway (ALG) in an application layer and a network address translation (NAT) in a network layer.例文帳に追加

アプリケーションレイヤのアドレス変換装置（ＡＬＧ）およびネットワークレイヤのアドレス変換装置（ＮＡＴ）双方の処理性能を向上させる。 - 特許庁

In a third processing step, a part of the photoresist layer 9 is removed by development such that an initial surface pattern having sacrificial layer regions 25 is obtained.例文帳に追加

第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。 - 特許庁

To provide a power cable capable of bending with a less bending radius without causing a wrinkle on a shielding layer without processing on the shielding layer.例文帳に追加

遮蔽層に加工を施すことなく、より小さい曲げ半径で曲げても遮蔽層に皺が寄らない電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

An electrode (a) 102 and the EL layer 103 are arranged on an insulator 101, and a plasma processing is performed on the EL layer 103.例文帳に追加

絶縁体１０１上に電極（ａ）１０２、ＥＬ層１０３が設けられ、ＥＬ層１０３に対してプラズマ処理が行われる。 - 特許庁

In a semiconductor substrate wherein an epitaxial layer 82 is stacked on a P-sub layer 80, the light receiver 62 and a signal processing circuit 66 are formed.例文帳に追加

Ｐ-sub層８０の上にエピタキシャル層８２を積層した半導体基板に受光部６２及び信号処理回路部６６を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element for controlling the deterioration of a crystal property of a semiconductor layer resulting from the processing of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の加工に起因する半導体層の結晶性の悪化を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A chrome plating layer 44 is formed by performing chrome plating processing to the nickel plating layer 36 with the recess 41 and the peripheral groove 42 formed therein.例文帳に追加

凹部４１及び周溝４２が形成されたニッケルメッキ層３６に対してクロムメッキ処理を行い、クロムメッキ層４４を形成する。 - 特許庁

Then a CoSi_2 layer is formed by reacting the CoSi layer with the gate electrode and the semiconductor regions through a second anneal processing.例文帳に追加

そして、第２のアニール処理を行ってＣｏＳｉ層をゲート電極および半導体領域と反応させてＣｏＳｉ_2層を形成する。 - 特許庁

A coating layer is prepared on a support by coating a coating liquid for ink receiving layer, and after applying a processing liquid which makes the coating layer to solidify while the surface of this coating layer is still in moist condition, the coating layer is pressed onto the heated mirror surface and then dried to get the ink receiving layer.例文帳に追加

支持体上に、インク受理層用塗工液を塗布して塗工層を設け、該塗工層の表面が湿潤状態にある間に塗工層を凝固させる処理液を塗布した後に、該塗工層を加熱した鏡面に圧接、乾燥してインク受理層を設ける。 - 特許庁

After carrying out laminating of an positive electrode layer 112, the organic electric field luminescence layer 115, and the negative electrode layer 118 in order on a translucent substrate 111, a protection layer 130 is formed on the translucent substrate 111 containing the negative electrode layer 118, and heat-treating processing is performed in a part of the protection layer 130.例文帳に追加

透光性基板１１１上に陽極層１１２、有機電界発光層１１５、そして陰極層１１８を順に積層した後、陰極層１１８を含む透光性基板１１１上に保護層１３０を形成し、保護層１３０の一部に熱処理を施す。 - 特許庁

A coating layer is prepared on a support by coating a coating liquid for an ink receiving layer, and after applying a processing liquid to the coating layer to solidify while the surface of the coating layer is still in the moist condition, the coating layer is pressed onto the heated mirror surface and then dried to get the ink receiving layer.例文帳に追加

支持体上に、インク受理層用塗工液を塗布して塗工層を設け、該塗工層の表面が湿潤状態にある間に塗工層を凝固させる処理液を塗布した後に、該塗工層を加熱した鏡面に圧接、乾燥してインク受理層を設ける。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate is subjected to texture processing and the seed layer is formed by sequentially layering a first seed layer comprising Cr and Ti, a second seed layer comprising Ni and Cr and a third seed layer comprising Ni and Nb.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板にテクスチャ加工を施し、シード層は、ＣｒとＴｉからなる第１シード層、ＮｉとＣｒからなる第２シード層、ＮｉとＮｂからなる第３シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁