「relative growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser element in which lowering of relative noise field intensity characteristics can be suppressed without sacrifice of good crystal growth performance of GaN.例文帳に追加

ＧａＮの良好な結晶成長性を損なうことなく、相対雑音強度特性の低下を抑えることのできる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device whose performance does not deteriorate in spite of a relative growth of parasitic capacitance among word lines.例文帳に追加

ワード線間の寄生容量が相対的に大きくなっても性能が低下しない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a child seat capable of raising a side protection body of a back rest relative to a sitting part so as to meet the growth of an infant.例文帳に追加

幼児の成長に合せて、背もたれの側方防護体を座部に対してあげることの可能なチャイルドシートの提供。 - 特許庁

One factor behind the weakness of China’s domestic consumption relative to its economic growth is the presence of expanding disparities.例文帳に追加

中国の国内消費が経済成長の割には振るわない背景の一つとしては、拡大しつつある格差の存在がある。 - 経済産業省

Also, the growth under a humidifying condition within 110 to 120% relative humidity range as a first half period of a growing process, and the growth under a humidifying condition within 90 to 105% relative humidity range as a second half period of the growing process are exemplified.例文帳に追加

また更に、前期生育工程として相対湿度１１０〜１２０％の範囲内の加湿条件下での生育、後期生育工程として相対湿度９０〜１０５％の範囲内の加湿条件下での生育を行うことが例示される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

In other words, productivity disparities around Japan shrank as the productivity of the highly-productive Tokyo and Osaka metropolises underwent a relative decline and the productivity of the less-productive regional areas experienced relative growth.例文帳に追加

つまり、生産性の高い地域である東京都市圏や大阪都市圏の相対的な生産性の低下と、生産性の低い地域であるその他地域の相対的な生産性の上昇により、日本全体における生産性格差が縮小している。 - 経済産業省

The growth rate of production and number of employees in the services industry as a whole did not change during Periods 1 and 2. On the other hand, the growth rate of production and number of employees in “professional and business services” was higher than that in the services industry on the whole in Period 2, but the growth rate of professional and business services slowed relative to Period 1 and appears to be moving toward the growth rate for the services industry on the whole.例文帳に追加

サービス業全体を見ると、第１期間と第２期間の間で生産額、雇用者数ともに成長率の変化はないのに対して、「対事業所サービス」は、第２期間においても生産額及び雇用者数ともにサービス業全体と比べて高い水準にあるが、第1期間と比べてみると成長が鈍化してサービス業全体の水準に近づくように成長率を低下させている。 - 経済産業省

Further examples may include one or more nozzles configured to be coupled to a fluid source, the nozzles being positioned relative to the growth path for shaping the crystal body as the molten crystal is pulled in the pull direction along the growth path.例文帳に追加

別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 - 特許庁

A scale growth suppressing unit 50 having a slight gap relative to the cathode plate 12 and movable between the cathode plate 12 and the diaphragm 11 is provided, and the scale adhered to the cathode plate 12 is removed by the movement of the scale growth suppressing unit 50.例文帳に追加

そして、陰極板１２と隔膜１１との間に、陰極板１２に対して僅かの隙間をもって移動自在なスケール成長抑制手段５０を設け、このスケール成長抑制手段５０の移動によって陰極板１２に付着したスケールを除去するようにした。 - 特許庁

An analysis of India’s economic growth by demand category shows that since implementing economic reforms beginning in 1991, exports and total fixed capital formation relative to GDP increased, but in 2004, household consumption accounted for 61% of GDP, marking a shift to growth led by domestic demand (Figure 1-4-6).例文帳に追加

インドの経済成長を需要項目の面から見ると、1991年の経済改革以降、輸出・総固定資本形成の対GDP比率が上昇してきているものの、2004 年時点でも家計消費が対GDP 比で61%を占めており、内需主導での成長を果たしていることが分かる（第1-4-6 図）。 - 経済産業省

In China, ASEAN countries, and NIEs countries, the growth of consumption has been small relative to economic growth. Looking at this in terms of final consumption expenditure of households as a percentage of national income, it has been flat or in a downward trend, and the expansion of consumption is an important issue (Figures 1-2-29, 30, 31).例文帳に追加

（中国、ASEAN 諸国、NIEs 諸国の消費の拡大）中国、ASEAN諸国、NIEs諸国は、経済成長の伸びに対して消費の伸びは小さく、国民所得に占める家計最終消費支出割合で見ても、横ばい若しくは低下傾向にあり、消費の拡大は重要な課題である（第1-2-29、30、31図）。 - 経済産業省

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

The interaction of these factors ? relative growth rates, the debt problems of developing countries, and exchange rate developments ? has contributed to large, potentially destabilizing external imbalances among major industrial countries. 例文帳に追加

これらの要因（相対的成長率、開発途上国の債務問題及び為替レートの状況）の相互作用が、主要先進国間の大きく、潜在的に不安定材料となりうる対外不均衡に寄与した。 - 財務省

By controlling the number of laser pulses in the sequence, temporal separation between pulses, and relative intensity of the pulses, the lateral growth length characteristics of the crystal grains can be traded against the silicon film planarity.例文帳に追加

シーケンスにあるレーザパルスの数、パルス間の時間的分離およびパルスの相対強度を制御することにより、結晶粒の横方向成長の長さの特徴と、シリコン膜の平坦度とをうまく兼ね備えることができる。 - 特許庁

To stabilize relative positions of divided parts and to eliminate growth of a clearance between the divided parts in a state where the respective divided parts of a fixed body and a movable body constituting a headrest are butted to each other.例文帳に追加

ヘッドレストを構成する固定体と可動体との相互の分割部が突き合わされた状態において、分割部の相対的な位置を安定させるとともに、分割部に隙間が生じることも解消する。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 consists of a plane having an off-angle in an a-axis direction relative to an m-plane, and an In composition ratio of the active layer 14 (well layer 14a) is set at 0.15-0.45.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層１４（井戸層１４ａ）のＩｎ組成比が、０．１５以上０．４５以下に設定されている。 - 特許庁

For coping with relative heat growth of the first and second cores, at least over half part of a cross section region of the slender header 12 is removed by the cut-out part 64.例文帳に追加

第１及び第２コアの相対的熱成長に対処するため、細長いヘッダー（１２）の横断面区域の少なくとも過半部が切除部分（６４）で除去される。 - 特許庁

A living tissue at the hair root part of a skin surface is irradiated with laser beams as the beams are moved relative to the skin surface to perform permanent depilation (inhibition of hair growth) based on the dry hardening or solidification of the tissue.例文帳に追加

皮膚表面の毛根部分の生態組織に対してレーザビーム光を皮膚表面に対して移動させながら照射し、その乾固又は凝固による永久脱毛（発毛抑制）を行う。 - 特許庁

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer further reduced in warpage relative to a patent literature 2 by forming a cross-sectional shape of a silicon wafer for epitaxial growth into an appropriate one; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エピタキシャル成長用シリコンウェーハの断面形状を適正形状とすることにより、特許文献２よりも反りをより一層低減させたエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Due to the relative shrinkage of the Japanese market in line with the economic growth of emerging Asian economies and due to such countries' measures to support foreign companies, Japan's attractiveness as an international business activity base has declined.例文帳に追加

アジア新興国の経済成長に伴う我が国市場の相対的な縮小、アジア新興国の海外企業支援策の強化により、我が国の国際的な事業活動拠点としての魅力が低下。 - 経済産業省

The relative contributions of various industries to India’s economic growth reveal that the service industry, including commerce, transportation, finance, social services and services aimed at individuals, are leading the economy (Figure 1-4-3).例文帳に追加

インドの経済成長における産業別寄与度を見ると、商業、運輸、金融、社会・個人向けサービスといったサービス産業がけん引していることが分かる（第1-4-3 図）。 - 経済産業省

The hypothesis is based on the concept that in an economy in which sectors with a high productivity growth rate (typically the manufacturing industry) and those with a low one (service industry) coexist, the weight of the service industry with a relatively low productivity growth rate gradually increases with the rise in the income level; therefore, unless the income elasticity of products of the manufacturing industry is extremely high, the relative price (cost) of services with a low productivity growth rate and the labor share of the service sector will continue to increase, thereby resulting in a decrease in the growth rate of the entire economy.例文帳に追加

これは、生産性上昇率が高いセクター（典型的には製造業）と低いセクター（サービス産業）が存在する経済において、所得水準の上昇に伴って生産性上昇率が相対的に低いサービス産業のウェイトが次第に上昇していくため、製造業の製品に対する所得弾力性が極端に高くない限り、生産性上昇率の低いサービスの相対価格（コスト）上昇とサービス部門の労働シェアの上昇が続き、結果として経済全体の成長率が鈍化していくという考え方である。 - 経済産業省

We reaffirm our previous commitment that the distribution of quotas based on the formula should better reflect the relative weights of IMF members in the world economy, which have changed substantially in view of strong GDP growth in dynamic emerging market and developing countries.例文帳に追加

我々は、計算式に基づくクォータ配分が、ダイナミックな新興市場及び途上国の力強いGDP の成長によって大きく変化している、IMF 加盟国が世界経済に占める相対的な重みをより良く反映すべきとの、従来のコミットメントを再確認する。 - 財務省

We reaffirm that the distribution of quotas based on the formula should better reflect the relative weights of IMF members in the world economy, which have changed substantially in the view of a strong GDP growth in dynamic emerging markets and developing countries. 例文帳に追加

我々は、計算式に基づくクォータ配分が、ダイナミックな新興市場及び途上国の力強いGDPの成長によって大きく変化している、IMF 加盟国が世界経済に占める相対的な重みをより良く反映すべきことを再確認する。 - 財務省

We reaffirm that the distribution of quotas based on the formula should better reflect the relative weights of IMF members in the world economy, which have changed substantially in view of strong GDP growth in dynamic emerging markets and developing countries. 例文帳に追加

我々は，計算式に基づくクォータ配分が，ダイナミックな新興市場及び途上国の力強いGDPの成長によって大きく変化している，IMF加盟国が世界経済に占める相対的な地位をより良く反映すべきことを再確認する。 - 財務省

We recognize that the IMF should remain a quota-based organization and that the distribution of quotas should reflect the relative weights of its members in the world economy, which have changed substantially in view of the strong growth in dynamic emerging market and developing countries. 例文帳に追加

IMFは引き続きクォータを基礎とする機関であるべきであり，クォータ配分は，ダイナミックな新興国・途上国の力強い成長にかんがみ，相当程度変化している世界経済における加盟国の相対的地位を反映すべきと認識する。 - 財務省

We recognize that the IMF should remain a quota-based organization and that the distribution of quotas should reflect the relative weights of its members in the world economy, which have changed substantially in view of the strong growth in dynamic emerging market and developing countries. 例文帳に追加

我々は、IMFは引き続きクォータを基礎とする機関であり、クォータ配分は、ダイナミックな新興国・途上国の力強い成長にかんがみ、相当変化している世界経済における加盟国の相対的地位を反映すべきだと認識する。 - 財務省

The total size and allocation of the current quotas do not appropriately reflect the reality of the world economy, as the past quota increases were not designed well enough to take proper account of global economic growth, increases in capital flows, and changes in the relative economic positions of member countries since the establishment of the IMF.As a result, at present, neither the amount nor the shares of members' allocated quotas are appropriate. 例文帳に追加

現在のＩＭＦクォータは、世界経済の成長、資本取引の増加、ＩＭＦ設立以来の加盟国間の相対的地位の変化に適切に対応していないため、クォータの規模は経済実態を反映しておらず、また、配分比率の歪みは十分に是正されないままとなっています。 - 財務省

The principal growth plane 10a is a plane having an off angle in the a-axis direction relative to the "m" plane, and the individual nitride semiconductor layers 11 to 18 include: an active layer 14 containing In; and a GaN layer (an n-type GaN layer 11 and a lower guide layer 13) formed between the GaN substrate 10 and active layer 14.例文帳に追加

成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１１〜１８は、Ｉｎを含む活性層１４と、ＧａＮ基板１０と活性層１４との間に形成されたＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層１１、下部ガイド層１３）とを有している。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light emitting element capable of reducing the cost of the light emitting element as compared with a conventional one by achieving growth of an epitaxial layer excelling in in-plane uniformity of film thickness and composition to allow a substrate increased in diameter relative to a conventional one to be used.例文帳に追加

膜厚や組成の面内均一性が優れたエピタキシャル層の成長を実現し、従来よりも大径化した基板を利用可能とすることによって、従来よりも発光素子の低コスト化が可能な発光素子用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

The belt layer 3 is formed by laminating a first belt material 31 restraining a growth phenomenon of a tire diameter due to an internal pressure and a second belt material 32 made of a steel wire material and forming an angle in a steel wire direction of the steel wire material in a range of 30 to 45 degrees relative to a tire peripheral direction.例文帳に追加

ベルト層３は、内圧によるタイヤ径の成長現象を抑止する第１ベルト材３１と、スチールワイヤ材から成ると共にスチールワイヤ材のスチールワイヤ方向がタイヤ周方向に対して３０度から４５度の範囲内の角度を成す第２ベルト材３２とを積層して成る。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is a plane having off-angles in a-and c-axis directions relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

The high transparency and high strength YAG ceramic can be obtained, e.g., by subjecting easily sinterable synthetic fine powder as raw material powder to atmospheric sintering to a relative density of ≥95%, and thereafter performing HIP (Hot Isostatic Press) treatment at relatively low temperature for suppressing the growth of grains.例文帳に追加

このような高透明・高強度ＹＡＧセラミックスは、例えば、原料粉末として易焼結性の合成微粉末を用い、相対密度９５％以上に常圧焼結した後、粒成長抑制のため比較的低温でＨＩＰ処理することにより得ることができる。 - 特許庁

The nozzle body (11) and the nozzle tube (14) are fixed against relative movement at the first ends of the nozzle body (11) and nozzle tube (14) to allow the fuel passage to close at the joint part due to thermal growth after a flame enters the nozzle tube (14).例文帳に追加

ノズル本体（１１）及びノズル管（１４）は、該ノズル本体（１１）及びノズル管（１４）の第１の端部において、相対的移動をしないように固定されて、火炎が該ノズル管（１４）に入った後における熱成長により接合部において燃料通路を閉鎖するのを可能にする。 - 特許庁

The crystal is prepared by a method comprising a raw material-blending process of blending raw materials in such a manner that Ti has a greater molar ratio relative to Ba, and a crystal growth process of growing a crystal of BaTiO_3 by the flux method using KF as a flux.例文帳に追加

この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is consisting of a plane having off-angle in each direction of a-axis direction and c-axis direction relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger angle than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

For instance, the core layer (104) may be significantly more resistant to irradiation growth and/or irradiation creep than the at least one cladding layer (102), and the at least one cladding layer (102) may have an increased resistance to hydrogen absorption and/or corrosion relative to the core layer (104).例文帳に追加

例えば、コア層（１０４）は、少なくとも一つのクラッド層（１０２）に比べて、対照射成長耐性および／または対照射クリープ耐性を有し、また少なくとも一つのクラッド層（１０２）は、コア層（１０４）よりも、対水素吸蔵および／または腐食に対するより高い耐性を有していてもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor and a method of manufacturing a light-emitting device which can reduce crystal defects, without causing warpages, achieving high perpendicularity on a side (optical resonant surface) relative to a growth plane, and eliminate damages caused by posttreatment, such as etching in the gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面（光共振面）の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Export trends generally depend on the domestic and external income gap and relative price of domestic and foreign goods (real exchange rate level), but the estimation results that showed the increase in foreign dependency rate strongly reflect the gap between Japan’s economic growth rate and that of the world economy.例文帳に追加

輸出の動向は一般に、内外の所得の差及び国内財と国外財の相対価格（実質為替レートの水準）に依存するが、対外依存度の上昇という試算結果は、世界経済との経済成長率格差を強く反映した結果である。 - 経済産業省

Furthermore, in comparison with China and ASEAN4, which aggressively accumulated foreign exchange in the process of achieving economic growth, India’s foreign exchange reserves are low relative to the size of its economy, although the country has increased its acceptance of direct investment as it opens its markets to foreign investment (Figure 1-4-7).例文帳に追加

また、中国、ASEAN4 が経済成長を遂げる過程で外資を積極的に取り込んできたことに比べ、インドの直接投資の受入れは、対外開放の進捗に伴い近年上昇しているものの、その経済規模に対比して低水準である（第1-4-7 図）。 - 経済産業省

Among these are: the deterioration in its external position which the U.S. experienced from its period of very rapid relative growth; the particularly large impact on the U.S. current account of the economic difficulties and the adjustment efforts of some major developing countries; the difficulty of trade access in some markets; and the appreciation of the U.S. dollar. 例文帳に追加

すなわち、米国の相対的に極めて高い成長期が原因となっている対外ポジションの悪化、いくつかの主要開発途上国の経済困難及び調整努力が米国の経常収支に与えた特に大きな影響、いくつかの市場における貿易アクセスの困難さ、及び米ドルの上昇などである。 - 財務省

In order to prevent the growth of special molds, a food product is deoxidant packaged using a packaging material whose oxygen permeability is 1.5 cm^3/(m^2×day×atm) or less (temperature 25°C, relative humidity 50%), and which makes an oxygen density in the package less than 0.1% (temperature 25°C) in 10 hours after deoxidant packaging.例文帳に追加

酸素透過度１．５ｃｍ^３／（ｍ^２・ｄａｙ・ａｔｍ）以下（温度２５℃、相対湿度５０％）である包装材を用いて食品を脱酸素剤包装するとともに、脱酸素剤包装後１０時間以内（温度２５℃）に包装内の酸素濃度を０．１％未満とすることにより、特殊なカビの生育を防止する。 - 特許庁

This water-absorbing and holding agent for growing the plants is characterized by comprising a material which releases larger amounts of water in response to the changes of a relative humidity than that when a humidity is lower than a humidity range of 30 to 100% required for the growth of plants 10, and adsorbs and holds the water with chemical bonds.例文帳に追加

植物１０が生育のために水分を要求する湿度領域である湿度３０〜１００％の範囲内において、該湿度領域よりも低い湿度のときよりも相対湿度の変化に対する放出水分量が大きく、かつ、化学的な結合によって吸着することで水分を保持する材料で植物生成用吸水保持剤を構成する。 - 特許庁