「residual growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a nitride semiconductor substrate that reduces a residual material on notch angular parts and improves the crystal growth yield on the nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

ノッチ角部への残留物を減らし、窒化物半導体基板上への結晶成長歩留を向上できる窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a defect evaluation method for a structure capable of obtaining a residual stress inside the structure relating to the growth of a crack.例文帳に追加

亀裂の進展に関する構造物内部の残留応力を求め得る構造物の欠陥評価方法を提供すること。 - 特許庁

MONITORING METHOD FOR CRACK GROWTH IN ACTUAL STEEL STRUCTURE AND RESIDUAL LIFE ESTIMATION METHOD FOR ACTUAL STEEL STRUCTURE例文帳に追加

実鋼構造物における亀裂進展のモニタリング方法および実鋼構造物の余寿命推定方法 - 特許庁

The pressure in the reaction chamber 14 becomes high at the time of growth of the membrane and becomes low at the time of vacuum exhaustion of the residual gas.例文帳に追加

反応室１４内の圧力は、薄膜成長時には大きく、残留ガスの真空排気時には小さくなる。 - 特許庁

Further, the thickness of a residual film δ of the n-type contact layer 102 in a recess D on the back of a crystal growth substrate may be about Λ/2.例文帳に追加

また、結晶成長基板裏面の凹部Ｄにおけるｎ型コンタクト層１０２の残存膜厚δはΛ／２程度で良い。 - 特許庁

To predict the growth rate of development of stress corrosion cracking, even under complicated residual stress of a nuclear reactor structure etc. and K-distribution conditions.例文帳に追加

原子炉構造物などの複雑な残留応力・Ｋ分布条件下においても、応力腐食割れ進展速度の予測を可能とする。 - 特許庁

To remove a residual gas or particles left within a reaction furnace after growth of a group III-V compound semiconductor crystal, a large quantity of high-temperature inert gas is introduced into the reaction furnace, and then the growth sequence of semiconductor crystal is started.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体結晶の成長後の反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去するために、反応炉内に高温の不活性ガスを多量に導入し、その後半導体結晶の成長シーケンスを開始する。 - 特許庁

Inert gas having high velocity is jetted out into a reactor from a substrate upstream section before a growth sequence is started, thus removing residual gas and particles in the reactor after growth.例文帳に追加

成長後に反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去することを目的とし、反応炉内に高流速の不活性ガスを基板上流部より噴出し、その後成長シーケンスを開始する。 - 特許庁

In a crystal growth apparatus, a material having etching action and a material for crystal growth are supplied at the same time onto the surface of a semiconductor wafer to be well-balanced between an etching rate and a crystal growth speed, resulting in the efficient removal of residual impurities.例文帳に追加

結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。 - 特許庁

The health of the cattle is maintained in a good condition to result good growth and produce delicious meat having good quality and safe to human body because the meat is free from residual harmful substances, etc.例文帳に追加

これにより、家畜の健康状態が良好に維持され、発育が良く肉質も良好で美味しい食肉が生産され、また、残留有害物質等による人体への影響がなく安全である。 - 特許庁

To assure excellent magnetic characteristic such as residual magnetic flux density and coercive force or the like, control grain growth in the sintering process, and expand the range of sintering temperature.例文帳に追加

残留磁束密度及び保磁力等の磁気特性に優れ、焼結過程における粒成長を抑制することができ、且つ焼結温度幅を拡大することができる。 - 特許庁

To provide an efficient method of producing a fine carbon fiber slightly containing residual metallic components, according to a gas phase growth method using carbon monoxide as a main carbon source.例文帳に追加

一酸化炭素を主たる炭素源とした気相成長法による微細な炭素繊維の製造において、残留金属成分が少なく効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydride vapor phase epitaxy apparatus in which crystal growth is not impeded by residual air or moisture flowing in from the downstream of a reaction tube.例文帳に追加

反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To attain acceleration of growth of crop and an increase in yield or the like without causing problems such as soil trouble or fertilizer trouble due to a conventional chemical fertilizer and residual agricultural chemical or the like in the crop culture.例文帳に追加

農作物栽培において、従来の化学肥料による土壌障害や肥料障害および残留農薬等の問題を発生させず、農作物の生育促進、収量増加等が実現できるようにする。 - 特許庁

The acquired result of simulation is converted to a second mathematical model approximating a formula that represents the residual part (growth of an oxide film on the surface of a wafer) of the process other than its part whose simulation is already carried out.例文帳に追加

また、プロセスのうちシミュレーションを実行したプロセス以外の部分（ウェハ表面での酸化膜成長）を表す数式を近似して第２の数式モデルに変換する。 - 特許庁

To provide continuous printing without 'blanking' due to defective discharge by restricting accumulation/growth/combination of residual bubbles at liquid chambers and liquid channel halfway regions as much as possible and surely securing a refill/supply of ink to discharge openings.例文帳に追加

液室や液流路途中領域にて残留泡の蓄積・成長・合体を可能な限り抑制して吐出口へのインクのリフィル供給を確実に確保することにより、不吐による「抜け」のないきれいな連続印刷を提供する。 - 特許庁

A cracked surface 13 stops in a compression residual stress field 22 even if the cracked surface 13 is formed by the growth of a crack 12 when the member is loaded with repeated stress after the loading with excessive stress by setting.例文帳に追加

セッチングによる過大応力負荷後、繰返し応力を部材に負荷した場合、亀裂１２が成長して亀裂面１３が形成されたとしても、亀裂面１３は圧縮残留応力場２２に停留する。 - 特許庁

The photonic crystal laminate 9 is divided into a laminate residual part 10 supported by the growth substrate 7 and a photonic crystal 3 supported by the support substrate 2.例文帳に追加

そして、フォトニック結晶積層体９は、成長基板７に支持される積層体残存部分１０と、支持基板２に支持されるフォトニック結晶３とに分割される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of peventing decrease in reliability and electrical characteristic caused by the attachment of VI family elements such as Se, residual element in a growth deposition system.例文帳に追加

成長装置内の残留元素であるＳｅ等のＶＩ族元素の付着による信頼性の低下や電気的特性の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat insulation plate for a roof or a wall which allows residual moisture outside a heat insulator attached to a roof or a wall of a building to be removed, hardly causing problems such as mold growth.例文帳に追加

建築物の屋根や壁に取り付けた断熱材の外側に残存している水分を除去し、カビ発生などの不具合を生じ難い屋根及び壁用断熱板の提供。 - 特許庁

The residual coal powder increase the water retention, drainage and air permeation and stimulates the activity of the microorganisms to promote the further growth of the seedling.例文帳に追加

残留した粉炭は土壌の保水・排水・通気性を高めると共に微生物の活動を盛んにし、苗の更なる成長を促進する作用を有する。 - 特許庁

To provide a gardening implement capable of removing residual chlorine considered to affect the growth of a flowering plant, and included in tap water, even if the water is drawn at an arbitrary site.例文帳に追加

任意の場所で水を汲んでも、草花の発育に影響を及ぼすと考えられる水道水に含まれる残留塩素を除去できる園芸用品を提供する。 - 特許庁

Particularly for Japan, residual deviance was substantially larger than that of any of the other countries. This indicates a higher CO2 emissions efficiency in Japan, even taking into account the differences in degree of economic growth and industrial structures.例文帳に追加

特に我が国は、これらの国の中で最も実績値からの残差が大きい値を示しており、経済成長の規模や産業構造の違いを考慮しても高い二酸化炭素排出効率を有していると考えられる。 - 経済産業省

To provide the growth method that enables the growth of a high quality large SiC crystal which has no crystal defects causing defectiveness of device operation, such as micropipe or polytype inclusion within the crystal, and also, contains drastically reduced concentration of residual impurities greatly affecting electric characteristics of the crystal.例文帳に追加

デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ、ポリタイプの混在等の結晶欠陥が無く、結晶の電気的特性に大きく影響を与える残留不純物濃度も大幅に低減された高品質でかつ大型のＳｉＣ結晶を育成可能なＳｉＣ結晶の液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide the growth method of a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer that enables doping a p-type dopant N with stable concentration of carriers, and can fully increase the concentration of the carriers of a p-type layer of a ZnO-family oxide semiconductor layer, even in high-temperature growth that can reduce the concentration of a residual carrier, while the simultaneous doping method is being adopted.例文帳に追加

同時ドーピング法を採用しながら、残留キャリア濃度を減らせる高温成長時においても、ｐ形ドーパントであるＮを安定したキャリア濃度でドーピングでき、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a raising seedling/cultivation method through quantitative water supply comprising setting the amount of residual water after water supply with submerged water into a prescribed amount regardless of change in properties such as absorption of culture media and water retention so as to prevent spindly growth of plant bodies caused by an excessive amount of supplied water to obtain equalized nature and growth of the plant bodies.例文帳に追加

培地の吸水性、保水性の特性の変化にかかわらず、湛水による潅水後の残留水の量を一定量に設定し、過剰な潅水量による植物体の徒長発生を防ぎ、植物体の均一な性状及び生育が得られる定量潅水による育苗・栽培方法を提供する。 - 特許庁

The rare earth chelate-added agricultural bed soil accelerates growth of a crop, decreases a nitrate-nitrogen content in the crop, decreases an amount of a residual agrochemical therein, further decreases accumulation of the rare earth element in the soil by increasing an absorption and translocation ratio of the rare earth element into a plant body, and furthermore accelerates growth of a plant.例文帳に追加

希土キレート化合物が添加された農業用床土は、作物の生育を促進させ、作物中硝酸態窒素の含量低減と農薬残留量を低減させるだけでなく、希土元素の植物体への吸収移行率を増加させて希土元素の土壌蓄積減少及び植物生育を促進させる。 - 特許庁

A raw material hydrocarbon sprayed from a raw material supply tube 5 is mostly pyrolyzed though partially combusted by residual oxygen in prescribed excess air to induce chemical reactions such as the formation and growth of polycondensed aromatic hydrocarbons (PAH), the formation of aromers by the oligomerization of PAH, the conversion to fullerene from a fullerene precursor therein or the formation and the growth of a flaming soot precursor.例文帳に追加

原料供給チューブ５から噴霧された原料炭化水素は所定の過剰空気の残存酸素により一部燃焼するが大部分は熱分解を受け、ＰＡＨの形成と成長、ＰＡＨのオリゴメリゼーションによるアロマーの形成、そのうちのフラーレン前駆体からフラーレンへの変換、煤前駆体生成と成長などの化学反応を起こす。 - 特許庁

This oriented carbon nanotube membrane stuck onto a base body is manufactured through a process for preparing a membrane of oriented carbon nanotubes each having a residual catalyst metal at its tip end on a substrate for growth, and a process for sticking the tip end side of the oriented carbon nanotube membrane to a second base body and peeling the substrate for growth.例文帳に追加

先端に触媒金属が残存する配向性カーボンナノチューブ膜を成長用基板上で作製する工程と、該配向性カーボンナノチューブ膜の先端側を第二の基体へ貼り付け、成長用基板を剥がす工程により、基体に貼り付いた先端開口配向性カーボンナノチューブ膜を製造する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by a selective growth method, the manufacturing method of the compound semiconductor epitaxial substrate uses a source substrate with the mean value of residual strain of 1.0×10^-5 or below.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が１．０×１０^-5以下である元基板を用いることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a composite for reactor control rods which achieves the prolongation of their lifetime owing to the decrease in the residual stress in each region of the reactor control rods, the inhibition of irradiation growth and the improvement in corrosion resistance, a method for manufacturing the composite and reactor control rods using it.例文帳に追加

原子炉制御棒の各部位の残留応力を低減させ、照射成長が抑制され、耐食性も向上するため長寿命化を実現できる原子炉制御棒用複合材、その複合材の製造方法およびその複合材を使用した原子炉制御棒を提供する。 - 特許庁

As the traveling radial growth as the permanent strain is remained near a 1/4 tread width point of a belt layer 156 of a used tire, a radius of curvature of a base tire 12 becomes larger than that of the belt layer in a new tire, when the residual tread is removed from the used tire.例文帳に追加

使用済みタイヤのベルト層16には 1/4トレッド幅点付近の走行径成長が永久歪として残るため、使用済みタイヤから残存トレッドを取り除くと、台タイヤ12の曲率半径は新品タイヤ時のベルト層16の曲率半径より大となってしまう。 - 特許庁

Surface soil of a surface layer is torn off and gathered in the prescribed thickness, the surface soil of the surface layer is sieved, and after removing gravel and residual roots, at least a growth bed material and a binder are agitated and mixed, and a spraying material obtained by mixing is sprayed in the prescribed spraying thickness upon an object spraying slope face.例文帳に追加

表層表土を所定厚さで剥ぎ取り採取し、表層表土をふるい掛けして礫、残存根を除去した上、少なくとも生育基盤材と、接合剤と撹拌混合し、該混合して得られた吹付材料を、対象吹付法面に所定吹付厚で吹き付けるようにした。 - 特許庁

To obtain an ultrafine grain emulsion having monodispersibility and low probability of occurrence of twin crystals and to obtain very thin tabular grains ensuring satisfactory thinness of tabular grains and dissipation of undissolved residual grains by carrying out growth using the ultrafine grain emulsion.例文帳に追加

単分散性と低い双晶発生確率を両立した極微粒子乳剤を得、該極微粒子乳剤を用いて成長を行なうことにより、平板粒子の薄さと未溶解残存粒子の消去の両方を従来にないレベルで両立させた極薄平板粒子を得る。 - 特許庁

In the process for purifying the gallium solution, the liquid which was used for electrolysis is cooled and stirred to achieve a high flow rate of the liquid inside a tank to inhibit crystal growth and deposit a crystal containing the impurities for obtaining the desired metal (e.g. gallium) in the residual liquid.例文帳に追加

電解に使用済みの液を冷却しながら撹拌することで、槽内で液の流速を高速化し、結晶成長を抑制し、析出した結晶に不純物を含有させ、残った液側に所望の金属（例えば、ガリウム）を得るガリウム溶液の浄液方法を見出した。 - 特許庁

To provide a water purifier which can obtain purified water inhibiting the growth of microorganisms by maintaining the amount of an antibacterial agent constant during the use of a filter material while suppressing foreign tastes or odors in the purified water due to contamination of an antibacterial agent typified by residual chlorine without troubling a user and using the purified water wastefully.例文帳に追加

使用者の手を煩わせることも、浄水を無駄に使用することもなく、残留塩素に代表される抗菌剤の混入による浄水の異味・異臭を最低限に抑えながら、ろ材の使用期間中抗菌剤の量を一定に保つことで、微生物の増殖を抑えた浄水を得ることの出来る浄水器を提供する。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon epitaxial wafer by which constriction of a trench opening due to excessive growth of a charged epitaxial layer is difficult to occur and residual of a void and the like with respect to the charged epitaxial layer in a trench can effectively be suppressed even if the aspect ratio of the trench is large.例文帳に追加

充填エピタキシャル層の過剰成長によるトレンチ開口部の狭窄が生じにくく、ひいてはトレンチのアスペクト比が大きい場合であっても、トレンチ内の充填エピタキシャル層に対する空隙等の残留を効果的に抑制できるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ballast water treatment apparatus and a treatment method therefor where plankton and bacteria in seawater fed to a ballast tank are perished, also, the production of trihalomethane caused by residual chlorine is suppressed, and further the re-growth of plankton and bacteria during the storage of seawater in the ballast tank can be suppressed.例文帳に追加

バラストタンクに給水する海水中のプランクトンと細菌類を殺滅し、かつ、残留塩素によるトリハロメタンの生成を抑制し、さらに、海水をバラストタンクで貯留している間にプランクトンと細菌類が再成長することを抑制することができるバラスト水の処理装置および処理方法を提供する。 - 特許庁