「sin.」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing a capacitor dielectric layer which is performed in the deep trench of the semiconductor substrate, a washing process is first performed and thereafter a silicon nitride deposition process is performed to form an SiN layer on the side wall and the bottom of the deep trench.例文帳に追加

本発明は、半導体基板のディープトレンチで実施されるキャパシタ誘電層の製作方法に関わり、この製作方法では先ず、プレ洗浄工程が実施され、その後窒化シリコン堆積工程が実施されて、ディープトレンチの側壁と底部にＳｉＮ層が形成される。 - 特許庁

The scan passes have an input terminal SIN exclusively used for scanning connected to the input terminal of the first FF 11n at the last stage and at each of the flip flop blocks, the scan passes are serially connected sequentially to the stage immediately before the last stage from the second stage on the side of the input terminal following the last stage.例文帳に追加

スキャンパスは、スキャン専用入力端子ＳＩＮを最後段の先頭ＦＦ１１ｎの入力端子に接続し、各フリップフロップ群では、最後段に次いで入力端子側の第２段から最後段の前段までを順次シリアル接続する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, as the etching stopper in forming a groove 10 of a pad portion and a groove 11 of a wiring portion, an SiN film 5 corresponding to a third insulating film is interposed between an oxide film 4 corresponding to a second insulating film and an oxide film 8 corresponding to a fourth insulating film.例文帳に追加

パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。 - 特許庁

A guitar outputs an audio signal Sout to which resonance sound of a body or the like of a guitar of a different model is added, by performing convolution operation in a filter unit 13 on an audio signal Sin output from a pick-up.例文帳に追加

本発明の実施形態におけるギターは、ピックアップから出力されたオーディオ信号Ｓｉｎに対して、フィルタ部１３における畳み込み演算を施すことにより、別の機種のギターにおける胴などの共鳴音を付加したオーディオ信号Ｓｏｕｔを出力する。 - 特許庁

The method and kit employ combinations of recombinant N and/or G1 antigens derived from at least six different hantavirus serotypes, including Hantaan (HTNV), Puumala (PUUV), Seoul (SEOV), Dobrava (DOBV), Sin Nombre (SNV) and Andes (ANDV).例文帳に追加

この方法およびキットは、ハンターン（ＨＴＮＶ）、プーマラ（ＰＵＵＶ）、ソウル（ＳＥＯＶ）、ドブラバ（ＤＯＢＶ）、シンノンブル（ＳＮＶ）およびアンデス（ＡＮＤＶ）を含む少なくとも６つの異なるハンタウイルス血清型由来の組換えＮ抗原および／または組換えＧ１抗原の組み合わせを使用する。 - 特許庁

The resin substrate comprises a polyimide resin layer and a surface layer which has at least one layer of SiN layer primarily comprising silicon nitride deposited at a deposition start temperature of 50°C or more according to a chemical vapor deposition method on the polyimide resin layer.例文帳に追加

ポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が５０℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするＳｉＮ層を少なくとも１層有する表面層とを有することを特徴とする樹脂基板。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device such as an MRAM using a SiN film as a liner film formed on a copper wire and having a silicon nitride film excellent in a moisture resistance at a temperature range not affecting the electromagnetic characteristic of the MRAM.例文帳に追加

銅配線上に形成されるライナ膜としてＳｉＮ膜を用いたＭＲＡＭなどの半導体装置において、ＭＲＡＭの電気磁気特性に影響を及ぼさない範囲の温度で耐湿性に優れたシリコン窒化膜を有する半導体装置を得ること。 - 特許庁

In Kita Ward, Kyoto City, a tomb which is believed to be that of Takamura and a tomb which is said to be that of Murasaki Shikibu are placed side by side based on the legend in which Shikibu was condemned to hell for the sin she committed by describing carnal desires in her book and after such condemnation Takamura interceded with the King of Hell for her. 例文帳に追加

京都市北区にある篁のものと伝えられる墓の隣には、紫式部のものと言われる墓があるが、これは愛欲を描いた咎で地獄に落とされた式部を、篁が閻魔大王にとりなしたという伝説に基づくものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

The gate circuit 230 blocks outputs, from the flip-flop circuit, of either of regular output data Q, Qb outputted to a circuit of a tested target and output data SIN for scanning outputted to a following flip-flop circuit according to an operation mode.例文帳に追加

ゲート回路２３０は、被テスト対象の回路に出力される正規の出力データＱ，Ｑｂおよび後段のフリップフロップ回路に出力されるスキャン用の出力データＳＩＮの何れかについて、動作モードに応じて当該フリップフロップ回路からの出力を阻止する。 - 特許庁

A gate insulation film 52 of a TFT 12 includes a laminate structure of a first insulation film 52A made of silicon nitride (SiN), a first light-absorbing layer 52B made of a material for absorbing light of ≤420 nm wavelength, and a second insulation layer 53B made of silicon dioxide (SiO_2).例文帳に追加

ＴＦＴ１２のゲート絶縁膜５２を、窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる第１絶縁膜５２Ａと、４２０ｎｍ以下の光を吸収する材料よりなる第１光吸収層５２Ｂと、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2 ）よりなる第２絶縁膜５３Ｂとの積層構造とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, consisting of an SiO2 film 9 and an SiN film 10, is formed on the entire surface and after a flattened insulating film 14, which have open parts at positions corresponding to a source 7a and drain 7c is formed on the film 10, the contact holes 12 are formed.例文帳に追加

そして全面にＳｉＯ_2膜９、ＳｉＮ膜１０からなる層間絶縁膜１１を形成し、それをソース７ａ及びドレイン７ｃに対応した位置に開口部を有する平坦化絶縁膜１４を形成した後、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

Secondly, in a second cleaning step, the selection ratio is decreased by increasing a temperature in the treatment chamber to 350°C to remove the quartz powder of the quarts member generated in a first cleaning step and the remaining SiN film which cannot be removed in the first cleaning step.例文帳に追加

つぎに、第２のクリーニング工程で、処理室内の温度を３５０℃に上げることで、上記選択比を下げ、第１のクリーニング工程で発生した石英製部材の石英粉及び第１のクリーニング工程において除去できずに残存したＳｉＮ膜を除去する。 - 特許庁

A delay control part 52 delays the acoustic signal SIN by a prescribed delay amount D0, when the unit section T is determined as the nonvoice, and shortens a low-volume section PLOW having a low SN ratio R out of the unit sections T, when the unit section T is determined as the voice.例文帳に追加

遅延制御部５２は、単位区間Ｔが非音声に識別されると音響信号ＳINを所定の遅延量Ｄ0だけ遅延させ、単位区間Ｔが音声に識別されると当該単位区間ＴのうちＳＮ比Ｒが低い低音量区間ＰLOWを短縮する。 - 特許庁

In a sputtering device, when the composition layer of an optical disk is to be formed, inner- and outer-periphery masks 2 and 3 are arranged in a sputtering chamber, and a deposition region is controlled, thus completely sealing the outer-periphery part of a recording film by a dielectric such as SiN.例文帳に追加

スパッタリング装置において、光ディスクの構成層を形成する際、スパッタリングチャンバ内に内周マスク２および外周マスク３を配し、蒸着領域を制御することにより、ＳｉＮ等の誘電体で記録膜の外周部を完全に封止する。 - 特許庁

However, as vessels at that time were immature both in capability for navigation and combat power and they were dependent to support from the land, the joint defense by navy and army worked effectively and, after that, attacks by Yi Sun-sin could not achieve good results in battle and became lackluster and the number of sorties decreased. 例文帳に追加

しかし当時の船は航海力も攻撃力も未熟であり、陸上への依存が強いため水陸共同防御戦術は有効に機能し、以降の李舜臣の攻撃は戦果があがらず精彩を欠くようになり、出撃も滞ることとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Due to Yugiri's very honest personality, he does not commit the same sin his father Genji did, but when he catches a glimpse of Murasaki no ue on her deathbed, he expresses great admiration for her beauty even in death ('Minori' (The Rites)), wishing that she would have lived longer after Genji died. ('Nioumiya') 例文帳に追加

夕霧の生真面目な性格から父源氏のような過ちは起こらなかったものの、紫の上臨終後に再び垣間見た際には、その死に顔すら類なく美しいと絶賛し（「御法」）、源氏亡き後まで彼女が存命であればと惜しんでいる（「匂宮」）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Subsequently, his anger cools after Onna San no Miya becomes a nun and Kashiwagi passes away, and he considers that his deceased father might also have known of Genji's sin but did not blame him, so he makes up his mind to raise the child as his own without telling anybody the secret. 例文帳に追加

その後女三宮の出家と柏木の死でさすがに怒りも和らぎ、また亡き父帝も源氏の過ちを悟っていながら咎めなかったのではないかと思いを馳せて、源氏は生まれた子の秘密を誰にもいわず自分の子として育てる事になった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When the input signal Sin changes from the low level to the high level, a current I8 increases in response to the increase in a current I6, while a p-type MOS transistor MP12 changes from ON to OFF, the voltage at the node N2 is decreased by the current I8.例文帳に追加

入力信号Ｓｉｎがローレベルからハイレベルへ変化する場合は、電流Ｉ６の増加に応じて電流Ｉ８が増加し、ｐ型ＭＯＳトランジスタＭＰ１２がオンからオフへ変化するまでの間、この電流Ｉ８によりノードＮ２の電圧が引き下げられる。 - 特許庁

Here, particles 14 and 20, remaining on the surface of a semiconductor base body and an SiN film 12 at the bottom surface part of a polysilicon fragment 18b, are etching-removed from lateral direction, allowing the particles 14 and 20 and polysilicon fragment 18b to be bitten at roots and removed.例文帳に追加

このとき、半導体基体表面に残存するパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂの底面部のＳｉＮ膜１２が横方向からエッチング除去され、これらのパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂはその足場を掬われるようにして除去される。 - 特許庁

Light collection efficiency can easily be improved by reducing the influence of an error by using an optical fiber characterized in that the area of an incidence surface Sin is made larger than the area of projection surfaces Sout and the plurality of projection surfaces are provided for the single incidence surface.例文帳に追加

入射面Ｓｉｎの面積が、出射面Ｓｏｕｔの面積よりも大きく、単数の入射面に対して、複数の出射面を有する光ファイバを用いることで、誤差の影響を受けにくくして集光効率を向上させることが容易にできる。 - 特許庁

The magneto-optical disk 1 is obtained by laminating at least a reflection layer 4 consisting of AlTi, nonlinear material layer 6 consisting of Sb, recording and reproducing layer 7 consisting of TbFeCo and second dielectric layer 8 consisting of SiN on a disk substrate 2.例文帳に追加

光磁気ディスク１を、ディスク基板２上に、ＡｌＴｉからなる反射層４、Ｓｂからなる非線形材料層６、ＴｂＦｅＣｏからなる記録再生層７、およびＳｉＮからなる第２の誘電体層８を少なくとも積層させて構成する。 - 特許庁

A extraction wiring 109 from the wiring for an excitation, the wiring for a sin output, and the wiring for a cos output of a resolver having a plurality of the angle detecting sections is connected to a circuit board 106 that is fixed with a stud bolt 107 to a stator 103.例文帳に追加

この角度検出セクションを複数備えたレゾルバの励磁用の巻線、ｓｉｎ出力用の巻線およびｃｏｓ出力用の巻線からの引き出し配線１０９を、ステータ１０３にスタッドボルト１０７によって固定された回路基板１０６に接続する。 - 特許庁

Then, respective Y axis coordinate values are computed by multiplying a sin function value for respective X axis coordinate values for which the distance W is equally divided with the amplitude value H (steps A9 and A10), a line segment for connecting respective coordinate points obtained by computation is plotted and the waveform of sine waves is plotted (step A11).例文帳に追加

そして、距離Ｗを等分割した各Ｘ軸座標値に対するｓｉｎ関数値を振幅値Ｈに乗じて各Ｙ軸座標値を演算し（ステップＡ９，Ａ１０）、演算で得られた各座標点間を結ぶ線分を描画して正弦波の波形を描画する（ステップＡ１１）。 - 特許庁

A fourth insulating film 22 is flattened and provided below a filter 23 of each color, and between the filter 23 and fourth insulating film 22, neither an antireflective SiON film nor a plasma SiN film 25 for passivation and hydrogen sintering is left and provided, as is the conventional case.例文帳に追加

各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 - 特許庁

After having formed a metal film 19 on a silicon oxide film 12, a plug 16 and a SiN film 18, by anisotropically etching the metal film 19 by using a photo resist film, the metal film 19 is left on the side wall of the protruded portion from the silicon oxide film 12 of the plug 16.例文帳に追加

酸化シリコン膜１２、プラグ１６およびＳｉＮ膜１８上にメタル膜１９を形成した後、フォトレジスト膜を用いてメタル膜１９を異方的にエッチングすることにより、プラグ１６の酸化シリコン膜１２から突出した部分の側壁にメタル膜１９を残す。 - 特許庁

A specific frequency component of an input picture signal SIN is extracted with a band-pass filter 2, and a rectifier and detector circuit 4 samples a part of a prescribed horizontal synchronizing period in a vertical blanking period to perform rectification and detection and outputs a noise level signal SNLVL indicating the noise level.例文帳に追加

入力画像信号ＳＩＮの特定周波数成分がバンドパスフィルタ２により抽出され、整流検波回路４は垂直ブランキング期間内の所定水平同期期間の一部をサンプリングして、整流検波を行いノイズレベルを示すノイズレベル信号ＳＮＬＶＬを出力する。 - 特許庁

When detecting grounding/short-circuiting depending on whether the center value of the amplitude is within a prescribed threshold range by correction (S26), erroneous detection due to the superposition of the amount of rotation of the resolver onto the sinusoidal signals and cosine signals is eliminated, thus detecting the grounding/short-circuiting of the resolver precisely.例文帳に追加

補正を行うことで、振幅中央値が所定閾値範囲内にあるかにより地絡、短絡を検出する際に（Ｓ２６）、レゾルバの回転分がsin信号、cos信号に重畳することによる誤検出が無くなり、レゾルバの地絡、短絡を高精度で検出することが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

Consequently, even if the amplitude V(t) of the input signal Sin(t) decreases, error signal components remaining in an output high-frequency signal Sout(t) are reduced since the amplitude level of error signals generated by the signal divider 12 is lowered.例文帳に追加

これによって、入力信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅Ｖ(ｔ)が減少しても、信号分離器１２により生成されるエラー信号の振幅レベルを低減することができるので、出力高周波信号Ｓｏｕｔ(ｔ)中に残留するエラー信号成分を低減することができる。 - 特許庁

With this constitution, a magnetic reluctance of a magnetic circuit can be reduce, and further eddy currents sin the bobbins 131b and 132b can be avoided, while temperature rises of excitation coils 131a and 312a are suppressed, so that efficiency of a linear vibration actuator can be improved.例文帳に追加

これにより、磁気回路の磁気抵抗を小さくすることができるとともに、励磁コイル１３１ａ、１３２ａの温度上昇を抑制しつつ、ボビン１３１ｂ、１３２ｂに渦電流が流れることを防止できるので、リニア振動アクチュエータの効率を向上させることができる。 - 特許庁

A high-resistance part 113, having a resistance value larger than that of a conductor part 111, is provided in a vibrating part 11 (in parallel with an LCR series resonance circuit) in the vibration part 11 for performing resonance vibration by longitudinal wave vibration, according to the frequency of an input AC signal Sin.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinの周波数に応じて縦波振動による共振振動を行う振動部１１内において、振動部１１内に（ＬＣＲ直列共振回路と並列に）、導体部１１１よりも抵抗値の高い高抵抗部１１３を設ける。 - 特許庁

During detection, a detecting operation is performed based on a signal (a detection signal S11) of basic frequency f0 in a common driving signal Vcom, and signals (detection signals S13, S15) of two harmonics 3f0, 5f0 in the common driving signal Vcom out of the detection signal Vdet (Sin).例文帳に追加

この検出の際に、検出信号Ｖdet（Ｓin）のうち、コモン駆動信号Ｖcomにおける基本周波数ｆ０の信号（検出信号Ｓ１１）と、このコモン駆動信号Ｖcomにおける２つの高調波３ｆ０，５ｆ０の信号（検出信号Ｓ１３，Ｓ１５））とに基づいて検出動作を行う。 - 特許庁

The movable terminals of the semi-fixed resistors TR1, TR2 each move at the same proportion interlockingly in an opposite direction to each other, and are adjusted so that when an audio signal Sin is mute, the duty ratios Spwm, /Spwm of PWM signals output from the inverters INV1, INV2 are 50%.例文帳に追加

半固定抵抗器ＴＲ１，ＴＲ２の各可動端子は互いに逆方向に連動して同一の割合で移動し、オーディオ信号Ｓinが無音の場合にインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２から出力されるＰＷＭ信号Ｓpwm，／Ｓpwmのデューティ比が５０％となるように調整されている。 - 特許庁

A semiconductor film 105 and an ohmic contact layer 107 are successively formed on the gate insulating film 104, and a jumper line 143 is formed on the ohmic contact layer 107 to partially overlap the gate electrode line 142, and an OC-SiN film 111 is formed on the jumper line 143.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０４には半導体膜１０５、オーミックコンタクト層１０７が順次形成され、オーミックコンタクト層１０７には一部の位置がゲート電極線１４２と重なるように、ジャンパー線１４３が形成されており、このジャンパー線１４３上にはＯＣ−ＳｉＮ膜１１１が形成されている。 - 特許庁

The torque ripple compensation table obtains magnitudes (amplitudes) of a sine wave sin and a cosine wave cos as the compensation torque for the torque command at each frequency with a frequency (6f) six times as high as a power supply frequency and a predetermined frequency synchronized with rotation such as the torque command as subjects.例文帳に追加

トルクリップル補償テーブルは、電源周波数の６倍の周波数（６ｆ）とコギングトルクの様な回転に同期した特定の周波数を対象として、周波数毎に正弦波ｓｉｎと余弦波ｃｏｓの大きさ（振幅）をトルク指令に対する補償トルクとして求める。 - 特許庁

This field effect transistor is composed of a compound semiconductor-based field effect transistor formed on a GaAs substrate 41 and has a gate electrode 52 electrically connected to the channel area (not shown in the figure) of the substrate 41 through an SiN film 42 formed on the substrate 41.例文帳に追加

本電界効果トランジスタは、ＧａＡｓ基板４１上に形成された化合物半導体系の電界効果トランジスタであって、ＧａＡｓ基板上に形成されたＳｉＮ膜４２を貫通してＧａＡｓ基板のチャンネル領域（図示せず）に電気的に接続するゲート電極５２を有する。 - 特許庁

The change-over control circuit 18 operates with a supply of a supply voltage Vcc of +5 V from a supply line 30a and a ground 30b, and outputs change-over state signals So1 and So2 from output nodes Nb and Nc according to states of a change-over command signal Sin to be input in an input node Na.例文帳に追加

切替制御回路１８は、電源ライン３０ａ及びグランド３０ｂから＋５Ｖの電源電圧Ｖccの供給を受けて動作し、入力ノードＮａに入力される切替指令信号Ｓinの状態に応じて、出力ノードＮｂ、Ｎｃから切替状態信号Ｓo1、Ｓo2を出力する。 - 特許庁

An SiN film 24 as a gate insulating layer of the switch TFT, an a-Si film 25 as a photoelectric conversion sensor and as a semiconductor layer of the switch TFT, and an n+ film 26 as a carrier implantation barrier layer of the photo sensor and as an ohmic contact layer of the switch TFT, are sequentially formed.例文帳に追加

スイッチＴＦＴのゲート絶縁層としてＳｉＮ膜２４、光センサーの光電変換層及びスイッチＴＦＴの半導体層としてａ−Ｓｉ膜２５、光センサーのキャリア注入阻止層及びスイッチＴＦＴのオーミックコンタクト層としてｎ＋膜２６を連続成膜する。 - 特許庁

A receiver 70 is provided with an amplifier circuit 1, an input signal amplitude limiter circuit 2, a switch 3, a switch 4, a power source 5, a signal processor 6, an input terminal Pad1, and an output terminal Pad2, wherein a desired wave signal and an interference signal wave are input as an input signal Sin.例文帳に追加

受信装置７０には、増幅回路１、入力信号振幅制限回路２、スイッチ３、スイッチ４、電源５、信号処理部６、入力端子Ｐａｄ１、及び出力端子Ｐａｄ２が設けられ、所望波信号と妨害波信号が入力信号Ｓｉｎとして入力される。 - 特許庁

The circuit includes a synchronous oscillator OS having a synchronous input in1 connected to the input of the variable phase shift circuit for inputting the input signal Sin and at least one output out1 connected to the output of the phase shift circuit for outputting the output signal Sout.例文帳に追加

この回路は、可変位相シフト回路の入力に接続された入力信号Ｓｉｎを入力する同期入力ｉｎ１と、位相シフト回路の出力に接続された、出力信号Ｓｏｕｔを出力する少なくとも１個の出力ｏｕｔ１とを有する同期発振器ＯＳを含む。 - 特許庁

The selector selects an analog input signal Sin controlled by the control circuit and given to one input terminal or a signal ground signal SG as a reference analog input signal given to the other input terminal and gives the selected signal to the S/H circuit.例文帳に追加

セレクタは，コントロール回路に制御され，一方の入力端子に入力されるアナログ入力信号Ｓｉｎまたは他方の入力端子に入力される基準アナログ入力信号としてのシグナルグランド信号ＳＧ（＝Ｖｄｄ／２）のいずれか一方を選択し，Ｓ／Ｈ回路に供給する。 - 特許庁

Titanium nitride film (third TiN film 13) is formed in a covering state of the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9, and the film is patterned, thereby forming an oscillating beam (structure pattern) 13a of which end is supported on the substrate surface across the sacrificial layer pattern.例文帳に追加

第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a structure that can detect at inspection in a factory the presence or absence of a pin hole of a sealing film such as SiN of an organic EL display device of solid sealing type, in which the influence of incoming moisture is prevented by covering an organic EL layer with the sealing film.例文帳に追加

有機ＥＬ層をＳｉＮ等の封止膜で覆うことによって、外部からの水分の影響を防止する固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、封止膜におけるピンホールの存在の有無を工場内の検査で検出することが出来る構成を実現する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of mixing hydrogen gas with the HMDS and reactant gas consisting of gas containing nitrogen atom gas and/or gas containing oxygen atom gas; and varying the carbon contents of the silicon film (SiN film, SiO_2 film, and SiON film) by changing the mixing ratio of the reactant gas and the hydrogen gas.例文帳に追加

ＨＭＤＳと窒素原子含有ガス及び／又は酸素原子含有ガスとから成る反応ガスに水素ガスを混合し、反応ガスと水素ガスとの混合比を変化させることにより、シリコン系膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯＮ膜）の炭素含有量を変化させる。 - 特許庁