「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(188ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas sensor adopts an organic / inorganic hybrid material as its sensor element being made up so that an organic compound is inserted into an interlayer of an inorganic compound having a laminar structure, and has a function detecting the gas based on changes in resistance.例文帳に追加

下記工程を含むことを特徴とするガスセンサ及びその製造方法であって、センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とする、ＶＯＣガスに対して、高い選択性を有するガスセンサ、及びその製造方法。 - 特許庁

The polarization separation element is produced by forming an optically anisotropic film 12 on an optically transparent first isotropic substrate 11, then forming a diffraction grating 14 having a rugged periodical structure on the surface of the film 12, filling the recesses of the grating with a transparent and optically isotropic resin 13, and further adhering an optically transparent second isotropic substrate 15 thereon.例文帳に追加

偏光分離素子１０は、光学的に透明な第１の等方性基板１１上に光学的異方性膜１２を形成し、その表面に凹凸状の周期構造をもつ回折格子１４を形成し、その格子の凹部に透明で光学的に等方性の樹脂１３を埋め込み、さらに光学的に透明な第２の等方性基板１５を接着してなる。 - 特許庁

In the CMOS semiconductor element where a gate electrode of two-layer structure consisting of a lower layer metal layer and an upper layer metal layer of different nitrogen content is formed in the NMOS region and the PMOS region on a semiconductor substrate through a gate insulating film, the lower layer metal layer is made shorter than the upper layer metal layer in the gate length direction.例文帳に追加

半導体基板上のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域にゲート絶縁膜を介してそれぞれ窒素含有量の異なる下層金属層とその上に積層された上層金属層から成る２層構成のゲート電極が形成されたＣＭＯＳ半導体素子であって、前記下層金属層を前記上層金属層よりゲート長方向の長さを短くする。 - 特許庁

An organic EL structure provided with a hole injection electrode, an electron injection electrode and organic layers including one or more kinds of luminescence layers provided between these electrodes is stored in an airtight case, and one or more kinds of calcium hydride, strontium hydride, barium hydride and aluminum hydride lithium are arranged in the airtight case to form this organic EL element.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種以上の発光層を含む有機層とを有する有機ＥＬ構造体が気密ケースに収納されており、前記気密ケース内に、水素化カルシウム、水素化ストロンチウム、水素化バリウムおよび水素化アルミニウムリチウムの１種以上が配置されている。 - 特許庁

The optical element 100 includes a photonic crystal layer 20 which is formed of an organic material and has a two-dimensional photonic crystal structure having projection part or recesses 30 periodically arrayed on its main surface and a high-refractive-index layer 40 which is formed of a material having a higher refractive index than that of the material of the photonic crystal layer 20 on the photonic crystal layer 20.例文帳に追加

本発明の光学素子１００は、有機材料で形成され、かつ主面上に凸部または凹部３０が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有するフォトニック結晶層２０と、前記フォトニック結晶層２０の上に、該フォトニック結晶層２０の材料より屈折率の高い材料で形成される高屈折率層４０と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 1 with a semiconductor element; the air gap 101 that is formed on the semiconductor device 1 around wirings 10a, 10b, 10c and 10d, or the wirings 10c and 10d; a wiring structure with consecutive through-hole 102 on the air gap 101; and a through-hole stopper 103 formed under the through-hole 102.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体素子を有する半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、配線１０ｃ、１０ｄの周囲のエアギャップ１０１、およびエアギャップ１０１に連続するスルーホール１０２含む配線構造と、スルーホール１０２下に形成されたスルーホールストッパー１０３と、を有する。 - 特許庁

An axial direction stopper structure is provided, which limits axial direction relative displacement between the gear and the hub to a prescribed distance when the gear and the hub are relatively displaced in an axial direction by engaging the sleeve or the hub with one flange provided at an end of the element piece in the axial direction and by engaging the sleeve or the gear with the other flange in the axial direction.例文帳に追加

またハブおよびギアが軸方向に相対変位したときに、駒体の端部に設けた一方の鍔部に対しスリーブまたはハブが軸方向に係合するとともに他方の鍔部に対しスリーブまたはギアが軸方向に係合することにより、ハブおよびギアの軸方向相対変位を所定距離までに制限する軸方向ストッパ構造が設けられている。 - 特許庁

The total of the ratio occupied by a phase having a high Mg concentration and a phase having a high Al concentration than that of the host phase confirmed by a host phase confirmed by a COMP image of 500 magnifications by the EPMA of the cross-sectional structure in the alloy and the element mapping image of Mg and Al produced by a strip casting process is ≤5.0% in the whole.例文帳に追加

）で表される組成を有する水素吸蔵合金であって、ストリップキャスティング法により製造された、合金の断面組織のＥＰＭＡによる５００倍のＣＯＭＰ像およびＭｇとＡｌの元素マッピング像で確認される母相よりも、Ｍｇ濃度が高い相およびＡｌ濃度が高い相の占める割合の合計が全体の５．０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive and highly reliable magnetron with a simple structure capable of obtaining powerful microwaves having a desired frequency with a rapid response corresponding to an outside electric signal without using a mechanical means having a movable part, and capable of obtaining a broadly variable oscillation frequency range without arranging a switch element inside a bulb without inhibiting productivity.例文帳に追加

可動部を持つ機械式手段によらず、簡単な構造で、外部からの電気信号により所望の周波数の高出力マイクロ波が極めて速いレスポンスで得られ、またスイッチ素子を管球内部に配置することなく、広い可変範周の発振周波数を得ることができ、生産性を阻害することもなく、低価格で信頼性の高いマグネトロンを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nanoimprint mold, a manufacturing method of an optical element, and a forming method of a resist pattern capable of forming a resist pattern in which circular patterns of about 200 nm are regularly arranged with a practical productivity by using a variable shaped beam electron beam writer and forming a uneven nano-structure from the resist pattern.例文帳に追加

本発明は、可変成型ビーム方式の電子線描画装置を用いて、実用的な生産性で、２００ｎｍ前後の円形パターンが規則的に配列したレジストパターンを形成し、前記レジストパターンからナノ凹凸構造体を形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、光学素子の製造方法、およびレジストパターンの形成方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This invention relates to an electroluminescence electrooptical device having a structure in which a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein the light emitting layer is provided on the cathode, the anode is provided on the light emitting layer, and a passivation film is provided on the anode, the light emitting layer nearby an interface between the light emitting layer and anode containing a halogen element.例文帳に追加

陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス電気光学装置であって、陰極上に前記発光層が設けられ、発光層の上に前記陽極が設けられ、陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、発光層と陽極との界面近傍の発光層にはハロゲン元素が含まれている電気光学装置を提供する。 - 特許庁

The optical element comprises a substrate and at least one layer of the selective reflection layer having a cholesteric liquid crystalline structure selectively reflecting the light of a specific polarized-light component via an intermediate layer on the substrate, in which the intermediate layer contains a resin prepared by polymerization crosslinking an acrylic monomer having at least two or more ethylenic functional groups in one molecule.例文帳に追加

基材と、その基材上に中間層を介して、特定の偏光成分の光を選択的に反射するコレステリック液晶構造を有する選択反射層が少なくとも１層設けられてなる光学素子であって、前記中間層が、エチレン性官能基を１分子中に少なくとも２以上有するアクリル系モノマーを重合架橋させた樹脂を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The organic electroluminescence element containing a layer of or not less than two layers of organic polymer layers sandwiched between positive and negative electrodes contains a polymer (A) containing a structure unit derived from an iridium complex expressed by general formula 1, or the like and specific organic silicon compound (B) in at least one layer in the organic polymer layer.例文帳に追加

陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも１層に（Ａ）下記一般式（１）などで表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体、及び（Ｂ）特定の有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To prevent damage to a shaft member, etc., to achieve long life by eliminating deposition of a byproduct in a housing, etc. and to eliminate the need for making a housing and other element apparatuses into structure capable of resisting high temperature by further preventing generation of the byproduct not by temperature control but by pressure control in a processing apparatus by which gas is generated in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内においてガスが生成される処理装置において、副生成物がハウジング等に堆積することを無くすことにより、軸部材等の損傷を防止し、長寿命を達成し、さらに温度制御でなく圧力制御により副生成物の発生を防止することにより、ハウジングその他の要素機器を高温に耐え得る構造にする必要を無くす。 - 特許庁

In this electroluminescence element, at least one layer of electric charge carrier and light emitting layers contains a microphase separable electric charge carrier block copolymer or graft copolymer having a convoluted electric charge carrier passage structure or contains a cross-linking-curing material of an electric charge carrier and/or light emissive compound having a cross- linking-curing group in a molecule.例文帳に追加

電荷輸送性及び発光性を有する層の少なくとも１層が、回旋状電荷輸送路構造を有する、ミクロ相分離型電荷輸送性ブロック共重合又はグラフト共重合体を含有してなる、又は、分子中に架橋硬化性基を有する電荷輸送性及び／又は発光性化合物の架橋硬化物を含有してなる電界発光素子である。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁

An element structure consists of: (1) a front reflecting region 18 containing a plurality of pairs while using a pair composed of an active region 9 and a nonactive region 10 comprising a diffraction grating 5 as one period; and (2) a nonactive rear reflecting region 17 configured by combining a plurality of vertical Mach-Zehnder couplers 21 and 22 having different lengths in the longitudinal direction respectively.例文帳に追加

素子構造は、（１）活性領域９と回折格子５を含んだ非活性領域１０とから成る１対を１周期として、当該１対を複数個含む前方反射領域１８と、（２）長手方向の長さがそれぞれ異なる複数個の垂直マッハツェンダー結合器２１，２２を組み合わせて構成された非活性な後方反射領域１７とから成る。 - 特許庁

In the display element which contains silver or electrolyte containing compound containing silver in chemical structure between opposite electrodes and performs drive operations of the opposite electrode so as to generate dissolution deposition of silver, at least one of the opposite electrodes and compound containing a carboxyl group are bonded via the carboxyl group of the compound.例文帳に追加

対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を含有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該対向電極の少なくとも一方の電極と、カルボキシル基を含む化合物とが、該化合物のカルボキシル基を介して結合していることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The program and the tab structure display system, as their features, achieve a function that partitions a plurality of objects capable of assuming various statuses on the computer into tab segments, in response to each status and a function that displays the plurality of objects and their status with a display module 1a defined with a tab element 3a indicating the tab segment which corresponds to the status.例文帳に追加

コンピュータに種々のステータスを取り得る複数のオブジェクトをそのステータスに応じてタブ区分に区分する機能と、前記複数のオブジェクト及びそのステータスを当該ステータスに対応するタブ区分を表すタブ要素３ａで定義される表示モジュール１ａで表示する機能を実現させることを特徴とするプログラム及び該プログラムを実現するタブ構造表示システム。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having such a structure as internal quantum efficiency is enhanced by enhancing crystallinity of a semiconductor layer being laid when light of short wavelength of 400 nm or less is emitted, and external quantum efficiency is also enhanced by absorbing the emitted light as much as possible through a substrate, and the like, and thereby total emission efficiency can be enhanced.例文帳に追加

４００ｎｍ以下の短波長の光を発光させる場合に、積層する半導体層の結晶性を向上させて内部量子効率を高くすると共に、発光した光を基板などでできるだけ吸収させないで外部に取り出すことにより外部量子効率も向上させ、総合的に発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The structure to carry out simultaneous forging and manufacturing method of a graphite heat spreader includes a thermal via having one or two flanges 61 such as a coplanar thermal via 60, a graphite heat spreader having a surface layer covering a graphite material, a graphite heat spreader having a cladding layer to reinforce the structural unity, and a graphite heat spreader element having a metallic thermal via at a predetermined position.例文帳に追加

同一平面上にあるサーマルビア６０のような、一または二個のフランジ６１を有するサーマルビア、グラファイト材料を覆う表面層を有するグラファイトヒートスプレッダ、構造的一体性を強化するためにクラッド層を有するグラファイトヒートスプレッダおよび金属サーマルビアを所定の位置に含むグラファイトヒートスプレッダ素子を共鍛造する構造および製造方法にすることを特徴とする。 - 特許庁

The film for an EL element has a film existing on a surface of a polymer film, and the film is formed of an inorganic polymer containing silicon, nitride, hydrogen, and oxide, and a film superimposed on the inorganic polymer film includes an organic and inorganic hybrid chemical structure of an organic skeleton at least containing a fluorine group, a siloxane group, and an organic polymer chain, and an inorganic skeleton.例文帳に追加

高分子フィルムの表面に存在する被膜を有するＥＬ素子用フィルムであって、前記被膜がシリコン、窒素、水素、酸素からなる無機ポリマーからなり、この無機ポリマー被膜の上に重ねられる被膜は、少なくともフッ素基、シロキサン基、有機高分子鎖からなる有機骨格部と無機骨格部の有機無機ハイブリッド化学構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

To provide a connection part structure between an antenna and a communication cable which can prevent a shift in a transmitting and receiving frequency caused by a change in a contact area and a contact position of solder 6, etc., on an antenna element 2 and improve connection working properties by facilitating the positioning of a communication cable 5 when an antenna 1 and the communication cable 5 are connected by soldering, etc.例文帳に追加

アンテナ１と通信ケーブル５とをハンダ付け等により接続する際、アンテナエレメント２に対するハンダ６等の接触面積と接触位置が変化することによる送受信周波数のずれを防止することができるとともに、通信ケーブル５の位置決めを容易にすることで接続作業性を向上させることが可能なアンテナと通信ケーブルの接続部構造を提供すること。 - 特許庁

To provide ink forming an image which satisfies both of high ozone resistance and high image quality regardless of the application quantity of the ink, by focusing attention on an element which sets a structure or aggregation characteristics engaging with the aggregability of a color material which occurs when the color material is mixed with a polyvalent metal in a fixed ratio to a good combination by simple and easy means and achieves integration to proper situation.例文帳に追加

色材に多価金属を一定の比率で混合させた場合に起こる色材の凝集性に関与する構造又は凝集特性を簡易な手法により良好な組み合わせに設定し、適切な状況に纏め上げる要素に着目することで、インクの付与量に関わらず、画像が高いレベルの耐オゾン性と画質品質とを両立するインクを提供すること。 - 特許庁

In this electrochemical element or the battery including a negative electrode, a separator, and a positive electrode of a manganese dioxide, the positive electrode contains at least one inorganic crystalline additive selected from a tungsten oxide, a zirconium compound, a titanium oxide having a rutile structure, a yttrium oxide, a cerium oxide, zeolite and aluminosilicate by one to ten thousands (0.0001)%-ten (10)% to a positive electrode mass.例文帳に追加

負極、セパレータ、及び二酸化マンガン製の正極を含む電気化学的素子又は電池において、正極は酸化タングステン、ジルコニウム化合物、ルチル形構造の酸化チタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、ゼオライト及びアルミノケイ酸塩のうち少なくとも１つの無機結晶性添加剤を正極質量に対して１万分の１（０．０００１）％〜十（１０）％含有する。 - 特許庁

The oxide sintered body has a perivskite structure shown by the chemical equation of MRuO3 (M: any one kind of Ca, Sr, and Ba) which has features that the total content of an alkali metal element such as Na and K, and Fe, Ni, Co, Cr, Cu, and Al is 100 ppm or less and that relative density is 90% or higher.例文帳に追加

Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素及びＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌの含有量が総計で１００ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈの各元素の含有量が１０ｐｐｂ以下であり、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするＭＲｕＯ_３（Ｍ：Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか一種以上）の化学式で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物焼結体。 - 特許庁

A resin-encapsulated semiconductor device of the MCP in a stacked structure has a resin layer 3 of a photosensitive resin composition, containing a cyclic olefin-based resin (A) having an epoxy group and a photoacid generator (B) on a circuit-element forming surface of the semiconductor chip 2, wherein the back surface of another semiconductor chip 6 laminated on the semiconductor chip is in direct contact with the resin layer.例文帳に追加

エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層３を半導体チップ２の回路素子形成面上に有し、かつ半導体チップ上に積層する別の半導体チップ６の裏面が樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which sandwiches a light emitting layer consisting of an organic compound thin film of a single layer or a plurality of layers between an anode and a cathode face each other, at least one layer of the organic compound thin film contains at least one of a compound having a polymerizable cyclic structure represented as a general formula (5) or its polymer.例文帳に追加

互いに対向する陽極と陰極間に、単層又は複数層の有機化合物薄膜により成る発光層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも１層が、下記一般式（５）で表される重合性環状構造を有する化合物、又はその重合体を少なくとも一種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

This element has a laminated structure consisting of n-InP substrate 21, and n-InP clad layer 22, SCH-MQW active layer 23, first p-In clad layer 24, p-AlInAs/AlGaInAs layer 25, second p-InP clad layer 26, and p-GaInAs contact layer 27 sequentially formed on the n-InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an active layer area I of layer structure including an active layer and a waveguide layer area II butt- joined therewith are formed on a semiconductor substrate, and the butted joint surface J is a vertical surface inclined at 45 degrees to the crystal azimuth (011) of a conductor material comprising at least the active layer in the active layer area I.例文帳に追加

活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。 - 特許庁

A Fabry-Perot etalon structure is formed by arranging a film 11 and a substrate 12, each having a reflecting film formed on one surface and a reflection-preventive film formed on the other surface, so that their reflecting surfaces face each other, and a high-pass filter 13 is arranged obliquely between the film-formed substrate 12 and a photodetecting element 9.例文帳に追加

一方の面に反射膜１１Ｃ、１２Ｃを蒸着形成し、他方の面に反射防止膜１１Ｂ、１２Ｂを蒸着形成した膜付フィルム１１と膜付基板１２とを互いに反射膜１１Ｃ、１２Ｃ側の面が向い合うように対向配置してファブリ・ペローエタロン構造を作り、さらに膜付基板１２と受光素子９との間にハイパスフィルタ１３を傾斜配置する。 - 特許庁

A fluoropolymer layer of the oxygen-consuming electrode having a flexible textile structure composed of nickel and/or silver-plated nickel as a carrier element and comprising silver, silver oxide or the like as a catalyst, and in which the side facing a gas is coated with a fluoropolymer soluble in a solvent, is given by being applied in the form of a solution in a solvent removable by evaporation.例文帳に追加

ニッケルおよび／または銀めっきニッケルから構成される柔軟性繊維構造を担体要素として有し、銀、酸化銀などを触媒として含み、ガスに面する側が溶媒に可溶性のフルオロポリマーによって被覆される酸素消費電極のフルオロポリマー層を、蒸発により除去することができる溶媒中の溶液の形態で適用することによって付与する。 - 特許庁

The element substrate 10 of the electro-optical device 100 uses a semiconductor substrate 11 formed of a single crystal silicon substrate as the main substrate and forms a first gate electrode 11a of a pixel transistor 30 in a back gate structure and the first electrode 11b of a holding capacitor 60 simultaneously, by introducing impurities into the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。 - 特許庁

Higher output and smaller physical size are achieved by integrating an output amplifier circuit composed of TFT having a crystal structure semiconductor film (typically polysilicon film) with a sensor element using an amorphous semiconductor film (typically amorphous silicon film) on a heat-resistant plastic film substrate which can resist temperature at a time of packaging for solder reflow treatment and the like.例文帳に追加

本発明は、半田リフロー処理などの実装時の温度に耐えうる耐熱性プラスチックフィルム基板上に、結晶構造を有する半導体膜（代表的にはポリシリコン膜）を有するＴＦＴからなる出力増幅回路と、非晶質半導体膜（代表的にはアモルファスシリコン膜）を用いたセンサ素子とを一体化させることで、高出力化及び小型化を図る。 - 特許庁

The semiconductor chip 101 has a structure equipped with multilevel metallization and a sealing ring 1 on a semiconductor substrate 5, and a semiconductor element 12, whose operable reliability is secured, as a chip internal circuit is disposed in not only an internal region 2 demarcated inwardly of the ring 1 but also a frame region 3 demarcated outwardly of the region 2.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体チップは、半導体基板５上に多層配線、及びシールリング１構造を備える半導体チップ１０１であって、シールリング１より内側に区画される内部領域２のみならず、内部領域２より外側に区画される額縁領域３に、チップ内部回路として動作可能な信頼性が確保された半導体素子１２が配設されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a composite thin film, wherein chemical stability is obtained in any semiconductor device, diffusion or the like is not generated to any element constituting various kinds of thin films arranged vertically in a laminated structure, and application to a protective film or a charge preventing film of semiconductor is possible, and a manufacturing method of a semiconductor device using the composite thin film.例文帳に追加

本発明は、何れの半導体装置においても化学的に安定で、その積層構造において上下に配設される種々の薄膜を構成する何れの元素に対しても拡散等が起きることがない、半導体の保護膜又は帯電防止膜として用い得る複合薄膜を含む半導体装置及び、該複合薄膜を利用する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

In the lithium tantalate single crystal with a substantially stoichiometric composition to which Sc is added, Sc is added within a range of 4×10^-1 mol% or more and 8×10^-1 mol% or less to the lithium tantalate single crystal, and is for the wavelength conversion element which converts wavelength of incident light into wavelength in the ultraviolet region by utilizing polarization reversal structure.例文帳に追加

本発明によるＳｃを添加した実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶において、Ｓｃは、タンタル酸リチウム単結晶に対して４×１０^−１ｍｏｌ％以上８×１０^−１ｍｏｌ％以下の範囲添加されており、分極反転構造を利用して、入射光の波長を紫外域の波長に変換する波長変換素子用であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for optics which permits an ACF contact bonding connection under severe conditions by using a specific polymer layer as at least one layer of constituent layers of plastics substrate having a multi-layer structure (in particular, by using a specific polymer layer as an organic permeation resistive layer in an electrode substrate of a liquid crystal cell of a liquid crystal display element).例文帳に追加

多層構造のプラスチックス基板の構成層の少なくとも１層として特定のポリマー層を用いることにより（殊に、液晶表示素子の液晶セルの電極基板において有機の防気層として特定のポリマー層を用いることにより）、過酷な条件下でのＡＣＦ圧着接続を行うことが可能になるようにした光学用プラスチックス基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an APD(Avalanche Photo Diode) bias voltage control circuit that can combine an optical reception module and an APD bias voltage control section in a general purpose way, downsize the optical reception module by externally mounting the APD bias voltage control section and commonly structure the PIN element optical reception module.例文帳に追加

本発明はＡＰＤバイアス電圧制御回路に関し、光受信モジュールとＡＰＤバイアス電圧制御部との汎用的な組み合わせが可能で、ＡＰＤバイアス電圧制御部の外付けによる光受信モジュールの小型化、更にはＰＩＮ素子光受信モジュールの構造の共通化が可能となるＡＰＤバイアス電圧制御回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

Thereby a mounting structure of the bare chip of a switching element which is very small and has low on-resistance is provided.例文帳に追加

固着電極３５上にはパワーＭＯＳＦＥＴのベアチップ３３、３４を固着し、ゲート電極３６に接続されたボンディング細線４０を一方の接続電極に３８に接続し、ソース電極３７のほぼ全面にその一端を接続された板状接続板４４の他端を他方の接続電極３９にし、極めて小型で低いオン抵抗を有するスイッチング素子のベアチップの実装構造を提供する。 - 特許庁

The magneto-resistive element having the overlaid structure in which electrode terminal films are disposed so as to partially overlap the both end parts of the magneto-resistive film for converting a magnetic signal to an electric signal by utilizing the change of magnetic resistance comprises the magneto-resistive film, the cap protecting film for protecting the magneto- resistive film and a conductive conductor protecting film for protecting the cap protective film.例文帳に追加

磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含んでいる。 - 特許庁