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structure elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9525



例文

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。 - 特許庁

An optical element 10 comprises: a light transmission layer in which one major face contains an interface section in which a plurality of concave or convex sections arranged in one dimension or two dimensions are prepared with a distance between centers of 200 to 500 nm; and a light transmission reflection layer of a single layer structure, in which at least a part of the interface section is covered.例文帳に追加

本発明の光学素子10は、一次元的又は二次元的に配列した複数の凹部又は凸部が200nm乃至500nmの中心間距離で設けられた界面部を一方の主面が含んだ光透過層と、前記界面部の少なくとも一部を被覆した単層構造の光透過性反射層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has MOS structure composed of a silicon (Si) substrate 1, the gate insulating film 3 provided on the silicon substrate 1, and a gate electrode film 3 provided on the gate insulating film 3 and the gate electrode film 3 consists principally of at least one kind of element among rhodium (Rh), ruthenium (Ru), iridium (Ir), osmium (Os), and platinum (Pt).例文帳に追加

シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板上に設けられたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極膜からなるMOS構造の半導体装置において、前記ゲート電極膜が少なくともロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)あるいは白金(Pt)のうちの少なくとも一種類の元素を主構成元素とする。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子(薄膜構成原子)の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機EL素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

例文

The organic electroluminescent element includes at least one organic layer having an luminescent layer between a pair of electrodes, and at least a kind of compound having a specific carbazole structure and at least a kind of complex system phosphorescence light emitting material having quadridentate ligand are contained in the organic layer.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、特定のカルバゾール構造を有する化合物の少なくとも一種と、4座配位子を有する錯体系燐光発光材料を少なくとも一種とを有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁


例文

The field emitter display comprises a cathode, an anode placed spaced apart a predetermined distance from the cathode, a field emitter element comprising a plurality of carbon nanotubes for exciting the electrons between the anode and the cathode, a protective structure placed between the cathode and the anode for attracting positive charge ions.例文帳に追加

フィールドエミッタディスプレーの構造であって、少なくとも陰極と、該陰極に対して所定の距離を置いて設けられる陽極と、該陽極と陰極との間において電子を励起する複数のカーボンナノチューブによって組成されるフィールドエミッタ素子と、該陰極と該陽極との間に位置し、正電気を帯びるイオンを吸引する保護構造と含んでなる。 - 特許庁

The display element includes, between counter electrodes, an electrolyte containing silver or a compound containing silver in its chemical structure and performs driving operation of the counter electrodes so as to generate dissolution and deposition of silver, wherein the electrolyte includes an ionic liquid comprising cation species containing no nitrogen atom or anion species containing no nitrogen atom.例文帳に追加

対向電極間に銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を含有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該電解質が窒素原子を含まない陽イオン種、または、窒素原子を含まない陰イオン種からなるイオン液体を含むことを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The manufacturing method of the plastic circuit element irradiates the electric conduction part provided at the plastic structure with the laser with a pulse width of10^-12 sec in the state of focusing on it, to partially dissociate and cut off the electric conduction part to form the electric conduction circuit by the laser non-irradiation part in the electric conduction part.例文帳に追加

また、プラスチック回路素子の製造方法は、パルス幅が10^−12秒以下のレーザーを、プラスチック構造体に設けられている電気導通部に焦点を合わせて照射し、電気導通部を部分的に解離切断して、前記電気導通部におけるレーザーの非照射部により電気導通回路を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The fastener hitting tool 10 includes a housing to have at least one battery 16, the battery 16 having a shape to enter an opening 14 and at least one battery contact element 22, and a terminal module 20 placed in the opening to have a structure and arrangement for electrically connecting with the battery 16.例文帳に追加

ファスナー打込みツール10は、少なくとも1つのバッテリー16を挿入する空洞を有するハウジングと、空洞14に挿入する形状と少なくとも1つのバッテリーコンタクトエレメント22を有するバッテリー16と、空洞内に配置されバッテリー16とかみ合うための構造と配置で電気的接続を行う端子モジュール20と、を含んでいる。 - 特許庁

例文

The electroluminescent element manufactured by the method has the substrate, a layer doped with rare earth elements and rich in silicon formed on a gate oxide layer for radiating light at a prescribed wavelength, an upper end electrode formed on a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon, and a combined CMOS IC structure manufactured there.例文帳に追加

基板、所定の波長の光を放出するためのゲート酸化物層上に形成された、希土類がドープされ且つシリコンリッチな層、上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層上に形成された上端電極、およびそこに製造された連合されたCMOS IC構造体を有する本発明の方法によって製造されたエレクトロルミネセンス素子に関する。 - 特許庁

例文

This semiconductor device 1 includes: at least one semiconductor element housed in a resin case 20; a plurality of supporting poles 40 fixed to the resin case 20; and a wiring substrate 50 supported by being screwed in the supporting poles 40, and includes a structure in which the supporting poles 40 penetrating the substrate 50 and the substrate 50 are engaged with each other.例文帳に追加

半導体装置1は、樹脂ケース20内に包容された、少なくとも一つの半導体素子と、樹脂ケース20に固定された複数の支柱40と、支柱40にねじ止めにより支持された配線基板50と、を備え、配線基板50内に貫通した支柱40と配線基板50とを嵌合させた構造を有している。 - 特許庁

To prevent short circuits between a fuse and a substrate and to obtain a desired voltage by suitable fuse burning in an arbitrary voltage generating structure, which has a plurality of fuses on the substrate and obtains a desired output voltage, by applying a predetermined voltage and burning at least one of the fuses, and a solid-state image pickup element using the same.例文帳に追加

基板上に複数のヒューズを設け、所定の電圧を印加して該ヒューズの少なくともいずれか1つを切断することで所望の出力電圧を取り出す任意電圧発生構造及びこれを用いた固体撮像素子について、ヒューズ−基板間のショートを防止でき、適正なヒューズ切断により所望の電圧が得られるようにする。 - 特許庁

A dulling layer is formed on a substrate surface of a semiconductor light-emitting element and recesses and projections comprising the dulling layer are formed thereabove by etching, then epitaxial growth is started from the bottom surface of the recess, the recess is filled first with the epitaxial layer, and further, the projection is covered and an epitaxial layer structure is completed by self-bonding upward epitaxial growth.例文帳に追加

半導体発光素子の基板表面に鈍化層を形成し、並びにエッチングにより凹部と上方に該鈍化層を具えた凸部を形成し、その後、凹部の底面よりエピタキシャルを開始し、エピタキシャル層で先にこれら凹部を充填し、その後更にこれら凸部を被覆し且つ自己接合上方向エピタキシャル成長によりエピタキシャル層構造を完成する。 - 特許庁

In an optoelectronic integrated circuit device 102 including a vertical structure of integrated circuit layers, an optical signal is projected between a first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106 via a super lens element 110 arranged between the first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106.例文帳に追加

集積回路層における垂直方向の構成を含む光電子集積回路装置102内において、光信号が、第1の集積回路層104と、第2の集積回路層106との間において、前記第1の集積回路層104と前記第2の集積回路層106との間に配置されたスーパーレンズ素子110を介して投射される。 - 特許庁

To provide a surface lighting system having a relatively simple structure, excelling in productivity, high in luminance and capable of providing desired luminance uniformity by improving utilization efficiency of light source light, and having an optically excellent characteristic, in a direct surface lighting system illuminating a non-luminous display element or a translucent display body.例文帳に追加

本発明は、非発光表示素子あるいは透光性表示体を照明する直下型の面照明装置において、比較的簡易な構造で生産性に優れると共に、光源光の利用効率の向上で輝度が高く且つ所望の輝度均斉度を容易に得ることができ、光学的にも優れた特性を有する面照明装置を提供することにある。 - 特許庁

To efficiency manufacture an epitaxial ferroelectric thin film element provided with excellent characteristics by solving such problems as film surface roughness in the case of using a vapor epitaxial growth method, restriction of film thickness formed each time in the case of using a sol-gel method, complexity of a process in forming a laminated structure film consisting of layers with different refractive indexes and so on.例文帳に追加

気相エピタキシャル成長法による場合の膜表面粗さの問題、ゾルゲル法による場合の一回当たりの膜形成厚みの制限、異なる屈折率の層からなる積層構造膜を形成する際の工程の複雑化などの問題を解決し、良好な特性を備えたエピタキシャル強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。 - 特許庁

The surface acoustic wave element according to the present invention has a piezoelectric substrate 1, an interdigital electrode 2 provided on a top surface of the piezoelectric substrate 1, and a support layer 5 provided on the reverse surface of the piezoelectric substrate 1, where the support layer 5 has a polycrystalline structure made of a plurality of a plurality of grains 6, whose surfaces are oxidized.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために本発明の弾性表面波素子は、圧電体基板1と、この圧電体基板1の表面に設けた櫛型電極2と、前記圧電体基板1の裏面に設けた支持層5を備え、前記支持層5は複数の粒塊6からなる多結晶構造であり、前記粒塊6の表面を酸化させたのである。 - 特許庁

A resistive element of the first inverter includes a first high leakage current structure such that a leakage current density generated when a reverse direction bias is applied to a drain of the first transfer transistor and the first well is greater than the leakage current density generated when the reverse direction bias of the same voltage is applied to a source of the first transfer transistor and to the first well.例文帳に追加

第1のインバータの抵抗素子は、第1の転送トランジスタのドレインと第1のウェルとに逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度が、第1の転送トランジスタのソースと第1のウェルとに同一電圧の逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度よりも大きくなるような第1の高リーク電流構造を含む。 - 特許庁

To provide a method of measuring the vibration frequency of a multi-cantilever which dispenses with the incorporation of an excitation or detection element in an individual cantilever by performing optical excitation and optical measurement, simplifies the structure of a cantilever array and can obtain a high Q-value or a variety of high frequency operation and modification method of the cantilever, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

光励振と光計測を行うことにより、個々のカンチレバーに励振や検出用の素子を組み込む必要がなく、カンチレバーアレーの構造を簡単なものにとどめ、カンチレバーの高いQ値や、高周波作動、修飾方法の多様性を得ることができるマルチカンチレバーの振動周波数の計測方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An anion of an element of high negativity in an acidic solution containing a substance for carrying out nuclide conversion is removed preliminarily using an ion exchange resin, and the substance for carrying out the nuclide conversion is deposited on a palladium surface of a structure by electrodeposition, using the acidic solution containing the substance for carrying out the nuclide conversion and containing no anion, as an electrolytic bath.例文帳に追加

核種変換を施す物質を含む酸性溶液中の陰性度の高い元素の陰イオンを、イオン交換樹脂を使用してあらかじめ除去しておき、この核種変換を施す物質を含み、かつ陰イオンを含まない酸性溶液を電解浴として、電着により構造体のパラジウム表面に核種変換を施す物質を沈着させておく。 - 特許庁

The substrate is transparent or substantially transparent and plastic and/or flexible and is used for an external protection element in an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer, and is composed of a composite structure having a glass layer and a plastic layer of a thickness200 μm.例文帳に追加

少なくとも1つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスにおける外側保護要素として使用するための、透明または実質的に透明な成形性かつ/または可撓性の基体であって、200μm以下の厚さのガラスの層とプラスチックの層とからなる複合構造体によって構成される。 - 特許庁

In the optical phase correcting element constituted by holding a liquid crystal layer between a 1st base and a 2nd base which have transparent electrodes inside and are transparent, at least one transparent electrode is constituted in multi-layered electrode structure having different aberration correction patterns laminated and arranged, and a plurality of kinds of aberrations are corrected individually or.例文帳に追加

内側に透明電極を有する透明性の第1の基台と第2の基台とで液晶層を挟持してなる光学位相補正素子において、少なくとも一方の透明電極が、異なる収差補正パターンが積層配置された多層電極構造により構成され、複数種の収差補正を、個別に、または同時に補正することが出来るようにとした。 - 特許庁

The photoelectric converting element has a pair of electrodes 101 and 104, a photoelectric converting layer 102 disposed between the pair of electrodes 101 and 104, and at least one stress buffer layer sandwiched between one of the pair of electrodes 101 and 104 and the photoelectric converting layer 102, the stress buffer layer being a laminate structure including a crystal layer 108 at least partially.例文帳に追加

一対の電極101,104と、一対の電極101,104の間に配置された光電変換層102と、一対の電極101,104のうち一方と光電変換層102とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層108を含む積層構造である。 - 特許庁

To attain high image quality for an image, without causing deterioration in the S/N ratio and to enhance yield by facilitating the manufacture of the probe by adopting a structure which does not completely cut off a groove in a minor axis direction in orthogonal element split grooves in 2-ways in the ultrasonic wave diagnostic probe adopting a system, where vibrators are arranged in two-dimension.例文帳に追加

振動子を2次元分割する方式の超音波診断用探触子において、直交する2方向の素子分割溝の一方の短軸方向溝を完全に切り離さない構造とすることで、S/N低下を生ずることなく画像の高画質化を図るとともに、探触子を製造しやすくして歩留りの向上を図る。 - 特許庁

To provide a stress corrosion cracking relieving method of a nuclear power plant in-pile structure and a nuclear power plant for reducing a using quantity of a platinum group element required for improving a hydrogen injection effect, facilitating the processing work, and reducing emission of radioactivity from an oxide film by reduction in ECP.例文帳に追加

本発明の目的は、水素注入効果を向上させるのに必要な白金族元素の使用量を低減させ、且つ、その処理作業を容易にでき、更にECP低下による酸化皮膜からの放射能放出を低減させる原子力プラント炉内構造物の応力腐食割れ緩和方法及び原子力プラントを提供することにある。 - 特許庁

The element uses a gel electrolyte obtained by gelating a polyether polymer with a weight-average molecular weight of 50,000 to 1,000,000 obtained from an oxirane compound having a polyethylene oxide and/or polypropylene oxide structure as a main chain and a cross-linker with a polymerization initiator under the existence of an electrolyte salt compound and non- proton organic solvent.例文帳に追加

電解質塩化合物および非プロトン性有機溶媒の存在下、主鎖にポリエチレンオキシドおよび/またはポリプロピレンオキシド構造を有するオキシラン化合物から得られた重量平均分子量が50,000〜1,000,000であるポリエーテル重合体及び橋かけ剤を重合開始剤と熱によりゲル化反応させて得られるゲル電解質を使用した素子。 - 特許庁

The compact humidification element featuring efficient liquid absorption and excellent rigidity when exposed to dampness can be manufactured by forming space in a compact for the purpose of having space to let an air flow pass through the compact of nonwoven fiber structure where moist-heat adhesive fibers are properly glued and further by disposing the compacts to be disposed adjacent to each other.例文帳に追加

繊維が湿熱接着性繊維により適度に接着された不織繊維構造を有する成形体を空気流が通過するための空隙を有するように該成形体中に空隙を形成させ、さらに該成形体同士を隣接させるように配置することにより、吸液性、湿潤時の剛性に優れ、かつコンパクトな加湿エレメントが製造できる。 - 特許庁

The optical pickup device is also capable of detecting the change in thickness of the recording medium even for an optical system structure having no astigmatic lens that causes astigmatism on the light-receiving side, is provided with an actuator that drives a spherical aberration correcting element or a collimator lens along the optical axis, and is able to correct the spherical aberration caused by the change in thickness of the recording medium.例文帳に追加

光ピックアップ装置は、受光部側に非点収差を引き起こす非点収差レンズを備えない光学系の構造に対しても記録媒体の厚さ変化を検出でき、球面収差補正素子またはコリメータレンズを光軸に沿って駆動するアクチュエータを備え、記録媒体の厚さ変化により生じる球面収差を補正しうる。 - 特許庁

The array waveguide grid element is constituted of one or more input waveguides 1 made of a high mesa waveguide structure partially or throughout, a first slab area 2, an array waveguide 3, a second slab area 4, and one or more output waveguides 5 connected to the terminal part of the slab area 4.例文帳に追加

アレイ導波路格子素子は、その一部もしくは全領域がハイメサ導波路構造からなる、少なくとも1本以上の入力導波路1、第1のスラブ領域2、アレイ導波路3、第2のスラブ領域4とそのスラブ領域の終端部に接続された少なくとも1本以上の出力導波路5から構成されている。 - 特許庁

The organic EL display includes: an organic EL light-emitting element having a micro-cavity structure; and a color filter including a green pixel constituted by using a pigment including at least one of aluminum phthalocyanine pigment and Pigment Green 7 and a yellow pigment including at least one of Pigment Yellow 185 and Pigment Yellow 150.例文帳に追加

マイクロキャビティ構造を有する有機EL発光素子、及び、アルミニウムフタロシアニン顔料及びピグメントグリーン7のうち少なくとも1種を含む緑色顔料と、ピグメントイエロー185及びピグメントイエロー150のうち少なくとも1種を含む黄色顔料と、を含む顔料を用いて構成された緑色画素を含むカラーフィルタを具備する有機EL表示装置。 - 特許庁

In the manufactured of a thermoelectric element, consisting of a laminated structure compound, such as bismuth tellurium, system the stack 14 of laminar powder 12 obtained by quenching roll method is formed, and a laminate is pressed from a direction in parallel with the laminating direction (vertical pressing P1), and also the laminate is pressed from a direction orthogonal to the laminating direction (side surface pressing P2).例文帳に追加

ビスマス−テルル系の様な層状構造化合物からなる熱電素子の製造において、急冷ロール法で得られた薄状粉12の積層体14を形成し、積層方向と平行な方向から積層体を押圧するとともに(垂直押圧P1)、積層方向と直交する方向から積層体を押圧する(側面押圧P2)。 - 特許庁

In a NAND-type EEPROM, wirings CS1, CS2 are newly provided parallel to bit lines BL1, BL2 and disposed so as to be embedded in element isolation regions of an STI structure, and at writing, a prescribed potential Vcs (Vcc<Vcs<Vpass) is given to lessen wrong write of non-selected cells from being written in.例文帳に追加

NAND型EEPROMにおいて、ビット線BL1,BL2と平行に位置する配線CS1,CS2を新たに設け、且つこの配線をSTI構造の素子分離領域中に埋め込むように配置し、書き込み時に所定の電位Vcs(Vcc<Vcs<Vpass)を与えることによって、非選択セルが誤って書き込まれるのを低減することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a receiving circuit and a mobile radio receiver where an element for determining a time coefficient is easily put into an I/C, which can output information whether or not the inside of the receiving circuit is saturated to an AGC circuit with comparatively simple structure and can raise gain of reception of a desired wave by reducing an influence of saturation of the circuit due to interfering waves.例文帳に追加

IC内部に時定数を決定する素子を容易に入れることができ、比較的簡易な構成で、受信回路内が飽和したか、否かの情報をAGC回路に出力できるとともに、妨害波による回路の飽和の影響を少なくして、希望波の受信の利得を上昇できる受信回路および移動無線受信機を提供する。 - 特許庁

The consequent increase in young permanent employees at SMEs may be as a result of increase the ability and motivation of junior employees to enter business on their own account owing to the extensive development of human resources with experience of business management as a whole at SMEs and the reduced importance of the age element in the wage structure of SMEs.例文帳に追加

また、これにより中小企業の若年正社員が増加することは、中小企業で事業経営全体についての経験を積ませる人材育成が多いこと、中小企業の賃金制度に年功の要素が低いことから、結果として若手従業員の独立開業への能力と意欲を高める可能性があると考えられる。 - 経済産業省

The organic electroluminescence element containing a layer of or not less than two layers of organic polymer layers sandwiched between positive and negative electrodes contains a polymer (A) containing a structure unit derived from an iridium complex expressed by general formula 1 and specific organic silicon compound (B) in at least one layer in the organic polymer layer.例文帳に追加

陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層に(A)下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体、及び(B)特定の有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

An antenna comprises: a reflection plate 1; a periodical loop structure body 3 arranged on the reflection plate 1, and in which a plurality of loop elements 5 are arranged in a matrix state; and an exciting element 2 arranged between the reflection plate 1 and the periodical loop structure body 3.例文帳に追加

反射板1と、前記反射板1上に配置され、複数のループ素子5がマトリクス状に配置された周期ループ構造体3と、前記反射板1と前記周期ループ構造体3との間に配置される励振素子2とを有するアンテナであって、前記周期ループ構造体3の各ループ素子5の外縁長は同じであり、前記周期ループ構造体3における、第1方向に沿って配置される1行ないしm行毎のループ素子5の内縁長は、第1行目から第m行目に向かって順次大きくなっている。 - 特許庁

The resistance change element includes a substrate and a multilayer structure arranged on the substrate, wherein the multilayer structure includes an upper electrode, a lower electrode, and a resistance change layer arranged between the upper and lower electrodes.例文帳に追加

基板と基板上に配置された多層構造体とを含み、多層構造体が、上部電極および下部電極と、上部電極と下部電極との間に配置された抵抗変化層とを含み、上部電極と下部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、上部電極と下部電極との間に駆動電圧または電流を印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、抵抗変化層が式M(Fe_2-xA_x)O_4で示される酸化物を含む素子とする。 - 特許庁

A deep ultraviolet light-emitting element structure of a group III nitride semiconductor comprises: an AlGaN/GaN short-period superlattice layer composed of AlGaN barrier layers and GaN well layers; and an n-type AlGaN layer and a p-type AlGaN layer that are disposed so as to vertically sandwich the AlGaN/GaN short-period superlattice layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、AlGaN障壁層とGaN井戸層とからなるAlGaN/GaN短周期超格子層と、上記AlGaN/GaN短周期超格子層を上下に挟むように配置されるn型AlGaN層およびp型AlGaN層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The aromatic amine derivative having a specific structure, and an organic electroluminescence element between whose cathode and anode one or more organic thin film layers comprising one or more layers each containing at least light-emitting layer are nipped is characterized in that at least one layer of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative as a single component or as mixture components.例文帳に追加

特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

To provide an optical reflector which, under the structure for deforming a thin plate-like elastic part having a polished face for reflecting incident light, on the side opposite from the polished face, by a strain element through its strain action, the light reflected on the polished face is made to smoothly advance in the reflecting direction, and also to provide a wavefront curvature modulator and a scanning type display apparatus.例文帳に追加

入射する光を反射する研磨面を有してなる薄板状弾性部を、上記研磨面とは反対側にて起歪素子によりその起歪作用のもとに変形させる構成のもと、上記研磨面で反射した光をその反射方向に円滑に進行させるようにした光反射装置、波面曲率変調装置及び走査型表示装置を提供する。 - 特許庁

With this, through coating of a stabilizing matter 51 for stabilizing an electron emission structure ad protecting an emission end on the surface of a CNT emitter 50 of the field emission element or on the surface of the CNT50a as its main component, and especially at the emission end of the same, overcurrent or abrasion of the CNT50a generated during electron emission is restrained.例文帳に追加

これにより、電界放出素子のCNTエミッタ50の表面またはその主な構成要素であるCNT50aの表面、特に、放出端に電子放出構造を安定化させ、そして放出端を保護する安定化物質51がコーティングされることによって過電流または電子放出過程中に発生するCNT50aの摩耗を抑制する。 - 特許庁

To provide a compact flowing water detecting device which allows the water to flow while preventing pressure loss, and is easily manufactured and maintained by simplifying an internal structure, the flowing water detecting device which surely detects fire breaking and its scale by accurately operating a valve element by water flow, when the water of prescribed flow rate, flows in fire breaking.例文帳に追加

火災の発生時において、所定流量の通水が生じたときに、この通水によって弁体を正確に作動させて火災の発生とその規模を確実に検知することができる流水検知装置であって、圧力損失を防ぎつつ通水でき、内部構造を簡略化して製作やメンテナンスを容易に行うことができるコンパクトな流水検知装置を提供すること。 - 特許庁

The switching device has a switching mechanism of single break structure equipped with a contact element formed of electric contact materials composed of 2.0 to 20.0 wt.% of MgO grains and the rest of Ag, having MgO grains dispersed in an Ag matrix, and controls the high voltage load of direct current voltage of 36 to 400 V and a rated current of 0.01 to 15 A.例文帳に追加

2.0〜20.0重量%のMgO粒子と残部Agとからなり、Agマトリックス中にMgO粒子が分散された電気接点材料により形成した接点素子を備えるシングルブレーク構造の開閉機構を有する開閉装置であって、直流電圧36〜400V、定格電流0.01〜15Aの高電圧負荷を制御することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a structure for supporting a light source for an image forming apparatus for adjusting a light axis and a focus in a state where the light source and a collimator lens are mounted in a part of a housing which supports each optical element in order to guide laser beam of the image forming apparatus for forming an electrostatic latent image by irradiating an image carrying member with the laser beam while being transferred along a straight line.例文帳に追加

像担持体にレーザー光を直線に沿って移動させながら照射して静電潜像を形成する画像形成装置の、レーザー光を案内するための各光学素子を支持するハウジングの一部に、光源及びコリメータレンズを実装した状態でこれらの光軸及び焦点の調整を行えるようにする画像形成装置の光源支持構造を提供する。 - 特許庁

The medium filtration passage 21 and a medium filtration passage 22 having the similar structure are communicated with common medium supply pipe 31 and medium collection pipe 32 in parallel, medium is allowed to flow backward from the downstream side passage 21b to the upstream side passage 21a by selectively closing one side switching valve 27 and opening the blow valve 29 and, thereby, the filter element 26 is subjected to back washing.例文帳に追加

この媒体濾過流路21と同様な構造の媒体濾過流路22を共通の媒体供給管31と媒体集合管32で並列状に連通させて、選択的に一方の切替弁27を閉じブロー弁29を開いて下流側流路21bから上流側流路21aへと媒体を逆流させて、濾過エレメント26を逆流洗浄する。 - 特許庁

A rubber sensing pressure layer 20 is formed swollen by a prescribed thickness by filling silicone rubber into a recessed part between a diaphragm and a casing opening formed so that the diaphragm of a piezoelectric microphone element 11 contained in a casing 12 is externally exposed, a microphone main body 10 is closely fixed to a medium such as a structure 1 of a measurement object and the sound pressure is measured in this state.例文帳に追加

ケーシング12内に収容された圧電型マイクエレメント11の振動板が外部に露出するように形成されたケーシング開口と振動板との間の凹所に、所定厚さだけ盛り上げてシリコーンゴムを充填したゴム感圧層20を形成し、マイクロホン10本体を測定対象の構造物1等の媒質に密着して固定し、この状態で音圧測定を行う。 - 特許庁

This multilayer analysis element for liquid specimen analysis is a multilayer analysis material for liquid specimen analysis made by layering/unifying at least one functional layer and at least one granular structure developing layer in this order on one side of a water-impermeable and light-transmissive planar support body and is characterized in that the functional layer has a film swelling property of a water swelling rate of 300% or less.例文帳に追加

水不透過性光透過性平面支持体の片面上に、少なくとも1つの機能層と少なくとも1つの粒状構造物展開層がこの順に積層一体化された液体試料分析用多層分析材料において、該機能層が水膨潤率300%以下の膜膨潤性であることを特徴とする液体試料分析用多層分析要素。 - 特許庁

This semiconductor laser element comprises an active layer 4 having a window structure in a laser light emitting end face; and a p-type clad layer 5 formed on the surface of the active layer 4 and containing Mg and Zn as impurities, wherein an impurity concentration of Zn contained in the p-type clad layer 5 is larger than the impurity concentration of Mg contained in the p-type clad layer 5.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層4と、活性層4の表面上に形成され、不純物としてMgおよびZnを含有するp型クラッド層5とを備え、p型クラッド層5に含有されるZnの不純物濃度は、p型クラッド層5に含有されるMgの不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁

A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加

第1のデバイスウエハーをエッチングされた第2のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー10を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第1のデバイスウエハーのデバイス層110に埋め込まれた相互接続部400を通じてセンサー10の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子310によって決定される。 - 特許庁

例文

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、n型半導体層3と、発光層4と、p型半導体層5の積層構造からなるIII−V族窒化物系半導体層10を相対的に遅い第1速度でドライエッチングした後に、最終的に第1速度よりも速い第2速度でIII−V族窒化物系半導体層10をエッチングする。 - 特許庁




  
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