「surface element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vapor phase growth device, a vapor phase growth method, and a method of manufacturing a semiconductor element in which a metal material susceptible to solidification can be introduced effectively into a reactor without adhering to a shower head or the side surface of piping and doped.例文帳に追加

凝固しやすい金属材料をシャワーヘッドや配管の壁面に付着させることなく効果的に反応炉へ導入し、効果的なドーピングを行うことのできる気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a permanent magnet which does not generate or hardly generate various types of oxides in a grain boundary phase comprising the permanent magnet with respect to the method of manufacturing the permanent magnet which carries out grain boundary diffusion of a heavy rare-earth element from a surface of the permanent magnet.例文帳に追加

永久磁石表面から重希土類元素を粒界拡散する永久磁石の製造方法に関し、永久磁石を構成する粒界相内に種々の酸化物が生じない、もしくは生じ難い、永久磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treating method for permanent magnet material especially for applying high corrosion resistance in the state of holding the magnetic characteristics of high level concerning a producing method for a permanent magnet, for which the rare earth of R-Fe-B composition (R is a rare earth element) is sintered.例文帳に追加

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系組成（Ｒは希土類元素）の希土類焼結永久磁石の製造方法に関し、特に高度の磁気特性を保持した状態で優れた耐食性を付与するための永久磁石材料の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of lithium polymer battery in which evolved gas from the power generation element housed in a sheath case is made to finish to come out fully and in which an inert protection film is formed on a surface of negative electrode material, and provide a method superior in the later gas generation inhibition, battery characteristics, and reliability.例文帳に追加

外装ケースに収容した発電要素から発生するガスを出し切らせるとともに、負極材料表面に不活性保護膜を形成して、その後のガス発生の抑制と電池特性、信頼性に優れたリチウムポリマー電池の製造法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of an electron emission element having a cathode substrate and an anode substrate disposed in a vacuum via a spacer and an electron emission source formed on the cathode substrate includes a surface treatment step of the electron emission source by a UV ozone method.例文帳に追加

真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、ＵＶオゾン法による電子放出源の表面処理工程を備える電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of a molding die for an optical element is characterized in that it comprises forming an amorphous alloy layer on a base body by an aerosol deposition method, and thereafter forming and creating an optical surface transcript plane by diamond cutting or heating press molding the amorphous alloy layer.例文帳に追加

アモルファス合金層をエアロゾルデポジション法により基体上に形成した後、前記アモルファス合金層をダイアモンド切削または加熱プレス成形し光学面転写面を成形創成することを特徴とする光学素子成形用金型の製造方法。 - 特許庁

To provide a device and method for displaying deformed-curved surface which can be applied for fast real-time display by unnecessitating deforming calculation with respect to all the node points constituting an FEM(finite element method) model and unnecessitating repeated calculation.例文帳に追加

ＦＥＭモデルを構成する全てのノード点に対して変形計算を行う必要がなく、また、繰り返し計算をも不要とすることにより、高速なリアルタイム表示に適用可能な変形曲面表示装置および変形曲面表示方法を提供する。 - 特許庁

In the preventing method of the scale and the slime in which the hardness component in water is stuck and removed as solid on the surface of a cathode by applying voltage to an electrode immersed in the cooling water and also chloride ion is converted into an oxidizing agent on the surface of an anode, at least anode out of electrodes is the electrode having the element or oxide of a platinum group element on the surface.例文帳に追加

冷却水中に浸漬した電極に電圧を印加して陰極表面に水中の硬度成分を固体として付着させて除去するとともに、陽極表面で塩化物イオンを酸化剤に変換させて水系内に供給するスケール及びスライムの防止方法であって、電極のうち少なくとも陽極が、表面に白金族元素の単体又は酸化物を有する電極であることを特徴とするスケール及びスライムの防止方法。 - 特許庁

The method includes an element mounting steps of: mounting a piezoelectric vibration element 15 comprising a piezoelectric substrate made of a piezoelectric material, with a driven electrode 16 formed on the surface thereof inside a container 10 with a conductive adhesive 17; and hermetically sealing the container 10 with a cover body 20 with silicone series resin 21 on its one surface in such a way that the silicone series resin 21 is contained in an interspace.例文帳に追加

圧電材料からなる圧電基板表面に励振電極１６を形成した圧電振動素子１５を導電性接着剤１７にて容器１０内に搭載する素子搭載工程と、容器１０と一方の面にシリコーン系樹脂２１を供えた蓋体２０とを、シリコーン系樹脂２１が空間内に収納されるように接合して気密に封止する封止工程と、を備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor includes the steps of: preparing an anode body (S10); forming a dielectric film on a surface of the anode body (S20); obtaining a capacitive element by forming a solid electrolyte layer comprising a conductive polymer on a surface of the dielectric film (S30); and cleaning the capacitive element using a cleaning solution containing a saccharide (S40).例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、陽極体を準備する工程（Ｓ１０）と、陽極体の表面に誘電体皮膜を形成する工程（Ｓ２０）と、誘電体皮膜の表面に、導電性高分子からなる固体電解質層を形成することによりコンデンサ素子を得る工程（Ｓ３０）と、コンデンサ素子を、糖を含有する洗浄液を用いて洗浄する工程（Ｓ４０）とを備えている。 - 特許庁

In the method of reforming the metallic material by using heating by a DC plasma vibrated in an AC magnetic field to melt the outer layer part on the surface of the metallic material, adding a solute element to the molten outer layer part and resolidifying the same, particles containing a prescribed amount of the solute element are supplied to the surface of the metallic material prior to melting.例文帳に追加

交流磁場で振動させられた直流プラズマによる加熱を用いて金属材料表面の表層部を溶融し、該溶融した表層部に溶質元素を添加し再凝固させることにより金属材料の表層を改質する方法において、溶融前の該金属材料表面に、所定量の溶質元素を含有する粒子を供給すること。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面１ｆ近傍に周期律表第ＩＩＩＢ族元素を含むシリコン基板１を準備する工程と、シリコン基板１の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第１のクラッド層２をシリコン基板１の表面１ｆ上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

A resin film gettering capability evaluation method according to the present invention comprises: a process of forming the resin film on one surface of a silicon wafer; a process of heating a laminate of the resin film and the silicon wafer to a temperature of 200°C and over; and a process of determining a quantity of a heavy-metal element in a surface layer on the other surface side of the silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係る樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法は、 該樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、 該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および 該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

Such as optical waveguide element 10 is manufactured by forming a buried optical waveguide 14 by providing an ion transmission prevention film pattern 26 immediately on an surface type optical waveguide (an increased refractive index portion) 24 formed on the surface of the glass substrate 12 and burying the surface type optical waveguide in the glass substrate by an electric field impression method.例文帳に追加

このような光導波路素子１０は、ガラス基板１２の表面に形成した表面型光導波路（屈折率増加部分）２４の直上にイオン透過防止膜パターン２６を設け、該表面型光導波路を電界印加法によりガラス基板中に埋め込むことによって埋込型光導波路１４を形成することで製造できる。 - 特許庁

The ultrasound inspection method for noisy materials and the related probe are disclosed to inspect defects in a cast material that uses a polycarbonate delay (14) layer having a first surface configured to be disposed on a surface of the cast material and an acoustic crystal element (12) disposed on a second surface of the polycarbonate delay layer.例文帳に追加

鋳造材料の欠陥を検査するために、鋳造材料の表面上に配置されるように構成された第１の表面を有するポリカーボネートディレイ（１４）層と、該ポリカーボネートディレイ層の第２の表面上に配置された音響水晶素子（１２）とを用いた、雑音のある材料の超音波検査方法及び関連するプローブが開示される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor element includes: a semiconductor forming step of forming a semiconductor on a principal surface of a substrate; and a groove portion-forming step of forming a groove portion on a first principal surface side of the substrate; and a substrate separating step of removing a part of the substrate to open the groove portion on a second principal surface side, and separating the substrate.例文帳に追加

基板の第１の主面上に半導体を形成する半導体形成工程と、前記基板の第１の主面側に溝部を形成する溝部形成工程と、を具備し、前記基板を一部除去し、第２の主面側で前記溝部を開口させて基板を分離する基板分離工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The element manufacturing method includes a process of forming a nanotube-coating film on the surface of a conductive substrate and a process in which the nanotubes are made to nap, by making a roller relatively move and the conductive substrate, in a state where the nanotube-coating film is placed, in contact with or in proximity to the surface of the roller having unevenness on the surface.例文帳に追加

本発明では、導電性基板の表面にナノチューブ塗布膜を形成する工程と、表面に凹凸を有するローラの前記表面に、前記ナノチューブ塗布膜を当接または近接させた状態で前記ローラと前記導電性基板とを相対移動させることで前記ナノチューブを起毛させる工程と、を有する素子製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of assembling the battery includes a process in which a second lead 12 coupled to a circuit board 6 is connected to a sealing panel 2b functioning as another electrode, which is different from a protruding electrode surface 2a, with a protection element 9 disposed on a protruding electrode surface 2A of a thin battery 2, and with the circuit board 6 disposed on the protruding electrode surface 2A of the thin battery 2.例文帳に追加

薄型電池２の凸部電極面２Ａ上に保護素子９を配置した状態、薄型電池２の凸部電極面２Ａ上に回路基板６を配置した状態で、回路基板６に連結している第２リード１２を凸部電極２ａと異なる他方の電極である封口板２ｂに、接続する工程とを備える。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁

In the method for molding the plastic optical element, the plastic optical elements 1 each having at least one transfer surface having a non-symmetrical shape to a light axis and at least one sink part 21 which is induced selectively to a non-transfer surface other than the transfer surface are molded simultaneously by one mold having at least two cavities.例文帳に追加

光軸に対して非対称形状を有する少なくとも一つの転写面と、該非対称形状を有する転写面以外の非転写面に選択的に誘導された少なくとも一つのヒケ部２１とを有するプラスチック光学素子１を、複数のキャビティを有する一つの金型で複数個同時に成形するプラスチック光学素子の成形方法に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing the light emitting element includes an epitaxial growth step of adhering a film to the surface of the substrate through epitaxial growth, a flattening step of flattening the rear surface of the substrate by grinding after the epitaxial growth step, and a substrate treating step of performing prescribed treatment to the surface of the substrate after the flattening step.例文帳に追加

発光素子の製造方法として、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を研磨によって平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有する。 - 特許庁

To provide a selective pattern forming method of an inorganic substance with which a polarization element in which an inorganic substance layer is formed on projected parts of the surface of a substrate so as not to be inclined toward the direction of the normal of the substrate and also the surface of the substrate is exposed in recessed parts of the surface, and which is bright and is excellent in polarization chracteristics can be manufactured easily.例文帳に追加

本発明の目的は、基板表面の凸部に該基板の法線方向に対して片寄ることのないように無機物層を形成し、且つ凹部においては基板表面が露出した、明るく、また偏光特性に優れた偏光素子を容易に製造することが可能な無機物の選択的パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

A method for forming an insulating film of a semiconductor element substrate has an application process for forming a coated film 2 by applying a constitutional coat for the insulating film, a surface layer curing process for curing the surface layer side 2a of the coated film 2 after the application process, and a pore formation process for forming pores 4 in the coated film 2 after the surface layer curing process.例文帳に追加

半導体素子基板上に絶縁膜を形成する方法において、 前記絶縁膜の構成塗料を塗布して塗膜２を設ける塗布工程と、 前記塗布工程の後、前記塗膜２の表層側２ａを硬化させる表層硬化工程と、 前記表層硬化工程の後、前記塗膜２にポア４を形成するポア形成工程とを具備する。 - 特許庁

In another embodiment, the method comprises (i) a step of depositing a surface treatment composition containing the adhesion promotor material on the surface of the first electroactive layer and (ii) a step of depositing the second electroactive layer on the surface of the first layer containing the adhesion promotor, in which the composition permits adhesive bonding between the first layer and the second layer of the electroactive element.例文帳に追加

別の実施形態では、（ｉ）第１の電気活性層の表面上に接着促進剤材料を含む表面処理組成物を堆積し、（ｉｉ）接着促進剤を含む第１の層の表面上に第２の電気活性層を堆積する段階とを含み、組成物が電気活性素子の１の層と第２の層との間の接着を可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit device for cleaning and roughening a surface of conductive foil by irradiation with plasma, and a manufacturing method of a circuit device that solves a problem that a semiconductor element is broken etc., when contaminants sticking on a surface of a conductive material are removed using plasma.例文帳に追加

導電箔の表面にプラズマを照射することにより導電箔表面の洗浄及び粗化を行う回路装置の製造方法、及びプラズマを用いて導電性材料の表面に付着した汚染物質を除去する際に発生する半導体素子の破壊等の問題を解決する回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

This electronic component mounting method comprises a first process of mounting a semiconductor element with a projecting connection electrode on the surface of a circuit board in a flip chip mounting manner by the use of a thermosetting adhesive agent and a second process of mounting an electronic component on the other surface of the circuit board through a reflow soldering method, and the first process is carried out before the second process.例文帳に追加

回路基板の一表面に、突起状の接続電極を有する半導体素子等を熱硬化性接着剤によりフリップチップ実装する第１の工程と、工程基板他表面にはんだリフロー法により電子部品を実装する第２の工程からなり、第１の工程を第２の工程より前に行うことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a charged particle beam lithography method and a charged particle beam lithography apparatus, capable of performing lithography in a desired position of a test piece, by a method which performs height measurement of the surface of the test piece with high precision reducing the effect of an offset voltage of a light receiving element, and by performing the height measurement of the surface of the test piece with high precision.例文帳に追加

受光素子のオフセット電圧の影響を低減して、高精度で試料表面の高さ測定を行うことのできる方法と、高精度で試料表面の高さ測定を行うことにより、試料の所望の位置に描画することのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of an optical element, which is formed by providing a color filter on an insulating film, is a method, where the insulating film consisting of a silicon nitride film 8 formed by a plasma CVD(chemical vapor deposition) method is formed and after a surface layer in the film 8 is etched, a color filter 9 consisting of a pigment negative photoresist material is formed on the film 8.例文帳に追加

絶縁層上にカラーフィルタを設けてなる光学素子の製造方法であって、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜８からなる絶縁層を形成し、窒化シリコン膜８の表面層をエッチングした後、窒化シリコン膜８上に顔料系のネガ型フォトレジスト材料からなるカラーフィルタ９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for preparation of a lot of titanium oxide nano rods easily than a conventional method, and to provide a method for stably forming the nano rods directly on an electrode of an electric element, and to provide titanium oxide nano rods having a homogeneous large surface area, applicable to a dye sensitized solar battery, a sensor, photocatalyst or the like.例文帳に追加

多量の酸化チタンナノロッドを既存の方法より容易に製造する方法を提供し、ナノロッドを直接電気素子の電極上に安定に形成する方法を提供し、さらに、均一で大きな表面積を有し、染料感応型太陽電池、センサ、光触媒などに利用できる酸化チタンナノロッドを提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor light-emitting element which is made of GaInNAs and can be fabricated by an MOCVD method to practical use, and a method of manufacturing the same, a surface light-emitting semiconductor laser device and a method of manufacturing the same, an optical transmitting module, an optical light transmitting/receiving module, and a light communication system.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法によって作製可能な高品質で実用レベルのＧａＩｎＮＡｓ系半導体発光素子およびその製造方法および面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システムを提供する。 - 特許庁

In the quartz-based glass optical waveguide with the electronic active element and the method for manufacturing the waveguide by which the quartz-based glass optical waveguide 10 and the electronic active element 20 are integrated, a thin film transistor 20 functioning as the electronic active element is formed on the surface of the clad 12 of the quartz-based glass optical waveguide 10 after forming the quartz-based glass optical waveguide 10 in a thermal process.例文帳に追加

石英系ガラス光導波路１０と電子能動素子２０とを一体化する電子能動素子付き石英系ガラス光導波路及びその製造方法において、熱プロセスにより上記石英系ガラス光導波路１０を形成した後、上記石英系ガラス光導波路１０のクラッド１２表面に電子能動素子としての薄膜トランジスタ２０を形成する。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask on a photosensitive element, exposing the element to chemical rays via the in-situ mask in an environment, having an inert gas and an oxygen concentration ranging from 190,000 to 100 ppm, and processing the exposed element to prepare a relief printing form, having a pattern of an embossed surface segment.例文帳に追加

この方法は、感光性エレメントの上にｉｎ−ｓｉｔｕマスクを形成するステップと、不活性ガスおよび１９０，０００から１００ｐｐｍの間の酸素濃度を有する環境内においてｉｎ−ｓｉｔｕマスクを介して化学線に対してエレメントを露光させるステップと、浮出し面区域のパターンを有する凸版印刷フォームを形成するために露光されたエレメントを処理するステップとを含む。 - 特許庁

To provide an electrode capable of restraining non-luminescence in the entire area of a luminescent surface due to a short circuit of an organic EL element constituting respective pixels, simply manufacturable at a low cost, and capable of easily forming respective layers constituting the organic EL element by application or printing; to provide its manufacturing method; and to provide an organic EL element using the electrode.例文帳に追加

従って本発明の目的は、各々の画素を構成する有機ＥＬ素子の短絡による発光面全域の非発光を抑制することができ、かつ、簡単、低コストで製造可能であり、更に塗布、印刷により有機ＥＬ素子を構成する各層を容易に形成できる電極とその製造方法、更には該電極を用いた有機ＥＬ素子を提供することにある。 - 特許庁

In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.例文帳に追加

シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁

This method is provided with a step for inputting an original element to be added on the surface of a paper product on a home page picture, a step for confirming and ordering the paper product displayed on the home page picture in the state of really adding the inputted original element and a step for sending data on the inputted original element onto a communication line in the case of ordering.例文帳に追加

紙製品の表面に付されるオリジナル要素をホームページ画面上で入力するステップと、入力された上記オリジナル要素を実際に付した状態でホームページ画面上に表示される紙製品を確認して発注するステップと、この発注時に、上記入力されたオリジナル要素に関するデータを通信回線上へ送出するステップとを具備している。 - 特許庁

The shot for peening is made of an iron-chromium-nickel alloy, which is used for a surface modification method where a compressive residual stress layer is formed on the surface layer of a material, and chromium as an element having high corrosion resistance is applied to the surface of the material; wherein the content of chromium in the surface layer 2 of the shot to be used is higher than that in the central part 1.例文帳に追加

本発明に係る鉄−クロム−ニッケル合金製ピーニング用ショットは、材料表層に圧縮残留応力層を形成させ、材料表面に高耐食性を有する元素であるクロムを付与する表面改質方法に使用する鉄−クロム−ニッケル合金製ピーニング用ショットであって、使用するショットの表面層２のクロム量が中心部１に比べて多いことを特徴とする。 - 特許庁

This printing blanket 1 used for manufacturing an organic EL element by transferring an organic EL element formation material to a substrate by a transfer method, comprises: a rubber layer 14 formed on the surface thereof and having solvent resistance; and an inorganic porous layer 13 formed under the rubber layer 14 and capable of absorbing and desorbing the solvent.例文帳に追加

転写法により有機ＥＬ素子形成材料を基板上に転写させる有機ＥＬ素子の製造に用いられる印刷用ブランケット１において、 表面に設けられ耐溶剤性を有するゴム層１４と、該ゴム層１４の下側に設けられ前記溶剤を吸収排出可能な無機多孔質層１３とを有する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of defects in a semiconductor element operating at a high voltage by appropriately selecting the height of element isolation regions for the surface of a substrate when building the semiconductor elements operating at a high voltage and one operating at a low voltage in the same substrate, with respect to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、同一基板に低電圧動作及び高電圧動作の各半導体素子を作り込む場合、素子分離領域の高さを基板表面との間で適切に選択することで高電圧動作の半導体素子に於ける不良発生を抑止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element in which a member for the liquid crystal display element is used, with which a scratch due to a contact with a substrate is hardly produced on an alignment layer surface even when subjected to an unwinding or winding step to a roll before or after alignment treatment such as rubbing, and alignment defects are significantly reduced.例文帳に追加

ラビングなどの配向処理前あるいは配向処理後にロールへの巻き出し、巻き取り工程を経ても、配向膜表面に基板との接触によるキズがつきにくく、配向不良を著しく低減出来る液晶表示素子用部材を用いた液晶表示素子の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonance device which has high sealing reliability and high mass-productivity and its manufacturing method while suppressing an influence of an alloy layer with infavorable solderability generated on an abutting surface when a piezoelectric element is temporarily fixed by using ultrasonic thermocompression bonding, in the case the element is connected to a base substrate and sealed by soldering.例文帳に追加

本発明は、圧電素子をベース基板にハンダにて接続及び封止する場合に、超音波熱圧着を用いて仮止めを行う際に当接面に発生するハンダ接合性の悪い合金層の影響を抑えて、封止信頼性が高く量産性の高い圧電共振装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for surface treating the rare earth element magnet powder includes the steps of: manufacturing a slurry in which the rare earth element magnet is dispersed in an organic solvent; adding a phosphoric acid into the slurry, adding the metallic compound into the slurry; and heating the slurry at 50-300°C in vacuum or inert gas atmosphere.例文帳に追加

有機溶媒中に希土類磁石粉末を分散したスラリーを作製し、次いで前記スラリー中にリン酸を添加し、次いで前記スラリー中に金属化合物を添加し、次いで真空中または不活性ガス雰囲気中で５０〜３００℃に加熱することを特徴とする希土類磁石粉末の表面処理方法。 - 特許庁

The photoelectric transfer element, comprising a metal oxide semiconductor electrode, a pigment adsorbed to the surface of the electrode, an electrolyte having an oxidation-reduction pair, and a counter electrode, characterized by having a titanium oxide semiconductor electrode containing the thin film formed by the above method as an element for forming the metal oxide semiconductor electrode.例文帳に追加

金属酸化物半導体電極と、その表面に吸着した色素と、酸化還元対を有する電解質と、対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記方法で形成した酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。 - 特許庁