「write」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

When discharge cells lining up along the write electrodes are numbered sequentially from 1, picture data are written into the odd numbered discharge cells in the first half of a write period and the picture data are written into the even numbered discharge cells in the latter half of the period.例文帳に追加

書き込み電極に沿って並んだ放電セルに１から順に番号をつけたとき、書き込み期間の前半で奇数番号の放電セルに画像データを書き込み、後半で偶数番号の放電セルに画像データを書き込む。 - 特許庁

When a write command is input from the outside, an ECC correction circuit 14 reads data and an ECC hamming code from a memory area including an area to which the data is written by the write command, and corrects the read data.例文帳に追加

外部から書き込みコマンドが入力されたときに、ＥＣＣ訂正回路１４は、書き込みコマンドによってデータが書き込まれる領域を含んだメモリ領域からデータおよびＥＣＣハミング符号を読み出して、読み出したデータを訂正する。 - 特許庁

The data recording apparatus includes a nonvolatile memory 10, a write control part 20 for performing write processing of measurement data and order specification data in the nonvolatile memory 10 and a communication part 40 for transmitting data through a communication line.例文帳に追加

データ記録装置は、不揮発性メモリ１０と、不揮発性メモリ１０に測定データ及び順序特定データを書き込む処理を行う書き込み制御部２０と、通信回線を介してデータを送信する通信部４０と、を含む。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium capable of reducing a crystal grain size without deteriorating magnetic characteristics of a magnetic recording layer, and thus improving performance such as noise reduction, SNR improvement and write-ability improvement.例文帳に追加

磁気記録層の磁気特性を低下させる事なしに結晶粒径の低減を可能とし、それによって低ノイズ化、ＳＮＲ向上、記録容易性(Write-ability)向上といった性能向上を可能とする垂直磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a file control program or the like that achieves control of operation of read/write to a file, allowing the control of the read/write without imposing an excessive load on arithmetic processing of a computer and without depending on hardware.例文帳に追加

コンピュータの演算処理に過度な負荷をかけることなく、かつハードウェアに依存することなく読み書きを制御することが可能なファイルに対する読み書きの操作の制御を実現するファイル制御プログラム等を提供する。 - 特許庁

A means for controlling writing and reading according to each table is provided, which has a write table register where a write order to each divided buffer is stored, and a read table register where a read order from the buffer is stored.例文帳に追加

分割された各バッファへの書き込み順序を格納した書き込みテーブルレジスタと、該バッファからの読み出し順序を格納した読み出しテーブルレジスタを有し、各々のテーブルに従い書き込みと読み出しを制御する手段。 - 特許庁

By the grounding line and/or the top grounding surface, the EMI protection to read and write signals for advancing respective wires of the suspension assembly (for example, read and write wires or the like) is provided.例文帳に追加

上記接地ラインおよび／または頂部接地面によれば、上記サスペンション・アセンブリの（たとえば読取りおよび書込み配線などの）各配線を進行する読取りおよび書込み信号に対するＥＭＩ防護が提供される。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is to be masked, the writing of data in memory cells 30 in the memory circuit is stopped by invalidating a column selection signal line with the column selection circuit element 42.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきであるという内容の時、カラム選択回路要素によってカラム選択信号ラインを無効とし、データのメモリ回路内のメモリセルへの書込みを阻止する。 - 特許庁

The write-in memory bank is specified by a write-in control circuit 112 which determines whether to increment a memory bank to be written-in next or not based on input and output vertical synchronizing signals.例文帳に追加

書き込みメモリバンクは、書き込み制御回路１１２において、入力垂直同期信号と出力垂直同期信号とに基づいて、次に書き込むべきメモリバンクをインクリメントするかしないかを決定することにより指定される。 - 特許庁

To shorten a time required for reaching write-in voltage from Verifying voltage for a word line without increasing capacity of a capacitor added to a boosting circuit when write-in for a memory cell and verify-read-out are performed repeatedly.例文帳に追加

メモリセルへの書き込みとベリファイ読み出しとを繰り返して書き込みを行なう際に、昇圧回路に付加するキャパシタの容量を大きくすることなく、ワード線をベリファイ電圧から書き込み電圧に達する時間を短縮する。 - 特許庁

In response to the transfer prohibition instruction, a write memory address generation unit (15) specifies a write memory address for overwriting the data part of the current frame stored in a memory block (12) with the data part of a frame next to the current frame.例文帳に追加

書き込みメモリアドレス生成部（１５）は、転送禁止命令に応答して、メモリブロック（１２）に格納されている現在フレームのデータ部分を、現在フレームの次のフレームのデータ部分で上書きするような書き込みメモリアドレスを指定する。 - 特許庁

Pulses having different frequencies are taken out from a ring oscillator circuit 14 in response to values of the verify-result 7 and the external input data 9 so that an optimum write-in voltage applying time is set and write-in can be performed at high speed.例文帳に追加

ベリファイ結果７と外部入力データ９の値に応じてリングオシレータ回路１４から異なる周波数のパルスが取り出されるので、最適な書き込みの電圧印加時間が設定され、高速に書き込みを行うことができる。 - 特許庁

Also, the interface 21 accesses the next semiconductor memory 41 before capacity of the memory 31 is filled up in a write state of an information signal for the semiconductor memory 31, and write of an inputted information signal is started.例文帳に追加

また、インタフェース２１は、半導体メモリ３１への情報信号の書き込み状態で、該メモリ３１の容量が満杯になる前に、次の半導体メモリ４１にアクセスして、入力された情報信号の書き込みを開始する。 - 特許庁

Thereby, the memory cell c22 is arranged close to the magnetic center axis of write-in line 1110, having the strongest magnetic field generated by the write-in line 1110, and the strength of the magnetic field applied to the memory cell c22 can be increased.例文帳に追加

こうすることによって、書込み線１１１０の発生する磁界が最も強い書込み線１１１０の磁気的な中心軸にメモリセルｃ２２を近づけて配置し、メモリセルｃ２２に印加される磁界の強さを強くすることができる。 - 特許庁

The write is switched to the dual port RAM 105 and the read operation is switched to the dual port RAM 104 under the control of a read/write section 106 for a succeeding period (frame) and a series of operations is switched by each period (frame).例文帳に追加

次の周期（フレーム）において、読み書き切り替え部１０６の制御により、書き込み動作をデュアルポートＲＡＭ１０５に、読み出し動作をデュアルポートＲＡＭ１０４に切り替え、これら一連の動作を周期（フレーム）毎に切り替える。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device obtaining high data transfer efficiency in all cases of at the time of continuous read-out operation, at the time of continuous write-in operation and at the time of continuous read-out/write-in operation.例文帳に追加

連続的な読み出し動作のとき、連続的な書き込み動作のとき、および連続的な読み出し・書き込み動作のとき、いずれの場合でも高いデータ転送効率が得られる半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

Sequence control is carried out in such a manner that the adjusting voltage value Va is reduced to the memory voltage Vm at a write cycle, the word line 30 is boosted from Vss to Vmax and then surely reduced to Vss, and then the write cycle is finished.例文帳に追加

また、ライトサイクルにおいてメモリ電圧Ｖｍに調整電圧値Ｖａに降圧し、ワード線３０をＶｓｓからＶｍａｘに昇圧しさらに確実にＶｓｓに降圧した後、ライトサイクルを終了するシーケンス制御を行なう。 - 特許庁

To provide a document processing apparatus capable of maintaining stable read/write performance by reducing the effect of a carrying system due to speed variations when a magnetic head is used to read/write a document from/to a recording medium of the document.例文帳に追加

帳票の記録媒体に対して磁気ヘッドによるリード／ライトを行うときの、搬送系の速度変動による影響を軽減し、安定したリード／ライト性能を維持することのできる帳票処理装置を提供する。 - 特許庁

Pairs of read data line (IOR0-IOR31), write data lines (IOW0- IOW31) and spare read data lines (SIR), spare write data lines (SIW) are arranged across a memory cell array while extending in the column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイ上にわたってリードデータ線対（ＩＯＲ０−ＩＯＲ３１）およびライトデータ線対（ＩＯＷ０−ＩＯＷ３１）ならびにスペアリードデータ線対（ＳＩＲ）およびスペアライトデータ線対（ＳＩＷ）を列方向に延在して配設する。 - 特許庁

The threshold voltage of the MOS transistor is monitored so as to produce a high level write voltage and a low level write voltage, which are corrected and shifted based on the monitoring result so as to properly perform reload operation on the memory cell by the global sense amplifier.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値電圧はモニタして高レベル書込電圧と低レベル書込電圧を生成し、これらはモニタ結果に基づいて補正・シフトされ、以って、グローバルセンスアンプによるメモリセルの再書込動作を適正に実行する。 - 特許庁

Next, a control section 2 sets a batch write pulse start voltage value in data erasing operation of this time based on the last voltage value of the batch write pulse in data erasing operation of the previous time in a step SP103.例文帳に追加

次に、ステップＳＰ１０３において、制御部２は、前回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの最終電圧値に基づいて、今回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの開始電圧値を設定する。 - 特許庁

A latch is provided in a write driver WD, and the resistance of a phase change element is made higher with a write enable signal in each column cycle and made lower simultaneously inactivation of a precharge signal after input of a precharge command.例文帳に追加

ライトドライバＷＤ内にラッチを設け、相変化素子の高抵抗化は、カラムサイクル毎にライトイネーブル信号により行い、低抵抗化は、プリチャージコマンドが入力された後にプリチャージ信号を非活性化すると同時に行う。 - 特許庁

To perform the read or write of data by one memory access in a microprocessor or the like having a cache memory or memory even when addresses are not neatly arranged according to the size of the designated data in the read or write of the data.例文帳に追加

キャッシュメモリやメモリを有するマイクロプロセッサ等において、データの読み出しまたは書き込み時に指定されたデータのサイズに応じてアドレスが整列していない場合でも、１回のメモリアクセスでデータの読み出しまたは書き込みをおこなうこと。 - 特許庁

To store data in the random access area, the logical block number of the data already stored in the random access area and the incremental counter are referred to, and after the physical block rendered unnecessary is converted into a write buffer, data are written into the write buffer.例文帳に追加

ランダムアクセス領域にデータを記憶する場合、既にランダムアクセス領域に記憶されているデータの論理ブロック番号とインクリメンタルカウンタを参照し、不要となった物理ブロックを、ライトバッファとした後、そのライトバッファにデータを書き込む。 - 特許庁

To provide a hard disk management device capable of easily setting/releasing write protect for prohibiting write of a data into a hard disk used as a removable disk medium, and capable of safely managing the data recorded in the hard disk.例文帳に追加

リムーバブルメディアとして使用するハードディスクに対するデータの書き込みを禁止するライトプロテクトの設定／解除が簡単に行え、このハードディスクに記録しているデータを安全に管理することができるハードディスク管理装置を提供する。 - 特許庁

A read/write circuit 117 is controlled by delayed internal control signals MAE1, WBE1, thereby, read or write for a memory cell array is performed in timing in accordance with a value set to the AL setting register 132.例文帳に追加

読み出し／書込み回路１１７は、遅延された内部制御信号ＭＡＥ１，ＷＢＥ１によって制御され、これによりＡＬ設定レジスタ１３２に設定された値に応じたタイミングでメモリセルアレイに対する読み出し又は書込みを行う。 - 特許庁

By selecting a cache line having the same memory size as write data and writing the write data in the selected cache line, cache-in operation from the system memory occurring in partial overwriting of the line can be reduced.例文帳に追加

本発明は、書き込みデータと同じメモリ・サイズを有するキャッシュ・ラインを選択し、その選択したキャッシュ・ラインに書き込みデータを書き込むので、ラインの一部書き換えに伴って発生するシステム・メモリからのキャッシュ・イン動作を削減できる。 - 特許庁

For example, in a case of a many-valued logic NAND type flash memory provided with the ECC circuit in which an allowable bit number n per page is made to 4 bits, at the time of data write operation, write loop is repeated while stepping up a word-line voltage.例文帳に追加

たとえば、１ページあたりの許容ビット数ｎが４ビットとされたＥＣＣ回路を備える多値論理のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの場合、データ書き込み動作時に、ワード線の電圧をステップアップしながら書き込みループを繰り返す。 - 特許庁

In the magnetic data write-in device 100, information about write-in errors detected based on a magnetic flux of the F2F recording system inversion position is added to magnetic data as exclusive information of the magnetic data and as the analog signal.例文帳に追加

また、磁気データ書き込み装置１００は、Ｆ２Ｆ記録方式の信号の磁束反転位置に基づいて検出した書き込み誤差に関する情報を磁気データ固有の情報として磁気データにアナログ信号として付加する。 - 特許庁

The image signal write control means 9, on the basis of the index coincidence signal IG of the index discriminating means 6, outputs an image signal write starting signal WS to the frame selecting means 7 and an image signal read control means 10.例文帳に追加

画像信号書き込み制御手段９は、インデックス判定手段６のインデックス一致信号ＩＧに基づき、フレーム選択手段７と画像信号読み出し制御手段１０へ画像信号書込開始信号ＷＳを出力する。 - 特許庁

To provide a computer system and data structure write control method for improving processing performance by excluding write processing into a secondary storage which is not accompanied with the update of the contents of a file to be an access object.例文帳に追加

本発明は、アクセス対象となるファイルの内容の更新を伴わない二次記憶への書き込み処理を排除して処理性能の向上を図ったコンピュータシステムおよびデータ構造書き込み制御方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor memory has an input/output circuit 120 including a write path to supply write data and a read path to supply read data, and data lines WLINE and RLINE to connect the input/output circuit 120 and the memory cell array 103.例文帳に追加

ライトデータが供給されるライトパス及びリードデータが供給されるリードパスを有する入出力回路１２０と、入出力回路１２０とメモリセルアレイ１０３とを接続するデータラインＷＬＩＮＥ，ＲＬＩＮＥとを備える。 - 特許庁

A write-in signal 310 is made a logical high voltage level, a write-in pass gate 300 is turned on, and an I/O data line 145 is electrically connected to the pair of bit line 110.例文帳に追加

第二伝達ゲートをターンオフさせてセンスアンプをビット線から分離させ且つ第一伝達ゲートをターンオンさせてデータ線をビット線へ接続させることによってデータビットを表す電圧レベルを直接的にビット線上にロードさせる。 - 特許庁

To suppress the frequency of initial setting by simplifying a circuit for detecting the difference between a read-out address and a write-in address and reducing a circuit scale and by detecting previously a state in which the read-out address and the write-in address approach each other.例文帳に追加

読み出しアドレスと書き込みアドレスとの差を検出する回路を簡素化して回路規模の縮小化を図り、かつ読み出しアドレスと書き込みアドレスとが接近する状態を事前に検知し、初期設定の機会頻度を抑える。 - 特許庁

The input density correction by an input density correction section 103, the density correction by a density correction section 106 and the write density correction in a write control block 110 are respectively controlled, independently of each other in response to an operation by a user.例文帳に追加

入力濃度補正部１０３による入力濃度補正、濃度補正部１０６による濃度補正並びに書き込み制御ブロック１１０における書き込み濃度補正をユーザの操作に応答してそれぞれ独立に制御する。 - 特許庁

To secure the reliability of reproduction interchangeability in a DVD player by suppressing the linking fluctuation caused by the updating operation of the control information to control user's data by the write once operation when the user's data are recorded to a write once medium.例文帳に追加

ライトワンス媒体へのユーザデータ記録の際、ユーザデータを管理する管理情報を追記動作により更新していくことにより発生するリンキング変動を抑え、ＤＶＤプレーヤでの再生互換の信頼性を確保すること。 - 特許庁

Erasure processing is performed making a memory cell of only matrix specified in an individual latch circuit in which a write-in state is stored as an object, the operation is repeated until memory cells being in a write-in state are used up.例文帳に追加

書込み状態を記憶している個別ラッチ回路でマトリックス的に指定される行列のみのメモリセルを対象に消去処理を行い、書込み状態となっているメモリセルがなくなるまで、上記の動作を繰り返す。 - 特許庁

As a read-out position and a write-in position are judged by states of front and rear status flags, a pointer for write-in and a pointer for read-out can be substituted by a series of status flag 102 and circuit constitution can be simplified.例文帳に追加

前後のステータスフラグ１０２の状態によって、読み出し位置と書き込み位置とを判断するために、書き込み用のポインタと読み出し用のポインタとを一連のステータスフラグ１０２で代用でき回路構成を簡単にできる。 - 特許庁

Data for display are previously stored in a memory which electrically can both write and save data, then identification of memory content in the memory which electrically can write and save data without electricity is provided only when power supply is turned on.例文帳に追加

電気的に書込可能で電気的に記憶保持する記憶部分に表示用のデータを記憶しておき、電源が投入されたときのみ、電気的に書込可能で電気不要で記憶保持する記憶部分の記憶内容を同一化する。 - 特許庁

The optical disk is provided with a ROM area 201 in which information cannot be read out after the lapse of a prescribed time, a ROM area 202 in which the recorded information can be indefinitely read out, and a rewritable read/write area 203.例文帳に追加

光ディスクは、所定時間経過後には情報の読み出しができなくなるＲＯＭ領域２０１と、期限無しで記録情報を読み出し可能なＲＯＭ領域２０２と、書き換え可能なリード（read）／ライト（write）領域２０３を具備する。 - 特許庁

To provide a memory write-in device having plural memory blocks where the time from the start of erasing data for a memory block, in which a memory is erased per memory block unit, to the finish of write-in of data is shortened.例文帳に追加

複数のメモリブロックを有してメモリブロック単位でデータが消去されるメモリの書き込み先となるメモリブロックに対するデータ消去開始からデータ書き込み完了までの時間を短くするメモリの書き込み装置を提供する。 - 特許庁

By monitoring I/O with a host device and forecasting expulsion processing executed in the future at the time of the sequential write or the like and executing it in advance, the processing when an actual write command is received can be finished in a short time.例文帳に追加

ホスト装置とのＩ／Ｏを監視して、シーケンシャルライト時などに将来に実施すべき追い出し処理を予測して事前に実施することにより、実際のライトコマンドを受けたときの処理を短時間で完了できるようにする。 - 特許庁

The method further comprises supplying the determined drive current to the calibration memory cell, and using the calibration memory cell to determine(403) strength of a weak write to be utilized by a weak write test for detecting defective RAM cells.例文帳に追加

方法は更に、較正メモリセルに決定された駆動電流を供給し、較正メモリセルを使用して、欠陥ＲＡＭセルを検出するために弱い書き込みテストにより利用されるべき弱い書き込み強度を決定する(403)ことを含む。 - 特許庁

A gate of a selection transistor STR is connected to a write word line WWL, one side of source/drain is connected to a write bit line WBL, and the other side of source/drain is connected to a gate of the ferroelectric transistor.例文帳に追加

選択トランジスタＳＴＲは、書き込みワード線ＷＷＬにゲートが接続され、書き込みビット線ＷＢＬにソース／ドレインの一方が接続され、強誘電体トランジスタのゲートにソース／ドレインの他方が接続されている。 - 特許庁

DAC135-1 to 135-m respectively write voltage data that correcting circuits 134-1 to 134-m have obtained on the basis of measured voltage VEL between the gate and the source of a transistor T3 using a write voltage Vd.例文帳に追加

ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、補正回路１３４−１〜１３４−ｍが測定された電圧ＶＥＬに基づいて求めた電圧データを、書き込み電圧Ｖdを用いてトランジスタＴ３のゲート−ソース間に書き込む。 - 特許庁