「け込み板」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、プリント基板、半導体パッケージ基板、または、半導体基板など半導体製品に設けられたビアホールやトレンチ内に、電気銅めっきで銅金属を埋めこむときの埋め込み性の判断、又は、均一電着性（皮膜物性及び膜厚均一性）の判断に好適な電気銅めっき液の分析装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an analysis device for a copper-electroplating solution, which is suitable for determining embedding properties to be shown when a copper metal is embedded into a via hole or a trench provided in a printed board, a semiconductor-packaged substrate or a semiconductor product such as a semiconductor substrate through copper electroplating, or for determining a macrothrowing power (uniformity of physical properties and thickness of plated film). - 特許庁

液晶パネル１０の端子部１１からフレキシブル基板２０の折り曲げ部２２にかけて補強テープＴを貼着するにあたって、フレキシブル基板２０に補強テープＴのコーナー部Ｔａ，Ｔｂに沿ってフレキシブル基板２０の一部分を切り起こし可能とする左右一対の切込み部２３，２４を形成する。例文帳に追加

When a reinforcing tape T is stuck to the part from the terminal part 11 of a liquid crystal panel 10 to the folding part 22 of a flexible board 20, a pair of left and right cut parts 23 and 24 provided for raising a part of the flexible board 20 are formed on the flexible board 20 along the corner parts Ta and Tb of the reinforcing tape T. - 特許庁

半導体基板１１に形成された貫通孔１２内に、この半導体基板の裏面側に突出された絶縁膜１３を形成するとともに、この貫通孔内に半導体基板の裏面側で且つ前記絶縁膜よりも突出された突起部１４Ａを有する電極１４を埋め込み形成したことを特徴としている。例文帳に追加

In a through-hole 12 formed at a semiconductor substrate 11, an insulating film 13 protruding above the rear side of the semiconductor substrate 11 is formed, and in the through-hole, an electrode 14 comprising a projection 14A protruding beyond the insulating film 13 on the rear side of the semiconductor substrate 11 is embedded. - 特許庁

一方、かご側板３の底部にはフック状の取り付け具７を取り付け、この取り付け具７が、幅木受け部材２１の切り込み２１２ａに嵌め込まれるように構成したので、作業員はかご側板３をかご室側から幅木２に組み込むことができ、かご室組み立て作業の安全性及び作業効率をより高めることができる。例文帳に追加

Hook-like attachments 7 are installed on the bottom of the car side board 3 and is constituted such that the attachment 7 are engaged into the cutouts 212a on the baseboard reception member 21, allowing a worker inside the cage to integrate the car side boards 3 into the baseboard 2, thereby increasing safety and operation efficiency for cage assembly operation. - 特許庁

内部に回路基板を収容した受信装置筐体６の少なくとも異なる２面それぞれをアンテナ部２で構成し、アンテナ部は、それぞれ、第１の誘電体５と、第１の誘電体の回路基板側を向く裏面に形成された給電線路と、給電線路と回路基板とを電気的に接続する接続部材と、第１の誘電体の表面に形成され、任意長の切込み部を有する導体とを備える。例文帳に追加

A housing integrated antenna 1 having installation flexibility comprises at least two antenna parts 2 constituting two sides of a receiver apparatus housing 6 which contains a circuit board. - 特許庁

非偏光の映像光によって表示を行なう表示装置において、偏光板１４を備えるタッチパネル１１を用いたときに、ディスプレイ３２とタッチパネル１１との間に反射型偏光板３５と拡散層３６とを設けることによって、外光の映り込みの低減を実現しながら、しかもタッチパネル１１の偏光板１４による輝度低下を低減する。例文帳に追加

In the display device, in which display is carried out by the unpolarized image light and the touch panel 11 having the polarizing plate 14 is used, deterioration in luminance of the touch panel 11 due to the polarizing plate 14 can be prevented while reducing reflection of the outside light when a reflection type polarizing plate 35 and a diffusion layer 36 are arranged between the display 32 and the touch panel 11. - 特許庁

同一の曲げ加工ラインを使用して単一曲げガラス板と複合曲げガラス板を生産する場合に搬送装置を取り替える必要がなく、また、受け渡し用のロールコンベア上を搬送されている複合曲げガラス板が、滑落したり、引っかかったりし易くなるような大きな高低差の落込みのない搬送装置を提供する。例文帳に追加

To provide a conveying apparatus which does not need to be replaced in the case that simple curved glass sheets and compound curved glass sheets are produced using the same bending process line, and further, in which there is no big concave in a height difference at which compound curved glass sheets carried on roller conveyers for conveying are easy to be slid down or caught. - 特許庁

スピーカ装置において、スピーカ装置を構成するスピーカキャビネット１の底板１ａ近傍にインナボックス１４を設け、弾力性を持たせ、且つ打込みナット(鬼目ナット)を打込んだ装着板５をインナボックス１４内で底板１ａ方面に押圧して、スピーカキャビネット１をスタンド３に固定可能としたスピーカ装置を提供する。例文帳に追加

The speaker cabinet 1 is fixed to the stand 3 by arranging an inner box 14 near the bottom plate 1a of the speaker cabinet 1 which constitutes the speaker unit, and pressing an attaching board 5 which elasticity is given to and driving nuts (rasp-cut nuts) are knocked into, in the direction of the bottom plate 1a in the inner box 14. - 特許庁

基板の一面側に位置するセンシング部からの電気信号を、基板の厚さ方向に貫通する貫通電極を介して、基板の他面側へ取り出し可能とした半導体力学量センサにおいて、絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極を形成するのに適した構成を実現する。例文帳に追加

To realize a constitution suitable for forming a through-electrode without forming an insulating film or burying a wiring material, concerning a semiconductor dynamic quantity sensor capable of taking out an electric signal from a sensing part positioned on one surface side of a substrate to the other surface side of the substrate through the through-electrode penetrating in the thickness direction of the substrate. - 特許庁

化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長させる際に、化合物半導体単結晶基板として、基板オフ角度の精度が不純物取り込み濃度のばらつきが所定の許容値内に収まる範囲内のものを用い、これによりシート抵抗値を所要の範囲内に収めるようにした。例文帳に追加

When the thin film semiconductor layer is epitaxially grown on the compound semiconductor single crystal substrate, the compound semiconductor single crystal substrate which has such accuracy of the substrate off angle that variations in entrapped impurity concentrations fall within prescribed acceptable values is used, and thus the sheet resistance values fall within a prescribed range. - 特許庁

少なくとも電極を有する表示側基板と背面側基板の間に間隙を設け、その間隙に着色粒子を挟み込み、電極間に電界を印加することで表示を行う画像表示媒体において、間隙に隔壁を有しその隔壁が表示側基板側と背面電極側では異なるパターンを有することを特徴とする画像表示媒体。例文帳に追加

In the image display medium which includes a gap between a display-side substrate having at least electrodes and a back-side substrate, includes the colored particles held in the gap, and performs display by applying an electric field between the electrodes, the image display medium is characterized in that partitions are provided in the gap includes having different patterns on the display-side substrate side and a back-electrode side. - 特許庁

磁気ディスク（９０）に対向する対向面と前記対向面に垂直な先端面とを有するスライダ基板（１１）と、前記スライダ基板（１１）の先端面側に形成され、前記磁気ディスク（９０）に情報の書き込み又は読み出しを行う磁気ヘッド素子（３２）と、前記スライダ基板（１１）と前記磁気ヘッド素子（３３）との間に形成されたアクチュエータ（１８）とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドスライダによる。例文帳に追加

The magnetic head slider includes a slider substrate 11 having a surface facing a magnetic disk 90 and a leading end surface vertical to the facing surface, a magnetic head element 32 formed on the leading end surface side of the slider substrate 11 to write/read information in/from the magnetic disk 90, and an actuator 18 formed between the slider substrate 11 and the magnetic head 33. - 特許庁

そして、この組み立て姿勢を保ちながら、電極受け板３０の絞り凹部３１位置を上部電極押え板５０の絞り凸部５３位置を合わせながら落とし込み、上部電極押え板５０のリセットボタン収納孔部内にリセット押しボタン８０の下部凸部８５を挿入して上部タブ本体と下部タブ本体１０とを係合する。例文帳に追加

While keeping this assembled attitude, the throttled recessed part position of the electrode receiving plate 30 is fitted and dropped into the throttled protruding part of the upper electrode pressing plate 50, and the lower protruding pat 85 of a reset push button 80 is inserted into the reset button housing hole part of the upper electrode presser plate 40 to engage the upper tub body with the lower tube body 10. - 特許庁

第１の分離板４３から定着ローラ１５の回転方向の下流側方向に向けて、第１の分離板４３と搬送路７までの間に、定着ローラ１５の外周面に接触し、ギャップを越えてきた用紙２０が定着ローラ１５への巻き込みを防止する第２の分離板４５を配設した。例文帳に追加

A second separating plate 45 for preventing paper 20 moved over the gap after brought into contact with the peripheral face of the fixing roller 15 from being wrapped around the fixing roller 15 is disposed between the first separating plate 43 and a conveyance path 7 so as to extend from the first separating plate 43 toward a downstream direction in the rotating direction of the fixing roller 15. - 特許庁

本半導体レーザ素子４０は、基板面と平行な上面を有するストライプ状メサ型リッジ１２を基板上に有するＧａＡｓリッジ基板１４上に、リッジの上面を底辺とする三角形断面のストライプ状積層構造としてリッジ上に形成されたレーザ共振器構造２１と、リッジ及びリッジ上のレーザ共振器構造を埋め込む埋め込み積層構造とを備える。例文帳に追加

This semiconductor laser element 40 has a laser resonator structure 21 formed on striped mesa ridge 12 as a triangularly sectioned striped laminate structure including the top surface of the ridge as its base and a buried laminate structure wherein the ridge and the laser resonator structure 21 on the ridge are buried on a GaAs ridge substrate 14 which has on a substrate the striped mesa ridge 12 having a top surface in parallel to the substrate surface. - 特許庁

シリコン基板１に酸素イオンを注入した後、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なってシリコン基板中に埋め込み酸化膜７を形成するＳＯＩ基板の製造方法であり、不活性ガスは、アルゴンと窒素とを含み、アルゴンと窒素との合計流量に対する窒素の流量が１％以上５０％未満でアルゴンと窒素とを混合したものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing an SOI substrate by implanting oxygen ions in a silicon substrate 1 and then forming a buried oxide film 7 in the silicon substrate by performing heat treatment in an inert gas atmosphere containing oxygen, an inert gas contains argon and nitrogen admixed at such a ratio as the flow rate of nitrogen to the total flow rate of argon and nitrogen is not less than 1% and less than 50%. - 特許庁

基台１２に摺動可能に取り付けられた摺動板１４を所定の長さ移動することにより脚部を伸張させると共に、弾性部材を所定間隔に複数本配設してなる腰載置台１８の弾性部材３６が骨盤の自重によって骨盤筋肉に食い込み弾性部材と骨盤筋肉部とが面で接触して、よって骨盤部の摺動板の移動に伴う摺動方向の移動阻止と、摺動板の戻りによる弾性部材の復元力の作用が得られる。例文帳に追加

Therefore, movement of the pelvis in the sliding direction with the movement of the sliding plate is blocked, and the action of restitution force of the elastic member due to return of the sliding plate is obtained. - 特許庁

前記浮上ユニット３５は、前記ガラス基板１を非接触で支持するもので、圧力ケースに気体を送り込み、その気体が搬送面３６に臨む多孔質体を通過することにより、この多孔質体と縦姿のガラス基板１間に気体膜を形成させ、この気体膜でガラス基板１を支持し浮上させるようになっている。例文帳に追加

The floating unit 35 support the glass substrate in non-contact, delivers gas to a pressure case, forms a gaseous film between a porous body and the vertical glass substrate 1 as the gas passes through the porous body facing a carrying surface 36, supports and floats the glass substrate 1 by the gaseous film. - 特許庁

掘込みにより溝が一部に設けられた基板１１と、基板１１の溝の表面に敷かれたマイクロ波信号線下グランド１５と、基板１１の溝内に充填された誘電体１２と、誘電体１２上に配置されたマイクロ波信号線１３と、マイクロ波信号線下グランド１５に接続されているマイクロ波表面グランド１４とを有する。例文帳に追加

The microwave transmission line is provided with a substrate 11 where a groove is provided on a part by digging, a microwave signal line lower ground 15 laid on the surface of the groove of the substrate 11, a dielectric 12 filled inside the groove of the substrate 11, a microwave signal line 13 arranged on the dielectric 12 and a microwave surface ground 14 connected to the microwave signal line lower ground 15. - 特許庁

このトレンチ４の内部をエピタキシャル膜２３で埋め込む際の、少なくとも埋め込みの最終工程において、エピタキシャル膜の成膜のためにシリコン基板に供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。例文帳に追加

At least in the final process for embedding when the inside of the trench 4 is embedded with the epitaxial layer 23, a mixed gas of silicon source gas and halide gas is used as gas supplied to the silicon substrates to form the epitaxial film. - 特許庁

底部半導体層と同じ導電型のドーパントを含む第１のドープされた半導体領域１８及び反対導電型のドーパントを含む第２のドープされた半導体領域２８がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層２０の直下に形成される。例文帳に追加

First doped semiconductor regions 18 having the same conductivity type dopant as a bottom semiconductor layer and second doped semiconductor regions 28 having an opposite conductivity type dopant are formed directly underneath a buried insulator layer 20 of the (SOI) substrate. - 特許庁

主に記録媒体の基板上に直接形成されたサブマイクロシリンドリカルレンズがあり、ニアフィールド光学レーザーが書き込み可能となり、より小さな光学スポットを生成することによって、より小さな記録ビットを提供し、記録密度を上昇させるものである。例文帳に追加

It mainly has sub-micro cylindrical lenses directly formed on the substrate of the recording medium to enable a near-field optical laser to write and generate smaller optical spots thereby to achieve smaller recording bits and increase the recording density. - 特許庁

本発明は、インターネットを介して互いに情報を交換できる電子掲示板、インターネットを介して開示されている公開情報、企業の会社案内、商品説明、その他の情報等において、不適切な書き込みや改ざんを監視する。例文帳に追加

To monitor inappropriate writing and fraudulent alteration in electronic bulletin boards that can mutually exchange information through the Internet, public information disclosed through the Internet, corporate brochure of an enterprise, merchandise description, the other information, or the like. - 特許庁

ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物を、トレンチ構造を含む基板に塗布する工程、前記塗布された縮合反応物を非酸化雰囲気下において焼成する工程を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法。例文帳に追加

This method of forming a trench embedding insulation film includes processes of: applying a condensed reactant of a polysiloxane compound with silica particles to a substrate including a trench structure; and baking the applied condensed reactant in an non-oxidative atmosphere. - 特許庁

看板装置３は、基本データファイルに代わって変動データファイルを表示対象として指定し、この変動データファイル内の各基本メッセージ情報をそのスケジュール情報にしたがって表示すると共に割込みメッセージ情報も合わせて表示する。例文帳に追加

The signboard devices 3 specifies the variation data file as a display object instead of the fundamental data file, and displays each fundamental message information in this variation data file according to the schedule information thereof and displays also the interrupt message information together. - 特許庁

ＳＯＩ基板１００中の埋め込み酸化膜１０１に到達するトレンチ溝に導電性の膜を充填して形成した導電性の膜５０をエミッタおよび／またはコレクタに利用することにより簡単なプロセスでバイポーラトランジスタを構成する。例文帳に追加

A conductive film 50 formed by filling a conductive film in trenches reaching a buried oxide film 101 in an SOI substrate 100 is utilized for the emitter and/or collector to thereby constitute a bipolar transistor in a simple process. - 特許庁

ワード線に平行な断面において、Ｐ型シリコン基板１の上面と凹部１５とに跨って、書き込み用トンネル絶縁膜４を挟んで、スプリットゲート構造を有するフローティングゲート電極５及びコントロールゲート電極７が形成されている。例文帳に追加

On a section parallel to a word line, floating gate electrodes 5 having a split gate structure and control gate electrodes 7 are formed by bridging an upper surface of a P-type silicon substrate 1 and recessed parts 15, and sandwiching tunnel insulating films 4 for writing. - 特許庁

活性領域を分離するトレンチ溝分離領域の形成にあたり、トレンチ埋め込み絶縁膜の端部にくぼみを発生させること無く、トレンチ溝側壁上部の半導体基板にかかる応力を抑えることが出来る半導体装置及びその製造方法を実現する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device which can restrain stress applied to a semiconductor substrate in the upper part of a trench groove sidewall without forming a recess in the end of a trench embedding insulation film in forming a trench groove separation region separating an active region. - 特許庁

半導体装置の基板上に形成された配線溝や接続孔に対して、被着性及び被着強度が優れ、良好な埋め込みができるめっき方法及びめっき構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plating method and a plating structure by which good buring excellent in adhesive properties and adhesive strength can be performed into wiring grooves and connecting holes formed on a substrate in semiconductor device and to provide a method for producing semiconductor device, and a semiconductor device. - 特許庁

フォトマスク１０２の間隙測定用マーク１０３の位置に対する被露光基板１０１に生じる投影間隔測定用マーク１０３ａの位置をＣＣＤカメラを用いて画像データとして取込み、演算装置により画像処理計算する。例文帳に追加

Position of a substrate to be exposed 101 relative to the position of the gap measuring mark 103 on a photomask 102 is fetched as an image data using a CCD camera and subjected to image processing through an arithmetic unit. - 特許庁

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。例文帳に追加

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12. - 特許庁

ＭＯＮＯＳ構造の不揮発性半導体記憶装置では、シリコン基板４１の表面領域に、情報格納用のメモリセル部４２と、このメモリセル部４２に対して情報の書き込みや読み出しを行うための周辺回路部４３とが形成されている。例文帳に追加

In a non-volatile semiconductor storage device of a MONOS structure, a memory cell 42 for storing information, and a peripheral circuit 43 for writing and reading information to the memory cell 42, are formed in the surface region of a silicon substrate 41. - 特許庁

また、デビットカードシステムのような、本人認証の可能な手段を使用することにより、利用者によるハッキング行為や、掲示板への不正な書き込み行為や、迷惑メールの送信等の不正な利用が発生した場合、利用者の追跡が可能となる。例文帳に追加

Also, when illegal utilization such as hacking by a user, illegal writing to a bulletin board or transmission of troublesome mail occurs, the user can be tracked by using a means capable of performing identity authentication, such as a debit card system. - 特許庁

（Ａ）支持体フィルム上に、（Ｂ）埋め込み層（Ｃ）感光性を有する樹脂組成物層とがこの順に積層されてなる積層体であることを特徴とする凸凹の有る基板上の金属パターンを形成するための、プラズマディスプレイパネル用感光性エレメント。例文帳に追加

The photosensitive element for a plasma display panel is used for forming a metal pattern on the uneven substrate, namely a lamination body where a burring layer B and a resin composition layer C having photosensitivity are laminated in this order on a support body film A. - 特許庁

その場合に、補強板部３２の延び出し寸法ｈは上壁２４の幅寸法ｄよりも短いため、バンパービーム１２が車両内方側へ変形した場合に、もぐり込み防止部材１０が車両内方側へ突き出して車両部品を損傷する可能性が低くなる。例文帳に追加

The extending dimension h of the reinforcing plate 32 is smaller than the width dimension d of an upper wall 24, and this reduces the possibility that the underrun prevention member 10 projects toward the inside of the vehicle and damages the vehicle components when the bumper beam 12 is deformed toward the inside of the vehicle. - 特許庁

室温下では高粘度を実現し、優れた保存安定性が得られるとともに、ラミネート時には低粘度を実現し、基板への埋め込み性及び良好なタック性が得られ、優れた現像性を有する感光性フィルム、及び前記感光性フィルムを用いた永久パターンの形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a photosensitive film which ensures high viscosity at room temperature to acquire excellent storage stability, ensures a low viscosity in lamination to acquire embedding property in a substrate and good tackiness, and has excellent developability; and to provide a permanent pattern-forming method using the photosensitive film. - 特許庁

さらにサポート基板１４、接着剤層１３を通じて複数のパッド電極１２に同時に同電位を与え、ボトムアップ成長のメッキ法で開孔１５に銅を埋め込み、Ｃｕプラグ１６、Ｃｕポスト１７からなる貫通電極を形成する。例文帳に追加

An identical potential is applied to a plurality of pad electrodes 12 through the support substrate 14 and the adhesive layer 13, at the same time, and an opening 15 is filled with copper, by plating for bottom-up growth so as to form a through-electrode formed of a Cu plug 16 and a Cu post 17. - 特許庁

Ｐ型半導体基板１をアノード、Ｎ型埋め込み層２をカソードとするダイオードと、Ｐ＋型導電層８をアノード、Ｎ型エピタキシャル層５をカソードとするダイオードを電極ＡＣ１で直列接続し直列ダイオード群を形成する。例文帳に追加

The semiconductor device has the series diode group formed by connecting a diode including a P type semiconductor substrate 1 as an anode and an N type buried layer 2 as a cathode, and a diode including a P+ type conductive layer 8 as an anode and an N type epitaxial layer 5 as a cathode to each other in series by an electrode AC1. - 特許庁

モジュールカバー３５の下面部１３５Ｂの溝部１４６の内側に接着剤１５０が塗布され、モジュール基板３４の接合面１３４Ａに接合されたときに、接着剤１５０が溝部１４６に入り込み、溝部１４６で接着剤１５０による厚い接着層が形成される。例文帳に追加

An adhesive 150 is applied on the inside of a groove portion 146 of the lower surface portion 135B of the module cover 35, and when joined with the joint surface 134A of the module substrate 34, the adhesive 150 gets into the groove portion 146, and a thick adhesive layer by the adhesive 150 at the groove portion 146. - 特許庁

カバー体を閉方向に付勢する付勢部材を備え、簡易に組立てることができる基板カバーを提供し、前面枠と遊技機本体の電気部品どうしを接続する配線作業が行いやすく、前面枠を閉じる際の配線の噛み込みを防ぐ遊技機を提供する。例文帳に追加

To provide a board cover including an urging member for urging a cover body in a closing direction and capable of being easily assembled; and a game machine permitting easy wiring for connecting electric components on a front frame and a game machine body with each other, and capable of preventing the wiring from being caught when the front frame is closed. - 特許庁

さらに、Ｗパウル８２の突起１１６はＶギヤ７０の円板部７２に形成された干渉孔１１８に入り込み、イナーシャマス８６の圧接部１１４に押圧されたＷパウル８２は突起１１６が干渉孔１１８の挟持面１２０に圧接させられている。例文帳に追加

Further, a projection 116 of the W pawl 82 is inserted in an interference hole 118 formed in a disk part 72 of a V gear 70, and in the W pawl 82 pressed by the pressing part 114 of the inertia mass 86, the projection 116 is press-fitted to a holding face 120 of the interference hole 118. - 特許庁

合成樹脂によりボウル部とその周壁部とを形成し、天板部と組み合わせて全体を構成したものにおいても、作業性を損なわせないまま、接合部位を目立たないものとすることができる埋め込み型手洗い器を提供する。例文帳に追加

To provide an embedded wash basin in which a joined part can be made inconspicuous without damaging working efficiency even in the one in which a bowl part and its peripheral wall part are formed by a synthetic resin and the whole is configured by combining them with a top plate part. - 特許庁

次に、振動板３１、キャビティプレート４１、及び、ベースプレート４２の３枚のプレートにより形成されたインク流路内に流体を流し込み、インク流路内を洗浄することで、インク流路内に侵入した粒子を除去する（液体流路洗浄工程）。例文帳に追加

Then, fluid is made to flow into an ink flow path formed of three plates of the oscillating board 31, the cavity plate 41 and the base plate 42 to wash the inside of the ink flow path, and thereby to remove the particles invaded into the ink flow path (a liquid flow path washing process). - 特許庁

コンバイン１の掻込み搬送装置３０は、右側下穂先搬送体３４及び右側上穂先搬送体３５からなる右側穂先搬送体３３と案内板５０とによって形成される搬送通路Ｍにより刈取穀稈を搬送するように構成されている。例文帳に追加

The raking and transporting apparatus 30 of combine harvester 1 is constituted to transport reaped grain culms by a transportation path M made of a right-side ear tip transporting body 33 composed of a right-side lower ear tip transporting body 34 and a right-side upper ear tip transporting body 35 and a guide plate 50. - 特許庁

これにより、高周波シリコンパワーＭＩＳの特性向上のために基板本体の抵抗を低くしても、ｐ^＋型埋め込み層８の端部８ａにおいて発生した応力により誘発される欠陥等のゲート保護ダイオードＧＤ１のリーク電流に与える影響が小さくなる。例文帳に追加

Consequently, even when the resistance of the substrate main body for improving characteristics of the high-frequency silicon power MIS is made small, an influence of a defect etc., generated owing to stress generated at the end 8a of the p^+-type buried layer 8 on a leakage current of the gate protective diode GD1 becomes small. - 特許庁