「極変換」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

この発明のＸ線平面検出器は、外部から入射したＸ線を信号電荷に変換するＸ線光導電膜２と回路基板の画素電極５との間に、Ｘ線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された中間層１０を有する。例文帳に追加

This planar X-ray detector has an intermediate layer 10 formed of a metal oxide or metal nitride which has high crystal compatibility to the substance forming the X-ray photoconductive film 2, which converts X-rays made incident from the outside into signal charges, and is less in reactivity between the X-ray photoconductive film 2 and the pixel electrode 5 of the circuit board. - 特許庁

β−ケトアミノ酸誘導体に変換可能なアシルオキサゾロン化合物を短工程、かつ強塩基や高価な試薬、極低温を必要としない安価な条件で効率的・高収率、かつ後処理・精製が容易な方法で製造することができる、アシルオキサゾロン化合物の工業的製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an industrial production method of an acyloxazolone compound in which the acyloxazolone compound capable of converting to a β-ketoamino acid derivative can be produced in short steps, good efficiency and high yield under inexpensive conditions not requiring a strong base, an expensive reagent and very low temperature and aftertreatment/refining can be produced by a ready method. - 特許庁

ＣＰＵが、動作用電源として用いられる電池に対する充電状態を判定するため、回路全体の消費電流値をＡ／Ｄ変換して検出する場合は（ステップＡ２〜Ａ４）、命令キャッシュをディスエーブル状態にすることで（ステップＡ１）、制御プログラムが記憶されているフラッシュＲＯＭを極力スタンバイモードに移行させない状態で行うようにする。例文帳に追加

When the CPU detects the consumed current of all the circuits by A/D converting (step A2-A4) to check the charging state of the battery used as a power supply, the command cache is disabled (step A1) so that the flash ROM storing the control program is prevented from entering a standby mode as much as possible. - 特許庁

ペプチドまたはペプチド模倣分子を−Ｓスルホネート基及び酸不安定保護基で保護化された−ＳＨ基を含有する線状前駆体に変換し、無水非プロトン性非極性有機溶媒中、ｐＨ３未満で、少なくとも１つのカルボカチオンスカベンジャーの存在下でこの保護されたＳＨ基を選択的に脱保護し、脱保護された線状前駆体をｐＨ５〜９で溶解し、環化させる。例文帳に追加

The method comprises converting the peptide or the peptide analogous molecule to a linear precursor containing an -S sulfonate group and an -SH group protected by an acid-unstable protective group, selectively deprotecting the protected SH group in an anhydrous aprotic nonpolar organic solvent at pH<3 in the presence of at least one carbocation scavenger, and dissolving the deprotected linear precursor at pH 5-9 to cyclize the precursor. - 特許庁

反射板６、透明電極を有する一対のガラス基板の間にねじれ配向させたネマチック液晶が封入された液晶パネル２、位相差フィルム３、偏光板５が順に積層された反射型液晶表示装置において、位相差フィルム３と偏光板５との間に偏光変換光学フィルム４を設置する。例文帳に追加

In the reflective liquid crystal display device comprising a reflection plate 6, a liquid crystal panel 2 consisting of a twist aligned nematic liquid crystal enclosed between the pair of glass substrates with the transparent electrodes, an optical retardation film 3 and a polarizing plate 5 successively laminated, a polarized light transformation optical film 4 is arranged between the optical retardation film 3 and the polarizing plate 5. - 特許庁

本発明の水分測定器は、２枚の極板の間を被測定懸濁液が通過する静電容量型センサを使用し、懸濁液の水分濃度に応じた静電容量の変化を、発振器の周波数信号として発信し、この周波数信号を水分濃度に応じた電圧に変換するものであり、水分濃度が０〜50％の範囲で直線的な出力が得られる。例文帳に追加

The moisture-measuring device uses an electrostatic capacitance type sensor, in which the suspension to be measured is passed between two electrodes, transmits changes in electrostatic capacitance according to the moisture concentration of the suspension as a frequency signal of an oscillator, converts the frequency signal into a voltage corresponding to the moisture concentration, and acquires linear output in the water concentration range of 0-50%. - 特許庁

二線式規格の位置検出装置１は、センサユニット内に可変磁気抵抗型のアブソリュート回転角度検出装置により構成されたセンサ部２と、電源及び信号処理用の変換回路４とを収納して成り、両者間は、長さを極力小さくした状態の信号線により接続される。例文帳に追加

This position detecting device 1 of a two-line system standard is formed by housing a sensor part 2 composed of a variable magnetic resistance type absolute rotary angular detecting device, and a power source and signal processing converting circuit 4 in a sensor unit, and both are connected by a signal conductor of a state of minimizing the length. - 特許庁

本発明の固体撮像素子１は、光電変換を行う受光部３と、電荷読み出し部４と、垂直電荷転送部５と、前記垂直電荷転送部５の転送電極１７を覆う遮光膜１９とを備え、前記遮光膜１９の直下の界面にイオン注入による凹凸面３１が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

The solid-state imaging element 1 includes: a light receiving unit 3; an electric charge read unit 4; a vertical electric charge transfer unit 5; and a light shield film 19 for covering a transfer electrode 17 of the vertical electric charge transfer unit 5, and a rugged face 31 by ion implantation is formed on a boundary face immediately below the light shield film 19. - 特許庁

そして、信号処理部(20)による極座標系から直交二次元座標系への座標変換を含む信号処理と、直列伝送路上の画像信号の転送と、表示・制御部(2) による画像信号の表示とは、回転走査部(21)による回転走査に同期して直交二次元座標系の象限ごとに行われる。例文帳に追加

The signal processing including the coordinate conversion from a polar coordinate system to an orthogonal two-dimensional coordinate system by the signal processing part 20, the transfer of an image signal on the serial transmission lines, and the display of the image signal by the display and control part 2 are performed every quadrant of the orthogonal two-dimensional coordinate system synchronously to the rotating scanning by the rotating scanning part 21. - 特許庁

合成樹脂よりなる極薄フィルム２の表面にチタニウム薄膜をスパッタリングにより成膜してこのチタニウム薄膜の表面にニッケル薄膜をスパッタリングにより成膜積層し、或いはニッケル薄膜をスパッタリングにより成膜してこのニッケル薄膜の表面にチタニウム薄膜をスパッタリングにより成膜積層した静電型電気音響変換器用振動膜。例文帳に追加

This invention provides a vibrating membrane for the electrostatic electroacoustic transducer that is formed by forming a titanium thin film on top of a very thin film 2 made of a synthetic resin by sputtering, layering a nickel thin film on top of the titanium thin film by sputtering or layering a nickel thin film on top of the titanium thin film by sputtering and layering a titanium thin film on top of the nickel thin film by sputtering. - 特許庁

ワークの加工点の加工順序、並びに回転テーブルの角速度、工具主軸の直線軸方向の移動速度及びそれらに関連する関連値と、極座標に変換された各加工点の座標に基づいて、各加工点間を相対移動する加工工具の移動時間の総和時間を算出する（Ｓ３０）。例文帳に追加

The total time of moving time of the machining tool relatively moved between the respective machining points is computed based on the machining order of the machining points of the workpiece, the angular speed of the rotary table, the moving speed in the straight line axial direction of a tool spindle and related values related to them, and the coordinates of the respective machining points converted into the polar coordinates (S30). - 特許庁

アルミニウム支持体上に、熱融着性微粒子分散体及び熱溶融性微粒子分散体の少なくとも一方と光熱変換剤を含有する画像形成層を有する印刷版材料において、該アルミニウム支持体が、粗面化処理、陽極酸化を施された後に有機酸水溶液で処理されることを特徴とする印刷版材料。例文帳に追加

In a printing plate material having an image forming layer comprising at least one of a heat-fusible fine particle dispersion and a heat melting fine particle dispersion, and a photo-thermal conversing agent on an aluminum substrate, the aluminum substrate is characterized by being treated with an organic acid water solution after roughening processing and anodizing are applied. - 特許庁

高周波電流に低周波の交流電源周波数成分が重畳する交流−交流直接変換技術を応用した誘導加熱装置において、交流電源の極性判別検出遅れ等により出力電流に急峻な歪みが発生する場合、スイッチング素子の破壊を招くだけでなく、鍋および鍋を乗せる台などから不快なうなり音を発生する原因となる。例文帳に追加

To provide an induction heating device capable of preventing breakage of a switching element and generation of disagreeable beating noise from a cooker or a stand on which the cooker is placed. - 特許庁

セミカスタム半導体集積回路装置において、トランジスタの下地の設計に関する自由度を向上させ、更に、他の配線層敷設の妨げとなるような、ユニットセルの入出力信号を処理するための配線層変換を極力低減した、設計自由度が高く、高集積化および高速動作に適したユニットセルの構造を実現する。例文帳に追加

To obtain a unit cell structure suited to a highly integrated device and a high speed operation in a semi-customized conductor integrated circuit device wherein the degree of freedom about the substrate design of transistors is improved and the wiring layer conversion for processing input/output signals of unit cells which would obstruct the layout of other wiring layers is possibly reduced. - 特許庁

抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子の製造方法において、下部構造体上に下部電極及び酸化層を形成した後、酸化層の一領域に電子ビームまたはイオンビームを照射するステップを含むリセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the memory device that has an oxide layer formed of a resistance converted material to reduce and stabilize the reset current comprises a step of, after forming a lower electrode and an oxide layer on a lower structure, irradiating one region of the oxide layer with an electric beam or ion beam. - 特許庁

シリコン基板１１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子ｐｉｊ及び電極を有してシリコン基板１１に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０上に設けられたカラーフィルタ層２６とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。例文帳に追加

The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment. - 特許庁

光電変換部２１の上には、絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５及び素子分離領域１４並びに浮遊拡散層２２の少なくとも素子分離領域１４との境界部分の上を除き且つＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極の上を含む領域にはシリサイド層１６が形成されている。例文帳に追加

An insulating film 15 is formed on the photoelectric converter 21; and a silicide layer 16 is formed in an area excluding on the boundary between the insulating film 15 and the element isolation area 14, and between the floating diffused layer 22 and at least the element isolation area 14; as well as in an area including on a source area, a drain area, and a gate electrode of the MOS transistor. - 特許庁

低温域で駆動周波数が共振周波数を下回ることによる消灯やちらつきの問題、および高温域で駆動周波数が高くなりすぎることによる電力変換効率の低下の問題を緩和して、広い温度範囲に亘って安定動作する冷陰極管用圧電インバータを構成する。例文帳に追加

To moderate a problem of light-out and flickering caused by a driving frequency lower than a resonance frequency in a low temperature zone, and a problem of lowering in electric power efficiency caused by a too-high driving frequency in a high temperature zone, so as to allow a piezoelectric inverter for cold-cathode tube to carry out a stable operation over a wide temperature range. - 特許庁

光ディスク媒体に照射したレーザーからの反射光を集光する４分割受光素子１１から得られたＲＦ信号を電流電圧変換後加算および増幅し、増幅した信号を正負両極性のコンパレータ１５ａ，１５ｂにより２値化した後論理加算し、論理加算した信号を、ゲイン比が１０：１の関係にある２つの増幅器１７ａ，１７ｂによって増幅する。例文帳に追加

The RF signals obtained from a quadripartite photodetector 11 converging a reflected light from a laser emitted to an optical disk medium are added and amplified after the current-voltage conversion, and the amplified signals are logically added after binarized by comparators 15a, 15b having both positive and negative polarities, then the logically added signals are amplified by two amplifiers 17a, 17b having the relation of gain ratio 10:1. - 特許庁

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板１の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極２ａ〜２ｆ、３ａ〜３ｆ及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部９を形成する。例文帳に追加

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching. - 特許庁

整流器１５の出力端間にはダイオードＤｓと抵抗Ｒｓと補助スイッチ素子Ｑｓとの直列回路が接続され、回生電力によって極性反転回路１１から整流器１５に向かう向きでリアクトルＬ２に電流が流れる期間に補助スイッチ素子Ｑｓをオンにし、回生電力を電力変換回路１１の入力側に帰還させる。例文帳に追加

A series circuit of a diode Ds, a resistor Rs, and an auxiliary switch element Qs is connected between the output terminals of a rectifier 15 and, while current runs through the reactor L2 by regenerative power in such a direction from the polarity reversing circuit 13 to the rectifier 15, the auxiliary switch element Qs is turned on to return the regenerative power to the input side of the power converting circuit 11. - 特許庁

複合装置１は、環境温度を安価なサーミスタ９で検出し、当該サーミスタ９の検出する検出環境温度に基づいて、読取光を原稿に照射する冷陰極管１５の光量が安定するまでの光量安定化待ち時間を判定し、当該光量安定化待ち時間が経過すると、ＣＣＤ１３で原稿からの反射光を光電変換して原稿の読取を開始する。例文帳に追加

A composite device 1 detects environmental temperature by an inexpensive thermistor 9, determines the light quantity stabilization standby time until the light quantity of a cold cathode tube 15 which irradiates the original with the reading light is stabilized based on the detected environmental temperature detected by the thermistor 9, when the light quantity stabilization standby time passes, reflected light from the original is photoelectrically converted by a CCD13 to start reading of the original. - 特許庁

高電圧変圧器3と、多倍の電圧に昇圧して直流の高電圧に変換するコッククロフト・ウォルトン回路4と、陰極5bを接地してX線を発生するX線管5と、これらを絶縁油中の接地された高電圧タンク7に封入実装してモノタンク型の高電圧発生部およびX線発生部を構成する。例文帳に追加

The mono-tank type high-voltage generating part and X-ray generating part are structured of a high-voltage transformer 3, a Cockcroft-Walton circuit 4 converting into direct-current high voltage by boosting the voltage multiple times, an X-ray tube 5 generating X rays through grounding of a cathode 5b, and a grounded high-voltage tank 7 sealing and mounting these above in insulating oil. - 特許庁

太陽電池用の導電性ペーストにオーミック接触させる電極の形成に用いられる導電性ペーストであって、当該導電性ペーストの盛り量を高く、厚膜で印刷することができるため、無鉛ガラスフリットを用いたとしても高い変換効率が安定して得られる太陽電池用導電性ペースト、及び該太陽電池用導電性ペーストを製造する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide conductive paste for solar cell using for formation of an electrode making ohmic contact to conductive paste of a solar cell, capable of stably obtaining high conversion efficiency, even with the use of lead-free glass frit since a height amount of a volume of the conductive paste makes high so as to enable to print in a thick film, and to provide a manufacturing method for manufacturing the conductive paste for solar cell. - 特許庁

フォトダイオード表面の表面Ｐ＋ピンニング層７と、転送ゲート電極１０下の表面Ｐ−領域１２に加えて、これらの間で光電変換蓄積部４のオーバーラップ領域上に表面Ｐ−領域１１を形成することにより、このオーバーラップ領域表面の表面Ｐ−領域１１から表面Ｐ−領域１２を介してドレイン領域に向かう電界を形成している。例文帳に追加

In addition to a surface P+ pinning layer 7 on a photodiode surface and a surface P- region 12 directly below a transfer gate electrode 10, a surface p- region 11 is formed therebetween on an overlapping region of the photoelectric conversion and accumulation section 4 to form an electric field directed from the surface P- region 11 on an overlapping region surface to a drain region through the surface P- region 12. - 特許庁

支持体上に、アナターゼ型酸化チタン微粒子、ならびに有機金属ポリマーとアミド結合、ウレタン結合、ウレイド結合および水酸基から選ばれる少なくともいずれかを含有する有機ポリマーとの複合体を含有する感光層を有する平版印刷用原版を紫外線光で像様露光し、露光部分の感光層表面を親水性に極性変換することを特徴とする。例文帳に追加

An original plate for lithographic printing which has, on a supporting body, a photosensitive layer containing a composite material of anatase type titanium dioxide particles, an organic polymer containing at least one of organic metal polymers of amide bond, urethane bond, ureido bond and hydroxyl groups is exposed to an ultraviolet ray by image-shaped exposure to invert the polarity of the exposed area of the photosensitive layer so that the area becomes hydrophilic. - 特許庁

導電性支持体上にｎ型半導体と光増感剤とを含有する半導体膜が積層されてなる光電変換素子と対向電極が電解質を介して対向している色素増感型太陽電池であって、従来の標準電解質であったヨウ素系電解質から構成される色素増感型太陽電池よりも高い開放電圧（Ｖｏｃ）の発現が可能となる電解質を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrolyte realizing higher open circuit voltage (Voc) than that of a dye-sensitized solar cell constituted with an iodine system electrolyte which is a current standard electrolyte in a dye-sensitized solar cell, in which a photoelectric conversion element, formed by laminating a semiconductor film containing an n-type semiconductor and a photosensitizer on a conductive substrate, is faced with a counter electrode via an electrolyte. - 特許庁

ホストコンピュータとモバイルサーバとを、管理用コンピュータを介して接続することで、前記モバイルサーバにおけるフォーマットの変換をなくしてモバイルサーバにかかる負荷を軽減し、しかも、ホストコンピュータのセキュリティを費用をかけずに確固たるものとすることができる極めて実用的なＡＳＰサイトの管理システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a very practical management system for an ASP (application service provider) site capable of eliminating conversion of a format in a mobile server to reduce a burden to be applied to the mobile server and capable of firming up security of a host computer inexpensively by connecting the host computer and the mobile server to each other through a management computer. - 特許庁

光電極層２を、電解液１として充填するものと同じ電解液で洗浄することで、充填後に電解液１に溶出する恐れのある分の増感色素が確実に洗い流されて、長期に亘り電解液１による円滑な電子の流れを確保し、高いエネルギー変換効率を保持することができるようになり得る。例文帳に追加

A photo electrode layer 2 is cleansed by an electrolyte solution which is used for filling the layer as an electrolyte solution 1 and a sensitized dye which is feared to be dissolved into the electrolyte solution 1 after the filling is certainly washed out and a smooth electron flow by the electrolyte solution 1 can be secured for a long period and a high energy conversion efficiency can be maintained. - 特許庁

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が１０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマＣＶＤ法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。例文帳に追加

Silicon-containing material gas and hydrogen gas are fed between a board and a ladden-shaped electrode, and a high-frequency power of 10 to 300 MHz is applied to generate a plasma, by which a silicon thin film is formed on the board through a plasma CVD method using the generated plasma, and the silicon thin film is used as a photoelectric conversion layer. - 特許庁

増幅手段１０４およびインピーダンス変換回路１０５を同一のＩＣチップ内に形成するとともに、少なくとも整合回路１０６、電源供給手段１０７および移相回路１０８を電極パターンと誘電体層とからなる積層体内に構成し、前記積層体上に少なくとも前記ＩＣチップおよびＳＡＷフィルタを搭載して構成したものである。例文帳に追加

An amplifier means 104 and an impedance conversion circuit 105 are formed in the same IC chip, at least a matching circuit 106, a power supply means 107 and a phase shift circuit 108 are configured in a laminated body composed of an electrode pattern and a dielectric layer, and at least the IC chip and a SAW filer are mounted on the laminated body. - 特許庁

静電容量検出装置３７の内部回路では、現像スリーブ２３からアンテナ電極３４に流れる交流電流と、基準コンデンサ６０７に流れる交流電流とをそれぞれ相異なる方向の半波電流に変換し、２つの電流を加算後に１つの積分回路６２０に入力して直流電圧化する。例文帳に追加

In the external circuit of an electrostatic capacity detecting device 37, an AC current flowing to an antenna electrode 34 from a developing sleeve 23 and an AC current flowing to a reference capacitor 607 therefrom are respectively converted into half-wave currents in different directions, and two currents are added and then inputted in one integration circuit 620 so as to be turned into DC voltage. - 特許庁

１水平期間の一部で電荷電圧変換部に隣接する電極にクロック電圧または直流レベルを印加させ、黒レベル（ＯＢレベル）と略等しいレベルの擬似ＯＢ信号を生成し、クランプパルス発生回路４ＢからクランプパルスＣＰ２が供給された場合に、擬似ＯＢ信号をクランプする擬似ＯＢクランプ回路３Ｂを設ける。例文帳に追加

A false OB clamping circuit 3B is provided for clamping a false OB signal when a clamp pulse CP2 is supplied from a clamp pulse generating circuit 4B by applying a clock voltage or a DC level to an electrode adjacent to a charge voltage converter in the part of one horizontal period, and generating the false OB signal substantially equal to a black level (OB level). - 特許庁

連続する２進数のデータ系列を４ビット単位の入力データ語に変換した後に、所定のデータ語間隔毎に必ずＤＳＶ極性が反転可能な冗長ビットを挿入可能とすることにより、符号化テーブル内でもＤＳＶの制御が可能となり、出力符号語列のＤＣ成分の効果的に抑圧して最短ランの繰り返し制限が可能となる。例文帳に追加

A continuous binary data series is converted to an input data word of 4-bit units, and a redundant bit where a DSV polarity can always be inverted for each specific data word interval can be inserted, thus controlling DSV in a coding table, and suppressing the DC component of an output code word row effectively for achieving the repetition restriction of the shortest run. - 特許庁

単相交流変圧器６台を基本構成とする３相—１２相交流変換電源と、これによって導かれる１２本の放電電極を立体的に配置することにより、多重放電を実現し、立体的なプラズマ領域の構造を変化させることができる６相多重立体放電装置を実現することにある。例文帳に追加

To provide multiple discharge, and to allow structure of a three- dimensional plasma region to be varied, by arranging three-dimensionally three- phase-twelve-phase alternating current conversion power sources having six single-phase alternating current transformers as the basic constitution, and twelve discharge electrodes introduced by the power sources. - 特許庁

逆量子化を行う逆量子化器５３と、再量子化を行う量子化器５５と、を備えたトランスコーダ１０１において、入力量子化パラメータに基づくレート歪み関数を考慮し、量子化パラメータを切り換える量子化パラメータ切り換え部１１５を設けることにより、量子化係数領域データから再量子化係数領域データへの変換時における誤差を極力抑えることができる。例文帳に追加

In a trans-coder 101 provided with an inverse quantizer 53 for performing inverse quantization and a quantizer 55 for performing re- quantization, by providing a quantization parameter switching part 115 for considering a rate distortion function based on an input quantization parameter and switching the quantization parameter, errors in the conversion from quanhization coefficient area data to re-quantization coefficient area data are suppressed as much as possible. - 特許庁

基板上にプローブ分子を固定配置した分子アレイに検体を作用させ、プローブの微小スポットを顕微フーリエ変換赤外分光法でスキャンし、プローブと特異的に結合した検体中の生体分子を赤外吸収の測定により検出することにより、検体中の分子をラベル化することなく、極めて簡便に且つ高感度で分析することができる。例文帳に追加

The specimen is allowed to operate on the molecular array where a probe molecule is fixed onto a substrate for arranging, the minute spot of a probe is scanned by a micro Fourier transform infrared spectroscopy, and an organism molecule in the specimen that is specifically combined to the probe is detected by measuring infrared absorption, thus extremely simply and sensitively analyzing the molecule in the specimen without labeling. - 特許庁

過大光がＣＣＤ１に入射してそのＯＢ部に転送電荷があふれた場合に、電荷電圧変換部に隣接する電極(アウトプットゲートＯＧ)へのクロック電圧または直流レベルの印加によって、そのＯＢ部に溢れ出した電荷がリセットドレインＲＤ側に排出され、黒レベルと略等しい擬似ＯＢレベルが生成される。例文帳に追加

When the excessive light enters the CCD1 and its OB part transfer charge overflows, the charge overflowing to the OB part is discharged to a reset drain RD side by applying the clock voltage or the DC level to the electrode (output gate OG) adjacent to the charge voltage converter, and the false OB level substantially equal to the black level is generated. - 特許庁

導電層を備えた光透過性を有する可撓性基板１の導電層３の上に、マイクロ波吸収発熱層４とこのマイクロ波吸収発熱層４上に無機半導体層５を形成してマイクロ波の照射により緻密化した前記無機半導体層５bを形成したことを特徴とする光電変換用電極。例文帳に追加

The electrode for photoelectric conversion is characterized in that the inorganic semiconductor layer 5b made dense by microwave irradiation is formed by forming a microwave absorbing exothermic layer 4 on the conductive layer 3 of the light transmitting flexible substrate 1 having the conductive layer, and forming the inorganic semiconductor layer 5 on the microwave absorbing exothermic layer 4. - 特許庁

骨誘導因子アンタゴニスト活性を有する成熟型蛋白質は、成熟型ヒトＭＰ５２のアミノ酸配列中に存在するメチオニン残基もしくはトリプトファン残基のうちの少なくとも１個の残基を化学修飾により親水性残基に変換するか、あるいは該残基を親水性アミノ酸残基もしくは極性アミノ酸残基で置換することにより得られる。例文帳に追加

This mature type protein having an antagonistic activity for a bone morphogenetic protein is obtained by converting at least one residue in methionine residue or tryptophan residue present in an amino acid sequence of a mature type human MP52 into a hydrophilic group according to a chemical modification or substituting the residue with a hydrophilic amino acid residue or a polar amino acid residue. - 特許庁

画素行ごとに、中間電圧Ｖｍｉｄ０，Ｖｍｉｄ１およびオン電圧Ｖｏｎをその順番で順次転送トランジスタのゲート電極に転送パルスＴＲＧとして供給し、一単位の蓄積期間中に光電変換素子２１に蓄積された信号電荷を例えば３分割転送にて浮遊拡散容量２６へ転送する。例文帳に追加

For each pixel row, middle voltages Vmid0, Vmid1 and ON voltage Von are successively supplied in that order to a gate electrode of a transfer transistor as a transfer pulse TRG, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion element 21 during an accumulation period of one unit are divided into three portions e.g. and transferred to the stray diffusion capacitance 26. - 特許庁

本発明に係る色素増感太陽電池用の光電極は中空球状の構造を有する光散乱層を用いて、既存の光散乱効果だけ有する光散乱粒子とは異なり、光散乱効果と共に光電流を発生させることができる機能を有するので、前記中空球を光散乱層として用いて製造した色素増感太陽電池は高い変換効率を示す。例文帳に追加

The photoelectrode for dye-sensitized solar cell uses a light scattering layer having a hollow spherical shape structure and has a function that can generate photocurrent together with a light scattering effect as different from an existing light scattering particle having only the light scattering effect, thereby, the dye-sensitized solar cell manufactured by using the hollow spheres as the light scattering layer shows a high transfer efficiency. - 特許庁

導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子及び当該半導体微粒子の間の空隙に充填された電荷輸送材料からなる感光層、電荷移動層及び対極の順に積層された光電変換素子において、導電性支持体方向へ向かって感光層の空隙率が小さくなるよう構成する。例文帳に追加

With the photoelectric conversion element laminated with a conductive support body, a photosensitive layer consisting of charge transport material with the space filled with semiconductor fine particles absorbing dyestuff, a charge transport layer and a counter electrode, in that order, the voids of the photosensitive layer is made to be smaller toward the direction of the conductive support body. - 特許庁

３６０度のほぼ均等となるしなり反発特性を有する管状のシャフト本体と、シャフト本体内縦方向に配置された幅方向へのしなりが極めて少なく各種方向からの力を幅方向にほぼ直交する方向のしなり反発に変換する反発角度調整体とより構成される。例文帳に追加

The shaft structure is constituted of a tubular shaft body having a bending reaction property substantially uniform over 360 degrees and a reaction angle adjusting body arranged in a longitudinal direction within the shaft body, having substantially small bending in a width direction and converting the force from various directions to the bending reaction in a direction substantially perpendicular to the width direction. - 特許庁

本発明の熱電変換モジュール１によれば、ビスマス及びテルルを含むＮ型半導体領域２と、ビスマス及びテルルを含むＰ型半導体領域３と、Ｎ型半導体領域２と、Ｐ型半導体領域３とを結束する多孔質セラミックス４と、Ｎ型半導体領域２とＰ型半導体領域３とを接続する電極５Ａ、５Ｂとを備えて構成する。例文帳に追加

A thermal/electrical conversion module 1 according comprises an n-type semiconductor region 2 containing bismuth and tellurium, a p-type semiconductor region 3 containing bismuth and tellurium, porous ceramics 4 for bundling the n-type semiconductor region 2 and the p-type semiconductor region 3, and electrodes 5A, 5B for connecting the n-type semiconductor region 2 and the p-type semiconductor region 3. - 特許庁