「臨界寸法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

目標臨界寸法を有する微細パターンを形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a minute pattern having a target critical dimension. - 特許庁

超臨界水用ノズルの外径寸法を小さくすることにより、超臨界水反応装置を小型化すること。例文帳に追加

To miniaturize a supercritical water reaction apparatus by small-sizing an external diameter of a nozzle for supercritical water. - 特許庁

走査電子顕微鏡法および臨界寸法測定機器のための電子ビーム線量制御例文帳に追加

ELECTRON BEAM DOSE CONTROL FOR SCANNING ELECTRON MICROSCOPY AND CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT EQUIPMENT - 特許庁

同位置でのポリマー堆積とエッチングによりマスクの等効臨界寸法を減少する方法例文帳に追加

METHOD FOR REDUCING ISO-EFFICIENCY CRITICAL DIMENSION FOR MASK BY POLYMER DEPOSITION AND ETCHING IN THE SAME POSITION - 特許庁

比較的小さな臨界寸法を持つ構成部材を含む集積回路の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING COMPOSITIONAL MEMBER HAVING RELATIVELY SMALL CRITICAL DIMENSIONS - 特許庁

この方法により、基板全体に渡る臨界寸法（ＣＤ）の一様性が改善される。例文帳に追加

By this method, the uniformity of the critical size (CD) over the whole substrate is improved. - 特許庁

上記方法の場合には、集積回路は、必要な、比較的小さな、臨界寸法を持つ回路構成部材を含む。例文帳に追加

An integrated circuit includes a circuit composition member having relatively small necessary critical dimensions. - 特許庁

臨界寸法が第１基準値より小さい第２基準値あるいはそれ以下である時、補助パターンをメインパターン上に付加する。例文帳に追加

When the critical dimensions are a second reference value smaller than the first reference value or below the value, auxiliary patterns 302 are added to the main patterns 300. - 特許庁

超臨界流体を用いた現像において、パターンの倒れなどが発生することなく、かつ、精度良く寸法を制御できるようにする。例文帳に追加

To provide a supercritical development method capable of controlling the size of a pattern with high accuracy without causing a fall of the pattern in the development using a supercritical fluid. - 特許庁

投影パターンにおける臨界寸法プロファイルを改善するリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a lithography device and a device manufacturing method for improving a critical size profile in a projection pattern. - 特許庁

ウエハエッジに出現するフレア効果の補償によりウエハエッジの臨界寸法均一度を向上する半導体製造装置と方法の提供。例文帳に追加

To provide semiconductor manufacturing equipment and a method wherein uniformity of critical size of a wafer edge is improved by compensation of flare effect emerging on the wafer edge. - 特許庁

従って、製造されたパターンは膜厚さの均一性が良好であり、また、臨界寸法の均一性が向上されることができる。例文帳に追加

Accordingly, the manufactured patterns are good in the uniformity of the film thickness and the uniformity of the critical dimensions can be improved. - 特許庁

反射率関数が、構造の臨界寸法に制限されず、高い反射率および高い周波数選択性を有する反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a reflector with a high reflectance and a high frequency selectivity the reflectivity of which is not constrained by the critical dimension of the structure. - 特許庁

臨界寸法が変わる複数のフィーチャを含むパターンをプリントするためのマスクを生成する方法を提供する。例文帳に追加

A method of generating masks for printing a pattern including a plurality of features having varying critical dimensions is provided. - 特許庁

好適には、設計ステップは、スケーリング係数関数が、またシフトの関数であることを考慮に入れながら、パターン構成部材の臨界寸法とシフトを回路構成部材の必要な臨界寸法へ関連づける、スケーリング係数関数を決定するステップを含むことが好ましい。例文帳に追加

The design step preferably comprises a step for determining a scaling factor function for relating the critical dimensions and the shaft of a pattern composition member with the necessary critical dimensions of the circuit composition member, while taking account of the fact that the scaling factor function is a function of the shift. - 特許庁

このプロセスフローは、浮遊ボディ効果を緩和するように直接ボディ・タイ・コンタクト２２２を提供するが、臨界的なアライメント要求ならびにレイアウトの臨界的な寸法制御なしで、非直接ボディ・タイ・コンタクトに共通のヒステリシスおよび過渡アップセット効果をも除去する。例文帳に追加

This process flow provides a direct body tie contact 222 to mitigate floating body effects but also eliminates hysteresis and transient upset effects common in non-direct body tie contact configurations, without the critical alignment requirements and critical dimension control of the layout. - 特許庁

また、透明基板２０５の前面に不純物イオンをドーピングするステップと、半導体基板上にフォトレジストパターンを形成して臨界寸法を測定した後、その分散を改善させるか、または臨界寸法の平均値を目標臨界寸法に合わせるために、対応するフォトマスク２００の全体または一部領域に不純物イオンをドーピングするステップと、を含むフォトマスクの透過率補正方法である。例文帳に追加

The method of correcting the transmissivity of a photomask includes steps of: doping a front surface of the transparent substrate 205 with impurity ions; forming a photoresist pattern on a semiconductor substrate and measuring critical dimensions of the photoresist pattern; and doping the entire region or a partial region of the corresponding photomask 200 with impurity ions so as to improve the dispersion of the critical dimensions or to make the average of the critical dimensions closer to the target critical dimension. - 特許庁

好適には、上記方法は、下記のステップ、すなわち、回路構成部材が、必要な、比較的小さな臨界寸法を持つように、その間のシフトにより、複数の露出ステップを使用して形成した重畳領域に基づいて、対応する回路構成部材を形成するために、臨界寸法を持つパターン構成部材を含むレティクルを設計するステップを含む。例文帳に追加

The method for fabricating an integrated circuit on a semiconductor wafer preferably comprises a step for designing a reticle including a pattern composition member having relatively small critical dimensions in order to form a corresponding circuit composition member based on an overlapped region formed using a plurality of exposing steps, through shift, such that the circuit composition member has relatively small necessary critical dimensions. - 特許庁

臨界寸法が第１基準値あるいはそれ以下である時、セリフ（修正用凸状パターン)／ハンマーヘッド(修正用槌状パターン)をメインパターン上に付加する。例文帳に追加

When the critical dimensions are a first reference value or below the value, serifs 304 (projecting patterns for correction)/hammer heads (hammer-like patterns for correction) are added to the main patterns 300. - 特許庁

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process. - 特許庁

隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。例文帳に追加

The critical dimension and process latitude of the main feature can be improved by constructive light field interference, or degraded by destructive light field interference. - 特許庁

この方法は、このマスクを用いてアルミニウム層をエッチングし、これによって、別の方法で生成するよりも小さい臨界寸法を有する回路フィーチャを規定することを含むことができる。例文帳に追加

The method etches the aluminum layer using the mask and can specify the circuit feature, the critical dimension of which is smaller than that of the feature being processed by another method. - 特許庁

オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for forming a fine pattern of a semiconductor element, which removes a problem that a critical dimension due to an overlay and forms a fine pattern of all forms by the DEET method. - 特許庁

側壁酸化工程によってトレンチコーナ部位が薄く形成される現象を防止するとともに、所望の臨界寸法だけの活性領域を確保することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flash memory cell by which a phenomenon of forming a trench corner site to be thin in thickness by a side wall oxidation process and an active area of a desired critical size. - 特許庁

本発明の実施例において、本発明は支持ピン上に置かれた露光板を利用してウエハエッジ臨界寸法変動の問題を解消し、そのうち支持ピンはステッパのウエハ台を進退する。例文帳に追加

A problem of variations of wafer edge critical size is solved by using an exposure plate arranged on a retaining pin by which a wafer table of a stepper is made to progress and retreat. - 特許庁

表面エネルギーパターンの手助けなしに印刷材料の第１および第２の領域を分離するマイクロメータおよびサブマイクロメータの寸法の臨界形状を形成することのできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a critical geometry in a micrometer size and a submicrometer size separating a first and a second regions of a print material without assistance of a surface energy pattern. - 特許庁

これによって、サブミクロン極先端幅が大幅に改良されると同時に、高いアスペクト比、垂直プロファイル、著しく改良された臨界寸法制御が提供される。例文帳に追加

Thus, the submicron width of pole tips is sharply improved and, at the same time, a high aspect ratio, a high vertical profile and a critical dimension control which is extremely improved are provided. - 特許庁

従って本方法は、所望の印刷パターンがリソグラフィ・システムの分解能限界に近づく臨界寸法を有する場合にも、高品質イメージを提供することができる。例文帳に追加

Accordingly, this method can provide a high quality image even when the desired printing pattern has a critical size approaching to a resolving power of the lithographic system. - 特許庁

所与の周波数および臨界寸法において高い反射率が得られるＳＡＷフィルタまたは共振器用の反射グレーティングを提供する。例文帳に追加

To provide a reflective grating for a SAW (surface acoustic wave) filter or a resonator capable of obtaining a high reflectance at a prescribed frequency and a critical dimension. - 特許庁

層状粘土鉱物が均一に分散されてなり、発泡剤として環境への負担の小さい超臨界流体を用いたポリウレタンフォーム用ポリオール組成物、断熱性や寸法の安定性等に優れたポリウレタンフォーム及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polyol composition for a polyurethane foam that includes a layered clay mineral uniformly dispersed therein and uses as a foaming agent a supercritical fluid having a small environmental burden, to provide a polyurethane foam excellent in heat insulation, dimensional stability and the like and to provide a process for producing the polyurethane foam. - 特許庁

活性領域の臨界寸法を十分減らすこと、フローティングゲートの表面積を増加させること、均一で平坦なフローティングゲートを実現すること、及びモウト発生を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of flash memory element, capable of sufficiently decreasing the critical dimension of the active region, increasing the surface area of the floating gate, realizing uniform and flat floating gate, and suppressing the production of moats. - 特許庁

寸法の異なる複数のＩＣチップ−ＡＬ，ＢＳを、これらのＩＣチップ−ＡＬ，ＢＳを保持する単一のヘッド１０を用い、且つ、相互に臨界間隔以下の隙間１３を隔てつつ液晶パネル１１上に順次配列して実装し、液晶表示装置を製造する。例文帳に追加

A liquid-crystal display is manufactured by using a single head 10 for holding thereon a plurality of IC chips AL, BS, having different dimensions from each other and by arranging and successively mounting them on a liquid-crystal panel 11 with their mutual clearances 13 not larger than the critical space in between. - 特許庁

反射体７２の寸法および断面形状は、ＬＥＤダイ７１から発せられてライトパイプ７３の上面７４または下面７５で最初に反射する光が臨界角θ_ｃより大きな角度で反射する、つまり全反射するように選択されている。例文帳に追加

The size and cross sectional shape of the reflector 72 is selected so that the light that is emitted from the LED dies 71 to be reflected first at the upper face 74 or lower face 75 of the light pipe 73, can be reflected at an angle larger than the critical angle θ_c, that is, can be totally reflected. - 特許庁

隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。例文帳に追加

The critical size and the process latitude of the main feature can be improved by strengthening photo-field effect interference or can be deteriorated by weakening photo-field effect interference in accordance with the phase of an electric filed, which is generated by the adjacent feature. - 特許庁

所定のマスクパターンに含まれるフィーチャのＣＤ（臨界寸法）およびピッチが変わる際、ＣＤのプリンティングに関して「線形」挙動を形成し、これを維持するための簡単で系統的なアプローチを可能にする方法および技術を提供する。例文帳に追加

To provide a method and technology which form "linear" behavior as to the printing of CD (Critical Dimensions) when the CD and pitches of features which are included in a prescribed mask pattern change and enable simple and systematic approach for maintaining this. - 特許庁

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film. - 特許庁

上下対称構造を有するリングゲートパターン１２２の穴中に一定距離離隔して補助パターン１２４を追加することによって、隣り合うパターン間で生じるレンズ収差によるＣＤが一致しなければならない１対の上下対称構造を有するリングゲートパターン間の臨界寸法変化を減らし、微細化パターンを正確に形成することができる。例文帳に追加

By adding the subsidiary pattern in the hole as separated by a designated distance from the ring gate pattern 122 having a vertical symmetric structure, variation of critical dimensions (CD) in a pair of ring gate patterns having a vertical symmetric structure is reduced, where CD due to lens aberration between adjacent patterns must be the same, and a fine pattern is precisely formed. - 特許庁

本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。例文帳に追加

The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements. - 特許庁

該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ１２０と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ１２２と、区分された複数のゾーンの１つに各フィーチャを分類するステップ１２４と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ１２６，１２８，１３０とから成る。例文帳に追加

The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones. - 特許庁