「配線系」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ＩＰＭに接続される配線系路を最適レイアウト化し、配線系路を簡素化するとともに、外乱によるノイズ干渉を抑制し、制御性を向上することができるインバータ一体型電動圧縮機を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an inverter integrated motor-driven compressor, wherein a wiring route to be connected to an IPM (Intelligent Power Module) can be made to have an optimum layout and made to be simple, and wherein noise interference due to disturbances can be restricted, and controllability can be improved. - 特許庁

そして、前記第１の表層配線導体２１は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０．２〜１．０ｗｔ％の範囲で含み、第２の表面配線導体２２は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０〜０．１ｗｔ％（０を含まない）の範囲で含むものである。例文帳に追加

Then, the first surface layer wiring conductor 21 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0.2-1.0 wt.%, and the second surface wiring conductor 22 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0-0.1 wt.% (without including 0). - 特許庁

通常動作時に異なる電源系の接地配線等の同電位配線間を伝搬する高周波ノイズを抑制しながら、異電源系の同電位端子間のＥＳＤストレスに対しても十分な耐量を有する静電保護回路及びこの静電保護回路を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic protective circuit which restrains high-frequency noises from being propagated through interconnect lines of the same potential, such as grounding wiring of different power supply systems in a usual operation, and has resistance high enough to withstand even ESD stress imposed between the terminals of the same potential of different power supply systems and also to provide a semiconductor device equipped with the same. - 特許庁

外部と光ファイバを介して光信号の送受信を行う光トランシーバと、前記光トランシーバを制御するための制御手段と、前記光トランシーバと前記制御手段との間に形成された主信号配線系及び制御配線系と、を有している。例文帳に追加

An optical transmitting/receiving apparatus comprises: an optical transceiver which transmits and receives an optical signal to/from outside via an optical fiber; a control device for controlling the optical transceiver; and a main signal wiring system and a control wiring system, which are formed between the optical transceiver and the control device. - 特許庁

銅配線／バリア層間の銅の隙間腐食を防止することにより、ＣＶＤ法によりカバリッジ良く成膜できるタングステン系バリア層もしくはチタン系バリア層を採用して、０．１μｍ世代以降の銅溝配線の微細化を図る。例文帳に追加

To realize microfabrication of copper trench interconnect lines subsequent to 0.1 μm generation by preventing crevice corrosion of copper between a copper line and a barrier layer thereby employing a tungsten based barrier layer or a titanium based barrier layer which can be deposited with good coverage by CVD. - 特許庁

一軸Ａ１回りに相対回転する第一の部材１１と第二の部材１２とに跨って巻回されるケーブルの配線構造であって、ケーブルが複数の系統を有するようにして、これらのケーブル１３ａ，１３ｂを、複数の系統の弾性力が互いに打ち消すように配線する。例文帳に追加

In the wiring structure of cables wound over a first member 11 and a second member 12 relatively rotated around an axis A1, the cables have a plurality of systems, and the cables 13a, 13b are wired so that the resilience of the plurality of systems may be canceled from each other. - 特許庁

光源ユニット３は、その基端部にコネクタ３１を備えた配線基板３２と、この配線基板３２の先端部に複数個列設されたＧａＮ系ＬＥＤ素子１と、これらのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された光を集光するシリンドリカルレンズ３３とを備える。例文帳に追加

A light source unit 3 is provided with a wiring board 32 having a connector 31 at the base end part thereof, the plural GaN based LED elements 1 arranged at a tip end part of the board 32 and a cylindrical lens 33 condensing the light emitted from the elements 1. - 特許庁

絶縁基材、接着剤、及び配線パターンを含んでなる基板に、シロキサン系樹脂組成物からなる絶縁保護膜を形成したプリント配線板において、前記シロキサン系樹脂組成物が、樹脂成分１００質量部に対して、分子中にヒンダードフェノール基を１個以上有する化合物を０．５〜１０質量部含んで構成されプリント配線板に関する。例文帳に追加

This invention relates to the printed wiring board which has the insulating protective film formed of the siloxane-based resin composition on the substrate including the insulating base, adhesive and wiring pattern, the siloxane-based resin composition containing 0.5 to 10 parts by mass of a compound having one or more hindered phenol groups in a molecule for 100 parts by mass of a resin component. - 特許庁

本発明は、多層配線間の空洞形成用熱分解性有機系ポリマーおよび膜に関し、さらに詳しくは、特定の耐熱温度と特定の熱分解温度を有することで例えば半導体素子などにおける金属配線間に容易に空洞構造を形成させることが可能な多層配線間の空洞形成用熱分解性有機系ポリマーおよび膜を得る。例文帳に追加

To obtain a thermally decomposable organic polymer for forming a cavity among multilayer wirings and a film made from the polymer, and more particularly to obtain a thermally decomposable organic polymer for forming a cavity among multilayer wirings, which polymer is capable of forming a cavity among metallic wirings in e.g. a semiconductor element because it has a specified heat resistant temperature and a specified heat decomposition temperature, and a film comprising the polymer. - 特許庁

さらには、（Ａ）フマル酸エステル、（Ｂ）ジアリル系オリゴマー、（Ｃ）ビニル芳香族系化合物、（Ｄ）ビニル芳香族系ブロック共重合体および（Ｅ）硬化剤からなるプリント配線基板用接着剤組成物とする。例文帳に追加

More particularly, the composition is composed of (A) a fumaric acid ester, (B) a diallyl oligomer, (C) a vinyl aromatic compound, (D) a vinyl aromatic block-copolymer and (E) a curing agent. - 特許庁

ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride semiconductor device in which incident light and emitting light are not obstructed by the wirings between electrodes, the semiconductor device having many GaN light emitting elements or GaN light receiving elements formed 2 dimensionally. - 特許庁

ＧａＮ系半導体デバイス２０は、シリコン（１１１）基板１上に、複数のＧａＮ系HFET１０を形成し、各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を多層配線で連結して作製された大素子である。例文帳に追加

The GaN-based semiconductor device 20 is a large element formed by forming a plurality of GaN-based HFET 10 on a silicon (111) substrate 1 and connecting electrodes of each of the GaN-based HFET 10 to each other via a multilayer wiring. - 特許庁

Ｎ型用ゲート電極25およびゲート配線26にアルミニウム系材料を用い、Ｐ型用ゲート電極27にモリブデン系やタングステン系の材料を用いる。例文帳に追加

An aluminum-based material is used for the gate electrode 25 for n-types and the gate wiring 26, and molybdenum- and tungsten-based materials are used for the gate electrode 27 for p-types. - 特許庁

タンタル系金属のバリア金属膜上に、銅系金属の埋め込み配線を形成する場合において、銅系金属膜の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）時に発生するディッシング及びエロージョンを抑制する。例文帳に追加

To control dishing and erosion occurring on the chemical and mechanical polishing(CMP) of a copper-based metal film, when a copper-based metal- embedded wiring is formed on a barrier metal film comprising a tantalum-based metal. - 特許庁

この構成によって、光源を配線した一つの系統が故障しても他の系統が故障していなければその系統は点灯し続けるので加熱部を視覚的に捉えることができる。例文帳に追加

Accordingly, this constitution can visually capture the heating part since the system is continuously lighted, if other systems are not out of order, even if one system for wiring the light sources is out of order. - 特許庁

第１配線１０８の銅１０８ｂ表面上にチオール系有機化合物またはチオカルボン酸系有機化合物またはチオアミン系有機化合物からなる密着層１１０が形成されている。例文帳に追加

An adhesion layer 110 made of a chiol organic compound, thiocarboxylic acid organic compound or thioamine organic compound is formed on the surface of copper 108b of first wiring 108. - 特許庁

金系導体から成るボンディングパッドと銀系導体或いは銀白金系から成る導体配線との接続部分の下部にあたる基板との界面に、空洞が発生する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thick film multilayer wiring board having enhanced connection reliability by eliminating cavities generated in a substrate interface at a connecting portion between a bonding pad layer consisting of a gold-base conductor and a silver-base or silver-platinum-base conductor layer which is superposed on the bonding pad layer for establishing an electrical connection. - 特許庁

表示対象として通信系統が指定されると、この通信系統を含むシステム全体の回路図の提示に代え、この通信系統に含まれる電装品と配線のみで描画された結線図を作成する。例文帳に追加

When a communication system is designated as a display target, connection diagram obtained by drawing only electrical components and wirings included in the communication system is prepared instead of the presentation of a circuit diagram of the entire system including the communication system. - 特許庁

画像処理装置１１は、縮尺値に応じて、間引き処理を対象となる各オブジェクトごとにプライオリティが設定される表示プライオリティ登録手段１１８と、これらオブジェクトのうち、プライオリティが低い図形オブジェクトを消去する図形オブジェクト消去手段１１４と、接続線を消去する配線消去手段１１５と、配線消去手段１１５により配線が消去された系統図の当該配線を補完する配線補完手段１１６とを備えている。例文帳に追加

An image processing apparatus 11 comprises display priority registering means 118 for setting priority of every object subject to thinning in dependence on a scale value, graphic object erasing means 114 for erasing graphic objects of low priority from the objects, wiring erasing means 115 for erasing connecting lines, and wiring complementing means 116 for complementing the wiring on a system diagram with the wiring erased by the wiring erasing means 115. - 特許庁

Ｓｉ、あるいはＳｉ系材料で構成した半導体素子が金属配線上に搭載された半導体装置であって、半導体素子は銀系接合材で金属配線上に搭載され、かつ半導体素子は半導体素子表面に形成したＳｉ系酸化物膜を介して銀系接合材と接合していることを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device where a semiconductor element composed of Si or an Si-based material is mounted on metal wiring, the semiconductor element is mounted on the metal wiring by a silver-based jointing material, and the semiconductor element is jointed to the silver-based jointing material via an Si-based oxide film formed on the surface of the semiconductor element. - 特許庁

少なくともアミノ安息香酸と研磨砥粒を含んでなる研磨液を用い、Ｔａ系、Ｔｉ系金属膜をバリア金属層とする銅系金属配線層を含む半導体ウエハ基盤等をＣＭＰ研摩すことによって、Ｔａ系、Ｔｉ系金属膜を選択的に研磨加工する。例文帳に追加

In the method of polishing barrier metal, the Ta-based films and Ti-based metallic films contained in a copper-based metallic wiring layer as a barrier metal layer are selectively polished by polishing a semiconductor wafer substrate etc., containing the copper-based metallic wiring layer by CMP by using the polishing solution containing at least aminobenzoic acid and abrasive grains. - 特許庁

本発明は、配線や電極をペーストから焼成して製造する電子部品や、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、酸化による電気抵抗増大を抑制でき、あるいは、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能で、マイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an electronic parts in which increase in electric resistance due to oxidation is suppressed, generation of air bubbles of glass or glass ceramics is suppressed, and a Cu based wiring material superior in migration resistance is used in the electronic parts in which the wiring and an electrode are manufactured by calcination from a paste, and the electronic parts having the wiring contacted with glass or a glass ceramics member. - 特許庁

高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。例文帳に追加

When formed by dry etching in a laminate structure comprising a high carbon concentration insulating film 114 and a low carbon concentration insulating film 116 containing no carbon or having a low carbon concentration, the groove is formed in the low carbon concentration insulating film 116 under a first etching condition using a first etching gas to which a CHF-based gas is added, and then a high carbon concentration insulating film 114 is exposed from a wiring groove bottom part. - 特許庁

ウェハ上に配線ラインが等ピッチで設計されているレイアウトパタンを投影光学系により形成するための半導体設計レイアウトパタン生成方法であって、レイアウトパタン１００の配線ライン端部１０１とこの配線ライン方向に配置されたパタン間の対向スペース１０１ａを均一化する工程を含む。例文帳に追加

The method of generating a design layout pattern of a semiconductor aims to generate by a projection optical system a layout pattern in which wiring lines are designed in the same pitch on a wafer, and the method includes a process of making uniform wiring line end parts 101 of the layout pattern 100 and the opposition space 101a between patterns formed in this wiring line direction. - 特許庁

本半導体装置は、銅配線層を有する半導体装置であって、銅配線、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜、酸化ケイ素系ポーラス絶縁材料層、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜および銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有する。例文帳に追加

The semiconductor device having a copper wiring layer comprises at least one lamination structure including a copper wire, an amorphous carbon film of which the density is ≥2.4 g/cm^3, a silicon oxide group porous insulating material layer, and an amorphous carbon film of which the density is ≥2.4 g/cm^3 in this order. - 特許庁

コア基板の片面または両面に、層間絶縁層と配線を複数層形成する多層配線基板の製造方法において、前記配線表面を、イミダゾール系シランカップリング剤を含んだ溶液により処理した後、水洗を行い、さらに５０℃未満の温度において乾燥する工程を有する多層回路基板の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a multilayer wiring board for forming a plurality of interlayer insulating layers and wiring on one side or both sides of a core substrate has steps of processing the surface of the wiring with a solution containing an imidazole-type silane coupling agent, cleaning it with water, and then drying it at a temperature of less than 50°C. - 特許庁

半導体パッケージ用プリント配線板の表層配線層１に、例えば電源導体線２とそれに略平行して両側にグランド導体線３，４とが配線される場合に、高誘電率系樹脂層５が後付け処理によって電源導体線２およびグランド導体線３，４を局所的に被覆する形で設けられている。例文帳に追加

When a power supply conductor line 2, for example, and ground conductor lines 3, 4 substantially parallel to it in its both sides are wired in a surface layer wiring layer 1 of a printed circuit board for semiconductor package, a high dielectric constant resin layer 5 locally coats the power supply conductor line 2 and the ground conductor lines 3, 4 by after-mounting. - 特許庁

本発明の半導体装置は、内層導体層を有する有機系の多層配線基板と、この配線基板の一方の面に搭載され接続された半導体素子と、他方の面にグリッドアレイ状に配設された複数のはんだボールを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an organic multilayer wiring board having an inner layer conductor layer; a semiconductor element loaded and connected to one surface of the wiring board; and a plurality of solder balls arranged like a grid array on the other surface. - 特許庁

また、アルカリ現像性を改善し、特に炭酸ナトリウム系のアルカリ現像性を可能とし、フレキシブル配線板のカバーレイ材として好適なポリイミド組成物及びそれを用いたフレキシブル配線板及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

A hydrolyzate produced upon alkali development after light exposure can be fixed into a polyimide by reacting the hydrolyzate with a crosslinking agent. - 特許庁

基板１上に形成された金属を含有する配線材料膜（被加工膜）１０をパターニングする半導体装置の製造方法であり、先ず、配線材料膜１０上にシリコン系材料からなる反射防止膜１１を介してレジストパターン１３を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing semiconductor devices by patterning a wiring material film (film to be worked) 10 containing metal to be formed on a substrate 1 consists in first forming the resist patterns 13 across an antireflection film 11 consisting of a silicon material on the wiring material film 10. - 特許庁

パルス系配線から信号出力配線へのクロストークの影響を回避するとともに、それぞれが発熱源となる固体撮像装置と周辺回路から伝搬してくる熱を効率良く放出させ、良好な画質を得ることができる光学デバイスモジュールを実現する。例文帳に追加

To attain an optical device module that avoids an influence of crosstalk to signal output wiring from pulse system wiring and efficiently radiates heat conducted from a solid imaging apparatus and a peripheral circuit as a heat generating source respectively so as to obtain appropriate image quality. - 特許庁

ダマシンプロセスでＣｕ配線Ｍ_1 を形成した後、半導体基板１に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約３５０℃の熱処理を施し、Ｃｕ配線Ｍ_1 の表面に選択的にシリサイド層（ＣｕＳｉ_x ）６を形成する。例文帳に追加

After a Cu interconnection M1 is formed by Damascene process, a semiconductor substrate 1 is heat treated at about 350°C in a pressure reduced atmosphere of silane based gas thus forming a silicide layer (CuSix) 6 selectively on the surface of the Cu interconnection M1. - 特許庁

基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層の一部に、有機系光導波路が形成されている多層プリント配線板。例文帳に追加

In the multilayer printed circuit board in which a conductor circuit and an inter-layer a resin insulation layer are laminated on both sides of a substrate and a solder resist layer is formed in the outermost layer, an organic optical waveguide is formed in part of the solder resist layer. - 特許庁

表示装置１００は、光拡散材料が分散された基板部１０ａと回路配線１０ｃとから成る回路配線基板１０、III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１、ワイヤボンディング３ｎ及び３ｐ、並びに遮光部材４から成る。例文帳に追加

The display 100 comprises a circuit wiring board 10 consisting of a substrate 10a into which a light diffusion material is dispersed and circuit wiring 10c, a group III nitride based compound semiconductor light-emiting element 201, wire bonding 3n and 3p, and a shading material 4. - 特許庁

配線端子部におけるアルミニウム系金属製の配線層と透明アノード電極との接触部において、透明アノード電極にピンホールが開いていても歩留まり良く発光素子を用いたディスプレイパネルを形成できるようにすること。例文帳に追加

To enable to form a display panel using a light-emitting element in a superior yield in which even if a pin hole is opened in a transparent anode electrode at a contact part between a wiring layer made of aluminum based metal and the transparent anode electrode at a wiring terminal part. - 特許庁

Ｃｕなどの配線を有する半導体装置の製造においてＣｏ系材料などの無電解メッキ処理において行われる触媒プロセスでの配線へのダメージを抑制できる半導体装置の製造方法とその方法により製造された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can suppress damage to a wire in a catalyst process carried out in an electroless plating process using a Co-based material etc., when manufacturing a semiconductor device having wires of Cu etc., and a semiconductor device manufactured by the method. - 特許庁

プラズマ前処理を行うこともなく、低温で、比抵抗が低く、酸化物膜やＣｕ配線膜に対する密着性が優れ、またＣｕ配線の信頼性を損なうことのないバリアメタル膜であるＷ系金属薄膜を形成する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for depositing a W based metal thin film as a barrier metal film having low specific resistance, having excellent adhesion to an oxide film and a Cu wiring film, and does not damage the reliability of Cu wiring at low temperature even without performing plasma pretreatment. - 特許庁

樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプのコンデンサ内蔵配線基板の特長である柔軟性を保持したまま、従来品に比べ格段に静電容量を増加できるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a capacitor built-in wiring board in which the electrostatic capacity can be remarkably increased as compared with a conventional one while flexibility which is the feature of the wiring board of a resin dielectric powder composite type is maintained as is. - 特許庁

配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３として、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。例文帳に追加

As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of trialkoxy silane is employed. - 特許庁

すなわち、配線長共振が起こるデータレートを保存するレジスタ６−１、６−２とクロック周波数と配線長の関係を変更するような制御系を信号伝送システムに持たせ、共振回避できるようにデータレートまたは伝播遅延時間をコントロールする。例文帳に追加

The signal transmission system has namely, a control system to change a relation of the registers 6-1, 6-2 which save the data rate of the wiring length resonance, the clock frequency, and wiring length, so as to control the data rate or transmission delay time so as to avoid resonance. - 特許庁

ふっ素系基材シート１上に粘着剤層３が形成されている光ファイバ配線用粘着シートであって、基材シートの粘着剤層形成面がスパッタ処理により表面処理２されている光ファイバ配線用粘着シート。例文帳に追加

This adhesive sheet for optical fiber wiring use is such that an adhesive layer 3 is borne on a fluorine-based substrate sheet 1; wherein the adhesive layer-forming surface of the substrate sheet has been surface-treated 2 by sputtering treatment. - 特許庁

特に送信側と受信側からなる信号伝送系に関して、送信側半導体装置と受信側半導体装置とを接続する伝送用配線を往復する反射波に起因する信号の時間的揺らぎを抑え、ジッタを低減するための高速信号伝送配線実装構造を提供する。例文帳に追加

To provide high speed signal transmission wire packaging structure capable of reducing jitters by suppressing the timewise oscillation of a signal caused by a reflected wave reciprocally transmitted through a transmission wire for connecting a transmitting side semiconductor device to a receiving side semiconductor device especially in a signal transmission system consisting of the transmitting side and the receiving side. - 特許庁

基板２０１上のゲート配線２０４を覆う状態で、窒化シリコン膜２０６を形成し、この窒化シリコン膜２０６上にゲート配線２０４による凹凸を埋め込む状態で酸化シリコン系材料からなる層間絶縁膜２０７を形成する。例文帳に追加

The silicon nitride film 206 is formed under the state, in which gate wirings 204 on a substrate 201 are covered, and the interlayer insulating film 207, consisting of the silicon oxide based material, is formed onto the silicon nitride film 206 in a state, in which irregularities by the gate wiring 204 are embedded. - 特許庁

半導体回路の製造において用いられる化学機械研磨法に使用可能な研磨液として、安全で環境負荷の少ない各種添加剤で構成され、金属配線、特に銅系金属配線のディッシングや研磨中の腐食を抑制することができる金属用研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid for metal, which can be used for a chemical polishing method used for manufacturing a semiconductor circuit, is composed of various sorts of safe additives having little environmental load, and can inhibit dishing in a metal wiring, particularly a copper-based metal wiring, or corrosion during polishing. - 特許庁

高速情報処理用デジタル集積回路チップ内、およびそのチップを搭載するためのパッケージ、モジュール、ボードなどの実装系内における多層配線構造において、インピーダンス制御された高密度微細多層配線構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a high-density fine multilayer wiring structure which is controlled in its impedance in a multilayer wiring structure, in a digital integrated circuit chip for high-speed information processing and in a packaging system, such as, a package for mounting the chip, a module, and a board. - 特許庁