「障壁高さ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。例文帳に追加

Thus, concentration of nitrogen near the lower and upper faces of the diffused barrier layer is higher than at the center part of the diffused barrier layer. - 特許庁

前記Ｐｔ層１０を前記固定磁性層４と前記絶縁障壁層５との間に介在させると、前記絶縁障壁層５の障壁高さ（ポテンシャル高さ）や障壁幅（ポテンシャル幅）に変化が生じると考えられ、これにより、ＶＣＲの絶対値を小さくできる。例文帳に追加

It is supposed that interposing of the Pt layer 10 between the fixed magnetic layer 4 and the insulating barrier layer 5 will cause the barrier height (potential height) and the barrier width (potential width) of the insulating barrier layer 5 to change, and the absolute value of the VCR can be reduced by this. - 特許庁

そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

An energy barrier does not exist substantially between the emitter barrier layer 6 and the emitter layer 7, and further the height of the energy barrier of the collector barrier layer 4 is lower than the height of the energy barrier of the emitter barrier layer 6. - 特許庁

ケイ素を含む基体と、保護環境／熱障壁被覆として機能する上部障壁層、より詳細には、物品が高温の水性（水蒸気）環境に曝されるときのＳｉの気体状化学種の形成を抑制する上部障壁層とからなる。例文帳に追加

The article comprises a substrate containing silicon and a top barrier layer which functions as a protective environment/thermal barrier coating. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges by the electric-charge-separating section, and effective electric charges flowing in the electric-charge-storing section over the potential barrier are taken out as a light receiving output. - 特許庁

半導体基板１０１上に活性層１０６を含む積層構造が形成された半導体レーザ装置において、活性層１０６に電流を注入する経路中に、キャリア密度によって障壁高さまたは障壁幅が周期的に変化するキャリア障壁層１０２が設けられている。例文帳に追加

In the semiconductor laser device having a laminated structure containing an active layer 106 formed on a semiconductor substrate 101, a carrier barrier layer 102 the barrier height or width of which periodically changes depending on carrier density is provided in the route through which a current is injected into the active layer 106. - 特許庁

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。例文帳に追加

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer. - 特許庁

このバリア領域６の形成するポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さは、転送ゲート領域７によって形成されるポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さよりも低い。例文帳に追加

A height of the potential barrier formed in the barrier region 6 relative to the final transfer stage 4 is lower than a height of a potential barrier formed in the transfer gate region 7 relative to the final transfer stage 4. - 特許庁

ショットキー電極５とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さはショットキー電極３とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

The height of the Schottky barrier between the Schottky electrode 5 and the n^- semiconductor layer 2 is higher than the height of a Schottky barrier between the Schottky electrode 3 and the n^- semiconductor layer 2. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges in a charge separation section. - 特許庁

第１障壁２０は、基板１０上の領域への蒸着により形成されて陰極となる陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する。例文帳に追加

The first barrier ribs 20 have a shape or a height which prevents that a negative electrode layer 15 formed by vapor deposition on a region of the substrate 10 to become the negative electrode climbs over the first barrier rib 20 and extends. - 特許庁

さらにゲート電極16と障壁層13との間に、障壁層よりも高い誘電率を持つ絶縁膜18を挿入してg_mの向上とゲートリーク電流の低減が実現される。例文帳に追加

Furthermore, the improvement of g_m and the reduction of the gate leakage current can be achieved by inserting an insulating film 18, with a dielectric constant higher than the barrier layer, between the gate electrode 16 and the barrier layer 13. - 特許庁

この防護障壁が箱状の形状をなしているものとすると、押し込まれた中継ハーネスはこの箱状防護障壁とスキャナ外装カバーとで形成される小空間に収まり、より安全性が高まる。例文帳に追加

When this protecting wall is in a box-like shape, the pushed in relay harness is contained in the small space formed by this box-like protecting wall and the scanner exterior cover and the safety is increased. - 特許庁

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。例文帳に追加

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12. - 特許庁

電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。例文帳に追加

A potential barrier layer (PBL 11) is configured as a p type semiconductor region with much higher concentration formed between the first photo-diode PD1 and the body region 10 to form a potential barrier against the body region 10. - 特許庁

井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。例文帳に追加

The band gap of the well layer 14w is narrowed to secure a sufficient effective barrier height ΔEc between the quantum level of an electron in the well layer 14w and the conduction band of the barrier layer 14b. - 特許庁

これにより、逆方向バイアスにおいてはｎ^- 型エピ層２にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはｎ^- 型層３にて電位障壁を低くすることができる。例文帳に追加

Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3. - 特許庁

その障壁（１５）の高さは、半導体チップ（１１）とパッケージ基板（１４）との間隔より高く設定される。例文帳に追加

A height of the barrier (15) is set to be higher than an interval between the semiconductor chip (11) and the package substrate (14). - 特許庁

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。例文帳に追加

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light. - 特許庁

このため、電荷保持領域における各粒子体間の障壁高さが、半導体基板との距離が小さいものほど小さい。例文帳に追加

Consequently, the barrier height between respective particles in the charge retaining area decreases as the distance to the semiconductor substrate decreases. - 特許庁

これにより、パッド電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さが、ショットキー電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さよりも小さい場合であってもピンホールを通じた電流が抑制される。例文帳に追加

So, the current through a pin hole is suppressed, even if the height of the Shottky barrier with the pad electrode and the silicon carbide epitaxial film is lower than that of the Shottky barrier with the Shottky electrode and the silicon carbide epitaxial film. - 特許庁

ＧａＰのシリコン内を移動する電子に対する障壁高さは、酸化シリコンの障壁高さ（３．１ｅＶ）よりも小さいので、ピーク電流が大きいままで熱励起電流の低減を実現することができ、負性抵抗領域におけるＰＶ比が向上する。例文帳に追加

The height of the barrier to the electrons shifting within the silicon of GaP is smaller than the height (3.1 eV) of the barrier of silicon oxides, so the reduction of thermally excited currents can be materialized, with the peak current kept large, and the PV ratio in the negative resistance region rises. - 特許庁

競争を促進し，主要セクターにおける生産性を高めるため，規制を簡素化し，規制障壁を削減するための製品市場改革例文帳に追加

Product market reforms to simplify regulation and reduce regulatory barriers in order to promote competition and enhance productivity in key sectors.  - 財務省

ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for easily controlling a height and a width of a Schottky barrier and effectively suppressing a short-channel effect. - 特許庁

従来技術では得ることのできなかった充分な高さを有するショットキ障壁を実現し、リーク電流を効果的に抑制すること。例文帳に追加

To effectively suppress leakage current by realizing a Schottky barrier having sufficient height which cannot be obtained by conventional techniques. - 特許庁

ＴｉＯｘ膜で形成された絶縁障壁層からのリーク電流発生を防止し、素子出力を高められる薄膜磁気ヘッドを得る。例文帳に追加

To obtain a thin film magnetic head capable of raising element output by preventing generation of leak current from an insulated barrier layer formed by a TiOx film. - 特許庁

歪みの高いキャリア移動領域における寄生抵抗及びエネルギー障壁を小さくするための半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for reducing a parasitic resistance and an energy barrier in a carrier moving region having a large distortion. - 特許庁

半導体基板を取り替えてなされる半導体装置の応用機器の不正使用に対する技術的障壁を高める。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, a terminal device and a correspondence procedure capable of heighten technical barrier to abuse of application instruments by changing semiconductor board. - 特許庁

また、弁座２６の弁体当接面２６ｃを基準とした障壁４０の高さＨを、ダイアフラム弁体２７の移動量の略半分にする。例文帳に追加

Further a height H of the barrier 40 on the basis of a valve element contact face 26c of the valve seat 26 is approximately half of a travel distance of a diaphragm valve element 27. - 特許庁

貿易面についてみると、一般的に貿易障壁としては高い関税などが考えられるが、貿易手続きの煩雑さなども貿易コストとなる。例文帳に追加

Trading barrier generally indicates high tariff but complicated process to arrange trade is also a part of trading costs. - 経済産業省

障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。例文帳に追加

The clad layer 6 contains more constituent elements than an n-type clad layer 2 does, and the potential difference of the conduction band end between the clad layer 6 and active layer 4 is larger than that at the conduction band end between the clad layer 2 and active layer 4. - 特許庁

食品及び飲料産業や繊維産業では、もともと非関税障壁が高く、このため一方向貿易の割合が高かったが、市場統合で非関税障壁の多くが撤廃されたことで、財の多様化選好の影響により垂直的産業内貿易が拡大した。例文帳に追加

In the food and drinks industry and fiber industry non-tariff barriers were initially high resulting in a large percentage of one-way trade, but in the process of market integration many non-tariff barriers were abolished, leading to an expansion of vertical intra-industry trade due to the effect of the preference for the diversification of goods. - 経済産業省

そして、高温燃焼ガスを前記熱障壁皮膜（４８）の上に通し、冷却空気（１６）を前記内面（４０）の上及び前記ブラインド孔（４２）の中に通し、熱障壁皮膜の温度能力を超えることにより、該熱障壁皮膜の破砕を生じさせて前記孔の出口（４６）を開き、フィルム冷却気流が前記開口孔を貫通する。例文帳に追加

The high-temperature combustion gas 18 is passed on the heat barrier film 48, the cooling air is passed on the inner face 40 and into the blind holes 42, and the fracture of the heat barrier film occurs when a temperature is over the temperature performance of the heat barrier film, whereby the outlets 46 of the holes are opened, and the film cooling gas flow is passed through the opened holes. - 特許庁

ショットキー電極とパッド電極との間に、炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さが、ショットキー電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さ以上である中間金属膜を設けた。例文帳に追加

Between the Shottky electrode and the pad electrode, an intermediate metal film is provided in which the height of the Shottky barrier with the silicon carbide epitaxial film is equal to or higher than that of the shottky barrier with the Shottky electrode and the silicon carbide epitaxial film. - 特許庁

最小長さを小さく抑えて伸縮障壁の大きな可動ストロークを確保しつつ、簡易な構成によってコスト増加を招くことなく高速動作における十分な耐久性を確保することができる工作機械用伸縮障壁のパンタグラフ機構を提供する。例文帳に追加

To provide a pantograph mechanism of a telescopic bulkhead for a machine tool securing a sufficient durability in high-speed operation without bringing about an increase in the cost by embodying it in a simple constitution while the minimum length is suppressed small and a large motion stroke is secured to the bulkhead. - 特許庁

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor. - 特許庁

又、開栓具１０の裏面には差込穴６の周壁を成す中空状の突起１１と、この突起を囲む障壁１２を形成し、突起１１にはノズル４から噴射された高圧ガスを障壁１２に向けて流出させる流出口１３を形成する。例文帳に追加

A hollow protrusion 11 forming a peripheral wall of the inserting hole 6 and a barrier wall 12 encircling the protrusion are formed on the back of the cap opening tool 10, and an outflow opening 13 for flowing the high pressure gas jetted out of a nozzle 4 toward the barrier wall 12 is formed on the protrusion 11. - 特許庁

ＣＣＤチャネル領域は、一つの第２層転送電極１１下にのみ形成された障壁領域９と、他の第２層転送電極１１と第１層転送電極５の下に形成され、有効な不純物濃度が障壁領域より高い蓄積領域１０とから構成されている。例文帳に追加

An CCD channel region is formed into a barrier layer region 9, and it is composed of a barrier layer region 9, which is formed only underneath the second layer transfer electrode 11, and a storage region 10 formed underneath other second layer transfer electrode 11 and the first layer transfer electrode 5 having the effective impurity concentration which is higher than that of the barrier region. - 特許庁

また、父・元信とともに石山本願寺障壁画制作に参加しており、大徳寺聚光院（じゅこういん）障壁画制作には息子の永徳とともに参加しているが、父・元信と息子・永徳がそれぞれに高名であるために、やや地味な存在となっている。例文帳に追加

Although he participated in the creation of the screen paintings for the Ishiyama Hongan-ji Temple with his father Motonobu as well as in the creation of the screen paintings for the Jukoin, Daitoku-ji Temple with his son Eitoku, he was a less famous artist because his father Motonobu and his son Eitoku were more prominent.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

熱電材料表面あるいは熱電材料に対向する表面を改質したり、表面に尖塔を施したりすると、尖塔先端から作業物質が空間に飛出る際の熱励起障壁高さの低減乃至トンネル障壁幅の低減が可能にする。例文帳に追加

If a thermoelectric material surface or a surface confronted to the thermoelectric material is modified or the surface is steepled, a thermal excitation barrier height or a tunnel barrier width can be reduced in emitting the working material from the distal end of steeples to the space. - 特許庁

電荷障壁層の厚さに敏感でなく、電荷障壁層の絶縁膜に欠陥を誘起することなく、低電圧で書き込み読み出しができ、高価な材料を用いる必要がなく、将来の大容量メモリの製造コストを格段に引き下げることができる記憶素子を実現する。例文帳に追加

To provide a memory device which is not sensitive to the thickness of a charge barrier layer and never induces defects in an insulation film of the charge barrier layer and can write/read at a low voltage and never requires an expensive material and can remarkably reduce the manufacturing cost of a future large-capacity memory. - 特許庁

地域貿易協定は、GATT 第24条により、域外に対して障壁を高めないことや、域内での障壁を実質上のすべての貿易で撤廃すること等の一定の要件を満たすことを条件に、最恵国待遇原則の例外として正当化されるものである。例文帳に追加

Article XXIV of the GATT exempts RTAs from the most-favoured-nation principle under certain conditions. Specifically, RTAs must not raise barriers to trade with countries outside of the region and must eliminate barriers to trade within the region with respect to substantially all the trade. - 経済産業省

EPAは、関税、数量割当、投資規制等の水際措置の撤廃にとどまらず、経済諸制度間のハーモナイゼーション、透明性・安定性の高いルールの策定、インフラの整備等、間接的な障壁の削減を含んでおり、国・地域間の経済障壁の除去が実現可能となる。例文帳に追加

EPAs not only include the elimination of border measures such as tariffs, quotas and investment regulations, but also include the lowering of indirect barriers such as harmonization among various economic systems; establishment of highly transparent and stable rules; and infrastructure development, making it possible to remove economic barriers among countries and regions. - 経済産業省

基板11の動作層12上にノーマリオフモード化に最も寄与するゲート電極直下で薄い障壁層13を保ち、同時に、高いI_maxを実現するためにゲート−ソース間、ゲート−ドレイン間で半導体層17により障壁層13を厚くすることを可能とする構成とする。例文帳に追加

This semiconductor apparatus maintains a thin barrier layer 13 directly under a gate electrode that mostly contributes to making a normally-off mode possible on the operating layer 12 of a substrate 11, and simultaneously has a structure capable of thickening the barrier layer 13 by semiconductor layers 17 between gate sources and between gate and drain to achieve high I_max. - 特許庁

EPAの柱となるFTAは、WTO協定上、域外に対して障壁を高めないこと、域内での障壁を実質的にすべての貿易で撤廃すること等の一定の条件の下、WTOの最恵国待遇原則の例外として認められる「地域貿易協定」に当たる（GATT第24条）。例文帳に追加

An FTA, a main component of the EPA, is admitted as a "Regional Trade Agreement" under the WTO agreements, which are excluded from the principle of most-favoured-nation treatment, if certain conditions are met such as: (1) not imposing higher trade barriers on nonmember countries; and (2) eliminating barriers between member countries for substantially all trade (Article 24 of the GATT). - 経済産業省