「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁

A MOS type transistor for power supply connected to first aluminum (Vcc) 13 which is power supply wiring and first aluminum (Vss) 14 which is ground wiring is formed between polysilicon 11 and a diffusion region 12 and capacitance is formed between the power supply wiring and the ground wiring.例文帳に追加

ポリシリコン１１と拡散領域１２の間に、電源配線である第一アルミ（Ｖｃｃ）１３とグランド配線である第一アルミ（Ｖｓｓ）１４とに接続されているＭＯＳ型の電源容量用トランジスタ２２を形成して、電源配線とグランド配線間に容量を形成する。 - 特許庁

To accurately measure a failure current flowing through a DC power supply line derived from an AC/DC conversion device and an insulation resistor between a voltage application part of a DC device or a loading device and an insulation resistor, and a leak current flowing through a ground static capacitance.例文帳に追加

交流／直流変換装置から導出される直流給電線、直流装置や負荷装置の電圧印加部分と接地部分間の絶縁抵抗を通じて流れる故障電流と対地静電容量を通じて流れる漏洩電流を正確に測定する。 - 特許庁

To obtain an inexpensive and compact capacitor potential divider that can eliminate the need for providing a plurality of capacitors with a large withstand voltage being provided in a transformer for preventing electrostatic breakdown due to steep surge penetration, and can stabilize secondary-side capacitance.例文帳に追加

急峻なサージ侵入による静電破壊を防止するために変成器内に設けていた耐電圧の大きい複数個のコンデンサを設けることを不要にでき、安価で、小型化を図ることができ、また、２次側静電容量を安定化させることができるコンデンサ分圧器を得る。 - 特許庁

To provide an oscillating element and an oscillator employing the same which achieves stable oscillation by suppressing parasitic capacitance of a fixed electrode and a vibrating element, other than capacitive coupling for setting a resonant frequency for the oscillating element constituted of the fixed electrode and the vibrating element in a mechanical oscillator.例文帳に追加

メカニカル発振器における固定電極と振動子からなる発振子に対し、共振周波数を設定する容量結合以外の固定電極と振動子との寄生容量を抑制し、安定した発振を行う発振子及びそれを用いた発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element housing package and a semiconductor device in which a capacitance component generated at a substrate is reduced and a characteristic impedance value of a line conductor is not fluctuated, in the line conductor with a capacitor wider than the line conductor and mounted on the half way of the upper surface of a circuit substrate.例文帳に追加

回路基板の上面に線路導体より幅広のコンデンサが途中に実装された線路導体において、基体との間に生じる容量成分を少なくし、線路導体の特性インピーダンス値が変動しない半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an oscillation circuit capable of realizing stable oscillation of the oscillation circuit by reducing the effect of parasitic resistance and parasitic capacitance of a vibrator on the resonance characteristic (Q value, gain, etc.), with improved measurement accuracy of a vibration type sensor, and to provide the vibration type sensor using the same.例文帳に追加

振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。 - 特許庁

Thereby, the voltage between the gate G and drain D of the field-effect transistor Q1 becomes the same AC potential, therefore no current is generated through the stray capacitance, and the input impedance of the field-effect transistor Q1 can be made high in the same way as the case that the feedback capacitor is used.例文帳に追加

これにより、電界効果トランジスタＱ１のゲートＧとドレインＤとの電位が交流的に同一になり、この間の浮遊容量を通じての電流が生じず、帰還コンデンサを用いていた場合と同様にして、電界効果トランジスタＱ１の入力インピーダンスが高められる。 - 特許庁

The matrix type capacitance transparent touch panel is provided, in which a plastic transparent substrate with a plurality of beltlike transparent conductive materials arranged in parallel at an interval is bent inward or outward so that the beltlike transparent conductive materials face each other at 45 degrees as the upper substrate and the lower substrate.例文帳に追加

複数の帯状透明導電体が間隔をあけて平行に配置されるプラスチック透明基板を、帯状透明導電体が４５度で対向するように内側または外側に折り曲げ、それぞれを上部基板と下部基板とにしたマトリクス式静電容量型透明タッチパネルを提供する。 - 特許庁

Therefore, silicon oxide is used, in place of a bulk of silicon dioxide, which is usually used as the material for the formation of a gate dielectric layer, and a semiconductor device capable of reducing leakage current is provided, while an input FET capacitance is made to increase.例文帳に追加

よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力ＦＥＴキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。 - 特許庁

A second dielectric film 4 having a temperature coefficient of electrostatic capacitance different from a prescribed value is formed by covering the top face edge to stepped part of the dielectric thin film 3, and an upper electrode 5 is provided so as to cover the dielectric thin film 3 and the second dielectric film 4.例文帳に追加

誘電体薄膜３の上面縁部乃至誘電体薄膜３の段差部を覆って所定の静電容量温度係数とは異なる静電容量温度係数をもつ第二誘電体膜４を設け、誘電体薄膜３と第二誘電体膜４とを覆って上部電極５を設ける。 - 特許庁

In the case the short circuit defect between the auxiliary capacitance elements 51 occurs, a laser is made to irradiate the part of the connection wire 74 overlapping with the protective layer 56 for repair so as not to make the laser which has cut the connection wire 74 reach the pixel electrode by means of the protective layer 56 for repair.例文帳に追加

補助容量素子５１間に短絡不良が発生した場合には、この接続配線７４の修復用保護層５６が重なっている部分にレーザーを照射することで、接続配線７４を切断したレーザが、修復用保護層５６により画素電極にまで達しないようにする。 - 特許庁

Furthermore, after manufacturing it, each elastic arm section 20C is prevented from plastically deforming carelessly before incorporating the diaphragm 20 as the portion of the capacitance-type sensor.例文帳に追加

これにより、ダイヤフラム２０の製造時に各弾性アーム部２０Ｃが塑性変形してしまうのを効果的に抑制するとともに、その製造後も、該ダイヤフラム２０が静電容量型センサの一部として組み込まれる前に、各弾性アーム部２０Ｃが不用意に塑性変形してしまわないようにする。 - 特許庁

The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance.例文帳に追加

列（カラム）回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。 - 特許庁

To provide a sealing bag capable of housing a large electrode without a dead space, effective in increasing capacitance of battery, and using a laminated sheet by applying drawing process treatment, and to provide a nonaqueous electrolyte battery excellent in sealing reliability by using this sealing bag.例文帳に追加

内部にできるだけ大きな電極を、デッドスペースなしに入れることができ、電池の電気容量の増加に有効な、絞り加工処理を施した貼り合せシートを使用した封入袋および、該封入袋を用いて、密封信頼性の優れた非水電解質電池を得る。 - 特許庁

When the determined phase difference is a value obtained by adding a measuring error to 90 degrees, or more, (and when a phase difference between extreme values (A and G) deviates from a range including the measuring error in 180 degrees), the detection signal is regarded as distorted and thus the abnormality of the capacitance type sensor is detected.例文帳に追加

求めた位相差が９０度に測定誤差を加えた値以上であれば（また、極値（Ａ，Ｇ）間の位相差が１８０度に測定誤差を含む範囲から逸脱すれば）、検出信号に歪みが生じているとして、静電容量式センサの異常を検出する。 - 特許庁

To provide an optical disk device and an optical head device in which the servo of laser light quantity or an objective lens can be high-reliably performed by enabling high-speed sample/hold (S/H) without being affected by stray capacitance on a data transmission line.例文帳に追加

この発明は、データ伝送路の浮遊容量の影響を受けることなく高速でのサンプルホールドを可能として、レーザ光量や対物レンズのサーボを高い信頼性を持って実現することができるようにした光ディスク装置及び光ヘッド装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The shunt inductor 103 is grounded via a bypass capacitor 106 having a sufficiently great capacitance value, thereby including a function for releasing a high-frequency signal branched to the shunt inductor 103 to a ground, and a function for transferring a DC signal from the bias circuit 107 to the base of the transistor 101.例文帳に追加

シャントインダクタ１０３は、十分大きな容量値を有するバイパスコンデンサ１０６を介して接地されているため、シャントインダクタ１０３に分岐された高周波信号をグランドへ逃がす機能と、バイアス回路１０７からの直流信号をトランジスタ１０１のベースへ伝達する機能とを有する。 - 特許庁

In this device, a storage capacitor is formed by the gate electrode of a TFT(thin film transistor) which is had by a pixel, a wiring (connection wiring) which is formed on an activated layer and is connected to the activated layer, an insulation film which is formed on the connection wiring and a wiring (capacitance wiring) which is formed of the insulation film.例文帳に追加

画素が有するＴＦＴのゲート電極及び活性層上に形成され、かつ活性層に接続された配線（接続配線）と、前記接続配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された配線（容量配線）とで保持容量を形成した。 - 特許庁

A coupling capacitance is formed between a pixel electrode 26a of the final line in the display area 17 in a vertical scanning direction V and the dummy pixel electrode 26b, difference of potential variation between the pixel electrode 26a of the final line and the pixel electrode 26a prior thereto by one line is suppressed and thereby display quality is enhanced.例文帳に追加

垂直走査方向Ｖの表示エリア17での最終行の画素電極26aとダミー画素電極26bとの間でカップリング容量を形成し、最終行の画素電極26aとその１行前の画素電極26aとの電位変動量の差を抑制して、表示品位を向上できる。 - 特許庁

This capacitance type touch panel has: a deformable soft first conductor layer 404 positioned below a panel 402; a second conductor layer 408; and a deformable soft insulative layer 406 positioned between the first conductor layer 404 and the second conductor layer 408, having at least one hollow 4062.例文帳に追加

パネル４０２の下方に位置する変形可能な軟性の第一導体層４０４と、第二導体層４０８と、第一導体層４０４と第二導体層４０８の間に位置し、かつ少なくとも一つの空洞４０６２を有する変形可能な軟性の絶縁層４０６と、を備える。 - 特許庁

The wafer detector 72 detects that an electrostatic capacitance between the electrode member 71 and the reference potential changes with whether the wafer W is held by the tweezers 511 or not, whereby the wafer detector 72 is capable of detecting whether the tweezers 51 holds a wafer W or not.例文帳に追加

ウェーハ検知部７２は、ツィーザ５１１にウェーハＷが保持されている場合と保持されていない場合とで、電極部材７１と基準電位点との間の静電容量が変化することを検出することにより、ツィーザ５１１にウェーハＷが保持されているか否かを検知する。 - 特許庁

Thus, charging of the piezoelectric element can be controlled so as to eliminate difference between energy which is actually charged to the piezoelectric element and a control target in accordance with capacitance of the piezoelectric element, fluctuation of voltage applied to the piezoelectric element and the individual difference of the injector driving apparatus and the injector.例文帳に追加

このため、圧電素子の静電容量及び圧電素子に印加される電圧の変動や、インジェクタ駆動装置及びインジェクタの個体差に応じて、実際に圧電素子に充電するエネルギーと制御目標とのずれがなくなるように、圧電素子の充電制御を行うことができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory capacitor element which can be made constant in capacitance by a method, wherein the outer and inner wall of a roughened cylindrical storage node are separately controlled in surface roughness so as to be high in flexibility due to the outer and inner wall of the roughened cylindrical storage node becoming unstable in surface roughness, when the node becomes small in wall thickness.例文帳に追加

粗面化した筒状のストレージノードは、その厚みが薄くなると外壁と内壁の粗面形状が安定しなくなるので、外壁と内壁の各粗面形状の大きさを個別に制御できるように自由度をもたせて、安定した容量値を得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a base material-less double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, capable of reducing a defect caused by deformation of an adhesive, reduced in a production loss in a process of separating a release film, and suitable for a touch panel, when used in the base material-less double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for the electrostatic capacitance type touch panel.例文帳に追加

本発明は静電容量方式のタッチパネル用の基材レス両面粘着シートに用いた場合に、粘着剤の変形による欠点が少なく、離型フィルムを剥す工程での製造ロスが少なく、タッチパネル用に好適な基材レス両面粘着シート用離型フィルムを提供する。 - 特許庁

After that, a second insulating film is deposited, a sidewall is formed on a sidewall of the upper electrode by etching the whole surface of the second insulating film, and since the dielectrics film which becomes a capacitance region in the self-aligned manner is worked, side etch and etching damages can be prevented from entering the dielectrics film, directly below an edge of the upper electrode.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより上部電極の側壁にサイドウォールを形成後、自己整合的に容量領域となる誘電体膜を加工するので、上部電極のエッジ直下の誘電体膜にサイドエッチやエッチングダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

A plurality of control voltages V1 to V3 are applied to a VCO 5 in order and operation for respectively calculating operation reference voltages Vref1 to Vref3 of variable capacitance elements VC51 to VC56 is performed so that a difference between an oscillation frequency and a target frequency of the VCO 5 may be minimum about each control voltage.例文帳に追加

ＶＣＯ５に複数の制御電圧Ｖ１〜Ｖ３を順番に印加して、各制御電圧についてＶＣＯ５の発振周波数と目標周波数との差が最小になる可変容量素子ＶＣ５１〜ＶＣ５６の動作基準電圧Ｖref1〜Ｖref3をそれぞれ求める動作を行う。 - 特許庁

To provide a nonreducing dielectric ceramic which is capable of being simultaneously sintered together with a conductive body containing copper or a copper alloy and has a small rate of temperature change of the capacitance being within ±60 ppm/°C, and whose insulating resistance and dielectric loss are kept without decrease even when it is sintered under a neutral or a reducing atmosphere.例文帳に追加

銅または銅合金を含む導体との同時焼成が可能で、中性または還元性雰囲気中で焼成しても、絶縁抵抗や誘電損失の劣化が少なく、静電容量の温度変化率が±６０ｐｐｍ／℃以内と小さい、非還元性誘電体セラミックを提供する。 - 特許庁

The resistors R1-R5 of the amplifiers AMP 1-AMP3 are switched by a switch means SW, control signals CONT1-CONT3 are impressed to variable capacitors CV1-CV5 for the capacitance of capacitors C1-C5 and the cut-off frequency fc of this voltage controlled filter circuit 200 is variably controlled.例文帳に追加

この増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の抵抗Ｒ１〜Ｒ５をスイッチ手段ＳＷで切替えると共にキャパシタＣ１〜Ｃ５のキャパシタンスを可変キャパシタＣＶ１〜ＣＶ５に制御信号ＣＯＮＴ１〜ＣＯＮＴ３を印加して、電圧制御フィルタ回路２００のカットオフ周波数ｆｃを可変制御する。 - 特許庁

A difference between a leading time tr and a trailing time tf caused in each block of the 1st circuit is cancelled by a block of the 2nd circuit corresponding to that of the 1st circuit so as to prevent deterioration of the duty factor due to a block type, branching and wiring capacitance without being affected by dispersion in the process.例文帳に追加

第１の回路の各ブロックで発生する立ち上がり／立ち下がり時間tr／tfの差は、第２の回路における第1の回路と対応するブロックにおいて打ち消され、プロセスばらつきに影響を受けず、ブロックの種類、分岐、配線容量によるDuty劣化を防止可能となる。 - 特許庁

To provide an aluminum foil for a capacitor mainly used in a middle to high voltage range having high capacitance and high strength, which has cubic crystals at a high rate existing thereon even when having a large thickness, and consequently can make a deep pit formed therein in a thickness direction.例文帳に追加

本発明は、主に中高圧用として用いるコンデンサ用アルミニウム箔において厚みを大きくした場合でも立方晶の存在する率が高く、厚さ方向に深いピットを形成可能であって、高容量、高強度のコンデンサ用アルミニウム箔の提供を目的とする。 - 特許庁

Consequently, the capacitance between the base and collector of the transistor can be reduced.例文帳に追加

本発明はパッド電極２７Ｐ、パッド電極２９Ｐ下にトレンチ溝１５を複数形成することで、パッド電極下の半分以上をＮ^++型エピタキシャル層１２、Ｎ^-型エピタキシャル層１３からシリコン酸化膜に変換でき、ベース−コレクタ間の容量を減少でき、より高周波化されたシリコンバイポーラトランジスタを提供することができる。 - 特許庁

The facing area of tube 1 which faces the glass tube 21 can be reduced by forming the plurality of opening parts 14 or the ridges 15 radially protruding outward in the tube 1, and thereby discharge gas filled in the glass tube 21 and stray capacitance produced between the glass tube 21 and the tube 1 can be reduced.例文帳に追加

筒体(1)に複数の開口部(14)又はリッジ(15)を形成することにより、ガラス管(21)に対する筒体(1)の対向面積を低減できるので、ガラス管(21)内に充填される放電用ガス、ガラス管(21)及び筒体(1)間に発生する浮遊容量を低減することができる。 - 特許庁

The sensor part 11 is blocked from a driving circuit 16, when the disconnection trouble occurs in the wire 14 for connecting a side member side electrode 12b of the sensor part 11 to the driving circuit 16, and the capacitance is reduced in the LC series resonance circuit to shift the resonance frequency to a higher side.例文帳に追加

一方、センサ部１１のサイドメンバ側電極１２ｂと駆動回路部１６とを接続する配線１４に断線故障が生じると、センサ部１１が駆動回路部１６から遮断され、ＬＣ直列共振回路における静電容量が減少して共振周波数が高い側にシフトする。 - 特許庁

To provide an electro-optical device where a pixel aperture ratio is enhanced, simultaneously, storage capacitance is increased, and light shielding performance with respect to oblique incident light and/or return light is enhanced, and thereby crosstalk and ghost are reduced, and a contrast ratio is enhanced to display an image of high definition.例文帳に追加

電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図り且つ斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることにより、クロストークやゴーストを低減しコントラスト比を向上して、高品位の画像表示を行う。 - 特許庁

An OTA 301 generates a second driving current inversely proportional to the ratio of the first reference current to the capacitance C1 from the first driving current in accordance with a potential difference between a positive input terminal and a negative input terminal, converts it into a voltage, and distributes a second reference current in accordance with the voltage.例文帳に追加

ＯＴＡ３０１は、正入力端子と負入力端子間の電位差に応じて、第１の駆動電流から、容量Ｃ１と第１の基準電流の比に逆比例した第２の駆動電流を生成して電圧に変換し、この電圧に応じて第２の基準電流を分配する。 - 特許庁

As for the LPF provided on the phase-locked oscillator, a first capacitor, a second capacitor of which capacitor capacitance is great in comparison with that of the first capacitor, a charging circuit for charging the second capacitor in accordance with a first capacitor potential, and a switch for changing over the second capacitor, are included.例文帳に追加

位相同期発振器が備えるＬＰＦとして、第一のコンデンサと、該第一のコンデンサと比較してコンデンサ容量が大なる第二のコンデンサと、該第一のコンデンサ電位に応じて該第二のコンデンサを充電する充電回路と、該第二のコンデンサを切り換えるスイッチを備える。 - 特許庁

Accordingly, in the case that a battery, etc., are connected between output terminals 3 and 4, a stabilizing capacitor 17b connected between power wiring and the input terminal 2 is connected in parallel to the capacitance between the gate and the source of the switching element 12, so that the occurrence of self turn-on is suppressed.例文帳に追加

したがって、出力端子３，４間にバッテリ等が接続された場合に、電源配線と入力端子２との間に接続された安定化コンデンサ１７ｂがスイッチング素子１２のゲート−ソース間容量に並列接続されるので、セルフターンオンの発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a T-shaped gate electrode, together with its manufacturing method which has a reduced source resistance, a reduced gate resistance, and a reduced gate capacitance while keeping a sufficient gate breakdown voltage, and which can be manufactured with high accuracy and a high yield.例文帳に追加

ソース抵抗およびゲート抵抗を低減し、十分なゲート耐圧を保ちつつ、ゲート容量を低減し、高精度にかつ歩留りよく形成することができるＴ型ゲート電極を備えた電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

Each of the X capacitive DACs includes: M switches, wherein M is an integer greater than one; and M capacitors respectively communicating with a signal input, a signal output, and the M switches, including first and second ends, and the capacitance of which is almost equal to each other.例文帳に追加

Ｘ個の容量性ＤＡＣのそれぞれが、Ｍが１よりも大きい整数であるＭ個のスイッチと、信号入力部と、信号出力部と、Ｍ個のスイッチとそれぞれ通信し、第１および第２の端部およびほぼ等しい容量値を有するＭ個の容量とを備えている。 - 特許庁

To provide a static capacitance proximity sensor capable of easily sensing an object to be sensed even when the object to be sensed is fertilizer or unhulled rice and sensing the object to be sensed being a sensing object without causing a malfunction even when a water drop or a solid matter is adhered to a sensing face.例文帳に追加

被検出物が肥料や籾などであっても容易に検知でき、また、検出面に水滴や固形物などが付着していても誤作動することなく検出対象の被検出物を検出できる静電容量形近接センサを提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, this can jointly have the inflow checking effect of the thunder change and the signal deterioration preventive function in the case where the power line is used as a signal line, by connecting a ZnO element 71 and a discharge tube 72 in series, thereby making them function as a surge absorber which is small in capacitance.例文帳に追加

また、ＺｎＯ素子７１及び放電管７２を直列接続することで、続流の遮断能力を持ちつつ静電容量の小さいサージアブソーバとして機能させ、雷サージの流入抑止効果と、電源線を信号線とした場合の信号劣化防止能力を合わせ持つことができる。 - 特許庁

A polarity judging section 17 judges the polarity of the electrolytic capacitor based on a voltage that is divided by stray capacitances Cf1 and Cf2 and induced at the outer case 1c, and taking advantage of a capacitance difference between stray capacitance's Cf1 and Cf2 induced between the outer case 1c and the terminals 1a and 1b.例文帳に追加

そして極性判定部１７では電解コンデンサにおける一対のリード端子とその外装ケースとの間の浮遊容量Ｃf1,Ｃf2の違いを利用し、浮遊容量Ｃf1,Ｃf2により分圧されて外装ケースに発生する電圧に基づいて電解コンデンサの極性を判定する。 - 特許庁

In an electrodeless discharge lamp lighting device 4, when the induction coil 41 has produced a high frequency magnetic field in an electrodeless discharge lamp 1 by means of a high frequency current supplied from the power supply circuit 40, a stray capacitance is generated between the mounting substrate 46 and the metallic case 47.例文帳に追加

無電極放電灯点灯装置４において、誘導コイル４１が電源回路４０からの高周波電流によって無電極放電灯１に高周波磁界を発生させたとき、実装基板４６と金属ケース４７との間に浮遊容量が発生する。 - 特許庁

Moreover, since the buffer 18 outputs an in-phase signal to the signal on the line 21 is outputted when the reverse signal ϕR is set to 'L' level, the signal lines 20, 21 has signals which are in phase with each other, resulting in that no stray capacitance is equivalently in existence, thereby decreasing the delay.例文帳に追加

また、リバース信号が“Ｌ”の状態である場合には、バッファ１８からは同相の信号が出力されるので、信号線２０と信号線２１には同相の信号が印加され、その結果、浮遊容量が等価的に存在しないことになりうるので遅延量が減少する。 - 特許庁