「Exposing」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

As for the image forming method of exposing and developing a base having a 1st negative photosensitive resin layer and a 2nd negative photosensitive resin layer through a photomask, the photomask is provided with at least two kinds of light transmissive patterns, and also, the photosensitivity ratio (1st/2nd) of the 1st negative photosensitive resin layer to the 2nd negative photosensitive resin layer is >1.例文帳に追加

第１のネガ型感光性樹脂層及び第２のネガ型感光性樹脂層が設けられた基体に、フォトマスクを介して露光、現像する画像形成方法において、前記フォトマスクが少なくとも２種類の光透過性パターンを有するものであり、且つ前記第１のネガ型感光性樹脂層と第２のネガ型感光性樹脂層との光感度比（第１／第２）が１より大きいことを特徴とする画像の形成方法である。 - 特許庁

The resist pattern miniaturization material is the material applied on the resist pattern formed by exposing and developing a photoresist film and miniaturizing the resist pattern by developing after the heat treatment, a liquid including alcohol of a straight-chain or forked alkyl group having one to twelve (12) carbon number filtered by a filter having a hole diameter of not more than 40 nm, and includes an interfacial active agent and/or water.例文帳に追加

フォトレジスト膜を露光および現像することによって形成されるレジストパターン上に塗布し、該レジストパターンを熱処理後現像することで微細化させるための材料であって、該レジストパターン縮小化材料は、孔径４０ｎｍ以下のフィルターで濾過された炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状アルキル基のアルコールを含む液体であり、さらに界面活性剤および／または水を含有する。 - 特許庁

Another method for producing the carbon fiber involves a step to place the orientation material 6 containing cobalt on the substrate 1, a step to heat-treat the orientation material 6 containing cobalt in the oxidizing atmosphere for forming the orientation material 4 containing cobalt oxide, which is Co_3O_4, and a step to grow the carbon fiber by exposing the orientation material 4 containing the cobalt oxide to the gas containing carbon.例文帳に追加

また、他の炭素繊維の製造方法においては、基体１上にコバルトを含む配向物質６を配置する配置工程と、Ｃｏ_３Ｏ_４からなる酸化コバルトを含む配向物質４を形成すべく、前記コバルトを含む配向物質６を酸化性雰囲気中で熱処理する熱処理工程と、前記酸化コバルトを含む配向物質４を炭素含有ガスに晒して炭素繊維を成長させる成長工程と、を含む。 - 特許庁

In this image forming device provided with plural image forming modules 20 each provided with a photoreceptor drum 31 and successively overlappedly transferring images of plural colors are sequentially transferred from each photoreceptor drum 31 to a transfer medium such as the intermediate transfer belt, each image forming module 20 is provided with the laser scanner part 18 exposing the before mentioned photoreceptor drum 31 and each adjacent image forming module 20 is in contact with each other.例文帳に追加

感光体ドラム31をそれぞれ備える複数の画像形成モジュール20を有し、前記各感光体ドラム31から中間転写ベルト16などの転写媒体に複数色の像を順次重ねて転写する画像形成装置において、前記各画像形成モジュール20は前記感光体ドラム31を露光するレーザースキャナ部18を備え、隣り合う前記各画像形成モジュール20は互いに接触することを特徴とする。 - 特許庁

The method for on-site preparation of the press plate comprises a step of coating the plate with a composition containing a first heat sensitive substance having a shorter storage lifetime of about one month or less and a second substance mixed with the first substance to increase its infrared sensitivity, and a step of forming the image by exposing the plate by irradiating with an infrared ray within one month from the execution of the coating.例文帳に追加

刷版をオンサイト調製する方法は、約１ヶ月以下の短い保管寿命を有する第１の感熱性物質と、第１の感熱性物質と混合されることによりその赤外線感度を増大させる第２の物質とを含む組成物にて刷版をコーティングする工程と、コーティングが施されてから１ヶ月以内に刷版を赤外線照射にて露光して画像形成する工程とを含む。 - 特許庁

In order to accomplish the above object, the above problem is solved by providing the surface treating method in which the surface of the substrate made of a resin is subjected to a surface treatment by contacting an photocatalyst treatment layer containing an photocatalyst formed on a base material with the surface of the substrate made of the resin; and exposing the contacting part of the surface of the substrate made of the resin and the photocatalyst treatment layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、樹脂製基体の表面に、基材上に形成された光触媒を含有する光触媒処理層を接触させ、上記樹脂製基体表面と上記光触媒処理層とが接触する部分を露光することにより、樹脂製基体の表面を表面処理すること特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

Exposing holes 51 and 61 are each provided to the first case 5 and second case 6 so as to make the joined edge faces of the cores 1 and 2 exposed, and a groove-like or a stepped housing part is provided around the edge of either of the cores 1 and 2, and a protuberant part 8 nearly fitted into the above housing part is provided to the other.例文帳に追加

第１ケース５及び第２ケース６に、第１鉄心１及び第２鉄心２の接合される各端面を露出させる露出孔５１，６１をそれぞれ設け、露出孔５１，６１が、第１鉄心１あるいは第２鉄心２の何れか一方側にはその端部周囲間に溝状または段差状の収容部７、他方側には同収容部７に略嵌挿される突状の被収容部８を有する。 - 特許庁

To provide a projection aligner for forming a specified pattern on a printed wiring board by transferring the image of a mask where a specified pattern is formed to the printed wiring board, where the height of a mask's image forming surface or the height of the photosensitive surface of a printed board need not be manually adjusted even in the case of exposing several kinds of printed boards having different thicknesses.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写してプリント配線基板に所定のパターンを形成する投影露光装置であって、異なる厚さを有する複数種類のプリント基板に露光する場合であっても手動でマスクの像の結像面の高さまたはプリント基板の感光面の高さを調整する必要のない投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The developer for photosensitive lithographic printing plate material to be used to develop a photosensitive lithographic printing plate material having a photopolymerizable photosensitive layer on an aluminum support with developer after exposing it contains a surfactant represented by formula (1) or a specific surfactant having a sodium sulfonyl group and a sodium carboxyl group.例文帳に追加

アルミ支持体上に光重合性感光層を有する感光性平版印刷版材料を、露光後、現像液で現像処理する感光性平版印刷版材料の処理に用いられる感光性平版印刷版材料の現像液において、該現像液が下記一般式（１）で表される界面活性剤またはナトリウムスルホニル基及びナトリウムカルボキシル基を有する特定の界面活性剤を含有することを特徴とする感光性平版印刷版材料の現像液。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

The production process for facilitating machining on the surface in following process by planarizing protrusions and recesses on the surface of a workpiece 1 comprises a step for coating the surface with photosensitive resin 2, a step for exposing the photosensitive resin using a gray scale mask 3 corresponding to the surface profile of the photosensitive resin coating, and a step for developing exposed photosensitive resin and removing uncured photosensitive resin (shaded portion).例文帳に追加

加工対象物１の表面の凹凸を平坦化し後工程における表面への加工を容易にする製造方法であって、表面に感光性樹脂２を塗布する塗布工程と、塗布された感光性樹脂の表面形状に対応するグレースケールマスク３を用いて感光性樹脂を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂を現像し硬化していない感光性樹脂（斜線部分）を除去する現像工程とを含む。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

In the lithographic printing plate material, including a structural layer having a layer, containing a photothermal conversion material on a support, having a hydrophilic surface, and an unexposed part of the lithographic printing plate material which is removable with a developer having pH ranging from 3 to 9, after exposing and recording image information thereon with an infrared laser light source, the structural layer contains thermally molten particles.例文帳に追加

親水性表面を有する支持体上に光熱変換材料を含有する層を有する構成層を有する平版印刷版材料を赤外レーザ光源により画像情報を露光記録した後、該平版印刷版材料の未露光部分をｐＨが３から９の範囲の現像液で除去できる平版印刷版材料において、該構成層中に熱溶融粒子を含有することを特徴とする平版印刷版材料。 - 特許庁

The imaging device switches and executes, according to a state of the optical unit, first exposure control for exposing the imaging element, thereafter performing scanning for starting charge accumulation, and making the mechanical shutter move to shield the imaging element, and second exposure control for making the mechanical shutter move to expose the imaging element, and thereafter making the mechanical shutter move to shield the imaging element without performing scanning for starting charge accumulation.例文帳に追加

撮像装置は、撮像素子を露光させてから電荷蓄積を開始する走査を行い前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を遮光する第１の露光制御と、前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を露光させてから前記電荷蓄積を開始する走査を行わずに前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を遮光する第２の露光制御とを、光学ユニットの状態に応じて、切り替えて実行する。 - 特許庁

The image exposing device is provided with a beam scanning means BS which forms an exposure image on a photosensitive material by scanning the photosensitive material with a light beam LB for exposure and the beam scanning means BS is so constituted that the scanning speed of the light beam LB for exposure can be varied and set according to the photosensitivity based upon the photosensitive material in use and a developing material for its development.例文帳に追加

写真感光材料に対して露光用光ビームＬＢを走査することにより、前記写真感光材料上に露光画像を形成するビーム走査手段ＢＳが設けられた画像露光装置において、前記ビーム走査手段ＢＳは、使用される写真感光材料とそれを現像するための現像用材料とによる光感度に応じて前記露光用光ビームＬＢの走査速度を変更設定可能に構成されている。 - 特許庁

The method for creating transient cavitation comprises the steps of creating bubbles having various bubble sizes in a liquid, creating an acoustic field and exposing the liquid to the acoustic field, and is characterized in that the range of bubble sizes and/or the characteristics of the acoustic field are selected to tune them to each other, thereby controlling transient cavitation in the selected range of bubble sizes.例文帳に追加

この発明は過渡的なキャビテーションを生成するための方法に関し、液体中にさまざまな気泡サイズを持っている気泡を生成するステップと、音場を生成するステップと、および液体を音場にさらすステップとを備え、気泡サイズの範囲、および/または、音場の特性が互いにそれらを調整するように選択され、それにより、選択された範囲の気泡サイズにおいて過渡的なキャビテーションを制御することを特徴とする。 - 特許庁

The method of making a flexographic printing plate comprises the steps of: forming an image mask on a photosensitive resin layer provided on a support by ejecting an oil-based ink containing colored particles absorbing or reflecting exposure light by an electrostatic inkjet method, thereafter exposing the photosensitive resin layer through the image mask, and developing the photosensitive resin layer, wherein the photosensitive resin layer is at least photo-polymerizable or photo-curable.例文帳に追加

支持体上に設けられた感光性樹脂層上に静電式インクジェット法により、露光する光を吸収又は反射する着色粒子を含む油性インクを吐出して画像マスクを形成した後、該画像マスクを介して該感光性樹脂層を露光し、現像するフレキソ印刷版の製版方法であって、該感光性樹脂層が光重合性、光架橋性の少なくともいずれかであることを特徴とする製版方法。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing oxirane or anhydride groups capable of taking part in cationic polymerization into the surfaces of carbon nanotubes; dispersing the surface-modified carbon nanotubes, together with a photoacid or photobase generator, in an organic solvent; coating a substrate with the resulting coating liquid; exposing to UV through a photomask; inducing cationic polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part; and removing an unexposed part with a developer.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sintered surface nitrided compact includes: a molding step of forming raw material powder to a compression molded body; a metal deposition treatment step of exposing the compression molded body into an organic metallic compound stream in a furnace to pyrolyze the organic metallic compound and depositing nitride-forming metal within the compression molded body; and a nitriding and sintering step of nitriding the compression molded body by using mitriding gas and sintering the same.例文帳に追加

本発明は、原料粉末を圧縮成型体に形成する成型工程と、炉内で有機金属化合物気流中に圧縮成型体をさらし有機金属化合物を熱分解させて、圧縮成型体内に窒化物形成金属を析出させる金属析出処理工程と、窒化性ガスにより圧縮成型体を窒化し、且つ焼結する窒化焼結工程と、を含む表面窒化焼結体の製造方法である。 - 特許庁

The invention comprises nano wire comprising a semiconductor core formed on a substrate, first coating surrounding a part of the semiconductor core, and second coating surrounding the first coating, a first electrode formed on the second coating of the nano wire, an insulating film being formed on the first electrode and having a contact hole exposing the part of the semiconductor core, and second and third electrodes connected with the nano wire via the contact hole.例文帳に追加

基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。 - 特許庁

To provide a finger sack for food capable of executing the work of exposing a portion 601 of a food 600 outside from the opening part 510 of a food bag 500 by relatively displacing the food bag 500 downwardly to the food 600, in other words, relatively pushing the food 600 upwardly to the food bag 500, which is difficult in a conventional practice in a relatively easy manner.例文帳に追加

食品用袋５００を少しずつ食料品６００に対して相対的に下方にずらす、すなわち、食料品６００を少しずつ食品用袋５００に対して相対的に上方に押し上げることにより、食料品６００の部分６０１を食品用袋５００の開口部５１０から外側に露出させるという、従来は困難であった作業を比較的容易に行うことを可能にする食品用袋用指サックを提供する。 - 特許庁

The ink discharge state judging system, the printing apparatus and the ink discharge state judgment method use the printing block pattern for ink discharge state judgment which is equipped with a region adjacent to the periphery of any of printing block patterns of each ink color, or a reference blank region formed by exposing a printing medium surface of a partial region inside the printing block pattern of each ink color.例文帳に追加

本発明に係るインク吐出状態判定システム、印刷装置及びインク吐出状態判定方法は、各インク色の前記印刷ブロックパターンのいずれかの周囲にそれぞれ隣接する領域又は各インク色の前記印刷ブロックパターン内部の一部領域の前記印刷媒体表面を露出させて形成された参照空白領域を備えた本発明に係るインク吐出状態判定用印刷ブロックパターンを使用するものである。 - 特許庁

The method of developing the resist film by exposing the resist film formed on a substrate to a predetermined pattern and then performing a development using a developer includes a first development process of contacting a first developer with the resist film, and a second development process of contacting a second developer with the resist film, wherein the second developer has a lower concentration compared with the first developer.例文帳に追加

本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を用いて現像を行なうレジスト膜現像方法において、第１の現像液がレジスト膜に接する第１現像工程と、第２の現像液がレジスト膜に接する第２現像工程と、を備え、前記第２の現像液は、前記第１の現像液と比較して低濃度の現像液であることを特徴とするレジスト膜現像方法である。 - 特許庁

In the near field light mask having a light shielding film and an opening made therein and exposing an object with near field light generated from the opening, the opening consists of at least two first parallel rows of slit openings having a width smaller than 100nm, and second slit openings perpendicular to the first rows of slit openings and connecting between the first rows of slit openings.例文帳に追加

遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し，開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、１００ｎｍより小さい幅を有する少なくとも２本以上の平行な第１のスリット開口列と、１００ｎｍより小さい幅を有し、かつ、該第１のスリット開口列間を結び、第１のスリット開口列に垂直な第２のスリット開口とからなることを特徴とする。 - 特許庁

Regarding the manufacturing method for the color filter for a liquid crystal display apparatus having at least three color pixels and having a reflection area for reflecting external light and a transmission area for transmitting light emitted from a back light source in one pixel, the reflection area of at least one color pixel is etched by exposing it to atmospheric plasma generated under atmospheric pressure or near the atmospheric pressure.例文帳に追加

少なくとも３色の画素を有し、外光を反射する反射領域と背面光源からの光を透過する透過領域を１画素内に有する液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法であって、少なくとも一色の画素の反射領域を、大気圧下もしくは大気圧近傍下で生成した大気圧プラズマに曝すことによりエッチングすることを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

This probe card has a contact board 22 with flexibility, a plurality of contact electrodes 24 provided at a prescribed layout on the board 22, a rigid body 23 provided on a portion of the board 22 extending to cover the electrodes 24 and having openings 26 for exposing regions of the board 22 where the electrodes 24 are formed, and wiring 31 provided on the board 22 to be connected to the electrodes 24.例文帳に追加

フレキシブル性を有するコンタクト基板と、該コンタクト基板上に所定の配置で設けられた複数のコンタクト電極群と、該コンタクト電極群の間の該コンタクト基板上に設けられ、コンタクト電極の形成された領域の該コンタクト基板を露出する開口部を有する剛性体と、該コンタクト基板上に設けられ、該コンタクト電極に接続される配線とを有することを特徴とするプローブカードにより上記課題を解決できる。 - 特許庁

This laser beam lithographic method comprises the step of providing a resin composition for laser beam lithography, which causes a reversible and rapid sol-gel phase transition upon any physical change of the composition, and imparting "any physical change" to the resin composition to allow the resin composition to rapidly gel and, in this state, exposing the surface of the resin composition to light in a plotting way.例文帳に追加

本発明の光造形法は、光造形法用樹脂組成物として何らかの物理変化により可逆的かつ急速にゾル−ゲル相転移を引き起こす光造形法用樹脂組成物を用い、「何らかの物理変化」を付与することによって光造形法用樹脂組成物を急速にゲル化させ、この状態で当該光造形法用樹脂組成物に対してその表面に描画的な光照射を行う工程を含む。 - 特許庁

The present invention relates to a thin film transistor substrate comprising: an insulating substrate; a source electrode and a drain electrode which are formed on the insulating substrate and separated from each other and have a channel area therebetween; a wall exposing at least portions of the source electrode and the drain electrode, respectively encompassing the channel area, and formed of fluoropolymer; and an organic semiconductor layer characteristically formed inside the wall.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と；前記絶縁基板上に形成されて、チャンネル領域の両側に離隔配置されたソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を包囲する、フッ素系高分子物質で形成される隔壁と；前記隔壁内に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the semiconductor substrate includes a step of forming the printed layer by printing a pattern with a coating solution containing copper nano-particles and then a step of forming the pattern of the semiconductor layer by baking the printed layer, wherein the printed layer is baked by exposing the printed layer to the surface-wave plasma generated by an application of a microwave energy under an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

基材上に、銅ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、酸素を含む雰囲気下、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

A plating film 9 for a wiring pattern is formed on the second film 7 exposing from the groove, the resist pattern is removed, the second film 7 is etched and removed, and a surface plated film 10 made of a metal superior in adhesion to the films 9 and 2 than the first film 6 is formed on the film 9 and on the second and first films 7 and 6.例文帳に追加

溝部８ｂから露出する第２の金属膜７上に配線パターン用のめっき被膜９を形成し、レジストパターン８ａを除去して第２の金属膜７をエッチングして除去し、めっき被膜９の表面と第２、第１の金属膜７，６の表面に、第１の金属膜６との密着性よりもめっき被膜９および第２の金属膜７との密着性に優れた金属からなる表面めっき被膜１０を形成する。 - 特許庁

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The method for easily producing the intrinsic Josephson tunnel device composed by arranging an insulating layer and an electrode in the surface of a superconducting single crystal is configured so that the insulating layer in the surface is formed by heating the surface while exposing the surface to a reducing atmosphere and reducing the surface so as to be insulative, where the surface is the crystal face of the superconducting single crystal.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を還元雰囲気に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。 - 特許庁

A hole 17 is then made by exposing and developing the photosensitive polyimide film 16 on a bonding pad 11, a hole 18 is made by etching the non-photosensitive polyimide film 15 using the photosensitive polyimide film 16 as a mask, and the bonding pad 11 is exposed by etching the cover films 12, 13 and 14 using the non-photosensitive polyimide film 15 as a mask.例文帳に追加

まずカバー膜１２、１３、１４の上に非感光性ポリイミド膜１５を塗布し、次にその上に感光性ポリイミド膜１６を塗布し、次にボンディングパッド１１上の感光性ポリイミド膜１６を露光・現像して孔１７をあけ、次に感光性ポリイミド膜１６をマスクにして、非感光性ポリイミド膜１５をエッチングして孔１８をあけ、次に非感光性ポリイミド膜１５をマスクにしてカバー膜１２、１３、１４をエッチングしてボンディングパッド１１を露出させる。 - 特許庁

The auxiliary material for incineration is made to form a layer containing titanium oxide on the surface of a substrate by exposing the substrate of the auxiliary material or its originating material to a reactive gas of a plasma state generated by discharging across opposing electrodes under the atmospheric pressure or in the vicinity of the atmospheric pressure, in the auxiliary material for incineration along with waste when the waste is incinerated.例文帳に追加

廃棄物を焼却処理する際に、廃棄物と一緒に焼却される焼却処理補助材において、大気圧または大気圧近傍の圧力下に、対向する電極間にて反応性ガスを放電させてプラズマ状態とし、前記補助材の基材またはその原材料をプラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより、基材の表面に酸化チタンを含む層を形成させたことを特徴とする焼却処理補助材。 - 特許庁

The method for forming the conductive path or electrode includes a process of forming on a base an abrasion layer containing a photosensitive resin and a conductive polymer layer containing a conductive polymer in this order, a process of exposing the abrasion layer to an energy beam of high density, and a removing process of peeling and removing the conductive polymer layer corresponding to the exposed part of the abrasion layer together with the exposed part.例文帳に追加

支持体上に光感応性樹脂を含有するアブレーション層及び導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層をこの順に形成する工程、前記アブレーション層を高密度のエネルギー光線で露光する工程、及び前記アブレーション層の露光部に該当する前記導電性ポリマー層を前記露光部と共に剥離し除去する除去工程を経ることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁

The photographic print device constituted so that print density can be corrected by inputting a correction value and a photographic print may be formed by printing and exposing an image on photosensitive material P is equipped with a temperature sensor 14 arranged in the photographic print device and detecting the ambient temperature and a printing means 12 constituted to print the ambient temperature detected by the temperature sensor 14 on the material P.例文帳に追加

補正値の入力によりプリント濃度が補正可能であるとともに、写真感光材料Ｐに画像を焼付露光して写真プリントを作成するように構成された写真プリント装置であって、前記写真プリント装置内に設置され、環境温度を検出する温度センサー１４と、温度センサー１４が検出した前記環境温度を、写真感光材料Ｐに印字可能に構成された印字手段１２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an image forming device which forms an image on transfer paper by thermal fixing after uniformly electrifying a photoreceptor by an electrifier, exposing it in accordance with image data, sticking electrified toner to the position of the photoreceptor corresponding to an exposure position, and transferring the toner to the transfer paper by the electrifier, and which does not disturb communication even when interference wave is generated when the photoreceptor is electrified.例文帳に追加

感光体に帯電器で一様に帯電し、画像データに応じて露光し、露光位置に対応する感光体位置に、帯電したトナーを付着させ、帯電器によって転写紙にトナーを転写させた後に、熱定着によって転写紙に画像形成する画像形成装置において、上記感光体を帯電させるときに妨害波が生じても、良好な通信を実行することができる画像形成装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method of forming a patterned retardation control functional layer by applying a photosensitive composition containing a polymerizable liquid crystal on a substrate, exposing the composition through a mask, developing an uncured portion of the photosensitive composition coating layer with an organic solvent and rinsing, wherein no residue of the photosensitive composition is produced on the substrate and an optimally patterned retardation control functional layer can be formed.例文帳に追加

重合性液晶を含む感光性組成物を基材に塗布した後、マスクを用いて露光し、感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像し、リンスしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、基材に上に感光性組成物の残渣を発生させることがなく、最適にパターン化された位相差制御機能層を形成することができるパターン化位相差制御機能層の形成方法を提供する。 - 特許庁

This image forming apparatus includes at least with the image carrier, a charging means, an exposing means, the toner, a developing means, a transfer means, a lubricant applying means, the lubricant, and the cleaning means.例文帳に追加

少なくとも像担持体と、帯電手段と、露光手段と、トナーと、現像手段と、転写手段と、潤滑剤塗布手段と、潤滑剤と、クリーニング手段と、を有する画像形成装置において、前記トナーは、下記式（１）により求められるトナー母体体積平均粒径あたりのＢＥＴ比表面積Ａが、０．１４〜１．７の範囲にあり、かつ、平均１次粒径が６０〜６００ｎｍで、含水率が１．０ｗｔ％以下である無機微粒子を外添したトナーであることを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

When filling the ultraviolet curing resin in the hole of the object, exposing the ultraviolet curing resin in the hole with the ultraviolet ray, and curing it, the exposure device of the ultraviolet curing resin irradiates the ultraviolet curing resin with the ultraviolet ray whose intensity distribution has an intensity peak wavelength 365 nm in a wavelength range 350-370 nm and an intensity peak wavelength 410 nm in a wavelength range 390-420 nm.例文帳に追加

対象物の孔内に紫外線硬化型樹脂を充填し、この孔内の紫外線硬化型樹脂を紫外線により露光して硬化させるに際して、紫外線の強度分布が、波長範囲３５０〜３７０ｎｍにおける強度ピーク波長３６５ｎｍと、波長範囲３９０〜４２０ｎｍにおける強度ピーク波長４１０ｎｍを有した紫外線を、前記紫外線硬化型樹脂に照射する紫外線硬化型樹脂の露光装置である。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor laser, a semiconductor thin film comprising an active layer is laminated on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is cleaved together with the semiconductor thin film, a cleavage surface obtained by cleavage of the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is exposed to plasma atmosphere by halogen gas or gas including halogen an thereafter a protection layer is formed in the cleavage surface without exposing it to the air.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁