「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

In a first embodiment, a first pair of lower and upper frequency limits are established as a function of the sampled power supply frequency, after a new process step begins or after the conditions of a sample control signal change.例文帳に追加

第１の態様において、第１の対の周波数の上下限が、新たなプロセスステップ開始後、又はサンプル制御信号の状態変化後、サンプリングされた電源の周波数の関数として設定される。 - 特許庁

According to the present substrate processing method, when measuring a front surface profile before processing, a first feedforward computation is performed at first, and judgement is made as to a process chamber where a processed parameter value obtained thereby is within an allowable range (S140).例文帳に追加

処理前の表面プロファイルを測定したときに先ず第１回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果得られた処理パラメータの値が許容範囲内となる処理室の判定を行う。 - 特許庁

A seal material 2 is made by using, as a raw material, porcelain stone used in common in porcelain and other type of clay, and a first China-painting is executed on the outer circumference of the seal material 2 after a first sintering process is conducted thereon at about 750°C.例文帳に追加

磁器の原料である陶石や各種粘土を原料として印材２を形成し、約７５０℃で第一の焼結処理を行った後、印材２の外周部分に第一の絵付けを行う。 - 特許庁

The method includes a second applying process of forming a film on the second surface, facing the first surface down, and applying a second liquid for deposition on the first surface by a pressure control type slit coater.例文帳に追加

第２の面上に膜を形成した後、第１の面を下に向け、第１の面上に、圧力制御型スリットコーターにより成膜用の第２の液体を付与する第２の付与工程を有する。 - 特許庁

In the process, the wafer sheet 1 is subjected to strong vacuum suction to the first opening part 31 by the first pump 24, and the wafer sheet 1 is forcibly peeled from the lower surface of the chip 2 by the suction force.例文帳に追加

その際、第１のポンプ２４により第１の開口部３１にウェハシート１を強く真空吸着し、その吸着力によりウェハシート１をチップ２の下面から強制的に剥離させる。 - 特許庁

In a first lamination process 81, a silicon steel plate 51 is pressed, then I type plates 71 are laminated while being stamped to form a first laminated layer, and simultaneously core type plates 72 are laminated while being stamped.例文帳に追加

第１積層工程８１にて珪素鋼板５１をプレスし、Ｉ型プレート７１を打ち抜きながら積層して第１積層部を形成すると同時に、コア型プレート７２を打ち抜きながら積層する。 - 特許庁

Since the first photoresist pattern 28 can be hardened by performing an ion- implanting process added to the first photoresist pattern 28, the thickness of the photoresist can be thinned.例文帳に追加

第１フォトレジストパターン２８にイオン注入工程を追加して第１フォトレジストパターン２８を硬化させることができるので、フォトレジストの塗布の厚さを従来の塗布の厚さより薄くすることができる。 - 特許庁

The first angle differs from the second angle, so that the first and second air shim plates direct the pressurized process air asymmetrically toward adhesive filaments dispensed from liquid slots in the adhesive shim plate.例文帳に追加

第１の角度は、第２の角度とは異なり、第１および第２空気シム板は、加圧プロセス空気を非対称に導き、接着剤シム板における液体スロットから放出された接着剤フィラメントに向ける。 - 特許庁

Spaces between the first and the second acoustic resonators are to be formed, by removing the sacrificial material accumulated during its manufacturing process between one of the first acoustic resonators and one of the second acoustic resonators.例文帳に追加

第１、第２の音響共鳴器間の空間は、製造プロセス中に第１の音響共鳴器と第２の音響共鳴器との間に堆積した犠牲材料を除去することにより形成される。 - 特許庁

Based on two-way interactive communication with the portable telephone set 9, the image tracking device 8 first photographs the shape of the skier in a form photographing area and registers shape data (first process).例文帳に追加

画像追跡装置８は、携帯電話機９との対話形式の双方向通信に基づいて、まず、形状撮影エリアにてスキーヤーの形状を撮影し、形状データを登録する（第１の行程）。 - 特許庁

In the process, the first cable and the second cable are held between the clips of the two clip-on ammeters, thereby to measure a current flowing in the first cable and the second cable.例文帳に追加

その過程において、２つの前記クリップオン電流計のクリップで、それぞれ前記第一ケーブル及び前記第二ケーブルを挟み、当該第一ケーブル及び第二ケーブルを流れる電流を測定する。 - 特許庁

The electron beam lithography process includes a step of generating an electron beam, and another step of introducing the electron beam through the first square aperture in a first lamina.例文帳に追加

本発明の態様によれば、電子ビーム・リソグラフィ方法が提供され、これは電子ビームを生成するステップと、電子ビームを第１のラミナ内の第１の正方形アパーチャを通じて導くステップとを含む。 - 特許庁

To provide a device including a controller configured so as to control a driving circuit which actuates MEMS display elements with potential differences of a first polarity during a first portion of a display writing process.例文帳に追加

表示書き込み過程の第１の部分の期間に第１の極性の電位差でＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路を制御するように構成された制御器を含む装置を提供する。 - 特許庁

In a case where first control has not been exerted after the replacement of a process cartridge, a CPU 308 forms a patch pattern on an intermediate transfer body 5 by using γLUT 302b obtained in first control (S54).例文帳に追加

プロセスカートリッジ交換後に第１の制御が未実行である場合、ＣＰＵ３０８は、第１の制御で求めたγＬＵＴ３０２ｂを用いてパッチパターンを中間転写体５に形成する（Ｓ５４）。 - 特許庁

The command value hard control is started at the process inversion from the first expansion to the first contraction when riding over a projection (at the time indicating the value [0] (the third threshold) when the relative speed is shifted from the positive value to the negative value).例文帳に追加

突起乗り越し時の１回目の伸びから縮みへの行程反転時（相対速度が正から負に移行する際の値「０」（第３閾値）を示す時点）に、指令値ハード制御を開始する。 - 特許庁

The processor circuit 26 in this invention comprises the adaptive filter 30, constituted so as to process the first amount of digital signal samples per unit time when the adaptive filter 30 is operated in a first mode and process the second amount of digital signal samples per unit time when the adaptive filter is operated under a second mode while the first amount is not more than the second amount.例文帳に追加

本発明のプロセッサ回路２６は、適応フィルタ３０が第一モードで作動するとき単位時間当たりのデジタル信号サンプルの第一量を処理し、第二モードで作動するとき単位時間当たりのデジタル信号サンプルの第二量を処理するよう構成される適応フィルタ３０を含み、第一量は前記第二量未満である。 - 特許庁

The method for manufacturing the partition of the biochip 100 including a substrate 10 and the partition 20 for partitioning its surface includes a first film formation process for forming a first film on the substrate 10 by using the radiation-sensitive composition containing a color former (A), and a partition forming process for forming the partition 20 by patterning the first film by a lithography method.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、カラーフォーマー（Ａ）を含む感放射線性組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する隔壁形成工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the lead frame on which a semiconductor element is loaded includes: a process of forming a first recess on one of a first surface of the lead frame and a second surface which is on the opposite side from the first surface and mounted with the semiconductor element; and a process of forming a second recess by pressing the second surface of the lead frame.例文帳に追加

半導体素子を搭載するリードフレームの製造方法であって、前記リードフレームの第１の面又は該第１の面とは反対側で前記半導体素子を搭載する第２の面のいずれか一方に第１の凹部を形成する工程と、前記リードフレームの前記第２の面をプレス加工することにより第２の凹部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method includes: a process for forming a lower layer portion 10 including a conductive via 11 and a first insulating part 12 for covering the via 11 on the support substrate 100; a process for forming an intermediate layer portion 30 including a first wiring 31 electrically connecting to the via 11, and a second insulating part 32 for covering the first wiring 31 on the lower layer portion 10.例文帳に追加

支持基板１００の上に、導電性のビア１１と、ビア１１を覆う第１絶縁部１２とを含む下層部１０を形成する工程と、下層部１０の上に、ビア１１と電気的に接続する第１配線３１と、第１配線３１を覆う第２絶縁部３２とを含む中間層部３０を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

This system is provided with a first information processor, namely, a portable device 2 to display and process at least one piece of first icon information to be displayed on the menu screen and a second information processor, namely, a PC 1 to display and process at least one piece of second icon information with common concept as the first icon information on the menu screen.例文帳に追加

メニュー画面上に表示される少なくとも一つの第１のアイコン情報を表示処理する第１の情報処理装置即ち携帯機器２と、第１のアイコン情報と観念が共通する少なくとも一つの第２のアイコン情報をメニュー画面上に表示処理する第２の情報処理装置即ちＰＣ１とを有する。 - 特許庁

The boron treatment method includes at least a first treatment process for adding either calcium hydroxide or calcium oxide to the boron-containing water to form a first treated liquid and a second treatment process for adding either hydrogen peroxide or a compound which generates hydrogen peroxide when dissolved in water to the first treated liquid to form a second treated liquid.例文帳に追加

ホウ素含有水に対して水酸化カルシウム及び酸化カルシウムのいずれかを添加して第１の処理液とする第１の処理工程と、前記第１の処理液に対して過酸化水素及び水に溶解して過酸化水素を発生する化合物のいずれかを添加して第２の処理液とする第２の処理工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。 - 特許庁

The oxy-cobalt hydroxide is manufactured by a manufacturing method that includes a process of forming a first cobalt compound by mixing a water solution containing cobalt salt and an alkaline water solution, and a process of obtaining oxy-cobalt hydroxide by making the first cobalt compound react with an oxidizer by adding the oxidizer into the solution containing the first cobalt compound.例文帳に追加

コバルト塩を含む水溶液とアルカリ水溶液とを混合することによって第１のコバルト化合物を形成する工程と、第１のコバルト化合物を含む溶液に酸化剤を加えることによって第１のコバルト化合物と酸化剤とを反応させてオキシ水酸化コバルトを得る工程とを含む製造方法でオキシ水酸化コバルトを製造する。 - 特許庁

The method comprises a suction process for sucking a liquid from a first opening 37 and a second opening 38 and holding it in a liquid holding member 34 having the first and second openings 37 and 38 and a discharging process for discharging the liquid held in the member 34 only from the first opening 37 by a very small quantity.例文帳に追加

第１の開口３７および第２の開口３８を有する液体保持部材３４に、第１の開口３７および第２の開口３８から液体を吸引して保持する吸引工程と、液体保持部材３４に保持された液体を、第１の開口３７のみから微少量吐出する吐出工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

A first paste electrode layer 21 covering a long side face 13 and the ridge part 17 in the chip element body 1 is formed in the first conductive paste imparting process, and a second paste electrode layer 22 further covering the part covering the long side face 13 and the ridge part 17 in the first paste electrode layer 21 is formed in the second conductive paste imparting process.例文帳に追加

第１の導電ペースト付与工程では、チップ素体１における長側面１３及び稜部１７を覆う第１のペースト電極層２１を形成し、第２の導電ペースト付与工程では、第１のペースト電極層２１において長側面１３及び稜部１７を覆う部分を更に覆う第２のペースト電極層２２を形成する。 - 特許庁

This process control system is provided with an execution routine arranged in the first node of the process control system, one or more soft phases arranged in the other node away from the first node, and communication software arranged in each node so that the soft phase arranged in the node away from the first node can be called and executed by the execution routine.例文帳に追加

プロセス制御システムは、プロセス制御システムの第１ノードに配置されている実行ルーチンと、第１ノードから離れた他のノードに配置された一又は複数のソフトフェーズと、実行ルーチンが第１ノードから離れたノードにあるソフトフェーズを呼び出して実行することを可能にするために各ノードに配置されている通信ソフトウェアとを含んでいる。 - 特許庁

The method for operating a plurality of adjacently located radar transmitters comprises a process for assigning a first code different from the first code assigned to the other radar transmitter of the radar transmitters, and a process for transmitting a series of pulses from each transmitter interpulse-modulated in accordance with the respective first codes assigned to the transmitters.例文帳に追加

互いに近傍に位置する複数のレーダ送信器を作動する方法は、複数のレーダ送信器の各々に、複数のレーダ送信器のうち他のレーダ送信器に付与された第１コードと異なる第１コードを付与する工程と、送信器に付与された各々の第１コードに従ってパルス間変調された各送信器から一連のパルスを送信する工程とからなる。 - 特許庁

There are included a first process for forming a first layer comprising an electrically conductive material over the base 3 by discharging a liquid composition 2 involving the electrically conductive material and drying the composition 2, and a second process for forming a second layer comprising an electrically conductive material by discharging a composition involving the electrically conductive material on the first layer, and drying the composition.例文帳に追加

導電性材料を含む液状の組成物２を吐出し、組成物２を乾燥させ基盤３上方に導電性材料からなる第１の層を形成する第１工程と、第１の層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を乾燥させ導電性材料からなる第２の層を形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the radiation detector includes: an inspection first process for separately forming the scintillator crystal layer by using a container 7 and inspecting a first face α1 of the scintillator crystal layer to specify the inferior crystal; and an inspection second process for inspecting a second face α2 opposed to the first face α1 to specify the inferior crystal.例文帳に追加

本発明の放射線検出器の製造方法は、容器７を用いてシンチレータ結晶層が別個に形成され、シンチレータ結晶層の第１面α１を検査して不良結晶を特定する検査第１工程と、第１面α１と対向する第２面α２を検査して不良結晶を特定する検査第２工程とを備えている。 - 特許庁

Correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of process using a first resist pattern as a mask is performed for the pattern dimension of a first photomask, and correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of etching process of a film to be processed by using a mask pattern as a mask is performed for the pattern dimension of the first photomask.例文帳に追加

第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、第１のレジストパターンをマスクに用いた加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行い、前記第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、前記マスクパターンをマスクに用いた前記被加工膜のエッチング加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行う。 - 特許庁

The first process element group(DEMUX, V-DEC) is periodically executed by, for example, a first processor VPU0, and the second element group(A-DEC, TEXT, PROG, BLEND) is periodically executed by, for example, a second processor VPU1 in a timing delayed behind the first process element group(DEMUX, V-DEC) by one cycle.例文帳に追加

第１処理要素グループ（ＤＥＭＵＸ、Ｖ−ＤＥＣ）は例えば第１のプロセッサＶＰＵ０によって周期的に実行され、第２処理要素グループ（Ａ−ＤＥＣ、ＴＥＸＴ、ＰＲＯＧ、ＢＬＥＮＤ）は第１処理要素グループ（ＤＥＭＵＸ、Ｖ−ＤＥＣ）よりも１周期遅れたタイミングで例えば第２のプロセッサＶＰＵ１によって周期的に実行される。 - 特許庁

The processing method for piezoelectric element by a cutting device includes a first slicing process for slicing the piezoelectric element at a plurality of times in a first direction in a predetermined width at a predetermined interval, and a second slicing process for slicing the piezoelectric element at a plurality of times, in a second direction that is orthogonal to the first direction in a predetermined width at a predetermined interval.例文帳に追加

切削装置による圧電素子の加工方法であって、圧電素子を第１の方向に所定の幅及び所定の間隔で複数回スライスする第１スライス工程と、圧電素子を第１の方向と直交する第２の方向に所定の幅及び所定の間隔で複数回スライスする第２スライス工程とから構成される。 - 特許庁

A first correction rotation speed OMGMA(i)is calculated by a 720 degree filter process, a second correction rotation speed OMGMB(i) is calculated by a 1440 degree filter process, and first and second determination parameters MFPARAMA(k), MFPARAMB(k) are calculated by using the first and second correction rotation speeds OMGMA(i), OMGMB(i).例文帳に追加

７２０度フィルタ処理により第１補正回転速度ＯＭＧＭＡ(i)が算出されるとととに、１４４０度フィルタ処理により第２補正回転速度ＯＭＧＭＢ(i)が算出され、第１及び第２補正回転速度ＯＭＧＭＡ(i)，ＯＭＧＭＢ(i)を用いて第１及び第２判定パラメータＭＦＰＡＲＡＭＡ(k)，ＭＦＰＡＲＡＭＢ(k)が算出される。 - 特許庁

Upon receiving an issued command directed to a process instance of a process model, this method and a corresponding system determines whether the current activity having control authority at that point of time is included in a command sphere in control flow of the process instance in a first step.例文帳に追加

プロセス・モデルのプロセス・インスタンスに対して発行されたコマンドを受け取ったときに、この方法および対応するシステムは、第１のステップで、プロセス・インスタンスの制御フローにおいて、その時点において制御権を持つカレント・アクティビティ・インスタンスが、コマンド範囲に含まれるかどうかを判定する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device is provided with a cleaning process, in which the surface oxide film 6 formed on the copper interconnection 3, is cleaned and a first process, in which the film 6 is substituted into carboxylate and a second process, in which the generated carboxylate is reduced and removed.例文帳に追加

銅配線３に形成された表面酸化膜６を清浄する清浄工程を有する半導体装置の製造方法であって、清浄工程は、表面酸化膜６をカルボン酸塩に置換する第１の工程と、生成されたカルボン酸塩を還元除去する第２の工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film has a first process for coating a polyester base material with a specific composition and drying the coated base material to form the gas barrier layer, a second process for ageing the base material having the gas barrier layer formed thereto and a third process for applying lamination to the gas barrier layer.例文帳に追加

特定の組成物をポリエステル基材上に塗布し乾燥してガスバリア層を形成する第一の工程と、該ガスバリア層を形成した基材をエージングする第二の工程と、該ガスバリア層上にラミネートする第三の工程を有するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the detecting surface includes (1) a first process for coating the surface of the substrate with a carbon-containing silicon oxide (SiOC); (2) a second process for masking only a prescribed region in the substrate; and (3) a third process for performing surface treatment so as to fix the substance for detection.例文帳に追加

さらに、（１）基板表面を炭素含有酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）で被覆する第一工程（２）基板の所定領域のみをマスクする第二工程（３）検出用物質を固定可能に表面処理する第三工程を含む検出表面の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the optimum position adjustment of a hologram lens 2 is made as the first process (S1), the position of the hologram lens 2 is shifted by a preset correction quantity as the second process (S2), and the hologram lens 2 is fixed to a package 7 with an adhesive as the third process (S3).例文帳に追加

１番目の工程としてホログラムレンズ２の最適位置調整を行った後に（Ｓ１）、２番目の工程としてあらかじめ設定した一定量の補正値だけホログラムレンズ２の位置をずらして（Ｓ２）、３番目の工程として接着剤でホログラムレンズ２をパッケージ７に固定する（Ｓ３）。 - 特許庁

The vacuum dryer includes a first process of raising temperature in an airtight atmosphere with respect to the particulate matter, a second process of raising the temperature while controlling internal pressure by a pressure regulating valve, and a third process of maintaining a predetermined temperature while sucking by a vacuum pump.例文帳に追加

粒状物質に対して、気密雰囲気で昇温させる第１工程と、圧力調整弁にて内部圧力をコントロールしながら昇温させる第２工程と、真空ポンプにて吸引しながら所定温度を維持させる第３工程とを含んで構成される真空乾燥装置である。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicon wafer includes a process S11 of preparing a silicon substrate 11, a first epitaxial process S13 of growing an n-type epitaxial film 12 on the silicon substrate 11, and a second epitaxial process S14 of growing a second epitaxial film 13 in which the device is formed on the epitaxial film 12.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１上にｎ型のエピタキシャル膜１２を成長させる第１のエピタキシャル工程Ｓ１３と、エピタキシャル膜１２上にデバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３を成長させる第２のエピタキシャル工程Ｓ１４とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline silicon solar battery comprises an Al baking process for forming a rear electrode by baking Al paste applied on a crystalline silicon substrate having a first conductivity type, and a growth process of a silicon nitride film which is performed after the Al baking process.例文帳に追加

第１導電型の結晶シリコン基板上に塗布されたＡｌペーストを焼成して裏面電極を形成するＡｌ焼成工程と、該Ａｌ焼成工程よりも後に設けられる、窒化シリコン膜の成長工程と、を含む結晶シリコン太陽電池の製造方法に関する。 - 特許庁

Upon manufacturing the catalyst layer, the catalyst layer is manufactured by a first process for heat-treating the mixture of the catalyst powder and fluoride resin, a second process for crushing the acquired calcined object, and a third process for film-making and drying up after mixing the crushed calcined powder and ionomer solution.例文帳に追加

触媒層を製造するに際し、触媒粉末とフッ素樹脂との混合物を熱処理する第１工程と、得られた焼成体を粉砕する第２工程と、粉砕焼成粉末とイオノマー溶液とを混合した後、製膜、乾燥する第３工程により製造した。 - 特許庁

Vacuuming processes are carried out twice after a refrigerant circuit part assembly process of assembling a refrigerant circuit part in a casing, and a neglecting time of neglecting while maintaining vacuum in the refrigerant circuit part is provided between the vacuuming process of a first time and the vacuuming process of a second time.例文帳に追加

筐体内に冷媒回路部を組立てる冷媒回路部組立工程の後に、真空引き工程を２回行うようにし、１回目の真空引き工程と２回目の真空引き工程の間に、冷媒回路部内の真空を維持したまま放置する放置時間を設ける。 - 特許庁

The method comprises conducting a first plasma irradiating process irradiating an oxygen plasma to the wood biomass, and a second plasma irradiating process irradiating a plasma containing a metal element, whereby the metal element of the plasma irradiated in the second plasma irradiating process is carried by the wood biomass.例文帳に追加

木質バイオマスに対して、酸素プラズマを照射する第１のプラズマ照射工程と、金属元素を含有するプラズマを照射する第２のプラズマ照射工程とを行って、第２のプラズマ照射工程で照射したプラズマの金属元素を木質バイオマスに担持させる。 - 特許庁

The production management system 1 manages the manufacturing of the recycled aggregate through processes including a primary treatment process for carrying out the primary treatment of raw materials including the aggregate and a secondary treatment process for carrying out the secondary treatment of raw materials processed by the first treatment process.例文帳に追加

再生骨材の製造管理システム１は、骨材を含む原料を一次処理する一次処理工程と、当該一次処理工程で処理された原料を二次処理する二次処理工程とを含む工程を経て再生骨材を製造する再生骨材の製造管理をするためのシステムである。 - 特許庁