「First steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method of DLC film composed of a first layer and a second layer, including steps of forming the first layer, on the film-deposited substrate, by radical particles generated by the thermal decomposition of hydrocarbon raw gas and forming the second layer by ion particles generated in the plasma of the hydrocarbon raw gas.例文帳に追加

炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第１層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする第１層および第２層から構成されるＤＬＣ膜の製造方法。 - 特許庁

The method for molding an unsaturated polyester resin composition comprises the steps of disposing an unsaturated polyester resin composition 4 containing the resin and a low contracting agent including a three-dimensional polystyrene as an indispensable component in a space formed between first mold 1 and a second mold 2 movable to the first mold, and pressure molding it under a reduced pressure.例文帳に追加

不飽和ポリエステル樹脂組成物の成形方法は、第１の成形型とこの成形型に対して可動となった第２の成形型との間で形成された空間内に、不飽和ポリエステル樹脂と、３次元ポリスチレンを必須成分とする低収縮化剤とを含有してなる不飽和ポリエステル樹脂組成物を内在させ、減圧下で加圧成形する方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the retardation plate having first and second optical anisotropy layers includes steps of: subjecting the surface of the first optical anisotropy layer comprising a composition containing the liquid crystalline compound and the polymer to oxidization treatment; and applying a composition containing the liquid crystalline compound on the surface subjected to the oxidization treatment to form the second optical anisotropy layer.例文帳に追加

液晶性化合物及びポリマーを含有する組成物から形成された第１の光学異方性層の表面を酸化的処理する工程と、前記酸化的処理された表面に、液晶性化合物を含有する組成物を塗布して第２の光学異方性層を形成する工程とを含む第１および第２の光学異方性層を有する位相差板の作製方法である。 - 特許庁

With respect to a difference absolute value between an average signal value of a block with a predetermined size including a defective pixel detection target pixel and a signal value of the defective pixel detection target pixel, it is determined whether or not the defective pixel detection target pixel is a defective pixel with a first threshold and a second threshold which is larger than the first threshold (steps ST 1 to ST 6).例文帳に追加

欠陥画素検出対象画素を含む所定サイズのブロックの平均信号値と、欠陥画素検出対象画素の信号値との差分絶対値に対して、第一のしきい値と第一のしきい値より大きい第二のしきい値とによって欠陥画素検出対象画素が欠陥画素であるか否かを判定する（ステップＳＴ１〜ＳＴ６）。 - 特許庁

The method for forming the multi-color image comprises the steps of forming a first image forming layer containing at least one type of dye precursors represented by formulae (1) to (3) and a deblocking material for generating a dye by reacting with the precursor, and a second image forming layer exhibiting a hue different from that of the first image forming layer.例文帳に追加

支持体表面に、下記一般式（１）〜（３）で表される色素前駆体と前記色素前駆体と反応して色素を発生する脱保護材とをそれぞれ少なくとも１種含む第１の画像形成層と、前記第１の画像形成層とは異なる色相を呈する第２の画像形成層と、を有することを特徴とする多色画像形成方法。 - 特許庁

A method for injection molding comprises the steps of molding product halves 5 and 6 on mating surfaces of first to third molds 1, 2 and 3 by matching the molds in series, then retarding the central second mold 2, thereafter butting the first and third molds 1 and 3, secondarily matching the molds 1 and 3, and secondarily injecting to adhere the butted halves 5 and 6 to manufacture the product 7.例文帳に追加

第一〜第三金型１、２、３を一連状に型合せして欠く合わせ面に製品半部５、６を型成形した後、中央の第二金型２を退去させ、しかる後、第一、第三金型１、３を突き合わせて二次の型合わせをし、そして突き合わされた製品半部５、６同志を接着する二次の射出をして製品７を製造する。 - 特許庁

A method comprises the steps of forming a gate oxide film and an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate, changing an amorphous silicon layer into a first polysilicon layer with large grain by carrying out an SPG process, forming a nitride film on a first polysilicon layer, and forming a second polysilicon layer for floating gates by carrying out an element segregation process and a nitride film elimination process.例文帳に追加

半導体基板上にゲート酸化膜及び非晶質シリコン層を形成する段階と、ＳＰＧ工程を行って非晶質シリコン層をグレインの大きい第１ポリシリコン層にする段階と、第１ポリシリコン層上に窒化膜を形成する段階と、素子隔離工程及び窒化膜除去工程を行い、フローティングゲート用第２ポリシリコン層を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The method includes such steps as flowing of oxygen by a first amount, flowing of deuterium by a second amount to form a vapor oxide with the oxygen of the first amount, inserting of a silicon substrate comprising an upper surface into the vapor oxygen, and raising the temperature of the silicon substrate in the vapor oxide to form a dielectrics layer on the upper surface.例文帳に追加

この方法は、第１の量の酸素を流し；第２の量の重水素を流して、前記第１の量の酸素と酸化蒸気を形成し；上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し；前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備える。 - 特許庁

The method includes the steps of acquiring a location ID of a destination of a write operation, preserving the location ID in an available entry of the array, wherein the entry is identified by an array pointer having a first value, and changing the first value of the array pointer into a second value in order to identify other available array entries.例文帳に追加

書込み操作の宛先の位置ＩＤを取得するステップと、アレイの使用可能な項目に前記位置ＩＤを保管するステップであって、前記項目が第１の値を有するアレイ・ポインタによって識別されるステップと、他の使用可能なアレイ項目を識別するために前記アレイ・ポインタの前記第１の値を第２の値に変更するステップとを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method is provided with steps to judge differential data to be generated from a change to the first file of the first system, to transmit the differential information to the second system, to add the differential information to generate change data regarding the second file and to update the second file of the second system by the differential data.例文帳に追加

該方法は、第１のシステムの第１のファイルに対する変更から生じる差分データを判断し、差分情報を第２のシステムに伝送し、第２のファイルに関する変更データを生成するために差分情報を加え、第２のシステムの第２のファイルを差分データで更新するステップを有する。 - 特許庁

The process for producing a pigment dispersion has steps of supplying a first liquid comprising a solution of a water-soluble metal salt and a second liquid comprising a solution of a dye of general formula 1 or 2, and mixing under stirring the supplied first and second liquids to convert the dye into a pigment to thereby form dispersed pigment particles.例文帳に追加

水溶性金属塩の溶液である第１の液と、一般式１または２の染料の溶液である第２の液とを各々供給するとともに、供給された第１の液と第２の液とを攪拌混合して染料を顔料化し、顔料分散粒子を生成する工程を有する顔料分散物の製造方法。 - 特許庁

A method for managing vertical format converter (VFC) line memories includes the steps of: writing a number of first input video lines into the VFC line memories 62; writing an additional video line into the VFC line memories 62; and reading respective pixels of the first input video lines and the additional input video line from the VFC line memories 62 in parallel.例文帳に追加

垂直フォーマットコンバータ（ＶＦＣ）ラインメモリを管理するための方法は、多数の第一の入力ビデオラインをＶＦＣラインメモリ６２に書き込むステップ、更なる入力ビデオラインをＶＦＣラインメモリ６２に書き込むステップ、及びＶＦＣラインメモリ６２からの第一の入力ビデオライン及び更なる入力ビデオラインのそれぞれの画素を並列に読み出すことを含んでいる。 - 特許庁

A menu display method for a mobile terminal includes the steps for: managing a first register and a second register; logically operating a value of the first register and a value of the second register and determining whether or not the selected menu is to be deactivated; and displaying the menu on a display device of the terminal based on the determination.例文帳に追加

移動通信端末機のメニュー表示方法は、第１レジスタ及び第２レジスタを管理する過程と、第１レジスタ値及び第２レジスタ値を論理演算して選択されたメニューの非活性化可否を判断する過程と、前記判断によって端末機の表示装置にメニューを表示する過程と、を含む。 - 特許庁

The method further comprises the steps of relatively spacing apart both the molds, injection filling a second layer core material molten resin in a space formed of the fixed mold and the first filler to form a second filler at a preset third molds opening amount, and sequentially laminating, melting and integrating the sheet, the first filler and the second filler.例文帳に追加

さらに両金型を相対的に離間させて、予め設定した第三型開量に両金型を保持した状態で、固定金型と第一層充填物とで形成される空間内に第二層コアー材溶融樹脂を射出充填して第二層充填物を形成し、表皮シート、第一層充填物、第二層充填物の順に積層融着一体化させる。 - 特許庁

This method includes: the step S101 of recording a music file containing image data in a recording medium; and steps S110 and S116 for allocating the image data to the ID 3 tag area of a music file group on the basis of a second key item when a set first key item matches the first key item of the music file recorded beforehand.例文帳に追加

画像データを含む音楽ファイルを記録媒体に記録するステップＳ１０１と、設定された第１のキー項目と、予め記録されている音楽ファイル群の第１のキー項目とが一致した場合に、第２のキー項目に基づき、前記音楽ファイル群のＩＤ３タグ領域に前記画像データの割当処理をするステップＳ１１０、Ｓ１１６とを有する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加

この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The drying process is divided into a plurality of steps, and in a first step S1, the center temperature of the honeycomb molded object reaches at least the curing start temperature of the binder from the start of drying, wherein the output of the microwave for irradiating the honeycomb molded object in the first step S1 is set higher than the output of the microwave of the subsequent step.例文帳に追加

乾燥工程では、該乾燥工程を複数のステップに分け、乾燥開始からハニカム成形体の中心部の温度が少なくともバインダの硬化開始温度に達するまでを第１ステップＳ１とし、第１ステップＳ１においてハニカム成形体に照射するマイクロ波出力を、その後のステップのマイクロ波出力よりも高く設定する。 - 特許庁

The method includes the steps of forming a dielectric layer over a substrate with a first electrode or a bare metallic foil, depositing a top conductive layer over the dielectric layer, and annealing the dielectric layer and the top conductive layer, wherein the foil or first electrode, the dielectric, and the conductive layer form a capacitor.例文帳に追加

本発明の方法は、第１の電極または裸の金属箔を有する基板の上に誘電体層を形成するステップと、誘電体層の上に上部導電層を堆積するステップと、誘電体層および上部導電層をアニールするステップとを含み、箔または第１の電極、誘電体、および導電層がコンデンサを形成する。 - 特許庁

The method further comprises steps of removing a part included in the region 52 of the first insulating film 13A, and forming a second gate insulating film 15B, made of an acid nitride film having a thickness smaller than that of the first film 13A on the region 52 by heat-treating the substrate 11 in an acid nitride atmosphere.例文帳に追加

次に、第１のゲート絶縁膜１３Ａの第２の素子形成領域５２に含まれる部分を除去し、半導体基板１１に対して酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２の素子形成領域５２上に膜厚が第１のゲート絶縁膜１３Ａよりも小さい酸窒化膜からなる第２のゲート絶縁膜１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The phase shifter having an annular step around an optical axis as a center is provided on one surface of the objective lens and the phase shifter is constituted of steps in a range of 1.01 to 1.13 λ_1 to light having the first wavelength when an absolute value of the phase difference is expressed in terms of a distance and when the first wavelength is defined as λ_1.例文帳に追加

対物レンズの片面には、光軸を中心とする輪状の段差部を備える位相シフタが設けられ、この位相シフタは第１の波長の光に対して、第１の波長をλ_1とするとき、位相差の絶対値が距離に換算した場合に、１．０１λ_1から１．１３λ_1の範囲の段差で構成されている。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of: transmitting, to a receiving apparatus, a first packet group composed in a predetermined ratio of data packets and error correction packets; transmitting a second packet group composed in a ratio of error correction packets adjusted based on feedback information about the first packet group; and controlling the transmission rate based on the feedback information about the second packet group.例文帳に追加

データパケットと誤り訂正パケットとが所定の割合で構成された第１パケットグループを受信装置に伝送するステップ、前記第１パケットグループに関するフィードバック情報により誤り訂正パケットの割合が調節された第２パケットグループを伝送するステップ、および前記第２パケットグループに関するフィードバック情報により伝送率を調節するステップとを含む。 - 特許庁

The forming method of the capacitor storage node of the semiconductor device comprises the steps of providing a semiconductor substrate on which an interlayer insulating film is formed, forming a first contact hole, forming a first insulating film, forming the storage node contact plug, depositing a second insulating film, depositing a third insulating film, forming a second contact hole, and depositing the storage nodes.例文帳に追加

層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供するステップと、第１コンタクトホールを形成するステップと、第１絶縁膜を形成するステップと、ストレージノードコンタクトプラグを形成するステップと、第２絶縁膜を蒸着するステップと、第３絶縁膜を蒸着するステップと、第２コンタクトホールを形成するステップと、ストレージノードを蒸着するステップとを含む。 - 特許庁

The method of forming an electronic device such as a MOS transistor and the like includes the steps of forming a plurality of semiconductor islands 31, 35 on a substrate 10, printing a first dielectric layer 60 on or over a first subset 31 of the semiconductor islands, and optionally printing a second dielectric layer 65 on or over a second subset 35 of the semiconductor islands.例文帳に追加

基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。 - 特許庁

The vapor-phase growth method includes the steps, to form a film on a semiconductor substrate 6 set on a box 5, of sending a first gas to the box 5 as the original of the film, and sending a second gas to a support member 9 that prevents the first gas 1 from getting in contact with the support member 9 supporting the box 5.例文帳に追加

気相成長方法は、箱体５に載置された半導体基板６に膜を形成すべく、前記膜の元となる第１の気体を当該箱体５に送出する第１の送出工程と、前記箱体５を支持する支持部材９に前記第１の気体が接触することを抑止するための第２の気体を前記支持部材９に送出する第２の送出工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated steel sheet comprises the steps of: laminating a first steel sheet so as to be introduced into a projection region of a second steel sheet; fixedly disposing the first and second steel sheets on separate mounting surfaces, irradiating the surface of the second steel sheet with a laser beam; and thereby manufacturing the laminated steel sheet including at least one zinc-plated steel sheet.例文帳に追加

第１の鋼板を第２の鋼板の投影領域内入るように重ね合わせるとともに、第１の鋼板と第２の鋼板とをそれぞれ別の搭載面に固定して配置し、第２の鋼板の表面にレーザビームを照射して、少なくとも一方が亜鉛系めっき鋼板から構成される重ね合わせ鋼板を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

In forming a contact plug 3 through chemical mechanical polishing of a first interlayer insulating film 4 and the conductive material, the method comprises steps of performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority, performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the first interlayer insulating film has a priority, and performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４および導電材料を化学機械研磨してコンタクトプラグ３を形成するに際して、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、第１層間絶縁膜研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程とを有する。 - 特許庁

After completing display of data of the first page of the content, while a user watches the first page, the images of the small amounts of data are read by replacing them with the original ones by setting the order from a page with the deepest relation (steps S1106, S1107), and display is performed when the user attempts to watch other pages (a step S1108).例文帳に追加

コンテンツの最初のページのデータの表示を完了させてから、その最初のページをユーザが見ている間に、関連の深いページから順番を付けてデータの小さい画像を本来のものと差し替えて読み込んでおき（ステップS1106、S1107）、ユーザが他のページを見ようとしたときに表示を行う(ステップS1108）。 - 特許庁

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C.例文帳に追加

アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０^18ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

As one embodiment, the method for removing the masking material from the substrate comprises the steps of: providing the substrate having the exposed low-dielectric-constant material and the masking material; exposing the masking material to a first plasma formed from the reduction chemical reaction material, during the first period; and exposing the masking material to a second plasma formed from the oxidation chemical reaction, during the second period.例文帳に追加

一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成された第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。 - 特許庁

The method includes the steps of: transmitting a routing request message from the sensor node when the information of the target is not received anymore from the route; comparing the information contained in the routing request message received from a first sensor node with the information contained in the routing request message received in a second sensor node; and updating the first route by using the sensor node selected based on the comparison.例文帳に追加

ルーティング経路からターゲットの情報の伝達がない場合に、センサノードがルーティング要請メッセージを送信する段階と、第１センサノードで受信したルーティング要請メッセージに含まれる情報と、第２センサノードで受信したルーティング要請メッセージに含まれる情報とを比較する段階と、比較選択されたセンサノードを用いて、ルーティング経路を再設定する段階とを含む。 - 特許庁

This method of forming a multi-layered membrane comprises the steps in order of affording water repellency to the surface of glass 1 by applying a water repellent agent, forming a first membrane 2 on the water repellent treated glass using a solution comprising a non-volatile component having hydrophilic part and hydrophobic part, and forming a second membrane 3 on the first membrane using a solution comprising a polar solvent.例文帳に追加

ガラス１表面を疎水化剤により疎水化処理する疎水化工程、表面が疎水化処理された上記ガラス上に、親水性部分および疎水性部分を有する不揮発分を含む溶液を用いて第１の膜２を形成する第１膜形成工程、並びに第１の膜上に極性溶剤を含む溶液を用いて第２の膜３を形成する第２膜形成工程を順に施す。 - 特許庁

This tire uniformity measuring method includes steps of: carrying out warming-up of rotating a pneumatic tire at the first rotation speed r1 for a prescribed time; and measuring the tire uniformity of the pneumatic tire, while rotating the pneumatic tire at the second rotation speed r2, and the first rotation speed r1 is higher than the second rotation speed r2.例文帳に追加

本発明に係るタイヤユニフォミティ測定方法は、空気入りタイヤを第１の回転数（ｒ１）で所定時間（ｔ１）回転させるウォーミングアップを行うステップと、空気入りタイヤを第２の回転数（ｒ２）で回転させながら空気入りタイヤのユニフォミティを測定するステップとを含み、第１の回転数（ｒ１）が、第２の回転数（ｒ２）よりも高い。 - 特許庁

To improve the reliability of a tandem continuous paper printer system as a system by reducing waste paper in the case when paper jam or the like occurs between a second printer or a first printer and the second printer during paper loading or printing, by reducing the number of steps of filling paper operation by an operator, and by automatically recognizing a physical page number N1 between the first printer and the second printer.例文帳に追加

用紙装填中または印刷中に第２プリンタまたは第１プリンタと第２プリンタ間で用紙ジャム等が発生した時の無駄用紙の削減及びオペレータによる用紙装填作業の工数低減を図ると共に、第１プリンタと第２プリンタ間の物理頁数Ｎ１を自動認識することにより、システムとしての信頼性を向上させる。 - 特許庁

This method for managing a telephone book in a portable terminal (200) including a first telephone book (241) and a second telephone book (221) includes following steps, that is, a step (61) for detecting whether or not a user has changed information included in the first telephone book (241) and a step (66) for copying the changed information to the second telephone book (221).例文帳に追加

本発明は、以下の段階を含む、第1の電話帳（241）および第2の電話帳（221）を含む移動端末（200）における電話帳を管理する方法に関する：第1の電話帳（241）に含まれる情報をユーザが変更したかどうかを検出する段階（61）；および変更された情報を第2の電話帳（221）にコピーする段階（66）。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。 - 特許庁

The read-out number n of one and the same subscanning direction address read out from a picture data memory 31 keeping the picture data is preliminarily set in a first count part 35, and when the first count part 35 counts the set number n, a signal 46 is transmitted to the subscanning direction address counter 40 and the subscnning direction address of the picture data memory 31 is advanced in steps.例文帳に追加

画像データを収容した画像データメモリ３１から、その同一副走査方向アドレスの読み出し回数ｎを予め第１カウント部３５に設定し、この第１カウント部３５が設定値ｎをカウントした時、信号４６を副走査方向アドレスカウンタ４０に発して前記画像データメモリ３１の副走査方向アドレスを歩進させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a hollow structure includes the steps of: forming a groove in a member 10; filling a filler in the groove; forming a conductive layer in exposed surfaces of the filler and the member 10; forming a first layer 12 on the conductive layer by an electroforming process; forming a second layer 13 on the first layer 12 by a cold spray process; and removing the filler from the groove.例文帳に追加

中空構造体の製造方法は、部材１０に溝を形成する工程と、充填剤を溝に充填する工程と、充填剤及び部材１０の露出面に導電層を形成する工程と、電鋳法により導電層上に第１層１２を形成する工程と、コールドスプレー法により第１層１２上に第２層１３を形成する工程と、溝から充填剤を除去する工程とを具備する。 - 特許庁

A forming method of an electronic apparatus on a substrate 10 comprises the steps of applying a microembossing work to the substrate 10, applying a surface treatment to the substrate so that a non-depressed part 11 has a quality of repelling a solution of a first material 60, and depositing the solution of a first material 60 on a depression 12 on the substrate 10 formed by the microembossing work.例文帳に追加

電子装置の基板１０上での形成方法であり、基板１０をエンボス加工する工程と、基板をくぼみでない部分１１が第１の材料６０の溶液をはじくように表面処理する工程と、エンボス加工によって形成された基板１０上のくぼみ１２に第１の材料６０の溶液を堆積する工程と、を含む。 - 特許庁

Or the method includes steps of: forming a polymer structure having a top surface using a first polymer; forming a well in the top surface of the polymer structure; filling the well with a visible light absorbing dye; covering the top surface of the polymer structure and the visible light absorbing dye containing well with the first polymer to form a dye containing polymer structure; and shaping the dye containing polymer structure into an intraocular lens.例文帳に追加

又はトップ表面を有するポリマー構造体を第１ポリマーから形成し、ポリマー構造体のトップ表面にくぼみを形成し、くぼみに可視光吸収性染料を充填し、ポリマー構造体のトップ表面及び可視光吸収性染料を含むくぼみを第１ポリマーで被覆して、染料含有ポリマー構造体を形成し、染料含有ポリマー構造体を眼内レンズに成形する。 - 特許庁

The discharge method of the residual material includes steps of: stirring the powder with this mixing device 1; discharging the stirred powder in a first discharge process; and thereafter discharging the residual material still remaining in the mixing tank 2 in a second discharging process by increasing the rotation rate R2 of the rotary blade 4 with respect to the rotation rate R1 of the rotary blade 4 in the first discharge process.例文帳に追加

この混合装置１を用いて、粉体を攪拌し、第１排出工程においてその攪拌された粉体を排出した後に、第２排出工程において混合槽２にまだ残存する残粉体を、回転羽根４の回転速度Ｒ２を第１排出工程における回転羽根４の回転速度Ｒ１に対して増加させることにより、排出する。 - 特許庁

To provide an optical modulation device which is capable of enlarging a luminance dynamic range and the gradation number of a display image and improving image quality by modulating light from a light source in two steps via a first modulation element and a second modulation element, and is suitable for displaying an image while being matched with resolution of the second modulation element higher than that of the first modulation element.例文帳に追加

第１光変調素子と第２光変調素子とを介して２段階で光源からの光を変調することで表示画像の輝度ダイナミックレンジ及び階調数を拡大し、画質を向上するとともに、第１光変調素子よりも解像度の高い第２光変調素子の解像度に合わせて画像を表示するのに好適な光変調装置を提供する。 - 特許庁

It includes a first step of producing a master having a diffracted structure, and, after the first step and in the steps for producing the optically variable element, a step of irreversibly changing the appearance of the reference information which is represented by the diffracted structure, so that a series of the data carriers or a sub-set of a series of the data carriers are individualized.例文帳に追加

回折構造を有するマスターを製造する第１のステップと、前記第１のステップ以降で、前記光学的可変素子を製造するステップのうち、一連の前記データキャリアまたは一連の前記データキャリアのサブセットが個別化されるように、前記回折構造で表される前記基準情報の外観が不可逆的に変更されるステップとを含む。 - 特許庁

The production process of the thin-film superconductive wire material 10A comprises the steps of forming an intermediate layer 2 on a metal tape substrate 1, forming a first superconductive layer 3 having an RE123 composition as a diffusion-preventing layer on the intermediate layer 2 and forming a second superconductive layer 4 having an RE123 composition so as to come into contact with the first superconductive layer 3.例文帳に追加

本発明の薄膜超電導線材１０Ａの製造方法は、金属テープ基板１上に中間層２を形成する工程と、その中間層２上にＲＥ１２３系の組成を有する第１の超電導層３を拡散防止層として形成する工程と、第１の超電導層３に接するように、ＲＥ１２３系の組成を有する第２の超電導層４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁