「First steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes the steps of: calculating a first set of reference signal requirements for a first uplink parameter; determining a second set of reference signal requirements for a second uplink parameter; generating a combined reference signal instruction message incorporating the first set of reference signal requirements and the second set of reference signal requirements; and transmitting the reference signal instruction message.例文帳に追加

上記方法は、第１のアップリンクパラメータに対する第１の組の基準信号要件を計算することと、第２のアップリンクパラメータに対する第２の組の基準信号要件を決定することと、該第１の組の基準信号要件と該第２の組の基準信号要件とを一体化する組み合わせ基準信号命令メッセージを生成することと、該基準信号命令メッセージを送信することとを包含する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a dielectric film partially on a substrate, forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of the substrate to sandwich the dielectric film, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface.例文帳に追加

本発明は、基板上に部分的に誘電体膜を形成する工程と、該誘電体膜を挟んで基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This method includes steps of: forming first and second field-effect transistors of an integrated circuit; forming a stress layer over the first and second field-effect transistors, the stress layer inducing strain in channel regions of the first and second field-effect transistors; and selectively thinning the stress layer over at least a portion of the second field-effect transistor.例文帳に追加

この方法は、集積回路の第１及び第２の電界効果トランジスタを形成するステップと、第１及び第２の電界効果トランジスタの上に応力層を形成するステップであって、応力層は第１及び第２の電界効果トランジスタのチャネル領域内に歪みを誘起する、ステップと、第２の電界効果トランジスタの少なくとも一部の上の応力層を選択的に薄層化するステップとを含む。 - 特許庁

The subject is solved by the method for producing the multi-level transmission waveform having a step for producing a first voltage level responding to a first switch, a step for producing a second voltage level responding to a second switch, and a step for outputting one transmission waveform having at least three different non-zero peak amplitudes from a first transformer depending on time and responding to the two steps.例文帳に追加

上記課題は、第１スイッチに応答して、第１の電圧レベルを生成するステップと、第２スイッチに応答して、第２の電圧レベルを生成するステップと、時間に依存して、前記２つのステップに応答して、第１のトランスから、少なくとも３つの相異なる非零ピーク振幅を有する１つの伝送波形を出力するステップとを有する、多値レベル伝送波形を生成する方法により解決される。 - 特許庁

In an embodiment, a method for controlling the playback of the music includes steps of: initiating the playback of a first music track; stopping the playback of the first music track; initiating the playback of an alternative audio content; stopping the playback of the alternative audio content; and determining whether to initiate the playback of the first music track or to initiate the playback of a second music track.例文帳に追加

音楽の再生を制御するための方法は、一実施形態において、第１の音楽トラックの再生を開始するステップ、第１の音楽トラックの再生を停止するステップ、別オーディオコンテンツの再生を開始するステップ、別オーディオコンテンツの再生を停止するステップ、及び第１の音楽トラックの再生を開始すべきかそれとも第２の音楽トラックの再生を開始すべきかを決定するステップを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of an inductor comprises the steps of: supplying the first ferromagnetic plate, the second ferromagnetic plate, and the conductor; placing the conductor between the first ferromagnetic plate and the second ferromagnetic plate; adhering the first ferromagnetic plate to the second ferromagnetic plate with a composition 32 containing the adhesive and the magnetic powder so as to form the magnetic gap; and magnetizing the inductor.例文帳に追加

インダクタの製造方法は、第１強磁性体プレートと第２強磁性体プレート、およびコンダクタを供給する処理と、第１強磁性体プレートと第２強磁性体プレートの間にコンダクタを配置する処理と、接着剤と磁性粉を含む組成物３２によって、磁気ギャップを形成するように第１強磁性体プレートを第２強磁性体プレートに接着する処理と、インダクタを磁化する処理を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a shaped substrate with curved surface includes the steps of providing a textured substrate with planar surface with one or more of first textured buffer layers, subjecting the substrate covered with the first buffer layers to a shaping step, and providing a second textured buffer layer onto the first buffer layers by epitaxial growth.例文帳に追加

曲がった面を備えた、形状を変化させた基板を作成する方法であって、一つまたは複数のバッファ層を備え、平面を備えたテクスチャ化された基板を供給するステップと、最初のバッファ層で被覆された該基板の形状を変化させるステップと、エピタキシャル成長によって、最初のバッファ上に、テクスチャ化された第２のバッファ層を供給するステップとを含む、形状を変化させた基板を作成する方法。 - 特許庁

The exposure method of exposing a wafer to a device pattern of a reticle includes the steps of: arranging the reticle at a first angle and measuring first flatness of the reticle; arranging the reticle at a second angle and measuring second flatness of the reticle; and determining a setting angle of the reticle during exposure based upon measurement results of the first flatness and second flatness.例文帳に追加

本発明の露光方法は、レチクルのデバイスパターンをウエハに露光する露光方法であって、前記レチクルを第１の角度で配置して該レチクルの第１の平面度を測定する工程と、前記レチクルを第２の角度で配置して該レチクルの第２の平面度を測定する工程と、前記第１の平面度及び前記第２の平面度の測定結果に基づいて露光時における該レチクルの設定角度を決定する工程とを有する。 - 特許庁

The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.例文帳に追加

フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

The data sorting method has steps of: storing data in a first data storage part; storing data sorting information in a stack; and reading out data stored in the first data storage part and storing this data in a second data storage part on the basis of data sorting information stored in the stack.例文帳に追加

本発明のデータ並び替え方法は，ａ）第１のデータ格納部にデータを格納するステップと，ｂ）スタックにデータ並べ替え情報を格納するステップと，ｃ）第１のデータ格納部に格納されたデータを読み出し，このデータをスタックに格納されたデータ並び替え情報に基づいて第２のデータ格納部に格納するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The method for observing effect of a mammals' treatment composition includes the steps of (i) measuring the first PAK phosphorylation level of first biopsy obtained from the mammals before the administration of a treatment composition to the mammals and (ii) measuring the second PAK phosphorylation level of the next biopsy obtained from the mammals after the administration of a treatment composition.例文帳に追加

哺乳類の治療組成物の効果を観察する方法は、（ｉ）治療組成物の哺乳類への投与前にその哺乳類から得た第１の生検の第１のＰＡＫリン酸化レベルを測定することと、（ｉｉ）その治療組成物の投与後にその哺乳類から得た次の生検の第２のＰＡＫリン酸化レベルを測定することを含む。 - 特許庁

The method includes steps selecting a communication protocol among the plurality of communication protocols; retrieving, from a first memory, information for accessing the device using the selected communication protocol; and accessing the device using the selected communication protocol and the information retrieved from the first memory.例文帳に追加

その方法は、複数の通信プロトコルの中から通信プロトコルを選択する段階と、選択された通信プロトコルを用いて前記装置にアクセスするための情報を第１メモリから検索する段階と、前記第１メモリから検索された前記情報と前記の選択された通信プロトコルとを用いて前記装置にアクセスする段階とから構成される。 - 特許庁

A method includes steps of: preparing a laminated body which sandwiches a product part consisting of at least one product between first metal plates; forming a laminated construction in which second metal plates and cushion materials having a hole on at least one part thereof are arranged outside of the first metal plates; and heating and pressurizing the laminated construction.例文帳に追加

少なくとも１枚の製品からなる製品部分の上下を第１の金属板で挟持した積層物を準備する工程と、前記上下の第１の金属板の外側に第２の金属板と少なくとも一部に穴を設けたクッション材を配置した積層構成物を作成する工程と、それを加熱加圧する工程とを備える。 - 特許庁

This method includes the steps of laser-forming a blind, inwardly-tapering transition opening into a first side surface of the workpiece, and EDM-forming a generally cylindrical through-hole to a second, opposing side surface of the workpiece communicating with the inwardly-tapering transition opening to form a through cooling hole 14 communicating with the first and second side surfaces of the workpiece.例文帳に追加

本方法は、加工物の第１の側面内にブラインド内向きテーパ移行開口部をレーザ形成する段階と、内向きテーパ移行開口部と連通したほぼ円筒形貫通孔を加工物の第２の対向する側面にＥＤＭ形成して、該加工物の第１及び第２の側面と連通した貫通冷却孔１４を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This method of matching the brightness of a plurality of lamps driven by an A.C. drive current comprises the steps of: selecting a first one of the lamps having a lowest brightness; and reducing the A.C. drive current carried to a second lamp periodically so as to reduce the brightness of the second lamp to match that of the first lamp.例文帳に追加

ＡＣ駆動電流によって駆動される複数のランプの輝度を整合する方法は、前記ランプの中から最も低い輝度を有する第１のランプを選択するステップと、第２のランプに流れるＡＣ駆動電流を周期的に減少させ、それによって、第２のランプの輝度を減少させ、第１のランプの輝度に整合させるステップとを備える。 - 特許庁

The hologram recording method comprises at least a first step of producing a latent image upon holographic exposure, and a second step of forming an interference fringe by amplifying the latent image, wherein the first and second steps are dry processing; particularly, the second step is a step of causing the the refractive index modulation by amplifying the latent image to form an interference fringe.例文帳に追加

少なくともホログラム露光により潜像を形成する第１の工程と、その潜像の増幅により干渉縞を形成する第２の工程を有し、それらを乾式処理にて行うことを特徴とするホログラム記録方法、特に、第２の工程が、その潜像を増幅して屈折率変調を行うことにより干渉縞を形成するホログラム記録方法。 - 特許庁

The method for molding an unsaturated polyester resin composition comprises the steps of disposing an unsaturated polyester resin composition 4 containing the resin and a low contracting agent including a three-dimensional polystyrene as an indispensable component in a space formed between first mold 1 and a second mold 2 movable to the first mold, and pressure molding it under a reduced pressure.例文帳に追加

不飽和ポリエステル樹脂組成物の成形方法は、第１の成形型とこの成形型に対して可動となった第２の成形型との間で形成された空間内に、不飽和ポリエステル樹脂と、３次元ポリスチレンを必須成分とする低収縮化剤とを含有してなる不飽和ポリエステル樹脂組成物を内在させ、減圧下で加圧成形する方法である。 - 特許庁

A manufacturing method of DLC film composed of a first layer and a second layer, including steps of forming the first layer, on the film-deposited substrate, by radical particles generated by the thermal decomposition of hydrocarbon raw gas and forming the second layer by ion particles generated in the plasma of the hydrocarbon raw gas.例文帳に追加

炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第１層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする第１層および第２層から構成されるＤＬＣ膜の製造方法。 - 特許庁

The method comprises the steps of initially transmitting a broadcast physical layer packet according to a fixed transmission format for at least one first slot interval; and retransmitting the broadcast physical layer packet for at least one second slot interval, by using a variable transmission format different from the transmission format used in the first slot interval.例文帳に追加

少なくとも１つの第１のスロット期間の間に、固定送信形式に従ってブロードキャスト物理層パケットを初期送信するステップと、少なくとも１つの第２のスロット期間の間に、第１のスロット期間で使用された送信形式とは異なる可変送信形式を用いてブロードキャスト物理層パケットを再送信するステップと、を有する。 - 特許庁

A method of assembling a stator assembly includes the steps of: providing a vane; providing a first fairing; providing a second fairing located near the second side of the vane, the second fairing having a second seal coupled to the second edge portion of the second fairing; and engaging a portion of the first seal with a portion of the second seal.例文帳に追加

ステータ組立体を組立てる方法は、ベーンを準備するステップと、第１のフェアリングを準備するステップと、ベーンの第２の側面に近接して設置されかつその第２のエッジ部分に結合された第２のシールを有する第２のフェアリングを準備するステップと、第１のシールの一部分を第２のシールの一部分と係合させるステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the flange includes steps for: preparing a laminate having a first metal layer composed of an Al-based material and a second metal layer joined to the first metal layer and composed of a Ti-based material; and forming a seal layer having a mounting face and an annular edge formed on the mounting face by processing the second metal layer.例文帳に追加

本発明に係るフランジの製造方法は、Ａｌ系材料からなる第１の金属層と、第１の金属層に接合されたＴｉ系材料からなる第２の金属層とを有する積層体を準備し、第２の金属層を加工することで、取付面と前記取付面に形成された環状のエッジ部とを有するシール層を成形する。 - 特許庁

A method for managing vertical format converter (VFC) line memories includes the steps of: writing a number of first input video lines into the VFC line memories 62; writing an additional video line into the VFC line memories 62; and reading respective pixels of the first input video lines and the additional input video line from the VFC line memories 62 in parallel.例文帳に追加

垂直フォーマットコンバータ（ＶＦＣ）ラインメモリを管理するための方法は、多数の第一の入力ビデオラインをＶＦＣラインメモリ６２に書き込むステップ、更なる入力ビデオラインをＶＦＣラインメモリ６２に書き込むステップ、及びＶＦＣラインメモリ６２からの第一の入力ビデオライン及び更なる入力ビデオラインのそれぞれの画素を並列に読み出すことを含んでいる。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method for forming the multi-color image comprises the steps of forming a first image forming layer containing at least one type of dye precursors represented by formulae (1) to (3) and a deblocking material for generating a dye by reacting with the precursor, and a second image forming layer exhibiting a hue different from that of the first image forming layer.例文帳に追加

支持体表面に、下記一般式（１）〜（３）で表される色素前駆体と前記色素前駆体と反応して色素を発生する脱保護材とをそれぞれ少なくとも１種含む第１の画像形成層と、前記第１の画像形成層とは異なる色相を呈する第２の画像形成層と、を有することを特徴とする多色画像形成方法。 - 特許庁

With respect to a difference absolute value between an average signal value of a block with a predetermined size including a defective pixel detection target pixel and a signal value of the defective pixel detection target pixel, it is determined whether or not the defective pixel detection target pixel is a defective pixel with a first threshold and a second threshold which is larger than the first threshold (steps ST 1 to ST 6).例文帳に追加

欠陥画素検出対象画素を含む所定サイズのブロックの平均信号値と、欠陥画素検出対象画素の信号値との差分絶対値に対して、第一のしきい値と第一のしきい値より大きい第二のしきい値とによって欠陥画素検出対象画素が欠陥画素であるか否かを判定する（ステップＳＴ１〜ＳＴ６）。 - 特許庁

A method for injection molding comprises the steps of molding product halves 5 and 6 on mating surfaces of first to third molds 1, 2 and 3 by matching the molds in series, then retarding the central second mold 2, thereafter butting the first and third molds 1 and 3, secondarily matching the molds 1 and 3, and secondarily injecting to adhere the butted halves 5 and 6 to manufacture the product 7.例文帳に追加

第一〜第三金型１、２、３を一連状に型合せして欠く合わせ面に製品半部５、６を型成形した後、中央の第二金型２を退去させ、しかる後、第一、第三金型１、３を突き合わせて二次の型合わせをし、そして突き合わされた製品半部５、６同志を接着する二次の射出をして製品７を製造する。 - 特許庁

This method includes: the step S101 of recording a music file containing image data in a recording medium; and steps S110 and S116 for allocating the image data to the ID 3 tag area of a music file group on the basis of a second key item when a set first key item matches the first key item of the music file recorded beforehand.例文帳に追加

画像データを含む音楽ファイルを記録媒体に記録するステップＳ１０１と、設定された第１のキー項目と、予め記録されている音楽ファイル群の第１のキー項目とが一致した場合に、第２のキー項目に基づき、前記音楽ファイル群のＩＤ３タグ領域に前記画像データの割当処理をするステップＳ１１０、Ｓ１１６とを有する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加

この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method includes such steps as flowing of oxygen by a first amount, flowing of deuterium by a second amount to form a vapor oxide with the oxygen of the first amount, inserting of a silicon substrate comprising an upper surface into the vapor oxygen, and raising the temperature of the silicon substrate in the vapor oxide to form a dielectrics layer on the upper surface.例文帳に追加

この方法は、第１の量の酸素を流し；第２の量の重水素を流して、前記第１の量の酸素と酸化蒸気を形成し；上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し；前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備える。 - 特許庁

The method includes the steps of acquiring a location ID of a destination of a write operation, preserving the location ID in an available entry of the array, wherein the entry is identified by an array pointer having a first value, and changing the first value of the array pointer into a second value in order to identify other available array entries.例文帳に追加

書込み操作の宛先の位置ＩＤを取得するステップと、アレイの使用可能な項目に前記位置ＩＤを保管するステップであって、前記項目が第１の値を有するアレイ・ポインタによって識別されるステップと、他の使用可能なアレイ項目を識別するために前記アレイ・ポインタの前記第１の値を第２の値に変更するステップとを有する。 - 特許庁

The forming method of the capacitor storage node of the semiconductor device comprises the steps of providing a semiconductor substrate on which an interlayer insulating film is formed, forming a first contact hole, forming a first insulating film, forming the storage node contact plug, depositing a second insulating film, depositing a third insulating film, forming a second contact hole, and depositing the storage nodes.例文帳に追加

層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供するステップと、第１コンタクトホールを形成するステップと、第１絶縁膜を形成するステップと、ストレージノードコンタクトプラグを形成するステップと、第２絶縁膜を蒸着するステップと、第３絶縁膜を蒸着するステップと、第２コンタクトホールを形成するステップと、ストレージノードを蒸着するステップとを含む。 - 特許庁

The method of forming an electronic device such as a MOS transistor and the like includes the steps of forming a plurality of semiconductor islands 31, 35 on a substrate 10, printing a first dielectric layer 60 on or over a first subset 31 of the semiconductor islands, and optionally printing a second dielectric layer 65 on or over a second subset 35 of the semiconductor islands.例文帳に追加

基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated steel sheet comprises the steps of: laminating a first steel sheet so as to be introduced into a projection region of a second steel sheet; fixedly disposing the first and second steel sheets on separate mounting surfaces, irradiating the surface of the second steel sheet with a laser beam; and thereby manufacturing the laminated steel sheet including at least one zinc-plated steel sheet.例文帳に追加

第１の鋼板を第２の鋼板の投影領域内入るように重ね合わせるとともに、第１の鋼板と第２の鋼板とをそれぞれ別の搭載面に固定して配置し、第２の鋼板の表面にレーザビームを照射して、少なくとも一方が亜鉛系めっき鋼板から構成される重ね合わせ鋼板を製造する。 - 特許庁

The drying process is divided into a plurality of steps, and in a first step S1, the center temperature of the honeycomb molded object reaches at least the curing start temperature of the binder from the start of drying, wherein the output of the microwave for irradiating the honeycomb molded object in the first step S1 is set higher than the output of the microwave of the subsequent step.例文帳に追加

乾燥工程では、該乾燥工程を複数のステップに分け、乾燥開始からハニカム成形体の中心部の温度が少なくともバインダの硬化開始温度に達するまでを第１ステップＳ１とし、第１ステップＳ１においてハニカム成形体に照射するマイクロ波出力を、その後のステップのマイクロ波出力よりも高く設定する。 - 特許庁

The method includes the steps of forming a dielectric layer over a substrate with a first electrode or a bare metallic foil, depositing a top conductive layer over the dielectric layer, and annealing the dielectric layer and the top conductive layer, wherein the foil or first electrode, the dielectric, and the conductive layer form a capacitor.例文帳に追加

本発明の方法は、第１の電極または裸の金属箔を有する基板の上に誘電体層を形成するステップと、誘電体層の上に上部導電層を堆積するステップと、誘電体層および上部導電層をアニールするステップとを含み、箔または第１の電極、誘電体、および導電層がコンデンサを形成する。 - 特許庁

The method further comprises steps of removing a part included in the region 52 of the first insulating film 13A, and forming a second gate insulating film 15B, made of an acid nitride film having a thickness smaller than that of the first film 13A on the region 52 by heat-treating the substrate 11 in an acid nitride atmosphere.例文帳に追加

次に、第１のゲート絶縁膜１３Ａの第２の素子形成領域５２に含まれる部分を除去し、半導体基板１１に対して酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２の素子形成領域５２上に膜厚が第１のゲート絶縁膜１３Ａよりも小さい酸窒化膜からなる第２のゲート絶縁膜１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

In forming a contact plug 3 through chemical mechanical polishing of a first interlayer insulating film 4 and the conductive material, the method comprises steps of performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority, performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the first interlayer insulating film has a priority, and performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４および導電材料を化学機械研磨してコンタクトプラグ３を形成するに際して、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、第１層間絶縁膜研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程とを有する。 - 特許庁

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C.例文帳に追加

アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０^18ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an amorphous layer 13 partially on a silicon substrate 11 having a first plane orientation; and irradiating the amorphous layer 13 with microwaves to convert the amorphous layer 13 into a crystal layer having a first plane orientation.例文帳に追加

本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

This color photoresist removal method includes steps for: removing the color photoresist on a substrate formed with given elements in the first plasma etching process; conducting wet cleaning after the first plasma etching process; and completely removing residual color photoresist in the second plasma etching process after the wet cleaning.例文帳に追加

本発明のカラー・フォトレジストの除去方法は所定の素子が形成された基板の上のカラー・フォトレジストを第１プラズマエシング工程でとり除く段階と；前記第１プラズマエシング工程の後、湿式クリーニングを行う段階と；及び前記湿式クリーニング後第２プラズマエシング工程で残留カラー・フォトレジストを完全にとり除く段階を含んで成り立つに技術的特徴がある。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing solder bumps comprises steps of: forming a first protrusion 311 extending upwardly from a contact pad 102 of a semiconductor chip 101; forming a second protrusion 312 extending upwardly from a ball pad of a mounting substrate 109; and forming the first protrusion 311 and second protrusion 312 within the solder material.例文帳に追加

ソルダバンプ製造方法において、半導体チップ１０１の接続パッド１０２から上向きに延びる第１突起部３１１を形成する段階と、実装基板１０９のボールパッドから上向きに延びる第２突起部３１２を形成する段階と、第１突起部３１１及び第２突起部３１２をソルダ物質内に形成する段階を有する。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of judging that a connection related to the terminal is to be at least partially canceled in one of the first and the second communication network layers, and transferring the judgement from one communication network layer wherein that judgement is made, through an interface between the first and the second communication network layers to the other communication network layer.例文帳に追加

第１及び第２通信ネットワーク層の一方においてターミナルに関連した接続の少なくとも一部分を解除すべきであると判断し、そして判断を、その判断がなされた一方の通信ネットワーク層から、第１及び第２の通信ネットワーク層間のインターフェイスを経て、他方の通信ネットワーク層へ転送するという段階を備える。 - 特許庁