「First steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for driving a spindle motor using adaptive feedforward control includes the steps of: detecting a temperature of a drive; calculating a feedforward control value corresponding to the detected temperature, and generating a first control signal that is a drive current according to the calculated feedforward control value and applying the generated first control signal to the spindle motor.例文帳に追加

ドライブの温度を検出するステップと、検出された温度に対応するフィードフォワード制御値を演算するステップと、演算されたフィードフォワード制御値による駆動電流の第１制御信号を生成して、これをスピンドルモータに印加するステップと、を含む適応的フィードフォワード制御を利用したスピンドルモータの駆動方法である。 - 特許庁

Further, the element region is peeled off from the substrate and provided on a first support with high toughness, and a liquid crystal element is clamped between the first support and a second support with high toughness so as to provide this thin, light-weight, and break-proof light-emitting display device with a significantly reduced manufacturing steps at the low cost.例文帳に追加

更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 - 特許庁

The method includes the steps of: coupling a module to the carrier board; determining, by the carrier board, a type of the module; and providing power to the module based on the module type such that a voltage component of the power is one of a first voltage and a second voltage that is different from the first voltage.例文帳に追加

方法は、モジュールをキャリアボードに結合するステップと、キャリアボードによってモジュールのタイプを判定するステップと、電力の電圧成分が、第１の電圧および第１の電圧とは異なる第２の電圧のうちの一方となるように、モジュールタイプに基づいてモジュールに電力を供給するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

A technique is provided for the user interface which includes steps of determining whether a first received touch input is for use in GUI setting; determining a GUI setting mode; and activating at least one or above GUI elements for control of game play, in response to the GUI-setting mode by using the received first touch input.例文帳に追加

受信された第１タッチ入力がＧＵＩ設定のためのタッチ入力であるかを判定し、ＧＵＩ設定モードを決定し、受信された第１タッチ入力がＧＵＩ設定モードに対応してゲームプレイ制御のための１つ以上のＧＵＩ要素を活性化するユーザインターフェース提供技術を提案する。 - 特許庁

The method includes the steps of: a DM client receiving from a DM server a first message used for extracting an object; dividing the object into a plurality of chunks and responding to the received first message; and transmitting each of the chunks to the DM server while utilizing a second message.例文帳に追加

ＤＭクライアントは、オブジェクトを取り出すために用いる第１のメッセージをＤＭサーバから受信するステップと、ＤＭクライアントは、オブジェクトを複数のチャンクに区分化し、受信した第１のメッセージに応答するステップと、ＤＭクライアントは、第２のメッセージを利用したチャンクのそれぞれをＤＭサーバへ送信するステップと、を含む。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a first alignment key on a substrate; forming a material film covering the first alignment key; forming an opaque film on the material film; and lowering a light absorption coefficient of the opaque film by executing an ion implanting step into the opaque film.例文帳に追加

この方法は、基板上に第１アライメントキーを形成する段階と、前記第１アライメントキーを覆う物質膜を形成する段階と、前記物質膜上に不透明膜を形成する段階と、前記不透明膜にイオン注入工程を実施して不透明膜の吸光係数を低くする段階とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing an organic EL element includes steps of: forming first electrodes 111 on a substrate 2; forming, on the first electrodes 111, organic functional layers 110 each having at least an organic luminescent layer 70; and forming second electrodes 12 on the organic functional layers 110.例文帳に追加

基板２上に第１の電極１１１を形成する工程と、第１の電極１１１上に少なくとも有機発光層７０を有してなる有機機能層１１０を形成する工程と、有機機能層１１０上に第２の電極１２を形成する工程と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法である。 - 特許庁

The process for producing a pigment dispersion has steps of supplying a first liquid comprising a solution of a water-soluble metal salt and a second liquid comprising a solution of a dye of general formula 1 or 2, and mixing under stirring the supplied first and second liquids to convert the dye into a pigment to thereby form dispersed pigment particles.例文帳に追加

水溶性金属塩の溶液である第１の液と、一般式１または２の染料の溶液である第２の液とを各々供給するとともに、供給された第１の液と第２の液とを攪拌混合して染料を顔料化し、顔料分散粒子を生成する工程を有する顔料分散物の製造方法。 - 特許庁

A menu display method for a mobile terminal includes the steps for: managing a first register and a second register; logically operating a value of the first register and a value of the second register and determining whether or not the selected menu is to be deactivated; and displaying the menu on a display device of the terminal based on the determination.例文帳に追加

移動通信端末機のメニュー表示方法は、第１レジスタ及び第２レジスタを管理する過程と、第１レジスタ値及び第２レジスタ値を論理演算して選択されたメニューの非活性化可否を判断する過程と、前記判断によって端末機の表示装置にメニューを表示する過程と、を含む。 - 特許庁

The phase shifter having an annular step around an optical axis as a center is provided on one surface of the objective lens and the phase shifter is constituted of steps in a range of 1.01 to 1.13 λ_1 to light having the first wavelength when an absolute value of the phase difference is expressed in terms of a distance and when the first wavelength is defined as λ_1.例文帳に追加

対物レンズの片面には、光軸を中心とする輪状の段差部を備える位相シフタが設けられ、この位相シフタは第１の波長の光に対して、第１の波長をλ_1とするとき、位相差の絶対値が距離に換算した場合に、１．０１λ_1から１．１３λ_1の範囲の段差で構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the GaN-based LED element includes the steps of forming a first TCO film on a surface of a p-type GaN-based semiconductor layer by a vapor deposition method; and forming a second TCO film continuously from on the surface of the p-type GaN-based semiconductor layer to on a surface of the first TCO film by a sputtering method.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a stacked oxide material includes steps of: forming an oxide member over a base member; forming a first oxide crystal member which grows from a surface toward the inside of the oxide member by applying heat treatment thereto; and stacking a second oxide crystal member over the first oxide crystal member.例文帳に追加

下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。 - 特許庁

Then, the diffraction optical element (100) has steps including a first plane (141) in which the end face (14) extends in the pitch direction, and a second plane (142) which intersects with the first plane (141).例文帳に追加

そして、回折光学素子（１００）は端面（１４）がピッチ方向に伸びる第１平面（１４１）とこの第１平面（１４１）と交差する第２平面（１４２）とを含む階段を有し、基準波長をｄ線（５８７．６ｎｍ）とし、２枚の光学部材（１１、１２）のｄ線の屈折率差をΔＮｄとすると、以下の条件を満たす。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor element includes steps of: forming the first element; forming the silicon epilayer on the upper side of the first element; forming the connection via penetrating the silicon epilayer; and forming the second element formed on the silicon epilayer, and electrically connected to the connection via.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、第１素子が形成される段階、第１素子の上側にシリコンエピ層が形成される段階、シリコンエピ層を貫通する連結ビアが形成される段階、及びシリコンエピ層上に形成されて連結ビアと電気的に連結される第２素子が形成される段階を含む。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

The method of fabricating the duplexer utilizing an air-gap type FBAR includes the steps of: fabricating a first substrate part in which a plurality of layered resonance parts are formed; fabricating a second substrate part in which a plurality of air gaps and an isolation part formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

In an embodiment, the data management method includes the steps of: testing for the presence/absence of the controller module 340 through a first data port using the processor 330; and testing for the presence/absence of the controller module 340 through a second port if the controller module 340 is not found through the first port.例文帳に追加

一実施形態において、データ管理方法は、プロセッサ３３０を用いて、第１のデータ・ポートを通じてコントローラ・モジュール３４０の有無をテストするステップと、第１のデータ・ポートを通じて、コントローラ・モジュール３４０が見つけられない場合には、第２のデータ・ポートを通じて、コントローラ・モジュール３４０の有無をテストするステップと、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor substrate includes the steps of: forming a first SiGe layer with a thickness of 10 to 200nm; applying anneal processing to the substrate at a temperature of 900°C; and forming a second SiGe layer with a thickness of 10 to 300nm on the first SiGe layer.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１のＳｉＧｅ層を厚さ１０〜２００ｎｍで形成する工程と、前記基板を９００℃以上でアニール処理する工程と、前記第１のＳｉＧｅ層上に、第２のＳｉＧｅ層を厚さ１０〜３００ｎｍで形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

A method for making an interconnect structure includes the steps of: applying a first metal layer 24 to an electronic device 18, wherein the electronic device 18 comprises at least one I/O contact 23 and the first metal layer 24 is located on a surface of the I/O contact 23; and applying a removable layer 26 to the electronic device 18.例文帳に追加

電子デバイス１８に第１の金属層２４を適用する段階であって、電子デバイス１８は１以上のＩ／Ｏコンタクト２３を含み、第１の金属層２４はＩ／Ｏコンタクト２３の表面上に配置される段階と、電子デバイス１８に取外し可能な層２６を適用する段階とを含んでいる。 - 特許庁

The method comprises the steps of: cleaning an etching residue of the workpiece remaining on the etched pattern with a first chemical liquid; rinsing the workpiece subjected to cleaning with the first chemical liquid with a rinse liquid; and applying an application liquid designed to form an insulating film to the workpiece subjected to rinsing.例文帳に追加

前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。 - 特許庁

The fixed part 52 is equipped with the first armature 523 which generates rotating torque between itself and the first annular part 511 of the rotating part 51 by electromagnetic induction, and the second armature 524 which drives the rotating part 51 by steps by generating torque between itself and the second annular part 512 of the rotating part 51, according to pulse signals.例文帳に追加

固定部５２は、電磁誘導により回転部５１の第１環状部５１１との間に回転トルクを発生する第１電機子５２３、および、パルス信号に応じて回転部５１の第２環状部５１２との間にトルクを発生することにより回転部５１をステップ駆動する第２電機子５２４を備える。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing method comprises the steps of forming a first high-melting metal film 5 on a semiconductor substrate, forming a second high-melting metal film 6A having a reactant 7 of a high-melting metal nitride on the first high-melting metal film, and forming a silicon nitride film 8 on the second high-melting metal film.例文帳に追加

半導体基板上に第一の高融点金属膜５を形成する工程と、前記第一の高融点金属膜上に高融点金属窒化物の反応物７を持つ第二の高融点金属膜６Ａを形成する工程と、前記第二の高融点金属膜上にシリコン窒化膜８を形成する工程とからなる。 - 特許庁

In the flow control valve, out of positioning steps 28 and 30 for positioning a first pipe joint 10 or a second pipe joint 12 inserted therein, at least the positioning step 28 has an inside diameter D set smaller than an inside diameter E of the first pipe joint 10 abutting against the positioning step 28.例文帳に追加

流量制御弁において、第１のパイプ継手１０または第２のパイプ継手１２を挿入して位置決めする位置決め段部２８、３０のうち、少なくとも位置決め段部２８の内径Ｄは、この位置決め段部２８に当接する前記第１のパイプ継手１０の内径Ｅよりも小さく設定したことを特徴としている。 - 特許庁

On the other hand, the manufacturing method of the duplexer utilizing the air gap type FBAR includes the steps of: manufacturing a first substrate part wherein a plurality of laminated resonant parts are produced; manufacturing a second substrate part wherein a plurality of air gaps and isolation parts formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

A display control method of a communication device disclosed herein includes the steps of: displaying a real-time image captured by an imaging apparatus on a first display unit; storing the real-time image according to a user command; and displaying the real-time image on the first display unit and the stored image on a second display unit.例文帳に追加

本発明に係る通信端末機は、撮像装置が捉えているリアルタイム画像を第１表示部に表示する段階と、ユーザの撮像命令に従い前記リアルタイム画像を保存する段階と、前記第１表示部に前記リアルタイム画像を、第２表示部に前記保存画像を表示する段階と、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of first partitioning an inspecting hole forming region 10 in a non-functional region 11b different from an element forming region 11a of a semiconductor wafer 11, and forming a first insulating film 12 having a thickness and a composition equivalent to those of an interlayer insulating film of the region 11a on the region 10.例文帳に追加

まず、半導体ウエハ１１の素子形成領域１１ａとは異なる非機能領域１１ｂに検査用ホール形成領域１０を区画し、検査用ホール形成領域１０に、素子形成領域１１ａの層間絶縁膜と厚さ及び組成が同等の第１の絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

This method for managing a telephone book in a portable terminal (200) including a first telephone book (241) and a second telephone book (221) includes following steps, that is, a step (61) for detecting whether or not a user has changed information included in the first telephone book (241) and a step (66) for copying the changed information to the second telephone book (221).例文帳に追加

本発明は、以下の段階を含む、第1の電話帳（241）および第2の電話帳（221）を含む移動端末（200）における電話帳を管理する方法に関する：第1の電話帳（241）に含まれる情報をユーザが変更したかどうかを検出する段階（61）；および変更された情報を第2の電話帳（221）にコピーする段階（66）。 - 特許庁

When a lower electrode, first, second, and third ferroelectric films, and an upper electrode are formed in order (steps S1 to S5), the first and third ferroelectric films are formed thinner than the second ferroelectric film by adding predetermined elements, and the second ferroelectric film is formed without adding such elements.例文帳に追加

下部電極、第１，第２，第３の強誘電体膜および上部電極を順に形成する際（ステップＳ１〜Ｓ５）、第１，第３の強誘電体膜は、所定の元素を添加して、第２の強誘電体膜より薄く形成し、第２の強誘電体膜は、そのような元素を添加せずに形成する。 - 特許庁

The dielectric device manufacturing method comprises the steps of: forming a dielectric layer 3 made of an oxide on a first electrode layer 2 made of a metal; forming an etching mask 4 on the dielectric layer 3; and etching the dielectric layer 3 through the etching mask 4 by means of plasma of CHF_3-containing etching gas to expose the first electrode layer 2.例文帳に追加

金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 - 特許庁

When a request for entering a critical section is received, while a first task of a plurality of tasks is executing exclusive processing in the critical section, from a second task that is another task, a task set determination part 201 determines whether the first task and the second task belong to the same task group or not (steps S100).例文帳に追加

複数のタスクのうち、第１のタスクがクリティカルセクションに入って排他的処理を実行しているときに、他のタスクである第２のタスクからクリティカルセクションに入ろうとする要求があった場合、タスク集合判定部２０１は、第１のタスクと第２のタスクとが同じタスク集合に属するか否かを判定する（ステップＳ１００）。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic apparatus in which a resist pattern 24 is provided on a first transistor 1 comprising a thin film transistor Tr, includes the steps: of applying and forming a resist film 22 on the first substrate while covering the thin film transistor Tr; and of forming the resist pattern 24 by performing exposing and developing processing upon the resist film 22.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴｒが設けられた第１基板１上にレジストパターン２４が設けられた電子機器の製造方法であり、薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で第１基板上にレジスト膜２２を塗布成膜し、このレジスト膜２２に対して露光および現像処理を行うことによりレジストパターン２４を形成する。 - 特許庁

The First and the Second Daigokuden of the Heijo-kyu Palace were significantly different in structure; the Hanyuan Hall of the Daming Palace in Chang'an at the time of the Tang Dynasty in China had a strong influence on the First Daigokuden, which had a large front garden and was built elevated one step from the garden, and this was in turn a prototype of the Ryubidan (stone steps of the Heiangu Palace to the south of Daigokuden). 例文帳に追加

平城宮大極殿は第一次と第二次とで大きく構造が異なり、第一次では唐長安大明宮含元殿の影響を受け、大極殿院が広い前庭を持ち、また大極殿は前庭から1段高い位置に建設されており、平安宮の龍尾壇（竜尾壇りゅうびだん）の原型といえる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for manufacturing the optical module includes the steps of first etching to form at least one or more grooves on the first surface of a wafer, and second etching to form at least one or more stopper holes so that the wafer is etched so as to penetrate from the second surface of the wafer.例文帳に追加

光学モジュールの製造方法は、ウェーハの第１面に少なくとも１つ以上の溝を形成する第１エッチング段階と、前記ウェーハの第２面から前記ウェーハが貫通するようにエッチングして少なくとも１つ以上のストッパホールを形成する第２エッチング段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a flexible display includes the steps of coating an adhesive on the first surface of a flexible substrate or a supporter, adhering the first surface of the flexible substrate to the supporter using the adhesive, and forming a thin film pattern on the second surface of the flexible substrate.例文帳に追加

本発明によれば、可撓性基板の第１面または支持体上に接着剤を塗布する段階、前記接着剤で前記可撓性基板の第１面と前記支持体とを接着する段階、及び前記可撓性基板の第２面上に薄膜パターンを形成する段階を含む可撓性表示装置の製造方法が開示される。 - 特許庁

The method includes the steps of constructing a 2n-many entry code in n-many bits with a reflected binary technique, and then selecting the last k-many ordered entries in the first half of the full reflected binary code, followed by the first k-many ordered entries in the second half of the full reflected binary code.例文帳に追加

反射２進技法によって、ｎ個のビットに２^ｎ個の項目コードを作成するステップと、次に、全反射２進コードの最初の半分において最後のｋ個の順序付き項目を選択し、その後、全反射２進コードのもう半分において最初のｋ個の順序付き項目を選択するステップが含まれる。 - 特許庁

A method of producing a three-dimensional photonic crystal by laminating a layer having a periodic structure is provided, the method including the steps of: forming a first structure and a second structure each including the layer having one or more periodic structures; and bonding the first structure and the second structure.例文帳に追加

周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。 - 特許庁

A method for operating the combustor includes steps for making a compressed working fluid flow through nozzles 32, 34 into the combustion chamber, making fuel flow through each nozzle in a first subset of the nozzles into the combustion chamber, and igniting and burning the fuel from each nozzle in the first subset of nozzles in the combustion chamber.例文帳に追加

燃焼器を作動させる方法は、ノズル３２、３４を通して燃焼チャンバ内に加圧作動流体を流すステップと、ノズルの第１のサブセットにおける各ノズルを通して燃焼チャンバ内に燃料を流すステップと、ノズルの第１のサブセットにおける各ノズルからの燃料を燃焼チャンバ内で点火燃焼させるステップとを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing stacked oxide material comprises steps of: forming an oxide member on a base member; forming a first oxide crystal member which is made crystal growth from a surface toward the inside of the oxide member by applying heat treatment; and stacking and forming a second oxide crystal member on the first oxide crystal member.例文帳に追加

下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。 - 特許庁

The method includes the steps of: reading the table of contents of a first session of the recording medium; checking whether more than one track is displayed as an audio track in the content table; and determining the format of the recording medium to be audio if at least one of the checking steps yields a positive result.例文帳に追加

記録媒体の最初のセッションのコンテンツテーブルを読み出すステップと、最初のセッションに２以上のトラックが存在しているかどうか、及び、コンテンツテーブルに少なくとも１つのトラックがオーディオトラックとして表示されているかどうかを確認するステップと、確認するステップのうちの少なくとも１つが肯定の結果だった場合は、記録媒体のフォーマットをオーディオに決定するステップとを備えている。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

An FFT circuit 100 comprises; a first FFT processing section 110 which performs (M-1) steps of FFT processing to two parallel 2^M-1 digital signals; a second FFT processing section 120 which performs (N-M+1) steps of FFT processing to 2^N digital signals; and a third FFT processing section 130 which performs one step of FFT processing to 2^Mdigital signals.例文帳に追加

ＦＦＴ回路１００は、２つの並列した２^Ｍ−１個のデジタル信号に対して（Ｍ−１）段のＦＦＴ処理を行う第１のＦＦＴ処理部１１０と、２^Ｎ個のデジタル信号に対して（Ｎ−Ｍ＋１）段のＦＦＴ処理を行う第２のＦＦＴ処理部１２０と、２^Ｍ個のデジタル信号に対して１段のＦＦＴ処理を行う第３のＦＦＴ処理部１３０とを有する。 - 特許庁

Methods (400, 500) for forming the active area or the flat panel (200, 300) in the X-ray detection device include steps (410, 510) for forming at least one flat shape factor panel of first dimensions on a substrate of second dimensions, and steps (412, 520) for extending at least one contact point of at least one flat shape factor panel.例文帳に追加

Ｘ線検出装置におけるアクティブ領域又はフラットパネル（２００、３００）を形成する方法（４００、５００）は、第１の寸法の少なくとも１つのフラット形状因子パネルを第２の寸法の基板上に形成する段階（４１０、５１０）と、少なくとも１つのフラット形状因子パネルの少なくとも１つの接点を延長する段階（４１２、５２０）とを含む。 - 特許庁

An exposure system 100 with a plurality of units contains a planning means for planning a processing step in each lot, a coupling means for coupling the processing steps which have been planned by the planning means, and relate to a first and second lot to be successively processed, and a control means for controlling the plurality of units based on the processing steps coupled by the coupling means.例文帳に追加

複数のユニットを有する露光装置１００は、各ロットに関して処理工程を計画する計画手段と、前記計画手段により計画された、連続して処理されるべき第１及び第２のロットに関する処理工程を結合する結合手段と、前記結合手段により結合された処理工程に基づいて、前記複数のユニットを制御する制御手段とを有する。 - 特許庁

The method includes steps for: interferometrically profiling a first surface of the test object with respect to a first datum surface; interferometrically profiling a second surface of the test object with respect to a second datum surface different from the first datum surface; providing a spatial relationship between the first and second datum surfaces; and calculating the geometric property based on the interferometrically profiled surfaces and the spatial relationship between the first and second datum surfaces.例文帳に追加

この方法は、第１基準面に対して、試験対象物の第１表面を干渉法によってプロファイルする工程と、第１基準面とは異なる第２基準面に対して、試験対象物の第２表面を干渉法によってプロファイルする工程と、第１基準面と第２基準面との間の空間的関係を提供する工程と、干渉法によってプロファイルした表面、並びに第１基準面と第２基準面との間の空間的関係に基づいて、試験対象物の幾何学的特性を計算する工程とを含む。 - 特許庁