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First stepsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1504件
A method of transmitting frames to an access terminal during handoff includes steps of: identifying a plurality of first frames with a first root identifier; identifying a plurality of second frames with a second root identifier; and transmitting the frames through a wireless link according to the root identifiers.例文帳に追加
ハンドオフ中にアクセス端末へフレームを送信する方法であって、第1のルート識別子を持つ複数の第1のフレームを識別することと、第2のルート識別子を持つ複数の第2のフレームを識別することと、ルート識別子に従って、無線リンクを介して前記フレームを送信することとを備える。 - 特許庁
The method for producing the novolak type phenol resin comprises the following steps: a first step of reacting the phenols with aldehydes in the presence of phosphoric acids in the heterogeneous system and a second step of adding a water-insoluble organic solvent and water after the first step and recovering the separated aqueous layer.例文帳に追加
フェノール類とアルデヒド類とを、リン酸類の存在下で不均一系反応させる第一工程と、前記第一工程後に非水溶性有機溶剤及び水を添加し、分離した水層を回収する第二工程とを有するノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁
This method includes a step 502 in which a substrate is applied with the electric current of a fixed current density over a first time, a step 504 in which the substrate is applied with fixed voltage having a reverse polarity over a second time and a step in which the first and second steps are repeated to fill a structure.例文帳に追加
本方法は、第1の時間にわたって基板に一定の電流密度を印可するステップ502と、第2の時間にわたって基板に一定の逆極性電圧を印可するステップ504と、第1及び第2のステップを繰り返して構造を充填するステップとを含む。 - 特許庁
Each first contacting member 31b positions the trays T of the second to fifth steps from the bottom of the first tray group G1 to their length direction, and each second contacting member 32b positions the trays T of the lowest step to the fourth step from the bottom of the second tray group G2 to their longitudinal direction.例文帳に追加
さらに、各第1当接部材31bは第1トレイ群G1の下から2段目乃至5段目のトレイTをその長さ方向に位置決めし、各第2当接部材32bは第2トレイ群G2の最下段乃至下から4段目のトレイTをその長さ方向に位置決めする。 - 特許庁
The writing method for a phase change memory comprises steps of: inputting a first writing pulse signal to the phase change memory to heat the phase change memory to a first temperature; and inputting a second writing pulse signal to the phase change memory to keep the phase change memory at a second temperature.例文帳に追加
相変化メモリの書き込み方法は、第一書き込みパルス信号を相変化メモリに入力して、相変化メモリを第一温度まで加熱する工程と、第二書き込みパルス信号を相変化メモリに入力し、相変化メモリを第二温度に維持する工程と、からなる。 - 特許庁
After the first lining is completed, a form for second lining is provided so that the work stage 40 is surrounded, the work stage 40 is allowed to rise in steps, and at the same time concrete is placed between a first lining concrete wall 81 and the form for second lining for secondary lining.例文帳に追加
1次覆工終了後は、作業ステージ40を囲むように2次覆工用型枠を設け、作業ステージ40を段階的に上昇させながら、1次覆工コンクリート壁81と2次覆工用型枠との間にコンクリートを打ち継ぎ2次覆工を行なう。 - 特許庁
The charging battery is charged after successively performing the following steps, that is, constant current charging (a step S2) by a first constant current value ICC1, constant current charging (a step S4) by a second constant current value ICC2 smaller than the first constant current value ICC1, and constant voltage charging (a step S5).例文帳に追加
第1の定電流値ICC1による定電流充電(ステップS2)と、第1の定電流値ICC1よりも小さい第2の定電流値ICC2による定電流充電(ステップS4)と、定電圧充電(ステップS5)とを順次に経て充電池を充電する。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention includes the steps of: forming the groove portion on the semiconductor substrate; forming a first separation film and a second separation film by growing the oxide film on a bottom surface of a first opening and a bottom surface of the groove portion; and forming the PiP capacitive element on the second separation film.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝部を形成し、第1の開口部の底面と溝部の底面に酸化膜を成長させて第1の分離膜及び第2の分離膜を形成し、第2の分離膜上にPiP容量素子を形成する工程を含む。 - 特許庁
The method further includes the steps of: uplink bearer data and control information from the subscriber station being first received by the relay station and then forwarded to the base station; downlink bearer data from the base station being first received by the relay station and then forwarded to the subscriber station.例文帳に追加
方法は、加入者局からのアップリンクベアラデータおよび制御情報が、まず中継局によって受信され、次いで基地局に転送されるステップと、基地局からのダウンリンクベアラデータがまず中継局によって受信され、次いで加入者局に転送されるステップとをさらに含む。 - 特許庁
Time interval TA1 from time T1 when first detection signal Hsync1 is outputted till time T2 when second detection signal Hsync2 is outputted from a sensor 60 following the first detection signal Hsync1 is determined, and then a speed variation is determined from a variation in the time interval (steps S3-S6).例文帳に追加
第1検知信号Hsync1が出力された時刻T1から該第1検知信号Hsync1に続いてセンサ60から第2検知信号Hsync2が出力された時刻T2までのインターバル時間TA1を求めて、該インターバル時間の変動から速度変動を求める(ステップS3〜S6)。 - 特許庁
In this case, the second step for covering the Si surface exposed by the rare hydrofluoric acid of the first step with the chemical oxide film and the third step for removing water on the surface are added between the first and the fourth steps which have been conducted in a related art.例文帳に追加
これは、従来より行われている第1の工程と第4の工程との間に、第1の工程の希フッ酸洗浄で露出するSi面を化学酸化膜で被覆する第2の工程と、その表面の水分を除去する第3の工程とを追加したものである。 - 特許庁
The noise level of first image data corresponding to a predetermined region in image data outputted from an imaging means is calculated (step S303) and in accordance with the calculated noise level of the first image data (step S305), the noise of the imaging means is eliminated (steps S306, S307).例文帳に追加
撮像手段から出力される画像データのうち所定領域に該当する第1の画像データのノイズレベルを算出し(ステップS303)、算出される第1の画像データのノイズレベルに応じて(ステップS305)、撮像手段のノイズを除去する(ステップS306、307)。 - 特許庁
This method comprises the steps of detecting the ambient temperature in the air conditioning space, operating to defrost hot cargos when the ambient temperature in the air conditioning space is higher than a set temperature, and starting a first defrosting cycle to remove condensate from the evaporator coil and terminating the first defrosting cycle.例文帳に追加
空調空間の気温を検出すること、空調空間の気温が設定温度より高いとき、温かい積荷除霜を作動可能にすること、蒸発器コイルから凝縮物を取り除くために第1の除霜サイクルを始め、第1の除霜サイクルを終了することを含む方法を用いる。 - 特許庁
If the formation of the first dye film 21a and the formation of the second dye film 21b are performed by separate steps in the manner described above, the simultaneous use of the first organic dye and the second organic dye as a material for the recording layer is made possible even if both the organic dyes do not dissolve in the same solvent.例文帳に追加
このように、第1色素膜21aの形成と第2色素膜21bの形成とを別工程により行えば、第1の有機色素と第2の有機色素とが同一の溶媒に溶解しない場合であっても、これらを記録層の材料として同時に用いることが可能となる。 - 特許庁
The method comprises: a rectangle approximation step S30 of approximating a planned pattern by rectangles to generate a rectangle approximation pattern; steps S40, S50 of generating a first correction pattern based on the rectangle approximation pattern; and a step S60 of generating an irradiation pattern by enlarging the first correction pattern by a process bias Δ.例文帳に追加
計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程S30と、矩形近似パターンに基いて第1補正パターンを生成する工程S40,S50と、第1補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、照射パターンを生成する工程S60と、を具備する。 - 特許庁
A method for manufacturing the pneumatic tire comprises the steps of laminating an unvulcanized tread 12 on a outer peripheral surface of a band assembly 24, then first pressing the bottom of a first groove 26 and the bottom of a second groove 28 by a groove bottom stitcher roll 30, and pushing out air near the bottom of the groove between the tread 12 and the assembly 12.例文帳に追加
未加硫のトレッド12をバンド組立体24の外周面に貼り付けた後、先ず最初に第1の溝26の溝底、及び第2の溝28の溝底を溝底ステッチャーロール30で押圧し、未加硫のトレッド12とバンド組立体24との間の溝底付近のエアを押し出す。 - 特許庁
The inner peripheral surface of the open leg part 110 is formed with a first step part 15a and a second step part 15b, and a part of the open leg part adjacent to the head part 12 is formed thick, and a part thereof adjacent to the female screw 13 is formed thin, and a part between the first and the second steps is formed at a middle thickness.例文帳に追加
開脚部110の内周面に第1の段部15aと第2の段部15bを形成し、開脚部の肉厚を頭部12に隣接する部分は厚く、雌ネジ13に隣接する部分は薄く、第1と第2の段部の間はその中間の厚さに形成する。 - 特許庁
A deblocking filtering method includes at least one or more macroblocks for each and comprises steps of: setting a first to n-th macroblock groups which are adjacent to one another in a column direction; and sequentially performing deblocking filtering on the first through n-th macroblock groups.例文帳に追加
それぞれ少なくとも一つ以上のマクロブロックを備え、カラム方向に隣接して位置する第1ないし第nマクロブロックグループを設定するステップと、第1ないし第nマクロブロックグループを順次にデブロッキングフィルタリングするステップと、を含むことを特徴とするデブロッキングフィルタリング方法。 - 特許庁
The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells.例文帳に追加
本方法は、前記第1基準セルを、前記コアセルのデータビット“1”分布にて中央にある第1電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第2基準セルを、前記コアセルのデータビット“0”分布にて中央にある第2電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。 - 特許庁
The method for manufacturing a transfer mask includes steps of forming: an opening in a first substrate; a pattern forming part by bonding the first substrate in which the opening has been formed and a second substrate; and a charged particle beam through-hole in the pattern forming part.例文帳に追加
第1の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第1の基板と第2の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁
This method for setting a data transfer rate comprises steps for: initializing a first data transfer rate between the host and the device; transferring a change instruction for the data transfer rate; and initializing a second data transfer rate different from the first data transfer rate in response to the change instruction.例文帳に追加
データ伝送速度の設定方法は、ホストとデバイスとの間の第1データ伝送速度を初期化する段階、データ伝送速度の変更命令を伝送する段階と、及び前記変更命令に応答して前記第1データ伝送速度と異なる第2データ伝送速度を初期化する段階を含む。 - 特許庁
The method of fabricating a semiconductor device includes the steps of forming a first electrode, a light-emitting layer containing zinc sulfide and manganese on the first electrode, and forming a second electrode on the light-emitting layer; and after the formation of the light-emitting layer, applying thermal treatment to the light-emitting layer.例文帳に追加
第1の電極を形成し、前記第1の電極上に、硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を形成し、前記発光層上に第2の電極を形成し、前記発光層を形成後、前記発光層を加熱処理する工程を有する半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁
The target component is calculated, while acquiring a spectrum relative to the measuring object and a reference in the first and second steps, and while acquiring a difference Δ between a light quantity measured in the first step and a light quantity measured in the second step as a spectrum in the third step.例文帳に追加
第1および第2ステップにおいては、測定対象およびリファレンスについてスペクトルを取得し、第3ステップにおいては、第1ステップにおいて測定された光量と、第2ステップにおいて測定された光量との差分Δをスペクトルとして取得しつつ目的成分を演算する。 - 特許庁
This method has steps of: preparing a first and a second sliding member each having a diamond thin film on the surface of a basis material made of ceramics; and smoothing the respective surfaces of the diamond thin films by allowing the respective diamond thin films of the first and the second sliding part to rub together.例文帳に追加
セラミック製の基材表面にダイヤモンド薄膜を有する第一摺動部材と第二摺動部材とを用意する工程と、第一摺動部と第二摺動部のダイヤモンド薄膜同士を擦り合わせることでダイヤモンド薄膜表面を平滑にする工程とを具える。 - 特許庁
The method includes steps for irradiating a first area including a collection vessel and a second area not including the collection vessel with electromagnetic waves of several tens GHz to several THz, and correcting a principal physical quantity related to an the intensity of the electromagnetic wave which has transmitted the first area by an auxiliary physical quantity related to the intensity of electromagnetic wave which has transmitted the second area.例文帳に追加
捕集容器を含む第1部位と捕集容器を含まない第2部位とに周波数が数10GHz 〜数THz の電磁波を照射し、第1部位を透過した電磁波の強度に関連した主物理量を第2部位を透過した電磁波の強度に関連した補物理量で補正する。 - 特許庁
A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.例文帳に追加
シリコン基板100A上に転送ゲート絶縁膜150を介して第1ポリシリコン膜152A、第1シリコン酸化膜154Aを順次成膜した後、フォトマスク160を介してドライエッチング等を行い、第1シリコン酸化膜154Aと第1ポリシリコン膜152Aとを併せてパターニングする。 - 特許庁
In another example, a method for actuating the ultrasonic system includes the steps of releasing the first signal in a first frequency range from the transducer to actuate in the k_31 mode, emitting the signal into a living body, and detecting the second signal limited within a second frequency range.例文帳に追加
他の実施例では、超音波システムを動作させる方法は、k_31モードで動作するトランスデューサから第1の周波数範囲内の第1の信号を放出する段階と、信号を体内へ放射する段階と、第2の周波数範囲に制限された第2の信号を検出する段階とを含む。 - 特許庁
A process for preparing the highly concentrated antibody compositions includes: a step of subjecting a first antibody preparation to a first ultrafiltering, thereby providing a second antibody preparation; and a step of diafiltering the second antibody preparation; and then subjecting the second antibody preparation to second ultrafiltering, wherein one or more of the steps are accomplished at about 30°C to about 50°C.例文帳に追加
第一抗体調製物に第一限外濾過を施して第二抗体調製物を提供し、当該調製物をダイアフィルトレーション、及び第二限外濾過を施し、上記プロセスの一以上が約30℃〜約50℃で行なわれる抗体組成物の濃縮方法。 - 特許庁
A program method of a nonvolatile memory device of the present invention comprises the steps of: programming a first page flag having information related to operability of a first page program during a first page program operation; and programming a second page flag having information related to operability of a second page program during a second page program operation.例文帳に追加
本発明による不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第1ページプログラム動作の時、前記第1ページプログラムの可否に関連された情報を有する第1ページフラッグをプログラムする段階及び第2ページプログラム動作の時、前記第2ページプログラムの可否に関連された情報を有する第2ページフラッグをプログラムする段階を含む。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of preparing a first solder layer 42 on an electrode prepared on a semiconductor substrate 10, preparing a resin section 44 on the first solder layer 42, preparing a second solder layer 46 on the resin section 44, and performing heat treatment on the first and second solder layers 42 and 46.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板10の上に設けられた電極の上に、第1の半田層42を設ける工程と、第1の半田層42の上に樹脂部44を設ける工程と、樹脂部44の上に、第2の半田層46を設ける工程と、第1の半田層42および第2の半田層46を熱処理する工程と、を含む。 - 特許庁
This method respectively includes steps of forming a first part of the blade outside air seal having a first exposed internal wall, forming a second part of the blade outside air seal having a second exposed internal wall, and forming at least one cooling micro-circuit in at least one of the first and second exposed internal walls.例文帳に追加
本発明の方法は、第1の露出した内部壁を有するブレード外側エアシールの第1の部分を形成し、第2の露出した内部壁を有するブレード外側エアシールの第2の部分を形成し、第1および第2の露出した内部壁の少なくとも一方に少なくとも1つの冷却用ミクロ回路を形成するステップをそれぞれ含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the device comprises the steps of: setting a first bit map BM1 made of a plurality of first bits and a second bit map BM2 made of a plurality of second bits having different bit sizes; and independently conducting the discharging operation of the first bit map BM1 and the discharging operation of the second bit map BM2 by using the liquid droplet discharging unit.例文帳に追加
基板P上に、複数の第1ビットからなる第1ビットマップBM1と、第1ビットと異なる大きさの複数の第2ビットからなる第2ビットマップBM2とを設定し、液滴吐出装置を用いて、第1ビットマップBM1に対する吐出動作と、第2ビットマップBM2に対する吐出動作とをそれぞれ独立して行う。 - 特許庁
The solar cell manufacturing method comprises the steps of forming a first electrode on one surface of a silicon substrate having a first polarity, irradiating the other surface of the silicon substrate with hydrogen plasmas after forming the first electrode, and forming a second electrode on the other surface of the silicon substrate after irradiation with hydrogen plasmas.例文帳に追加
第1の極性を有するシリコン基板の一方の面上に第1の電極を形成する工程と、第1の電極の形成後にシリコン基板の他方の面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマの照射後にシリコン基板の他方の面上に第2の電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。 - 特許庁
A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加
前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
A first shutter mechanism 20 for the top tablet 10 has a first shutter member 21 and a second shutter member 25 both closing and opening the housing measure 11a on one side of the housing measure pair 15 in a predetermined direction and the housing measure 11b on another side thereof respectively, both the first shutter member and the second shutter member being arranged upward downward in multi-steps.例文帳に追加
トップタブレット10用の第1シャッター機構20として、収容マス対15における所定方向一方側収容マス11a及び他方側収容マス11bをそれぞれ閉塞/開放する第1及び第2シャッター部材であって、上下多段に配設された第1シャッター部材21及び第2シャッター部材25を備える。 - 特許庁
The substrate assembly production method comprises the steps of applying solder paste 31 onto the upper face of a first substrate 20, arranging an electronic component 40 in the upper face of the first substrate where solder paste is applied, arranging a second substrate 50 in the upper side of the electronic component and the upper face of the first substrate, and curing solder paste.例文帳に追加
本発明による基板組立体製造方法は、第1基板の上部面にソルダペーストを塗布する段階と;前記ソルダペーストが塗布された前記第1基板の上部面に電子部品を配置する段階と;前記電子部品の上側および前記第1基板の上部面に第2基板を配置する段階と;前記ソルダペーストを硬化する段階とを含む。 - 特許庁
The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.例文帳に追加
本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁
This rendering method comprises steps of: accepting image data including graphic instances from a software application; applying a default first image rendering option to the image data; selecting a first graphic instance from the image data; and generating an image job such as a print job incorporating the first and second image rendering options.例文帳に追加
レンダリング方法は、図形インスタンスを含む画像データをソフトウェアアプリケーションから受け付けるステップと、上記画像データにデフォルトの第1の画像レンダリングオプションを適用するステップと、上記画像データから第1の図形インスタンスを選択するステップと、第1および第2の画像レンダリングオプションが組み込まれた印刷ジョブなどの画像ジョブを生成するステップとを含む。 - 特許庁
The method includes the steps of: sensing a time constant of the circuit; outputting the sensing as the first voltage; sampling the first voltage over a fixed interval; converting the sampled first voltage to the second voltage; and selecting at least one trimming component from the array of trimming components utilizing the second voltage.例文帳に追加
この方法は、回路の時定数を感知することと、この感知を第1の電圧として出力することと、第1の電圧を、固定された間隔にわたってサンプルすることと、サンプルした第1の電圧を、第2の電圧に変換することと、第2の電圧を使ってトリミング要素アレイから、少なくとも1つのトリミング要素を選択する。 - 特許庁
This method comprises the steps of joining a first turbine nozzle 50 into the engine, joining a second turbine nozzle to the first turbine nozzle adjacent to each other in the circumferential direction so that a gap can be formed between the first and second turbine nozzles, and preparing at least one spline seal 100 having a generally flat surface body.例文帳に追加
本方法は、エンジン内に第1のタービンノズル(50)を結合する段階と、第2のタービンノズルを、第1及び第2のタービンタービンノズル間にギャップが形成されるように第1のタービンノズルに円周方向に隣接させて結合する段階と、ほぼ平面の本体を備えた少なくとも1つのスプラインシール(100)を準備する段階とを含む。 - 特許庁
The curing treatment method comprises following steps: (a) contact of a first cured hardening resin with a second ultraviolet-curing resin prior to the curing, (b) irradiation of an ultraviolet ray to the second ultraviolet-curing resin and adhesion with the first hardening resin and (c) heat treatment of the adhered and cured first and second resins.例文帳に追加
硬化された第1の硬化型樹脂に硬化前の第2の硬化型樹脂を接触させ、この第2の硬化型樹脂として紫外線硬化型樹脂を使用し、この第2の硬化型樹脂に紫外線を照射して硬化させて第1の硬化型樹脂に接着し、次いで第1及び第2の接着された硬化型樹脂に加熱処理を施すようにした。 - 特許庁
A method for ink jet printing with light-curing ink includes the steps of printing a first ink dot (30) of a color, irradiating the first ink dot (30) with light, printing a second ink dot (32) with the same color so as to at least partially overlap with the first ink dot, and irradiating the second ink dot (32) with light.例文帳に追加
光硬化性インクを用いたインクジェット印刷の方法であって、 ある色の第1インクドット(30)を印刷する工程と、 第1インクドット(30)に光を照射する工程と、 同じ色の第2インクドット(32)を、第1インクドットに少なくとも部分的に重なるように印刷する工程と、 第2インクドット(32)に光を照射する工程と、を備える方法。 - 特許庁
As the more preferred method, the manufacturing method of the copper foil with fiber-reinforced resin comprises the steps of forming the first resin layer on the copper foil, solidifying the first resin layer after making the fiber adhere by electrostatic force in the condition that this first resin layer is not solidified, and forming the second resin layer on it to make the fiber buried into the resin layer.例文帳に追加
より好ましい方法としては、銅箔に第一樹脂層を形成し、この第一樹脂層が固化していない状態で繊維を静電気力により付着せしめた後に第一樹脂層を固化せしめ、その上に第二樹脂層を形成して繊維を樹脂層中に埋没させることを特徴とする繊維補強樹脂付き銅箔の製造方法。 - 特許庁
The method includes the steps of applying a first ramp-down pulse having a first tilt to scan electrodes in the first half of a set-down period included in a reset period, applying a base potential to the scan electrodes in the meddle phase of the set-down period, and applying a second ramp-down pulse having a second tilt to the scan electrodes in the second half of the set-down period.例文帳に追加
リセット期間に含まれるセットダウン期間の前半部に第1勾配の第1降下ランプパルスをスキャン電極に供給する段階と、セットダウン期間の中半部に基底電位をスキャン電極に供給する段階と、セットダウン期間の後半部に第2勾配の第2降下ランプパルスをスキャン電極に供給する段階と、を含む。 - 特許庁
The method for releasing a gas includes the steps of (a first step) adding a first reagent containing a protein denaturation substance inhibiting the gas combination of hem protein in a vial container as a sealed container with a specimen encapsulated (S12), and (a second step) adding a second reagent containing a cyanide ion in the sealed container after ending the first step and then elapsing a predetermined time (S13).例文帳に追加
気体の遊離方法は、検体を封入した密閉容器としてのバイアル瓶内に、ヘム蛋白のガス結合を阻害する蛋白変性物質を含む第1の試薬を添加する第1の工程(S12)と、第1の工程の終了から所定時間経過後に、密閉容器内にシアンイオンを含む第2の試薬を添加する第2の工程(S12)とを含む。 - 特許庁
The method for producing an ink-jet printhead comprises the steps of forming a first patterning layer 20 on the surface of a first substrate 10, forming a second patterning layer 28 on the surface of a second substrate 100, bringing the surface of the first layer into intimate contact with the surface of the second substrate to join them, and removing the second substrate 100 from the second patterning layer 28.例文帳に追加
インクジェットプリントヘッドを作製する方法は、第1基板10の表面上に第1パターニング層20を形成すること、第2基板100の表面上に第2パターニング層28を形成すること、第1および第2層を面と面を密着して接合させること、および、第2パターニング層28から第2基板100を除去することを含む。 - 特許庁
The method for creating a hierarchy of video sequences includes the following steps: selecting a first video sequence; generating a second video sequence from a plurality of video clips; forming a link between the second and first video sequences; and assigning a link characteristic for particularizing the shift from the first video sequence to the second video sequence to the link.例文帳に追加
ビデオシーケンスの階層を形成する方法は、第一のビデオシーケンスを選択する段階と、複数のビデオクリップから第二のビデオシーケンスを作成する段階と、第二のビデオシーケンスと第一のビデオシーケンスの間にリンクを形成する段階と、第一のビデオシーケンスから第二のビデオシーケンスへの移行を特定するリンク特性を、リンクに割り当てる段階とを含む。 - 特許庁
Specifically, one embodiment of the present invention sets forth a method, which includes the steps of deriving a first destined texel position based on an original sample position associated with a pixel projected in a texture map and a first offset position specified by a user and fetching texel attributes at the first destined texel position for the texture operation.例文帳に追加
具体的には、本発明の一実施形態は、テクスチャマップに射影された画素に関連する元のサンプルの位置、及びユーザによって指定された第1のオフセット位置に基づいて第1の目標テクセル位置を導出するステップと、テクスチャ動作のために第1の目標テクセル位置のテクセルの属性を取り出すステップとを含む方法を説明する。 - 特許庁
A method for depicting throughput of data across a protocol layer according to the present invention includes the steps of: displaying a first graphical indication (302) on a first time line; and displaying a second graphical indication on a second time line, wherein a time covered by the first time line matches a time covered by the second time line.例文帳に追加
本発明に係る、プロトコル層を横切るデータのスループットを表示する方法は、第1のタイムライン上に第1のグラフィック表示(302)をするステップと、第2のタイムライン上に第2のグラフィカル表示をするステップであって、前記第1のタイムラインがカバーする時間が前記第2のタイムラインがカバーする時間と一致するステップとを有する。 - 特許庁
The method for dechucking a substrate 140 from the substrate support includes the steps of projecting the first set 150 of lift pins for a first distance above the surface 134 of the substrate support and lifting the substrate 140, and projecting the second set 152 of lift pins for a second distance above the surface 134 of the substrate support that is less than the first distance.例文帳に追加
基板支持体から基板をデチャックするための方法は、リフトピンの第1セット150を基板支持体の表面134から第1の距離だけ上に突き出して、基板140を持ち上げるステップと、第1の距離よりも小さな第2の距離だけ、基板支持体の表面134より上に、リフトピンの第2セット152を突き出すステップとを有している。 - 特許庁
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