「H-ray」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the other hand, when the X-ray grid 4 is rotated from the longitudinal direction H_H to the short side direction H_V for disposing the streaks of the metal piece 4a along the short-side direction H_V and reciprocatingly moved in the short-side direction H_V, this equipment can surely prevent the interference fringes.例文帳に追加

一方、短手方向Ｈ_Vに沿って金属ピース４ａの縞目が配置されるようにＸ線グリッド４を駆動部５によって長手方向Ｈ_Hから短手方向Ｈ_Vに回転させて往復移動させることで、短手方向Ｈ_Vに往復移動させた場合においても、干渉縞を確実に防止することができる。 - 特許庁

The PSD 4 outputs a signal expressing a distance up to the inspection object H in response to a position of the incident ray within the photoreception face.例文帳に追加

ＰＳＤ４は、その受光面内の入射光の位置に応じて検出対象Ｈまでの距離を表す信号を出力する。 - 特許庁

Thereafter, the wafer is irradiated with an ultraviolet ray to cut molecular bonds of Si-N and molecular bonds of Si-H in the coating film (step S3).例文帳に追加

その後、ウェハに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A reflected ray I1' generated by an inspection object H gets incident thereby on one photoreception face of a PSD 4 through a convergence lens 6.例文帳に追加

これにより、検出対象Ｈによって生じた反射光Ｉ１′が集光用レンズ６を通ってＰＳＤ４の１個の受光面に入射する。 - 特許庁

In this case, the irradiation light is an infrared ray of a wave number range including "Si-H bond" absorbing band of 2,200-2,300 cm^-1.例文帳に追加

ここで、照射光は２２００〜２３００ｃｍ^-1の「Ｓｉ−Ｈ結合」吸収帯を含む波数範囲の赤外光である。 - 特許庁

A center position computing part 61 computes the center position Pz (x, y) of a subject H at a position where X rays are applied to the subject H by an X-ray tube 20.例文帳に追加

Ｘ線管２０がＸ線を被検体Ｈへ照射する位置における被検体Ｈの中心位置Ｐｚ（ｘ，ｙ）を、中心位置算出部６１が算出する。 - 特許庁

The return length at a joined part of the H member 2 with the V member 3 is L1, and the return length in the short side direction of the display screen of the cathode-ray tube in the H member 2 is L2.例文帳に追加

ここで、Ｈメンバー２のＶメンバー３との接合部分における折り返し長さは、Ｌ１であり、Ｈメンバー２における陰極線管の表示画面短辺方向への折り返し長さはＬ２である。 - 特許庁

A surface side infrared ray irradiating device 34 and a back face side infrared ray irradiating device 35 are respectively provided with five infrared heaters H respectively arranged with a predetermined interval in a conveyance direction and extending in a width direction D2.例文帳に追加

表面側赤外線照射装置３４及び裏面側赤外線照射装置３５は、それぞれ搬送方向Ｄ１に所定の間隔をあけて配置され幅方向Ｄ２に延びる５枚の赤外線ヒータＨをそれぞれ備えている。 - 特許庁

When the X-ray tube 7 is moved to a photographing position, the CPU 33 calculates (H-Hr) and a distance SID between the cassette film plane and the X-ray tube focal plane is automatically displayed on a display section 30.例文帳に追加

Ｘ線管７を撮影位置に移動させるとＣＰＵ３３で（Ｈ−Ｈｒ）が演算され、表示部３０にカセッテのフイルム面とＸ線管焦点面間の距離ＳＩＤが自動表示される。 - 特許庁

The movement of the X-ray detector D is adjusted so that a designated pixel column H of the X-ray detector D coincides with the projection line Z'.例文帳に追加

さらに、この求まった投影線Ｚ'にＸ線検出器Ｄの所定の画素列Ｈが投影線Ｚ'と一致するようにＸ線検出器Ｄの移動調整を行う。 - 特許庁

The luminous flux emitted from the light source 1 includes at least any one of a g ray, an h ray, or an i ray, or a light flux of a mixture of any two or more thereof, and the photomask 3 is irradiated therewith through a wavelength selection filter 6.例文帳に追加

光源１より発せられた光束は、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を含み、波長選択フィルタ６を介して、フォトマスク３に照射される。 - 特許庁

A marker arranging information-obtaining unit 32 obtains arranging information H showing the arranged positions of the marker M1 to M4 and a determining unit 34 calculates the positions of the marker images when an X-ray tube 12 moves to all of the beam source positions in a series of photographings using the arranging information H.例文帳に追加

マーカ配置情報取得部３２がマーカＭ１〜Ｍ４の配置位置を表す配置情報Ｈを取得し、判定部３４が、配置情報Ｈを用いて一連の撮影におけるすべての線源位置にＸ線管１２が移動した際のマーカ像の位置を算出する。 - 特許庁

Based on a change of a light receiving amount of first and second ray beams after the ink droplets ejected from the nozzle lines H, J pass, timing when the ink droplets are ejected from the nozzle lines H, J is displaced when detecting the ejection state of the ink droplets.例文帳に追加

ノズル列Ｈ，Ｊのノズルから吐出されるインク滴が通過した後の第１および第２の光ビームの受光量の変化に基づいて、インク滴の吐出状態を検出する際に、それらのノズル列Ｈ，Ｊのノズルからインク滴を吐出するタイミングをずらす。 - 特許庁

A control unit 11 checks heights H and SID of an X-ray detector 5 and an X-ray tube 1 currently set by height sensors 3h, 2h and a distance sensor 2l, searches a database stored, and checks whether the heights H and SID are ordered and match a photography part to be photographed this time.例文帳に追加

制御部１１は、現在設定されているＸ線検出器５とＸ線管１の高さＨおよびＳＩＤを、高さセンサ３ｈ、２ｈおよび距離センサ２ｌで確認し、保存しているデータベースを検索して、前記高さＨおよびＳＩＤがオーダーされ今回撮影する撮影部位に適合しているかチェックする。 - 特許庁

The effect of the afterglow of the scintillator sheet contained in each of the pixel outputs of the X-ray detector 2 is removed by Formula (1) by using a preliminarily stored coefficient h[m] (m=1, 2, ..) and the inspection target is inspected to eliminate the occurrence of misdecision caused by the dynamic characteristics of the X-ray detector 2.例文帳に追加

Ｘ線検出器２の各画素出力に含まれるシンチレータシートの残光の影響を、あらかじめ記憶している係数ｈ［ｍ］（ｍ＝１，２，・・）を用いた下記の式（１）により除去して検査に供することで、Ｘ線検出器の２の動特性に起因する誤判定の発生を解消する。 - 特許庁

In a sample profile correcting method for correcting a profile of the analyzed sample by using the fluorescent X-ray analysis method, the thickness of the sample is corrected based on background intensities BG1, BG2 in a high-energy region AR-H without peaks in fluorescent X-ray spectrums of the sample.例文帳に追加

蛍光Ｘ線分析方法による分析対象試料の形状を補正するための試料形状補正方法であって、試料の蛍光Ｘ線スペクトルにおけるピークの出ない高エネルギー領域ＡＲ−Ｈのバックグラウンド強度ＢＧ１、ＢＧ２に基づいて試料の厚みを補正する。 - 特許庁

The regulating operation of the movement of the X-ray tube 12 is started within the set regulation area A_1 at the height H other than the stop position A_2 and the regulation force is variably adjusted within the regulation area A_1 so as to stop the X-ray tube 12 at the stop position A_2 without any displacement due to inertia.例文帳に追加

設定された規制エリアＡ_１内で、かつ停止位置Ａ_２以外である高さＨでＸ線管１２の移動の規制動作を開始して、その規制エリアＡ_１内で規制力を可変に調整することで、惰性による位置ずれが生じることなく、停止位置Ａ_２でＸ線管１２を停止させることができる。 - 特許庁

In the solar-ray generating device, solar cells 3 are installed to the roof 2 of a house H while DC electricity obtained from the solar cells 3 is utilized by a conversion into AC electricity by an inverter 4.例文帳に追加

家屋Ｈの屋根２に太陽電池３を設けるとともに、この太陽電池３から得られる直流の電気をインバータ４により交流の電気に変換して利用する太陽光発電装置である。 - 特許庁

The infrared heater H has a width direction size W2 wherein both ends in a width direction of an infrared ray irradiation face HS is extended beyond width direction both rims of the film like substrate FS1.例文帳に追加

赤外線ヒータＨは、赤外線放射面ＨＳの幅方向の両端部がフィルム状基板ＦＳ１の幅方向両端縁を越えて外側に延び出る幅方向寸法Ｗ２を有している。 - 特許庁

An optical fiber 28 is integrated to be clamped by the respective Pyrex (R) substrates obtained by this manner (Fig.(h)), and is bonded using an ultraviolet ray curing resin 29 (Fig.(i)).例文帳に追加

こうして得られた各パイレックス（登録商標）基板によって、光ファイバ２８を挟持するようにして一体化し（図２（ｈ））、紫外線硬化樹脂２９を用いて接合する（図２（ｉ））。 - 特許庁

The optical multilayer films 2, 3 are made by alternately laminating at least two kinds of thin films H, L having different refractive indexes, exhibits high transmission characteristic on visible light region and exhibits low transmission characteristic on near-infrared ray region.例文帳に追加

光学多層膜２，３は、屈折率の異なる２種以上の薄膜Ｈ，Ｌを交互に積層してなり、可視光線領域で高透過特性を示すとともに近赤外線領域で低透過特性を示す。 - 特許庁

A ceramic grain 11 having a far infrared ray effect is further included and this ceramic grain 11 is immersed in the hot water H stored in the hot water tank 2 to use.例文帳に追加

遠赤外線効果を有するセラミック粒１１をさらに備え、このセラミック粒１１を湯槽２内に貯留した湯Ｈに浸漬させて使用する。 - 特許庁

Specifically, the beans are irradiated with far-infrared ray at the inside temperature of 30-60°C for 1-24 h to be dried, the dried beans are brought into contact to water for 3-60 min to swell the husk parts, and thereafter the swollen husk parts are physically removed.例文帳に追加

豆類に庫内温度３０〜６０℃で遠赤外線を１〜２４時間照射して乾燥し、次いでその乾燥物に水を３〜６０分間接触させて皮部を膨潤させた後、膨潤した皮部を物理的に剥脱する。 - 特許庁

Then, a filter controller 21a moves a filter 21 corresponding to the center position Pz (x, y) of the subject H computed by the center position computing part 61 when X rays are applied by the X-ray tube 20.例文帳に追加

そして、Ｘ線管２０がＸ線を照射する際に、中心位置算出部６１が算出した被検体Ｈの中心位置Ｐｚ（ｘ，ｙ）に対応するように、フィルタコントローラ２１ａがフィルタ２１を移動する。 - 特許庁

As the paint (A), it is preferable that it forms a coating film of 40 g/ m^2 24 h or higher in vapour permeability degree and further, 20 % or more in ultrared ray reflection rate.例文帳に追加

この塗料（Ａ）としては、水蒸気透過度４０ｇ／ｍ^２・２４ｈ以上の塗膜を形成するもの、さらには赤外線反射率２０％以上の塗膜を形成するものが好適である。 - 特許庁

A screen body 4 is constituted by keeping a pair of right and left support members 2 standing up on a support base 1 with an H shape and affixing a sheet 3 of a material transmitting X ray onto the support members 2.例文帳に追加

Ｈ字状の支持台１に左右一対の支持部材２を立設し、その支持部材２にＸ線を透過可能な材質のシート３を張設して衝立本体４を構成する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of plotting a photosensitive material for an ultraviolet ray in a pattern with high throughput by a mask-less direct plotting exposure device having an irradiating light source being an h-line in a main wavelength.例文帳に追加

主波長がｈ線である照射光源を持つマスクレス直接描画露光装置で紫外線用の感光性材料を高スループットにパターン描画可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

At the time of exposure of X-rays from a virtual X-ray focus H to a three-dimensional tumor shape, the position of the shadow of a tumor A formed on projection data I is calculated for all of the gathered projection data I.例文帳に追加

仮想的なＸ線焦点Ｈから三次元腫瘍形状に向かってＸ線を曝射した際に、投影データＩ上に形成される腫瘍Ａの影の位置を収集された投影データＩの全てに対して計算する。 - 特許庁

A positional relation between the light absorption region 30 and respective prisms 4 of the prism array 40 is determined so that light (light ray 102) made incident at the maximum incident angle θ_imax (=Tan^-1{(pa-w)/h}) arrives at the first prism surface.例文帳に追加

最大の入射角θ_iｍａｘ（＝Ｔａｎ^−１｛（ｐａ−ｗ）／ｈ｝）で入射する光（光線１０２）が第１プリズム面に到達するように、光吸収領域３０とプリズム列４０の各プリズム４の位置関係を決定する。 - 特許庁

A far infrared ray generating surface (24) is formed on the inner surface of a furnace wall (23) facing the space (A), and far infrared rays are generated toward the space (A) by heating the surface (24) with the hot air (H).例文帳に追加

炉内空間(Ａ)に臨む炉壁(23)の内面に遠赤外線発生面(24)を形成し、熱風(Ｈ)で加熱して炉内空間(Ａ)に向けて遠赤外線を発生するように構成する。 - 特許庁

A management system of an X-ray exposure amount used for an X-ray imaging apparatus which takes an image of a principal imaging part of a substrate mounted with electronic components with X-ray comprises: substrate identification means which identifies a substrate W for every product; and accumulated exposure amount integration means which calculates an accumulated exposure amount H of the identified product substrate.例文帳に追加

電子部品が実装された基板の撮像要部をＸ線で撮像するＸ線撮像装置に用いられるＸ線被爆量管理システムにおいて、前記基板Ｗを製品毎に特定する基板特定手段と、特定された製品基板に係る累積被爆量Ｈを演算する累積被爆量積算手段とを備えている。 - 特許庁

To provide a servo motor with reduction gear, in which major components are all formed of high radiation resisting material which is resistive to the exposure does of 100 MGy(Mega-Gray) or higher under the γ-ray exposure dose rate of 10 KG y/h(Killo-Gray/h) and enables application under the temperature of 100°C or higher and under irradiation of neutrons.例文帳に追加

主要部品のすべてを高耐放射線性材料で構成した減速機付きサーボモータに関するもので、１０ＫＧｙ／ｈ（キログレイ毎時）のガンマ線量率下で１００ＭＧｙ（メガグレイ）以上の照射線量に耐えると共に、１００℃以上の高温下をはじめ、中性子照射下でも使用可能なものである。 - 特許庁

Then, in an element molar ratio of lithium and silicon obtained by X-ray photoelectron spectrometry of a surface of the negative electrode molded body 6, when the element molar ratio on a larger side is H, and the element molar ratio on a smaller side is L, H/L of the initial full-charge state when lithium is stored in the negative electrode molded body 6 is 3.0 or less.例文帳に追加

そして負極成型体６の表面のＸ線光電子分光分析により求められるリチウムと珪素の元素モル比において、大きい側の元素モル比をＨ、小さい側の元素モル比をＬとしたとき、リチウムを負極成型体６内へ吸蔵させた初回満充電状態のＨ／Ｌを３．０以下にする。 - 特許庁

A correction data generation part 36 generates correction data regarding respective parameters of an X-ray light quantity variation, the linearity of an X-ray light quantity and the signal strength of pixel data, contrast, the transmittance of first and second absorption type gratings 22, 23, and a phase shift amount offset, in the state that a subject H is not arranged.例文帳に追加

補正データ生成部３６は、被検体Ｈが配置されていない状態で、Ｘ線光量ばらつき、Ｘ線光量と画素データの信号強度とのリニアリティー、コントラスト、第１及び第２の吸収型格子２２、２３の透過率、位相シフト量オフセットの各パラメータに関する補正データを生成する。 - 特許庁

In the formulae, OL represents the amount of the oligomer extracted by DMF from the surface of the release layer of the mold releasing film after heat treatment, TL represents the total ray transmittance of the mold releasing film, and TL(H) represents the total ray transmittance of the laminate formed by holding the mold releasing film between polarizing plates made orthogonal to each other.例文帳に追加

ＯＬ≦２．０ …（１）Ｒ≦１×１０^１３ …（２）ＴＬ≧８０ …（３）ＴＬ（Ｈ）≦８ …（４）（上記式中、ＯＬは熱処理後の離型フィルムの離型層表面からＤＭＦにより抽出されるオリゴマー量、Ｒは離型フィルムの何れか一方のフィルム面の表面固有抵抗、ＴＬは離型フィルムの全光線透過率、ＴＬ（Ｈ）は直交させた偏光板の間に離型フィルムを挟んだ積層体の全光線透過率を表す） - 特許庁

In the formulas, OL represents the amount of the oligomer extracted by DMF from the surface of the release layer of the mold releasing film after heat treatment; TL the total ray transmittance of the mold releasing film; and TL(H) the total ray transmittance observed when holding the mold releasing film between polarizing plates made orthogonal with each other.例文帳に追加

ＯＬ≦１．０ …（１）ＴＬ≧８０ …（２）ＴＬ（Ｈ）≦８ …（３）（式中、ＯＬは熱処理後の離型フィルムの離型層表面からＤＭＦにより抽出されるオリゴマー量、ＴＬは離型フィルムの全光線透過率、ＴＬ（Ｈ）は直交させた偏光板の間に離型フィルムを挟んだときの全光線透過率を表す） - 特許庁

To provide a polyimide having a hydroxyamide group, and high transmissivity of h-ray (405 nm) or g-ray (435 nm), a precursor thereof, a positive-type photosensitive resin composition containing a diazonaphthoquinone-based photosensitizer, and a polybenzoxazole-imide obtained through an alkali development, washing and thermal dehydration cyclization reaction steps after pattern exposure thereof, and useful as a protective membrane of a semiconductor element.例文帳に追加

ｈ線（４０５ｎｍ）またはｇ線（４３５ｎｍ）において高い透過率を有するヒドロキシアミド基含有ポリイミドまたはその前駆体およびジアゾナフトキノン系感光剤を含有して成るポジ型感光性樹脂組成物、およびこれをパターン露光後、アルカリ現像・洗浄・加熱脱水環化反応工程を経て得られる、半導体素子の保護膜として有用なポリベンゾオキサゾールイミドの提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition suitably used for a surface protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for high-density mounting board, which has high solubility to general solvents and satisfactory sensitivity to g-ray and h-ray, can respond to highly thick application and alkali development, form a pattern of high resolution, and provide a cured product with high film remaining rate.例文帳に追加

一般的な溶剤に対する溶解性が高く、ｇ線、ｈ線に対する感度が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高いパターンを形成することができ、残膜率が高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Vertical deflection current IAV which is corrected based on the waveform correction current IA by being synchronized with the horizontal synchronizing signal H and a vertical synchronizing signal V is supplied to a vertical deflection coil of a cathode ray tube 10 by the vertical deflection circuit 30.例文帳に追加

垂直偏向回路３０は水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖに同期して波形補正電流ＩＡに基づいて補正された垂直偏向電流ＩＡＶを陰極線管１０の垂直偏向コイルに供給する。 - 特許庁

A stress distribution for calculating the strength H of the stress singular field near the contact end is determined by a molecular dynamic analysis, nano-indentation as an experimental technique, an X-ray stress measuring method, or a neutron diffraction stress measuring method.例文帳に追加

また、接触端近傍の応力特異場の強さＨを算出するための応力分布を、分子動力学解析、又は実験的手法としてナノインデンテーション、Ｘ線応力測定法、中性子回折応力測定法により求めた。 - 特許庁

A differential circuit 8 and an amplifying circuit 9 differential-amplify a received infrared ray D to output a differential amplified signal E, an A integration circuit 10 integrates the differential amplified signal E to hold a differential amplified signal integrated value H in an A integral value holding part 11.例文帳に追加

微分回路８及び増幅回路９が受光赤外線Ｄを微分増幅して微分増幅信号Ｅを出力し、Ａ積分回路１０が微分増幅信号Ｅを積分して微分増幅信号積分値ＨをＡ積分値保持部１１に保持させる。 - 特許庁

Provided that f: focal length of the projection optical system, h: distance from the optical axis of the projection optical system to an optional point on a surface of the display element, and θ: an angle formed by the optical axis of the projection optical system with a principal ray that has been emitted from the projection optical system to the screen.例文帳に追加

ここで、ｆ：投影光学系の焦点距離、ｈ：投影光学系の光軸から表示素子面の任意の点までの距離、θ：投影光学系の光軸と投射光学系からスクリーンへの出射後の主光線とのなす角とする。 - 特許庁

The body 3 is provided with a heating air supply means 5 for blowing heating air into the housing chamber 4 from an upper part of the housing chamber 4 and a bactericidal lamp 6 for irradiating an ultraviolet ray from below to the nursing bottle H housed in the bucket 1 housed in the housing chamber 4 on the lower outside of the housing chamber 4.例文帳に追加

本体３には、収納室４の上部より収納室４に加熱エアを吹き込ませる加熱エアの供給手段５と、収納室４の下部外側にあって収納室４に収納されたバケット１に納められた哺乳びんＨに下方から紫外線を照射する殺菌灯６とが備えられている。 - 特許庁

The particles of the seed crystal are obtained by pulverizing unpulverized metal compound particles and have a half-width (H) of a main peak in a range in which 2θ is ≥45 and ≤70° of ≥1.06 times of the half-width (Ho) measured before being pulverized, in an X-ray diffraction spectrum.例文帳に追加

種晶粒子：未粉砕の金属化合物粒子を粉砕して得られ、Ｘ線回折スペクトルにおける４５°≦２θ≦７０°の範囲のメインピークの半値幅(Ｈ)が粉砕前の半価幅(Ｈ_0)に対して１．０６倍以上である種晶粒子 - 特許庁

In a prompt gamma-ray analysis, a provided method reduces influence of Compton components of H acting as noise factors by cutting neutrons in a region lower than a peak value of an absorption cross-sectional area of Cd by using a Gd foil or a chopper.例文帳に追加

化学処理により測定の妨害となるＨを取り除くという方法も考えられるが、化学分離を行うことにより即発ガンマ線分析の簡便さという長所が失われること、さらに化学分離の操作を経ることにより、収率等の面で誤差が入り分析の制度に影響を与える可能性がある。 - 特許庁