「INTERCONNECTION」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the gate electrode interconnection is also formed simultaneously because the gate electrode 118 is also removed appropriately through etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.例文帳に追加

さらに、ゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のあるエッチングによりゲート電極１１８も適宜除去されるから、ゲート電極配線も同時に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a highly reliable interconnection wiring structure of a fine multilayer wiring formed of a buried Cu wiring material constituting an integrated circuit and its manufacturing method.例文帳に追加

集積回路を構成する埋め込みＣｕ配線材料による微細な多層配線で高信頼性の接続配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Residuals 126 and 128, generated when an interconnection groove is formed in the SiOC film 116, are removed by the use of amine-based peeling solution which is weakly alkaline but contains no fluorine ions.例文帳に追加

ＳｉＯＣ膜１１６中に配線溝を形成した際に生じる残さ１２６および残さ１２８を、弱アルカリ性であってフッ素イオンを含まないアミン系剥離液を用いて除去する。 - 特許庁

A data processing section 9 monitors communication between communication devices at the data link layer level of the Open Systems Interconnection reference model to monitor an occurrence state of data re-transmission processing.例文帳に追加

データ処理部９は装置相互間の通信を開放型システム間相互接続の基本参照モデルのデータリンク層レベルで監視し、データ再送処理の発生状態を監視する。 - 特許庁

Bump electrodes 14 and interlayer connection electrodes 16 are formed on the multilayer interconnection board 12 as a substrate (a), and the bare chip 13a is flip-chip-mounted by an anisotropic conductive paste 15 (b).例文帳に追加

下地となる多層配線基板１２にバンプ電極１４，層間接続電極１６を形成し（ａ）、ベアチップ１３ａを異方性導電ペースト１５でフリップチップ実装する（ｂ）。 - 特許庁

An aluminum bonding pad is formed on the barrier layer for the wire bonding interconnection wiring, and a copper bonding pad is formed on the barrier layer for the solder bump interconnecting wiring.例文帳に追加

アルミニウムボンディングパッドは、ワイヤボンディング相互接続配線のための障壁層上に形成され、銅ボンディングパッドは、ハンダバンプ相互接続配線のための障壁層上に形成される。 - 特許庁

In this way, a process where the multilayer metal interconnection 14 is formed, and electric charge 18 generated by reactive ions is prevented from flowing excessively into the gate electrode 13a.例文帳に追加

こうして、多層メタル配線１４の形成工程において、反応性イオンによって生じた電荷１８がゲート電極１３ａへと過度に流れ込むのを阻止する構成となっている。 - 特許庁

A system includes steps of coding a plurality of frames of video at a certain data rate using a transmitter, and transmitting the coded video to a receiver via network interconnection.例文帳に追加

送信機により、あるデータ速度でビデオの複数のフレームをコード化するステップと、ネットワーク相互接続を通して受信機に前記コード化されたビデオを送信するステップとを備えている。 - 特許庁

On an LSO chip 1, the connections 13 for connecting wiring patterns on the gate array IC circuit 11 side and the macro cell 12 side is disposed and wired automatically by respective interconnection layers.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１上においてゲートアレイ集積回路１１側とマクロセル１２側の配線パターン相互の接続部１３は、互いに異なる配線層により自動配置配線されている。 - 特許庁

In another version, the flexible membrane is used as a support and electrical interconnection for conventional integrated circuit die bonded thereto, with interconnections formed in multiple layers in the membrane.例文帳に追加

他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip 2 is possessed of contact members 16, which are provided on its one surface and connected to the multilayered interconnection structure 18 with a solder connection members 20.例文帳に追加

半導体チップ１２は、複数のハンダ接続部材２０によって、多層相互接続構造１８に接続される表面のうちの１つの上に複数のコンタクト部材１６を有する。 - 特許庁

To enhance condensation efficiency when finer patterning is employed on the light receiving face or various kinds of film, e.g. a light shielding pattern or an interconnection pattern, are formed in layers on the light receiving face.例文帳に追加

受光面の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターンのような各種の膜が受光面の上に多く積層されるようになった場合の集光効率を高める。 - 特許庁

Furthermore, the wafer end face protective device 1 can be fixed to the wafer by simple operation for exhausting from the interconnection opening 9, and it can be removed by simply eliminating negative pressure in the space sp.例文帳に追加

その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けられ、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで取り外せる。 - 特許庁

To provide a system interconnection apparatus capable of preventing an adverse effect of a failure from propagating to a system side and achieving adaptability for suppression of a counter tide while reducing loads of respective power units.例文帳に追加

系統側へ故障の影響が伝搬することを防止し、また、各電源装置の負荷を削減しつつ、逆潮流抑制にも対応可能な系統連系装置を提供する。 - 特許庁

These openings are filled with one or more conductors to form the contact with the diffused part such as bit line contact or the like corresponding to the line interconnection of the bit line or the like.例文帳に追加

これらの開口は、１つ以上の導電体により充填されて、ビットラインなどのライン相互結線に対応する、例えばビットライン・コンタクトなどの拡散部へのコンタクトを形成する。 - 特許庁

To suppress the vignetting caused by a wiring layer of an obliquely incident light in a solid-state imaging device having a multilayer interconnection and to improve sensitivity shading, F value dependency of sensitivity, and a color mixture.例文帳に追加

多層配線を有する固体撮像装置における斜め入射光の配線層による蹴られを抑制し、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、混色の改善を図る。 - 特許庁

One of the masks is used for forming a via or a contact opening in the insulator layer, and the second mask is used for forming a recess for interconnection in the integrated circuit.例文帳に追加

マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 - 特許庁

There are a fear that the financial and capital markets turmoil will spread to the real economies across the world through deteriorating credit-creating function and interconnection between countries mediated by cross-border trade and investment.例文帳に追加

金融・資本市場の動揺は信用創造機能への影響、各国の貿易と投資を媒介とする連関を通じて、各国の実体経済に波及する懸念がある。 - 経済産業省

In particular, as a result that consumption and investment in emerging countries have sequentially expanded through the interconnection between them and achieved a virtuous cycle, the new market has actually begun to act as a driving force for new development.例文帳に追加

特に、新興国の消費や投資が相互の連関の中で連鎖的に拡大し、好循環につながった結果、新たな発展のための原動力となり始めている。 - 経済産業省

To provide a semiconductor integrated circuit device, such as an IGBT and a MOS transistor, that achieves improvement in dielectric voltage, reinforcement in potential noise margin, and microfabrication of a polycrystalline silicon interconnection.例文帳に追加

絶縁耐圧の向上、電位ノイズマージンの強化、および多結晶シリコン配線の微細化を実現したＩＧＢＴやＭＯＳトランジスタ等の半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Conjugating the protruding electrode 5 formed on a semiconductor chip 4 on the interconnection pattern 2 face down bonds the semiconductor chip 4 on an insulating substrate 1, arranges the electrode 5 in staggering hsape, and forms an insulating layer 7 so as to cover an interconnection pattern 2a at the part adjacent to the bonding part of the protruding electrode 5b arranged at the outside on the semiconductor chip 4.例文帳に追加

半導体チップ４に形成された突出電極５を配線パターン２上に接合させることにより、半導体チップ４が絶縁性基材１上にフェースダウン実装され、突出電極５は千鳥配列されるとともに、半導体チップ４上で外側に配置された突出電極５ｂの接合部に隣接する部分の配線パターン２ａを覆うように絶縁層７を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring board excellent in long-time connection reliability and electric characteristics which can surely strengthen the connection over time with an external electric circuit board via a connection pad by using a conduction pad, and can secure good electric characteristics such as a transmission characteristic of electric signals transmitted through an interconnection conductor since the resistance of the interconnection conductor is low.例文帳に追加

接続パッドを介した配線基板と外部電気回路基板との接続を、導電パッドにより長期にわたって確実に補強することが可能であり、かつ配線導体が低抵抗で配線導体を伝送する電気信号の伝送特性等の電気的特性を良好に確保することが可能な、接続の長期信頼性および電気的特性に優れた配線基板を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which can suppress side etching without corroding electronic members, various lamination films and the like on a substrate, for the substrate which has a lamination structure of tungsten and/or titanium-tungsten alloy which are used for electrodes and interconnection lines for a semiconductor device and a thin film transistor of a liquid crystal display or for interconnection lines and barrier metal for the electrodes.例文帳に追加

半導体装置や液晶表示装置の薄膜トランジスタの電極や配線、またこれらの電極の配線やバリアメタルとして用いられているタングステン及び／又はチタン−タングステン合金の積層構造を有した基板において、基板上の電子部材、各種積層膜等を腐食することなく、サイドエッチングを抑制したエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element which can reduce the number of mask processes than the conventional one by forming a connecting interconnection line for electrically connecting elements at the time of forming a metal interconnection line and a gate electrode at the same time and at the time of forming a first electrode and thereby can shorten the processes and reduce a manufacturing cost, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

金属配線及びゲート電極を同時に形成したり、第１電極を形成する時、素子を電気的に連結する連結配線を形成することによって、従来に比べて、マスク工程の数を減少させることができ、これにより、工程を短縮することができ、製造コストを節減することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming the fuel cell assembly includes the steps of providing the interconnection structure having at least one flow channel, depositing the sacrificial material into the flow channel, depositing an electrode or an electrode/electrolyte material upon the interconnection structure and the sacrificial material, and processing the fuel cell so as to remove the sacrificial material.例文帳に追加

燃料電池アセンブリを形成する方法は、少なくとも１つの流路を有する相互接続部構造を提供する工程と、流路の中へ犠牲材料を付着させる工程と、相互接続部構造及び犠牲材料の上に電極又は電極／電解質材料を付着させる工程と、犠牲材料を除去するように燃料電池を処理する工程とを含む。 - 特許庁

The plasma silicon nitride film used for a Cu diffusion protection film left as a part of the interlayer films 1, 4 between the upper and lower interconnections 2, 5 when the plasma silicon nitride film is deposited on the Cu film which is formed as the interconnection part 2 of the semiconductor device prevent an increase in interconnection capacitance caused by high permittivity of the plasma silicon nitride film to realize decrease in the wiring capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体装置の配線部２として形成されるＣｕ膜の上にプラズマシリコン窒化膜を堆積する場合、Ｃｕの拡散防止膜として用いられるプラズマシリコン窒化膜が上下配線２，５間の層間膜１，４の一部に残ることで、プラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止し、配線容量の低減を達成することができる。 - 特許庁

To provide a technique which makes a package interconnection easy by enabling positions of input/output pads to be different for each inter-layer die in accordance with a coding information by a multi-chip package, related to a semiconductor package.例文帳に追加

本発明は、半導体パッケージに関し、マルチチップパッケージでコーディング情報に従い層間ダイごとに入/出力パッドの位置を異にイネーブルし、パッケージ連結を容易にする技術を開示する。 - 特許庁

To provide a joint and a joint structure capable of being applied to a pipe having an optional outside diameter without selecting any kind and condition of a connected pipe and exhibiting sufficient interconnection nature, water-tightness and earthquake resistance or the like.例文帳に追加

被接続管の種類や状態を選ばず、任意の外径の管に適用することができ、十分な相互接続性、水密性及び耐震性等を発揮する継手及び継手構造を提供する。 - 特許庁

To reduce a hold time imposed when interconnection communication is requested in an off-line state and a hold time imposed when non-connection communication is requested in an on-line state.例文帳に追加

オンライン状態において非接続通信を要求した場合に課せられる保留時間及びオフライン状態において相互接続通信を要求した場合に課せられる保留時間を短縮する。 - 特許庁

To cut down, by reducing interconnection resistances of power feed line against a light emitting element, a variation in light intensity of each light emitting element within a chip that has been generated by the influence of the power feed line.例文帳に追加

発光素子への給電ラインの配線抵抗を低減化させることで、給電ラインの影響により発生していたチップ内における各発光素子の光量ばらつきを低減させる。 - 特許庁

The interconnection members 91, 92, 93, 94 and 95 regulate at least one first opening 71 in the first surface and has a side wall portion 83 extending toward the second surface 85.例文帳に追加

相互連結部材９１，９２，９３，９４，９５は第一表面内の少なくともひとつの第一開口部７１を規定すると共に第二表面８５の方向に延びている側壁部分８３を有している。 - 特許庁

To prevent occurrence of dishing in embedded interconnections by properly growing a metal film, when the buried interconnections are formed by growing a metal film in wide interconnection trenches through plating.例文帳に追加

溝幅が大きい配線溝にめっき法により金属膜を成長させて埋め込み配線を形成する場合に、金属膜を良好に成長させて、埋め込み配線にディッシングが起こらないようにする。 - 特許庁

The interconnection structure connects a plurality of adjacent electric elements on a structure having a first manufactured integrated circuit to drive circuits on a structure having a second manufactured integrated circuit.例文帳に追加

第１の集積回路が作製された構造上の複数の近接した電気的要素を、第２の集積回路が作製された構造上の駆動回路に接続するための相互接続構造である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bipolar semiconductor device which ensured good ohmic contact with Al interconnection, without changing the impurity density of the bipolar device, and to provide a bipolar semiconductor device.例文帳に追加

従来のバイポーラ型半導体装置の製造方法では、多結晶Ｓｉ層への不純物導入後、不純物活性化のための熱処理が加わるため、バイポーラデバイスの不純物濃度プロファイルが変化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a desired opening shape in forming an interconnection by a dual damascene method and providing a better contact between the interconnections.例文帳に追加

デュアルダマシン法により配線を形成する際に、所望の形状の開口部を形成することができ、また、配線間で良好なコンタクトを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, an interconnection between an antenna coil 4 and an antenna board 10 can be increased, a resonance frequency becomes close to a target resonance frequency, and reading from the IC card 4 is allowed.例文帳に追加

これにより、アンテナコイル４とアンテナ基板１０との相互結合が高まったり、共振周波数が目標の共振周波数に近付くようになり、ＩＣカード４からの読取りが可能となる。 - 特許庁

The driver circuitry is configured to drive a routing signal on the interconnection conductor so that the voltage swing of the routing signal can be reduced rather than the voltage swing of the output signal of the first operational circuitry.例文帳に追加

ドライバ回路はルーティング信号の電圧スイングが第１の演算回路の出力信号の電圧スイングよりも小さくなるように相互接続コンダクタ上にルーティング信号を駆動するよう構成される。 - 特許庁

In a connection region 34 between the bottom gate 20 and interconnection 31, a step member 35 is provided which is disposed below the bottom gate electrode 20 and supports the bottom gate electrode 20.例文帳に追加

そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 - 特許庁

To provide ferrite equipment that can be simply and conveniently mounted on a thin interconnection such as a flat cable and the like, can prevent ferrite fragments from being scattered, and can secure an excellent magnetic characteristic.例文帳に追加

フラットケーブルなどの薄型配線に簡便に取り付けることができ、かつ、フェライト破片の飛散を防止することができ、かつ、優れた磁気特性を確保することができるフェライト装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical connector interconnection adaptor which enhances a combination strength and also facilitates strength control when integrating a first adaptor half and a second adaptor half.例文帳に追加

第一のアダプタ半体と、第二のアダプタ半体とを一体化するに際し、組み合わせ強度が向上し、且つ一体化した後での強度管理も容易となる光コネクタ相互接続用アダプタを提供する。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the side face of the copper interconnection 5 and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

The conductive interconnection elements on the structure having the first integrated circuit electrically connect the individual photosensors with the drive circuits on the structure having the second integrated circuit.例文帳に追加

第１の集積回路が作製された構造上の導電性相互接続要素は、個々のフォトセンサと第２の集積回路が作製された構造上の駆動回路の間の電気的接続をする。 - 特許庁

The device includes a substrate 7 for supporting the bio-analytes, and the substrate 7 has a plurality of interconnection parts and a plurality of regions 10.例文帳に追加

生物検体の分離および特性化のための活性シーブデバイスであって、前記デバイスは、生物検体を支持するための基板７を備え、該基板７は、複数の相互接続部および複数の領域１０を有する。 - 特許庁

The interconnection may be implemented using a dynamic switching matrix that allows the host controller to switch from one functional device to another using signal response from the functional devices.例文帳に追加

相互接続は、ホスト・コントローラが、機能デバイス群からの信号応答を使用して、ある機能デバイスから別の機能デバイスに切り替えることができるようにする動的スイッチング・マトリックスを使用して実施される。 - 特許庁

A silicon oxide film 43, a colored thin film 44, and a silicon oxide film 45 are formed sequentially on the interconnection 42, and a silicon nitride film 46, serving as a surface protection film, is formed on the silicon oxide film 45.例文帳に追加

配線４２上に酸化シリコン膜４３、有色薄膜４４および酸化シリコン膜４５を順次形成し、酸化シリコン膜４５上に表面保護膜となる窒化シリコン膜４６を形成する。 - 特許庁