「In memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(886ページ目) - Weblio英語例文検索

A management server is configured to collect update information corresponding to a pre-update program operating in incorporated equipment, and to generate an update information file by solving an address on a memory for dynamically applying the update information to the incorporated equipment.例文帳に追加

管理サーバでは、組込み機器で稼働する更新前プログラムに対する更新情報を収集し、更新情報を組込み機器に動的に適用するためのメモリ上でのアドレスを解決した更新情報ファイルを生成する。 - 特許庁

When the switches 72, 84 are turned on, macro position information previously stored in a memory 74 is read out by a CPU 50 and the master lens M is automatically set up to the macro position under the control of the CPU 50.例文帳に追加

このマクロＯＮスイッチ７２、８４がオンされると、メモリー７４に予め記憶されたマクロ位置の情報がＣＰＵ５０によって読み出され、ＣＰＵ５０の制御によってそのマクロ位置にマスターレンズＭが自動的に設定される。 - 特許庁

The CPU 110 samples the level of detection signal at a prescribed timing and obtains the correction data based on the level of the detection signal sampled by the sampling means and the level of the reference value stored in the memory.例文帳に追加

さらに、ＣＰＵ１１０は、所定のタイミングで検出信号のレベルをサンプリングし、サンプリング手段にてサンプリングされた検出信号のレベルと、メモリに記憶される基準値のレベルとに基づいて補正データを求める構成をなしている。 - 特許庁

To achieve a chain mode for transferring DMA in a ring buffer configuration to a DMA transfer area defined by a two-dimensional rectangle and shifting the transfer area dynamically to a discontinuous memory area during the DMA transfer.例文帳に追加

２次元の矩形で定義されるＤＭＡ転送領域に対してリングバッファ構成で転送を行ったり、転送領域をＤＭＡ転送途中で動的に不連続なメモリエリアへ遷移させるチェインモードを実現することを目的とする。 - 特許庁

To prevent malfunction immediately after the chip selection even when not only off-leak current is reduced but also leak element other than the off-leak exists in the decoder circuit of semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は、半導体記憶装置のデコーダ回路において、オフリーク電流を削減するのみでなく、オフリーク以外のリーク成分がある場合でも、チップ選択直後の誤動作を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

These control signals BBL1, BBL2 are connected to the back gate electrodes of NMOS transistors which exist in memory cells M1-M22 connected to a pair of bit line selected by corresponding column selection signals.例文帳に追加

これらの制御信号ＢＢＬ１、ＢＢＬ２は、対応する列選択信号により選択された一対のビット線に接続されたメモリセル内に存在するＮＭＯＳトランジスタ３０ｂ、３１ｂ、３２、３３のバックゲート電極に接続されるようにした。 - 特許庁

To provide a memory access device embedded in a microcomputer capable of changing a CS region with the setting from the outside and coping with the specification change of a system or an external device utilizing the microcomputer without regenerating the microcomputer.例文帳に追加

外部からの設定でＣＳ領域を変更でき、マイコンを利用するシステムや外部デバイスの仕様変更に対して、マイコンを再作成することなく対応できるマイコンに内蔵されるメモリアクセス装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide ample adhesive strength and entry blocking function against external static electricity with appropriate reproducibility, after reducing the amount of ultrasonic vibration energy required to melt energy director, in manufacturing a semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリカードを製造するにあたって、エネルギーダイレクタの溶融に要する超音波振動のエネルギー量を軽減した上で、十分な溶着強度と外部静電気の進入遮断機能を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide an impurity doping method and a fabrication method for memory device, insulated gate type semiconductor device and semiconductor device in a process for fabricating a semiconductor device such as semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路等の半導体装置を作製する工程における不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法並びに半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory wherein repeated recording characteristic in 100°C environment is excellent with a high curie temperature while film-forming is allowed at such low temperature order as 600°C for matching the semiconductor process.例文帳に追加

高いキュリー温度を有することで１００℃の環境下での繰り返し記録特性に優れ、なおかつ半導体プロセスと整合性のとれる低い温度６００℃台で成膜することができる強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that has a thin film capacitor without problems caused by reaction with plug material by using conductive perovskite, which has strong affinity with oxygen and can form a film stably in oxygen-free or low-oxygen atmosphere.例文帳に追加

酸素との親和力が強く、無酸素雰囲気や低酸素雰囲気で安定に成膜できる導電性ペロブスカイトを用い、プラグ材料との反応による問題が生じない薄膜キャパシタを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel organic ultrathin film which enables the photoisomerization of a colorant molecule in a high-density solid state by providing a free volume around the colorant molecule and is useful as an optical memory, etc.例文帳に追加

色素分子の周りに自由体積をもうけることで、色素分子の高密度固体状態での光異性化反応をも可能として、光メモリー等として有用な新しい有機超薄膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The time involved in acquiring the secondary parameter necessary to the arithmetic processing is shortened and the arithmetic processing is quickly performed by directly issuing an address to the memory part without going through an arithmetic processing part for performing actual arithmetic processing.例文帳に追加

実際の演算処理を行なう演算処理部を経由することなく、メモリ部に対してアドレスを直接発行することで、演算処理に必要な２次パラメータの取得に伴う時間を短縮して、高速に演算処理を行う。 - 特許庁

Each source for MISFETs is adjoined while being insulated on the surface of a semiconductor substrate 1 between the two MISFETs of the MISFET in a region AR1 configuring one memory cell and the MISFET adjacent to the MISFET.例文帳に追加

１メモリセルを構成する領域ＡＲ１のＭＩＳＦＥＴとそれに隣接したＭＩＳＦＥＴとの２つのＭＩＳＦＥＴの間で、ＭＩＳＦＥＴの各ソースは、半導体基板１の表面において、絶縁しつつ隣接する。 - 特許庁

Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加

初回の書込み動作の前に、上部電極１８および下部電極１４に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層１７の下部電極１４との界面に高抵抗層１９が設けられている。 - 特許庁

When the voltage is applied from the EL drive voltage generating circuit 4 to the drain via the voltage line VL, the organic EL element 12 emits light if the light emission is memorized in the corresponding double-gate memory transistor 11 according to the voltage.例文帳に追加

ＥＬ駆動電圧発生回路４から電圧ラインＶＬを介してドレインに電圧が印加されると、有機ＥＬ素子１２は、その電圧に応じて、対応するダブルゲートメモリトランジスタ１１に発光がメモリされたものが発光する。 - 特許庁

To provide a retrieval unit for record/playback apparatus capable of quickly and adequately retrieving images recorded on a tape with retrieval data written in a memory wherein addresses corresponding to the recording positions of the images recorded on the tape are set.例文帳に追加

記録画像のテープの記録位置に対応するアドレスが設定されたメモリに、検索データが書き込まれ、テープの記録画像の検索を迅速且つ適確に行なうことが可能な記録・再生装置の検索ユニットを提供する。 - 特許庁

The DMA controller 15 reads the heading 4 bytes of the TS packet disposed in the buffer of the memory 16 and following 184 bytes of '0' remaining by the TS packet size and outputs them to the HSD output 102.例文帳に追加

ＤＭＡ制御部１５は内蔵メモリ１６のバッファに配置されているＴＳパケットの先頭４バイト及び引き続きＴＳパケット・サイズ分残りである１８４バイト分の“０”を読込み、ＨＳＤ出力１０２へ出力する。 - 特許庁

In addition, by continuous access determination and by including a bus sizing function, the shortening of the access cycle is realized, and the circuit size can be reduced by using signal input from the outside to generate refresh timing to the memory 4.例文帳に追加

また、連続アクセス判定やバスサイジング機能を有することでアクセスサイクルの短縮を実現するとともに、外部からの信号入力を利用してメモリ４へのリフレッシュタイミングを生成することにより、回路削減が可能となる。 - 特許庁

The removable hard disk 20 receives a program 12 for user firmware to the hard disk, which is transmitted from a hard disk recorder 10 through an IDE bus, etc., and stores in an internal nonvolatile memory as a program 22 for user firmware.例文帳に追加

着脱自在なハードディスク２０は、ハードディスクレコーダ１０からＩＤＥバス等を介して送信された、ハードディスク向けユーザファームウェア用プログラム１２を受信してユーザファームウェア用プログラム２２として内部の不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

A coded signal is received by using the variable rate coding system, the signal is decoded by using a decoder 202, the decoded signal is re-encoded by using a re-encoder 206, and the re-encoded signal is stored in a memory 210.例文帳に追加

可変レート符号化システムを用いて符号化信号を受け取り、その信号をデコーダ２０２を用いて復号化し、その復号化信号を再エンコーダ２０６にて再符号化し、その再符号化信号をメモリ２１０に記録する。 - 特許庁

A NAND type flash memory is used as a CGROM for storing performance images, and the refreshing processing of the CGROM is performed in a performance establishing period of not accessing the CGROM during the operation of the Pachinko game machine.例文帳に追加

演出画像を記憶するＣＧＲＯＭとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用すると共に、パチンコ遊技機の動作中においてＣＧＲＯＭにアクセスしていない演出確定期間に、ＣＧＲＯＭのリフレッシュ処理を行うようにした。 - 特許庁

The address generating circuit 10 sets the search range in the case of stereo matching and instructs the read of image data within the relevant set search range and image data inside the reference image area, to the line memory 7.例文帳に追加

アドレス生成回路１０は、ステレオマッチングを行う際の探索範囲を設定するとともに、当該設定された探索範囲内の画像データと基準画像領域内の画像データとの読み出しを、ラインメモリ７に対して指示する。 - 特許庁

Also, when receiving a preset data selection command, the preset data stored in the memory part 46 are listed and displayed together with the location information and the time information and the preset data selected on the display image are set as the data for tuning.例文帳に追加

また、プリセットデータの選択指令を受けると、メモリ部４６に記憶されたプリセットデータを位置情報及び日時情報と共に一覧表示し、その表示画面上で選択されたプリセットデータを選局用として設定する。 - 特許庁

A signal waveform at error detection can be displayed using the waveform display information HW stored in the memory part 52, so that the broadcast receiver can readily and quickly handle with respect to generation of errors.例文帳に追加

メモリ部５２に記憶されている波形表示情報ＨＷを用いて異常が検出されたときの信号波形を表示することが可能となり、異常の発生に対する対処を容易かつ速やかに行うことができる。 - 特許庁

A correction value specifying circuit 33 specifies the correction value R for each of the plurality of pixels P based upon a correction coefficient Dc of the block B that the pixel P belongs to among the plurality of correction coefficients Dc stored in the memory 35.例文帳に追加

補正値特定回路３３は、複数の画素Ｐの各々について、メモリ３５に記憶された複数の補正係数Ｄcのうち当該画素Ｐが属するブロックＢの補正係数Ｄcに基づいて補正値Ｒを特定する。 - 特許庁

A plurality of grooves 105 for element separation are formed in the region between mutually adjacent bit lines 103, and the plurality of grooves 105 for element separation separate drain diffusion regions 106 of at least mutually adjacent memory cells.例文帳に追加

互いに隣接するビット線１０３間の領域に複数の素子分離用溝１０５を夫々形成し、その複数の素子分離用溝１０５により少なくとも互いに隣接するメモリセルのドレイン拡散領域１０６間を分離する。 - 特許庁

The multiplexing circuit 3 multiplexes the frame synchronizing signal from the synchronizing register 2, the TMCC signal from the memory 1 and the signal of a prescribed pattern for finish processing from the synchronizing register 2 in this order and sends than to a Reed-Solomon encoding circuit 4.例文帳に追加

多重化回路３は、同期レジスタ２からのフレーム同期信号、メモリ１からのＴＭＣＣ信号、同期レジスタ２からの終結処理のための所定のパターンの信号の順で多重化し、リードソロモン符号化回路４に送る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory having a selectable I/O bit sequence in which the arranging width of data buses can be reduced on a semiconductor substrate and the number of elements can be decreased.例文帳に追加

入出力のビット構成を選択可能な半導体記憶装置において、半導体基板上に配列されるデータバスの配列幅を小さくするとともに、素子数を少なくすることのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁

Particularly, the apparatus and the process are contemplated for the deposition of a metal-oxide film, such as a barium, strontium, titanium oxide (BST) film, on a silicon wafer to make integrated circuit capacitors useful in high capacity dynamic memory modules.例文帳に追加

特に、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化チタン（ＢＳＴ）フィルムのような金属酸化物フィルムをシリコン・ウエハ上に堆積して、高容量ダイナミック・メモリ・モジュールに有用な集積回路コンデンサを製作する装置および方法を企図している。 - 特許庁

A CPU 41 determines an assist current value which corresponds to he steering torque and the car speed respectively detected by a steering torque sensor 21 and a speed sensor 22 by referring to an assist map prepared in a memory unit 42.例文帳に追加

ＣＰＵ４１は、メモリ装置４２に予め用意されたアシストマップを参照することにより、操舵トルクセンサ２１及び車速センサ２２によりそれぞれ検出された操舵トルク及び車速に対応したアシスト電流値を決定する。 - 特許庁

The torque operation part 24 performs gradual variation processing for gradually reducing the torque detection value according to an angular velocity or the angular acceleration of a steering assistance motor, and the torque detection value subjected to gradual variation processing is stored in the memory device 26 as the past torque.例文帳に追加

トルク演算部２４は操舵補助モータの角速度又は角加速度に応じてトルク検出値を徐々に減少させる徐変処理を行い、徐変処理されたトルク検出値を過去トルクとして記憶装置２６に格納する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A descramble device 20 receives data DIN read from the interleave memory 13 by every n bytes (n is a positive integer) in every column as input and performs descramble based on data positional information S2 output from the DMA device 2 15.例文帳に追加

デスクランブル装置２０はインタリーブメモリ１３から列毎にｎ（ｎは正の整数）バイトずつ読み出されたデータＤＩＮを入力とし、ＤＭＡ装置２ １５から出力されたデータ位置情報Ｓ２を基にして、デスクランブルを行う。 - 特許庁

When the cartridge is loaded in a printer body after being refilled with an improper toner, it is decided that the cartridge is an improper cartridge having been refilled with a toner from the information written to the cartridge memory.例文帳に追加

カートリッジに不適正なトナーの詰め替えを行ってから、プリンタ本体に装填すると、カートリッジメモリに書き込まれた情報に基づいて、トナーの詰め替えがされた不適正なカートリッジか適正なカートリッジかの判定が行われる。 - 特許庁

The circuit 2 respectively compares the values of the Y signal, U signal and V signal of adjacent pixels based on label information (coordinates and label) stored in a label memory 4 and outputs their results to a label setting circuit 3.例文帳に追加

画素値比較回路２は、ラベルメモリ４が記憶しているラベル情報（座標、およびラベル）に基づいて、隣接する画素のＹ信号、Ｕ信号、およびＶ信号の値をそれぞれ比較し、その結果をラベル設定回路３に出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can surely prevent a capacity insulation film, made of ferroelectric or high dielectric in a capacitor from being deteriorated by hydrogen generating from a hydrogen barrier film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

While the prescribed time T elapses, a clock signal generation circuit 10 successively reads a plurality of the digital signals stored in the memory circuit 8 and reproduces clock signals synchronized with a signal cycle of transmitted encoded data.例文帳に追加

その所定時間Ｔが経過するまでの間に、クロック信号再生回路１０は、メモリ回路８に記憶された複数個のデジタル信号を、順次読み出し、送信符号化データの信号周期に同期したクロック信号を再生する。 - 特許庁

As the selector can guide the processor to the proper firmware, in a case when the computer stores a plurality of pieces of firmware, a customer can change the processor by the selector without replacing a firmware memory and a circuit board.例文帳に追加

このセレクタは、コンピュータが複数のファームウェアを記憶しているときに、プロセッサを適切なファームウェアに導くことができるので、このセレクタにより、顧客は、ファームウェア・メモリや回路基板を交換することなくプロセッサを変更することができる。 - 特許庁

To provide an error correction circuit of a programmable logic circuit capable of dynamically performing detection, correction and restoration of an error in a configuration memory, with the error concealed, without influencing the programmable logic circuit.例文帳に追加

コンフィギュレーションメモリのエラーの検出から修正、復旧までをプログラマブル論理回路に影響を与えることなくエラーを隠蔽した状態で動的に行うことが可能なプログラマブル論理回路のエラー訂正回路を提供する。 - 特許庁

A process management manager 202 encodes a print workflow instructed by a print process job ticket, embeds the resulting encoded workflow in print condition metadata 209 within the print process job ticket 208, and makes a memory retain it.例文帳に追加

工程管理マネージャ２０２は、印刷プロセスジョブチケットで指示されている印刷ワークフローを記号化し、該記号化した記号化ワークフローを、印刷プロセスジョブチケット２０８内の印刷条件メタデータ２０９に埋め込んでメモリに保持させる。 - 特許庁

To provide an "application end batch download system" for acquiring and downloading similar applications as well as a memory card or the like in a batch from an application providing department only by performing a procedure operation for downloading applications one time.例文帳に追加

ダウンロードするための手続操作を１回行うのみで、同様のアプリケーションをアプリケーション提供部門からメモリカード等を含めて一括取得してダウンロードすることができるようにした「アプリケーション一括ダウンロードシステム」とする。 - 特許庁

To reduce use memory and processing loads by sharing data broadcast with only one data broadcast browser in a digital broadcast receiver that asynchronously tunes and receives digital broadcast data, and regenerates them via respective tuners.例文帳に追加

デジタル放送を非同期に選局受信してそれぞれのチューナで再生するデジタル放送受信装置において、唯一個のデータ放送ブラウザでデータ放送を共用することにより使用メモリの削減と処理負荷の軽減をはかる。 - 特許庁

The portable telephone set deletes user data associated with a specific folder selected by the user as a deletion object among displayed folders from the built-in memory after specifying the user data by referring to the link information.例文帳に追加

そして、携帯電話機は、表示したフォルダのうち、削除対象としてユーザが選択した特定のフォルダに関連付けされているユーザデータを、当該リンク情報を参照することによって特定した後、当該内蔵メモリから削除する。 - 特許庁