「Line width」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A control gate line CGL is connected to a plurality of memory cells MC arrayed in a y direction side by side in common and arrayed extending in the y direction, and the control gate line CGL has a first width D2 on the element region 10 and a second width D1 wider than the first width D2 on the element isolation region 20.例文帳に追加

ｙ方向に並んで配列された複数のメモリセルＭＣに共通に接続されｙ方向に延びるように制御ゲート線ＣＧＬが配列され、制御ゲート線ＣＧＬは素子領域１０上では第１の幅Ｄ２を有する一方素子分離領域２０上では第１の幅Ｄ２より広い第２の幅Ｄ１を有する。 - 特許庁

When the precedent vehicle is detected among images ahead of an own vehicle obtained by a CCD camera 5, a stopping line detection window SLW is set in front of the precedent vehicle, and a white line having a length above a predetermined ratio to its own width is considered as the stopping line.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ５で得た自車両前方画像のうち、前方車両が検出されたときにはその手前に停止線検出ウインドウＳＬＷを設定し、その幅に対して所定の割合以上の長さの白線を停止線と見なす。 - 特許庁

The wiring width and thickness of a pit line 10 are shown by W1 and T1, the thickness of a digit line 5 is shown by T2, and a distance between a center in the thickness direction of the digit line 5 and a center in the thickness direction of a free layer for an MTJ element 8 is shown by L1.例文帳に追加

ビット線１０の配線幅および厚さをそれぞれＷ１およびＴ１とし、ディジット線５の厚さをＴ２とし、ディジット線５の厚み方向中心からＭＴＪ素子８のフリー層の厚み方向中心までの距離をＬ１とする。 - 特許庁

A center line of the coil center part 1a, a center line of an aluminum plate, and a butting part (a straight line shape) of the metal plate material 3 are matched within accuracy of ±30% of the cross sectional lateral width to obtain the butt joint of the metal plate material.例文帳に追加

このコイル中央部分１ａの中心線、アルミニウム板の中心線、金属板材３の突き合わせ部分（直線状）を断面横幅の±３０％以内の精度で一致させて電磁溶接すれば、金属板材の突き合わせ継手が得られる。 - 特許庁

The respective superposing marks have 1st line segments yf1, mf1, cf1 and kf1, extending along in the width direction of the belt 21, that is, in the main scanning direction, and 2nd line segments yf2, mf2, cf2 and kf2 inclined and extended from one end of the 1st line segment.例文帳に追加

各重ねマークは、搬送ベルト２１の幅方向、すなわち主走査方向に沿って延びた第１の線分ｙｆ1、ｍｆ1、ｃｆ1、ｋｆ1、およびこの第１の線分の一端から傾斜して延びた第２の線分ｙｆ2、ｍｆ2、ｃｆ2、ｋｆ2を有する。 - 特許庁

Next, a wiring line conflicting with timing restriction is detected from the layout after the wiring process, a space is provided around the detected wiring line, a width of the detected wiring line is changed by use of the provided space, and the layout after the wiring process is changed.例文帳に追加

次に、配線工程後のレイアウトからタイミング制約に抵触する配線を検出し、検出された配線の周囲にスペースを空け、空いたスペースを利用して検出された配線の幅を変更し、配線工程後のレイアウトを変更する。 - 特許庁

Furthermore, since an air layer having a dielectric constant substantially equal to 1 exists between the inductive line and the ground surface, the line width of the inductive line can be made as wide as that when a substrate of low dielectric constant is used, and thereby a high power handling capability can be attained.例文帳に追加

また、誘導性線路とグランド面との間は誘電率がほぼ１である空気層であるから、該誘導性線路の線路幅を低誘電率の基板を用いた場合と同程度に広くすることが可能となり高耐電力化が図れる。 - 特許庁

To solve the problem that the more the wiring is increased in width, the more the signal line is increased in parasitic capacitance, and this requires large power for driving the signal line and invites an increase in power consumption as a result when the signal line wiring is used also for light shielding.例文帳に追加

信号線の配線を遮光に兼用するようにした場合、配線幅が広くなる分だけ信号線に付く寄生容量が大きくなり、信号線を駆動するのに大きな電力を要することになるため消費電力の増大を招く。 - 特許庁

Electric power resulting from electric power coupling is decreased by providing a line 21b different in line width in a subsidiary line 2b to be offset by electric power generated by magnetic field coupling, so that electric power flowing into an isolation port 20c is restrained to obtain the high isolation.例文帳に追加

副線路２ｂに線路幅の異なる線路２１ｂを設けることにより電界結合による電力を小さくし、磁界結合による電力と相殺させることによりアイソレーションポート２０ｃへ流れ込む電力を抑え高いアイソレーションを得る。 - 特許庁

Thus, the film thickness of the scanning line 3 is made the same as the film thickness at a film forming time and relatively thickner, and then, even when the line width of the scanning line 3 is narrowed, the wiring resistance is reduced, and its numerical aperture is enlarged.例文帳に追加

この結果、走査線３の膜厚を成膜時の膜厚と同じで比較的厚くすることができ、したがって走査線３の線幅を細くしてもその配線抵抗を低くすることができ、ひいては開口率を大きくすることができる。 - 特許庁

Also, line impedance with the same pattern width matches by making the tester board substrate 101 a film substrate with the same material and thickness as the film substrate 70 and a phase difference is eliminated by mutually equalizing line lengths of the line pattern on the substrate 70.例文帳に追加

またテスタボード基板１０１をフィルム基板７０と同じ材質で同じ厚みのフィルム基板にすることで、同一のパターン幅で線路のインピーダンスを合わせ、さらにフィルム基板７０上線路パターンの線路長を互いに等しくして位相差を無くす。 - 特許庁

Protruded surface parts 25, 26 of a base part 19 with an almost oval shape in the door striker 18 are formed at an outer side in a vehicle width direction as well as at an inner side in a vehicle width direction by using an imaginary line 23 connecting with the mounting holes 21 of the base part 19 in an outer circumferential part as a reference line.例文帳に追加

ドアストライカ１８における略楕円形状のベース部１９の突出面部２５、２６を、外周部において、ベース部１９の取付け孔２１を結ぶ仮想線２３を基準として、車幅方向内方側だけでなく車幅方向外方側にも設ける。 - 特許庁

To provide a bake furnace which can manufacture a wafer which is equal in line width by dissolving the inequality of the line width at the surface of a wafer where a developer is applied.例文帳に追加

従来のウェハのベーク炉では、単一の温度制御装置により温度制御を行っているため、ウェハ表面に温度分布を生じさせることができず、ウェハ表面にはその位置によりベーク時の現像液のアタックに強弱があり、ベークにより得られるウェハのフォトレジストの線幅にばらつきが生じてしまう。 - 特許庁

A line width control section 3 receives the line width control information S1 as a input, and ORs an initial value of N-bit data equal to the number of divisions of the current pixel and (N-1) data bits to generate image data being fine divisions of the target pixel.例文帳に追加

線幅制御部３は、線幅制御情報Ｓ１を入力として受け、線幅情報から時分割クロックを用いて現画素の前記分割数と同じＮビットデータの初期値と（Ｎ−１）個のデータビットの論理和をとり、注目画素を細分化した画像データを生成する。 - 特許庁

To provide an electroconductive ink composition capable of forming good electroconductive patterns of fine line width, to provide a printing method capable of easily printing good electroconductive patters of fine line width, and to provide prints printed by the printing method.例文帳に追加

良好な微細線幅の導電性パターンを形成することができる導電性インキ組成物、該導電性インキ組成物を用いて、良好な微細線幅の導電性パターンを簡便に印刷することができる印刷方法、及び該印刷方法により印刷された印刷物を提供する。 - 特許庁

Then, in an exposure device B, the same L/S pattern is formed using the same mask, and the coherence factor of the exposure device B is adjusted to achieve the condition that the dimensional difference becomes minimum between the line width PB in that L/S pattern and the line width PA in the L/S pattern formed in the exposure device A.例文帳に追加

次に、露光装置Ｂにおいて、同一のマスクを用いて同一のＬ／Ｓパターンを形成するとともに、当該Ｌ／Ｓパターンのライン幅ＰＢと、露光装置Ａで形成したＬ／Ｓパターンライン幅ＰＡとの間の寸法差が最小になる条件に、露光装置Ｂのコヒーレンスファクタを調整する。 - 特許庁

On a ridge flat tile 1 formed in a dividable state along a dividing line 2 at the central part of the width direction, a recessed groove 4 having a closed curved shape in the plan view is formed at a position divided into two by a dividing line 2 which is at the central part in the width direction on the top surface 3.例文帳に追加

幅方向中央部の分割線２に沿って分割可能に形成されたのし瓦１において、その上面３における幅方向中央部であって分割線２により２分割される位置に、平面形状が閉曲線形状である凹溝４を形成する。 - 特許庁

A poly-silicon film 4 is formed on the entire face of a surface region of a silicon semiconductor substrate 1, and this poly-silicon film 4 is patterned so that a line width of a poly-silicon film 4' in a field oxide film 2 is made larger than a line width of the poly-silicon film 4 in an element forming region.例文帳に追加

シリコン半導体基板１の表面領域の全面にポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン膜４をパターニングして、フィールド酸化膜２におけるポリシリコン膜４'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜４の線幅よりも大きくなるようにする。 - 特許庁

A CPU 101 generates print data from image information received from a host device based on table information about the number of columns of a table stored in a RAM 111, column width, a registration number, ruled line width and table information about space between a character and a ruled line and outputs it to a head unit 102.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１１１に記憶された表の列数、列幅、登録番号、罫線幅、文字と罫線間のスペースに関する表情報に基づいて、ホスト装置から受信した画像情報から印刷データを生成しヘッドユニット１０２に出力する。 - 特許庁

A radiation conductor 16, which is connected between the linear conductor 24 and the ground conductor 26 and has wider line width than the line width of linear conductor 24 between the point at which the linear conductor 24 is connected and the point at which the ground conductor 26 is connected, radiates an electric field.例文帳に追加

放射導体１６は、線状導体２４とグランド導体２６との間に接続され、かつ、線状導体２４が接続されている点とグランド導体２６が接続されている点との間において線状導体２４の線幅よりも広い線幅を有しており、電界を放射する。 - 特許庁

A signal Pj having a pulse width corresponding to display data Da-j is output by a pulse width modulator 54 provided to a data line 211; and a lamp signal Vrp generated by a lamp signal generating circuit 30 is sampled, on the basis of the signal Pj and output to a data line 211.例文帳に追加

データ線２１１に設けられたパルス幅変調器５４で、表示データＤａ−ｊに応じたパルス幅の信号Ｐｊを出力し、当該信号Ｐｊに基づいて、ランプ信号生成回路３０で生成されるランプ信号Ｖｒｐをサンプリングし、データ線２１１に出力する。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device which can be improved in display quality by suppressing small the difference between the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having wide overlap width and the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having narrow overlap width.例文帳に追加

重畳幅が広い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量と、重畳幅が狭い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量との差を低く抑えて表示品位を高めることのできるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A gate 15 is formed into a rectangular shape so that the width W1 in the direction crossing the axial line of the core or insert material, which is held by a fixed mold 12 and a movable mold 13, at a right angle becomes larger than the width W2 in the direction parallel to the axial line of the core or insert material.例文帳に追加

ゲート１５を、固定金型１２と可動金型１３とにより保持された中子またはインサート材の軸線に直交する方向における幅Ｗ１が、中子またはインサート材の軸線に平行な方向における幅Ｗ２よりも大きくなる長方形をなすように形成する。 - 特許庁

When a reference line BL is set at a vertical intermediate position between the crest parts 33a and the bottom parts 33b, the ratio Wb/Wa of the longitudinal width Wb of the bottom parts 33b to the longitudinal width Wa of the crest parts 33a on the reference line is set to 1.2 to 2.0.例文帳に追加

山部３３ａと谷部３３ｂとの高さ方向の中間の位置に基準線ＢＬを設定したときに、該基準線上における山部３３ａの長さ方向の幅Ｗａと谷部３３ｂの長さ方向の幅Ｗｂとの比Ｗｂ／Ｗａは、１．２〜２．０に設定されている。 - 特許庁

Thereafter, a delivery device 3 is moved to allow the center line Q1 of the belt tread ring in the width direction thereof to coincide with the center line Q2 of the delivery device 3 in the width direction thereof and stopped to complete the delivery of the belt tread ring and, thereafter, the belt tread ring is conveyed to a next process by the delivery device 3.例文帳に追加

その後、受渡し装置３を移動させてベルトトレッドリングの幅中心Ｑ_1 に受渡し装置３の幅中心Ｑ_2 を一致させて停止させ、ベルトトレッドリングの受渡し完了後、受渡し装置３によりベルトトレッドリングを次工程へ搬送するのである。 - 特許庁

In the pattern forming method for a semiconductor device, a gate line, a padding and a selection line are formed at the same time by forming a pattern for a gate line using a first photoresist pattern and a first antireflection film, and forming a pattern for a padding and a selection line of a width wider than that for the gate line using a second photoresist pattern and a second antireflection film.例文帳に追加

第1のフォトレジストパターン及び第1の反射防止膜を用いてゲートライン用パターンを形成し、第2のフォトレジストパターン及び第2の反射防止膜を用いてゲートラインより広い幅のパッド及びセレクトライン用パターンを形成することにより、ゲートライン、パッド及びセレクトラインを同時に形成することができる半導体素子のパターン形成方法。 - 特許庁

The welding line width 5 per one welding line, out of the moldings 1 and 2 forming the welding part, is made narrower than the thickness of the welded part of the molding having lower tensile break strength.例文帳に追加

このとき、一本あたりの溶着線幅５は、溶着部を形成する熱可塑性樹脂成形体１及び２のうち、引張破断強度が低い側の成形体の被溶着部分の厚さより細くする。 - 特許庁

A silicon oxide film 21 is formed on the inner wall surface of a wiring groove 23 cut in a silicon oxide film 20, and a bit line BL is formed on its inner side, by which the bit line BL can be lessened in width.例文帳に追加

酸化シリコン膜２０に形成された配線溝２３の内壁に酸化シリコン膜２１を形成し、その内側にビット線ＢＬを形成することによって、ビット線ＢＬの微細化を実現する。 - 特許庁

The width of the first printed element 1a constituting each of the first printed line parts 1 is almost equal to the total value of the widths of the two second printed elements 2a and 2b constituting each of the second printed line parts 2.例文帳に追加

各第１印刷線部１を構成する第１印刷要素１ａの幅は、各第２印刷線部２を構成する２本の第２印刷要素２ａ、２ｂの幅の合計値に略等しい。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus securing a linearity of overall concentration regions of an output light pulse, and improving reproducibility of a line width in line drawings, letters and the like, and a method of controlling the same.例文帳に追加

出力光パルスの全濃度域でのリニアリティを確保するとともに、線画、文字等における線幅の再現性を向上させた画像形成装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

A DMA controller 305 divides the bit map data so as to coincide the line switching position with a boundary of rectangular image data based on information of the line switching position and information of a width of the image data.例文帳に追加

ＤＭＡコントローラ３０５は、ライン切り替え位置の情報と画像データの幅の情報に基づいて、ライン切り替え位置と矩形画像データの境界が一致するようにビットマップデータを分割する。 - 特許庁

Then, it is possible to perform drawing processing of a broken line in particular not by many rectangular rendering processing but by a plurality of unit width broken line drawing processing so that drawing processing time can be shortened.例文帳に追加

したがって，特に破線の描画処理を多数の矩形レンダリング処理ではなく複数の単位幅破線描画処理により行うことができ，描画処理時間を短縮することができる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition for forming a fine line pattern particularly even when the space width of a line-and-space pattern is wide and excellent also in transparency, sensitivity and resolution to radiation.例文帳に追加

特に、ライン・アンド・スペースパターンのスペース幅が広い場合にも、微細なラインパターンを形成でき、しかも放射線に対する透明性、感度、解像度等にも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A ratio of height Ha from the base line BL of radial outside end 52 of the bead 12 to height Hb from a base line of the maximum width position P_100 is 80% or more and 110% or less.例文帳に追加

ビード１２の半径方向外側端５２のベースラインＢＬからの高さＨａの、最大幅位置Ｐ_１００のベースラインからの高さＨｂに対する比率は、８０％以上１１０％以下である。 - 特許庁

A scanning pulse width operation part 24 compares the maximum Dmax of each scan line 34, and optimizes the scanning select period of each scan line 34 by dividing one-frame period on the basis of the ratio.例文帳に追加

スキャンパルス幅演算部２４は、各走査ライン３４の最大値Ｄｍａｘを比較し、その比に基づいて、１フレーム期間を分割することにより、各走査ライン３４の走査選択期間を最適化する。 - 特許庁

For example, a region of the tip of the fin 11 may be decreased continuously in width in the principal plane direction or may be of a shape like a straight line or curved line, growing narrow toward the tip.例文帳に追加

例えば、フィン11の先端部の領域の主平面方向の幅は、先端に近づくにつれて連続的に直線、もしくは、曲線を描くように狭められている形状であってもよい。 - 特許庁

When the shift pulse GNn is inactive, the transistor 13 is off, thereby isolating a signal line transmitting the width regulating pulse GPS from a signal line drive circuit, resulting in reducing a capacitive load of wiring.例文帳に追加

シフトパルスＧＮ_n が非アクティブであるときには、トランジスタ１３がオフして、幅規定パルスＧＰＳを伝送する信号線が信号線駆動回路から切り離されるので、配線の容量負荷が軽減される。 - 特許庁

Next, a contour part corresponding to the outer edge of the optical element out of the layers 12 and 13 is irradiated with a laser beam 21 in specified line width so as to be removed, whereby a contour line 15 is formed ((c)).例文帳に追加

次に、液晶層１２および保護層１３のうち、光学素子の外縁に対応する輪郭部分にレーザ光２１を所定の線幅で照射して除去し、輪郭線１５を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

A lower limit of an interval between the auxiliary pattern 13 and the isolated line pattern 11c corresponds to a minimum space of a design rule and an upper limit is three times the width of the isolated line pattern 11c.例文帳に追加

また、上記補助パターン１３と上記孤立ラインパターン１１ｃとの間隔は、その下限がデザインルールの最小スペース分であり、その上限が該孤立ラインパターン１１ｃの幅の３倍である。 - 特許庁

When the faulty pixel is detected, the gate bus branch line 22 is cut off by irradiating near the branched part of the gate bus line 22 with a YAG leaser beam by width smaller than the thickness of the liquid crystal cell.例文帳に追加

不良絵素が検出されると、ゲートバス支線２２の分岐部近傍に液晶セルの厚さよりも小さい幅でＹＡＧレーザー光を照射することにより当該ゲートバス支線２２を切断する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of the variation of line widths, etc., by preventing dimensional variation, such as the line width variation, etc., even when the best focus value fluctuates during exposure.例文帳に追加

露光中にベストフォーカス値が変動する場合にあっても、線幅変動等の寸法変動を防止でき、線幅等のバラツキの発生を抑えることができる露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a super narrow frequency band fluorine laser device which can oscillate only in one line, make the wavelength width of the line narrow to be about 0.2 pm, and restrain the decrease of laser output.例文帳に追加

１ラインのみで発振し、またそのラインの波長幅を約０．２ｐｍ程度に狭帯域化することができ、さらにレーザ出力の低下を抑制した超狭帯域化フッ素レーザ装置を提供する。 - 特許庁

The metal pattern has a line width of 15-40 μm and a line pitch of 100-400 μm, the bond layer is 0.03-2.5 μm thick, the electroless metal plating layer is 0.05-1.0 μm thick, and the electroplated metal layer is 2-15 μm thick.例文帳に追加

・ 該結合体層の膜厚が０．０３〜２．５μｍ ・ 該無電解金属メッキ層の膜厚が０．０５〜１．０μｍ ・ 該電解金属メッキ層の膜厚が２〜１５μｍ であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain high display quality and high visibility by suppressing variance in line width and loosenness of a line due to the slant of a segment and avoiding a crush of a figure or character due to contact between lines.例文帳に追加

線分の傾きによる線幅のばらつきおよび線のがたつきを抑え、線分間の接触による図形や文字のつぶれを回避して高い表示品位および高い視認性を有する。 - 特許庁

After a gate insulating film 4 is formed on a main face of a semiconductor substrate 1, a line-shaped dummy gate which has a line width smaller than a minimum processing dimension and a pitch which is two times the minimum processing dimension is formed.例文帳に追加

半導体基板１の主面にゲート絶縁膜４を形成した後、ライン幅が最小加工寸法よりも小さく、ピッチが最小加工寸法の２倍のライン状のダミーゲートを形成する。 - 特許庁