「Memory Array」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A NAND memory array includes: a first select transistor connected with a first select line; a second select transistor connected with a second select line; memory cells or the like each connected with its own word line or the like, which are connected in series between the first select transistor and the second select transistor; and a strapping line connected electrically with the first select line.例文帳に追加

ＮＡＮＤメモリーアレイは、第１選択ラインに連結された第１選択トランジスターと、第２選択ラインに連結された第２選択トランジスターと、ワードライン等に各々連結され、第１及び第２選択トランジスターの間に直列に連結されたメモリーセル等と、そして、第１選択ラインに電気的に連結されたストラッピングラインを含む。 - 特許庁

This communication control device has a control memory for discriminating whether transmission data are to be transmitted at a peak rate (PCR) or average rate (SCR), transmission part and CAM array part 39 for mutually correspondently storing the class (PCR or SCR) of the transmission rate discriminated by the control memory and transmission part and the time of transmission.例文帳に追加

通信制御装置は、送信データをピークレート（ＰＣＲ）及び平均レート（ＳＣＲ）のいずれによって送信するかを判定するコントロールメモリ１７及び送信部２０と、コントロールメモリ１７及び送信部２０によって判定された送信レートの種別（ＰＣＲ、ＳＣＲ）と送出時刻とを相互に対応させて記憶するＣＡＭアレイ部３９とを有している。 - 特許庁

N-channel type memory cell selecting MISFETs, having gate electrodes 9A (word lines WL) using a p^+ poly-SiGe film 9p are formed in a memory array, and n-channel MISFETs, having gate electrodes 9B using an n^+ poly-SiGe film 9n and p-channel MISFETs, having gate electrodes 9C using the p^+ poly-SiGe film 9p, are formed.例文帳に追加

ｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ａ（ワード線ＷＬ）に用いたｎチャネル型のメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴをメモリアレイに形成し、ｎ^^+ポリＳｉＧｅ膜９ｎをゲート電極９Ｂに用いたｎチャネルＭＩＳＦＥＴおよびｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ｃに用いたｐチャネルＭＩＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

To enhance the capacitor characteristics by preventing scratch of a lower electrode due to CMP, and ensuring uniformity of the thickness of a capacity insulating film in the memory cell array and in the lower electrode, in the manufacturing method of a semiconductor memory device in which the capacity insulating film of ferroelectric, or the like, is formed as a component of a capacitor by application of a liquid material.例文帳に追加

半導体記憶装置のキャパシタの構成要素として、強誘電体等の容量絶縁膜を液状材料の塗布により形成する製造方法において、ＣＭＰによる下部電極へのスクラッチ防止と、容量絶縁膜膜厚のメモリセルアレイ内、下部電極内での均一性を実現し、キャパシタ特性を向上させる。 - 特許庁

To suppress the increase of power consumption as much as possible even when a word line is set to a negative potential to rest a word line, in a semiconductor device having a function performing reset operation by driving a word line connected to a memory cell to restore a memory cell in a cell array from an activation state to a standby state.例文帳に追加

セルアレイ内のメモリセルを活性化状態からスタンバイ状態に復帰させるために、メモリセルに接続されたワード線を駆動してリセット動作を行う機能を有する半導体装置に関し、ワード線をリセットするためにワード線をマイナス電位に設定する場合でも、消費電力の増加を極力抑えることを目的とする。 - 特許庁

The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加

メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ（ＴＲ６）から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

An AD memory part 130 is constituted by arranging a unit memory 131 in two-dimensional arrangement corresponding to each pixel arrangement of the pixel array part 110, sequentially accumulates the analog pixel signals read through a perpendicular signal line and performs various kinds of processing (for example, solid-state pattern noise removal and gain adjustment, etc. by CDS) including the AD conversion.例文帳に追加

ＡＤメモリ部１３０は、画素アレイ部１１０の各画素配列に対応する２次元配列で単位メモリ１３１を配置して構成され、垂直信号線を通して読み出されたアナログ画素信号を順次蓄積し、ＡＤ変換を含む各種の処理（例えばＣＤＳによる固体パターンノイズ除去やゲイン調整等）を行う。 - 特許庁

The line section signal detection circuit 15 detects a line selection signal S3 which shows that any line of a memory cell array 2 when data is written into a memory cell 1 corresponding to the writing request signal S1, and when the line selection signal detection circuit 15 detects the line selection signal S3, it outputs the response signal S4 corresponding to the writing request signal S1.例文帳に追加

行選択信号検出回路１５は、書き込む要求信号Ｓ１に応じてメモリセル１にデータを書き込む際に、メモリセルアレイ２の何れの行が選択されたことを示す行選択信号Ｓ３を検出し、これを検出したときに、書き込み要求信号Ｓ１に対応する応答信号Ｓ４を出力するように構成される。 - 特許庁

In this semiconductor memory, the sense amplifier circuit amplifying a potential of bit lines BL, /BL in a memory cell array is constituted of a current mirror type amplifier(C-AMP) and a latch type amplifier(L-AMP) connected to the next stage of the sense amplifier.例文帳に追加

一方、ラッチ型センスアンプ回路は、高速で低消費電流であるという利点を有するものの、ビット線対の微小振幅をラッチ回路１段で増幅するため、プロセスばらつきによりセンスアンプ回路を構成するＭＯＳＦＥＴの特性がばらついたり内部ノードの寄生容量がアンバランスになると、安定した動作特性が得られ難いという問題点があった。 - 特許庁

At the time of initialization, configuration data prepared for all areas of the configuration memory (RAM) 153 built in the field programmable gate array(FPGA) 150 and previously stored in a file storage device 140 are downloaded to the RAM 153 through a system memory 120 and then only configuration data necessary for data processing are downloaded to a part of the RAM 143.例文帳に追加

初期化時に、ファイル記憶装置１４０に予め格納されているフィールド・プログラマブル・ゲートアレイ（ＦＰＧＡ）１５０内のコンフィグレーション用メモリ（ＲＡＭ）１５３全領域分のコンフィグレーション・データを、システムメモリ１２０を介してＲＡＭ１５３にダウンロードし、その後、データ処理に必要なコンフィグレーション・データのみをＲＡＭ１５３の一部にダウンロードする。 - 特許庁

Among them, M and N are natural numbers, and the second storage cells and the first transistors control whether the open circuit is formed between the corresponding bit line and sense amplifier, or not, and a write-in of a test result of the nonvolatile memory array is carried out by the second transistor and the enable line.例文帳に追加

その中で、ＭとＮは自然数であって、第２記憶セルと、第１トランジスタは、対応するビット線とセンス増幅器の間が開路であるか否かを制御し、第２トランジスタとエネイブル線とは、不揮発性メモリアレイのテスト結果を書き込む。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor storage device which inhibits an influence of a shape of a micro trench formed in an element isolation region of a peripheral circuit part with adjusting a depth of the element isolation region of a memory cell array and the peripheral circuit part.例文帳に追加

メモリセルアレイおよび周辺回路領域の素子分離領域の深さを調節しつつ、周辺回路部の素子分離領域に形成されるマイクロトレンチ形状の影響を抑制し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device of the present invention capable of correcting errors in stored data includes a memory array 31, a data reading part 32, an ECC circuit (data error detecting part and second data correcting part) 40, and a data correcting part (first data correcting part) 33.例文帳に追加

本発明は、記憶したデータの誤りを訂正することが可能な半導体装置であって、メモリアレイ３１と、データ読出部３２と、ＥＣＣ回路（データ誤検出部、第２データ訂正部）４０と、データ訂正部（第１データ訂正部）３３とを備えている。 - 特許庁

Transistors 112 are respectively connected between a connecting terminal 111 for inputting Vpp and word lines Wi and write protection is applied to a second memory cell array by controlling the continuity of the transistors 112 with the input to a control terminal 113.例文帳に追加

Ｖppを入力する接続端子１１１とワード線Ｗｉとの間にそれぞれトランジスタ１１２を介挿し、このトランジスタの導通状態を、制御端子１１３の入力によって制御することで第２のメモリセルアレイ１２２にライトプロテクトをかける。 - 特許庁

A weight calculation unit 10 calculates the difference e1(t) between an array output value Y1(t-1) of one preceding symbol which is stored in the memory 11 and assumed as the reference signal and the complex-multiplying sum Y(t).例文帳に追加

ウェイト計算機１０は、既知の参照信号が存在しないときには、メモリ１１に記憶されている、みなされた参照信号である１シンボル前のアレイ出力値Ｙ１（ｔ−１）と複素乗算和Ｙ（ｔ）との誤差ｅ１（ｔ）を算出する。 - 特許庁

A switch for controlling the connection of a pair of bit lines and an input/output control circuit is provided at also an input/output control circuit CKT33 connected to only one group of pair of bit lines provided between a Y decoder YD and a memory array MA3.例文帳に追加

ＹデコーダＹＤとメモリアレイＭＡ３間に設けられた一組のビット線対のみに接続されている入出力制御回路ＣＫＴ３３にも、前記ビット線対と前記入出力制御回路との接続を制御するためのスイッチを設ける。 - 特許庁

A CMOS-SRAM equipped with a plurality of full CMOS type memory cells 1 arranged in a two-dimensional array in line and columnar directions is provided with a capacity plate 2 for reducing software error by adding a capacity to nodes ND1 and ND2.例文帳に追加

行方向及び列方向に２次元配列で配置された複数のフルＣＭＯＳ型のメモリセル１を備えたＣＭＯＳ−ＳＲＡＭには、ノードＮＤ１、ＮＤ２に容量を付加してソフトエラーを低減する容量プレート２が設けられている。 - 特許庁

In a controller 1, a ROM write-mode setting register 10 for setting ON/OFF modes of the switches 11-1 to 11-N is provided, and the switches 11-1 to 11-N are set to ON modes when a program is written into a memory array 2 by using sockets.例文帳に追加

コントローラ１に、スイッチ１１−１〜１１−ＮのＯＮ／ＯＦＦモードを設定するＲＯＭ書きモード設定用レジスタ１０を設け、ソケットを使用してのメモリアレイ２へのプログラムの書き込み時に、スイッチ１１−１〜１１−ＮをＯＮモードとする。 - 特許庁

A search line driver DR transfers search data SD, SD_N to respective CAM cells of a CAM memory array 10 via a search line pair SL, SL_N when a search line enable signal SLE supplied from a search control circuit 40 is activated.例文帳に追加

サーチ線ドライバＤＲは、サーチ制御回路４０から供給されたサーチ線イネーブル信号ＳＬＥが活性化したとき、ＣＡＭメモリアレイ１０の各ＣＡＭセルにサーチ線対ＳＬ，ＳＬ＿Ｎを介して検索データＳＤ，ＳＤ＿Ｎを転送する。 - 特許庁

In this disk array device, a storage control device 100 controls the residence or non-residence of data relevant to jobs within the cache memory 130 on the basis of cache residence information issued for a job processed in a server 300.例文帳に追加

ディスクアレイ装置において、ストレージ制御装置１００は、サーバ３００で処理されているジョブに関連して発行されたキャッシュ常駐化情報に基づいて、キャッシュメモリ１３０内のジョブに関連するデータの常駐化または非常駐化を制御する。 - 特許庁

Each memory array includes one or a plurality of row conductors extending in the direction of a row, and one or a plurality of column conductors extending in the direction of a column such that a cross point is formed at an intersection between the row conductors and the column conductors.例文帳に追加

各メモリアレイは、行方向導体と列方向導体との間の交点でクロスポイントが形成されるように、行方向に延びる１つまたは複数の行方向導体及び列方向に延びる１つまたは複数の列方向導体を含む。 - 特許庁

The step of adapting comprise a step for determining the voltage level of the programming pulse, used to program the fastest bit of the memory array and a step setting an initial programming pulse level to a level in the general vicinity of the programming pulse level of the fastest bit.例文帳に追加

適応させるステップは、メモリアレイの高速ビットをプログラムするために使用されるプログラミングパルスの電圧レベルを決定するステップと、メモリアレイの初期プログラミングパルスレベルを、高速ビットのプログラミングパルスに概して近接したレベルに設定するステップとを含む。 - 特許庁

When the first rewritable signal FHVED is active, the first voltage supply control part 20D supplies high voltage generated by an internal power circuit (boosting circuit) 11 to a memory array 40D in the data area 10D.例文帳に追加

第１の電圧供給制御部２０Ｄは、第１の書換可能信号ＦＨＶＥＤが活性化状態の場合に、内部電源回路（昇圧回路）１１で生成された高電圧をデータ領域１０Ｄのメモリアレイ４０Ｄに供給する。 - 特許庁

Column redundant information storage circuit blocks 1W0-1W7 and 1E0-1E7 for failure column rescue are arranged in correspondence to each of memory cell array blocks MBW0-MBW7 and MBE0-MBE7.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック（ＭＢＷ０−ＭＢＷ７，ＭＢＥ０−ＭＢＥ７）それぞれに対応して、不良列救済のためのコラム冗長情報を格納するコラム冗長情報格納回路ブロック（１Ｗ０−１Ｗ７，１Ｅ０−１Ｅ７）を配置する。 - 特許庁

To provide a driving circuit capable of making it efficient to layout nonvolatile ferro-electric memory elements wherein a cell array part is divided into two and any cell is made selectable, minimizing the chip in size, and maximizing the elements in the driving performance.例文帳に追加

セルアレイ部を二つに分割してその中から任意のセルを選択できるようにした不揮発性強誘電体メモリ素子のレイアウトを効率的にし、かつチップのサイズを最小化し、素子の駆動能力を極大化できる駆動回路を提供する。 - 特許庁

In a data processor 1, a user area (block A) 19 where a user programs data and a firmware area (block) 20 where a program for controlling the writing/deleting/reading of the block A is stored are installed in the cell array area 9 of a flash memory 7.例文帳に追加

データ処理装置１は、フラッシュメモリ７のセルアレイ領域９内に、ユーザがデータをプログラムするユーザ領域（ブロックＡ）１９と、ブロックＡの書込み／消去／読出しを制御するためのプログラムが記憶されたファームウエア領域（ブロックＢ）とを設ける。 - 特許庁

By arranging read word lines RWL for every two regions AR1 and AR2 formed by dividing a memory array 10 in the column direction, it is possible to reduce signal propagation delays of the read word lines RWL and the data are read at a high speed.例文帳に追加

メモリアレイ１０を列方向に分割して形成される領域ＡＲ１，ＡＲ２ごとにリードワード線ＲＷＬを分割配置することによって、リードワード線ＲＷＬにおける信号伝搬遅延を低減して、データ読出動作を高速化できる。 - 特許庁

Data read out en bloc from sub-arrays SBA0-SBA1 in a memory cell array 20 are compared by a data bus driving circuit 300, the data bus driving circuit 300 drives potentials of data buses DB, /DB with small amplitude in accordance with this compared result.例文帳に追加

メモリセルアレイ２０中のサブアレイＳＢＡ０〜ＳＢＡ１から一括して読み出されたデータは、データバス駆動回路３００により比較され、この比較結果に応じて、データバス駆動回路３００はデータバスＤＢ、／ＤＢの電位を小振幅で駆動する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes: a substrate 100; a control circuit layer 200a provided on the substrate 100; a support layer 300 provided on the control circuit layer 200a; and a memory cell array layer provided on the support layer 300.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、基板１００と、基板１００上に設けられた制御回路層２００ａと、制御回路層２００ａの上部に設けられた支持層３００と、支持層３００の上部に設けられたメモリセルアレイ層とを備える。 - 特許庁

A voltage of 5V generated by a voltage supply circuit 101 and a voltage of -5 V, which is obtained by polarity inversion of the 5 V by a voltage-polarity inversion circuit 111, are supplied to the memory cell array 102 by a selective connection circuit 105.例文帳に追加

電圧供給回路１０１で生成した５Ｖの電圧と、この５Ｖの電圧の極性を電圧極性反転回路１１１反転してなる−５Ｖの電圧とを、選択接続回路１０５によってメモリセルアレイ１０２に供給する。 - 特許庁

The write-amplifier 23 writes selectively and simultaneously write-in data held in the write-register 22 corresponding to the set write-release flag Wrk in a memory cell array 11 when interruption of the burst cycle is indicated by a control signal/CE.例文帳に追加

ライトアンプ２３は，制御信号／ＣＥによってバーストサイクルの中止が指示されたとき，セットされているライトリリースフラグＷＲｋに対応するライトレジスタ２２ｋに保持されている書込データを，選択的に，且つ，同時にメモリアレイ１１に書き込む。 - 特許庁

In the associative memory of this invention, a CAM array 10 having a plurality of CAM cells CC is divided into a plurality of CAM subarrays 10a to d, and a retrieval operation is sequentially executed from a higher-order CAM subarray to a lower-order subarray.例文帳に追加

本発明は、複数のＣＡＭセルＣＣを有するＣＡＭアレイ１０を複数のＣＡＭサブアレイ１０ａ〜ｄに分割し、上位のＣＡＭサブアレイから下位のＣＡＭサブアレイに向かって順に検索動作を実行する連想メモリである。 - 特許庁

Reference potential precharge of a memory cell array 1 is performed by selecting a bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDAL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＡＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

The reference potential precharge of a memory cell array 2 is performed by selecting the bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDBL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ２の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＢＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

A memory 50 is storing inclination information of a line head and a delay circuit 40 sets the delay time for each light emitting element array depending on the inclination information, i.e. the inclination of a light emitting element line against the main scanning direction.例文帳に追加

モリ５０にはラインヘッドの傾斜情報を記憶しており、遅延回路４０は傾斜情報、すなわち発光素子ラインの主走査方向に対する傾斜の度合いに応じて、各発光素子列に対する遅延時間の大きさを設定する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each block of a memory cell array 51 is provided with nonvolatile normal/defective flag storing cells 62 in which a flag for discriminating whether a block is normal or not is recorded, and a normal/defective state discriminating circuit 63 discriminating a normal/defective state of a block based on the flag.例文帳に追加

メモリセルアレイ５１の各ブロックごとに、正常であるか否かを識別するためのフラグを記録した不揮発性の良／不良フラグ記憶セル６２と、上記フラグに基づきブロックの良否を判定する良／不良判定回路６３を設ける。 - 特許庁

An error code correcting system consisting of 64 bits data bit and 9 bits check bit with respect to a memory array ARY such as a DRAM is introduced, for instance, and an error correction code circuit ECC according to the above arrangement is disposed adjacent to a sense amplifier column SAA.例文帳に追加

例えば、ＤＲＡＭなどのメモリアレイＡＲＹに対して、６４ビットのデータビットと９ビットのチェックビットからなる誤り符号訂正方式を導入し、これに伴う誤り訂正符号回路ＥＣＣをセンスアンプ列ＳＡＡに隣接して配置する。 - 特許庁

The upper layer metal wirings (MLo, MLe) for pile driving are extended from the word line drive circuits to be arranged face to face to a connection area (10) at the center part of the memory cell array, and mutually and electrically connected to the gate wirings in the connection area.例文帳に追加

杭打用の上層の金属配線（ＭＬｏ，ＭＬｅ）は、対向配置されるワード線ドライブ回路からメモリセルアレイの中央部の接続領域（１０）まで延在させ、接続領域においてゲート配線に交互に電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as a DRAM, capable of suppressing an excessive diffusion of a dopant in a source-drain diffusion layer in a peripheral circuit region, while heat treatment condition is adopted that is appropriate for the source/drain diffusion layer in a memory array region.例文帳に追加

メモリアレイ領域のソース・ドレイン拡散層に適した熱処理条件を採用しつつも、周辺回路領域のソース・ドレイン拡散層での不純物の過度の拡散を抑制できるＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell array comprises a plurality of pairs of bit lines BL1, ... and control lines CL1, ... formed parallel to a channel on a substrate.例文帳に追加

メモリセルアレイ部は、基板上においてチャネルと平行に形成された複数対のビット線ＢＬ１，・・・及び制御線ＣＬ１，・・・を有し、これらの各対のビット線ＢＬ１，・・・及び制御線ＣＬ１，・・・の間に、複数個の２トランジスタ構成のメモリセル１０，・・・がそれぞれ配置されている。 - 特許庁

The potential of Vpp mains for supplying boost potential while being commonly provided at a plurality of memory array banks is detected by a Vpp level detection circuit 32, and boosting pump circuits 36a and 36b supply a current to the Vpp mains according to the result.例文帳に追加

複数のメモリアレイバンクに共通に設けられ昇圧電位を供給するＶｐｐ幹線の電位がＶｐｐレベル検知回路３２によって検知され、その結果に応じて昇圧ポンプ回路３６ａ，３６ｂは電流をＶｐｐ幹線に供給する。 - 特許庁

A comparing circuit 40 judges the existence or absence of a defective cell in a memory cell array 10 by comparing data read from an I/O bus with data previously decided and outputs the judged result as a judgement signal 4.例文帳に追加

比較回路４０は、Ｉ／Ｏバスから読み出されたデータが予め定められたデータと同じであるかどうかを比較することによりメモリセルアレイ１０中の不良セルの有無の判定を行いその判定結果を判定信号４として出力する。 - 特許庁

The use of the external SSD array as the WB cache memory makes the DAS system completely cache-coherent without significantly increasing the complexity of the DAS system and without increasing a bandwidth used for performing a caching operation.例文帳に追加

ＷＢキャッシュ・メモリとして外部ＳＳＤアレイを使用することにより、ＤＡＳシステムの複雑さを大幅には増やさず、キャッシング動作の実行に利用される帯域幅の量を増やさずに、ＤＡＳシステムが完全にキャッシュ・コヒーレントにすることが可能になる。 - 特許庁