「Potentials」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the voltage is applied to the voltage application position arranged identically to Process S2 to make flow current into the test piece, and potential difference actual measurement data is obtained by measuring the difference in potentials for the plurality of combinations with the cracks of the potential difference measurement position placed therebetween for the potential difference measurement position arranged identically to Process S2 (Process S4).例文帳に追加

その後、工程Ｓ２と同一に配置された電圧印加位置に電圧を印加して試験体に電流を流し、工程Ｓ２と同一に配置された電位差測定位置に対して、その電位差測定位置のき裂を挟んだ複数の組み合わせについての電位の差を測定して電位差実測データを求める（工程Ｓ４）。 - 特許庁

In the active matrix liquid crystal display device, one frame period is divided into plural sub-frames, the pixels of all the lines to be scanned during the sub-frame period are selected in batch before each sub-frame period, and an elimination signal to uniformalize pixel potentials is written in the pixels selected in batch in synchronization with the batch selection.例文帳に追加

アクティブマトリックス液晶表示装置において、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、各サブフレーム期間の前に当該サブフレーム期間中に走査する全ラインの画素を一括選択し、該一括選択に同期して、画素電位を揃えるための消去信号を一括選択された画素に書きこむ。 - 特許庁

Source potentials of the NMOS transistors of the paired first and second transistor are maintained to be a lower negative potential than a ground potential, respectively, and normally on type NMOS transistors 42, 44 of one step or more intervene between a drain terminal of the PMOS transistors and the drain terminal of the NMOS transistors of the paired first and second transistor.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタ対のＮＭＯＳトランジスタのソース電位がそれぞれ接地電位より低い負電位に維持され、かつ、第１及び第２のトランジスタ対のＰＭＯＳトランジスタのドレイン端子とＮＭＯＳトランジスタのドレイン端子との間に１段以上のノーマリオン型ＮＭＯＳトランジスタ４２、４４が介在する。 - 特許庁

This light emitting device has at least one luminescent layer between a pair of electrodes; the luminescent layer includes a positive hole transportation material, an electron transporting material and a luminescent material; and a relationship of Ip(L)≤Ip(HL)≤Ip(EL) is satisfied among their respective ionization potentials Ip(HL), Ip(EL) and Ip(L).例文帳に追加

一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を有しており、該発光層は正孔輸送材料、電子輸送性材料、及び発光材料を含み、かつこれらの各イオン化ポテンシャルＩｐ（ＨＬ）、Ｉｐ（ＥＬ）、Ｉｐ（Ｌ）間に、Ｉｐ（Ｌ）≦Ｉｐ（ＨＬ）≦Ｉｐ（ＥＬ）の関係が満たされた発光素子。 - 特許庁

The display device has, on a substrate, a pixel circuit driven through a gate line and a source line, first wiring formed simultaneously to the gate line, second wiring formed simultaneously with the source line, and the test circuit which detects the defect of the pixel circuit, by using potentials of the first wiring and second wiring.例文帳に追加

基板上に、ゲートライン及びソースラインにより駆動する画素回路と、前記ゲートラインと同時に形成された第１の配線、及び前記ソースラインと同時に形成された第２の配線と、前記第１の配線及び前記第２の配線の電位により、前記画素回路の不良を検知する検査回路と、を有する構成とした。 - 特許庁

A plurality of detectors DTU1-DTUn are disposed respectively for the sense amplifier units to form the transfer paths 70 to transfer the potentials according to the detection output signal of each sense amplifier unit, and detect the sense amplifier units at the positions where the transfer paths 70 is discontinued as sense amplifier units containing a write incomplete bit.例文帳に追加

複数の検知部ＤＴＵ１〜ＤＴＵｎは、複数のセンスアンプユニットに対応して配置され、各センスアンプユニットの検知出力信号に応じて電位を転送する転送パス７０を形成し、転送パス７０が途切れる箇所に対応するセンスアンプユニットを、書き込み未完了ビットを含むセンスアンプユニットとして検知する。 - 特許庁

In the piezoelectric power generating element, a pair of electrodes is arranged on a piezoelectric ceramics layer formed of a ceramics in a range of average grain size of 0.01-0.1 μm by observation using a scanning electron microscope, and the piezoelectric ceramics layer subjected to polarization processing is applied with an external force different from the polarization direction, thereby generating electric potentials.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡観察により平均粒径０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with logic cones, having a structure in which substrates are separated from each other and substrate potentials can be controlled; and a substrate feeding potential switching part 110 for feeding a substrate potential to the logic cones, from either a first substrate feeding line or a second substrate feeding line, depending on an input trigger signal.例文帳に追加

基板が相互に分離された構造で、基板電位を制御できるように構成したロジックコーンと、入力されたトリガ信号に応じて、第１の基板供給線および第２の基板供給線の何れかからロジックコーンに基板電位を供給する基板供給電位切り替え部１１０を設ける。 - 特許庁

A voltage comparing circuit 9 is mounted which compares the anode and cathode potentials of the output diode 1, and is formed so that the output of the circuit 9 may act on the resistor potential divider when the cathode potential is increased, and the detected voltage Vs inputted into the error amplifying circuit 4 may be reduced as appropriate.例文帳に追加

出力ダイオード１のアノード電位とカソード電位とを比較する電圧比較回路９があり、カソード電位の方が高くなったときに回路９の出力が前記抵抗分圧回路に作用して誤差増幅回路４に入力される前記検出電圧Ｖｓを適宜に低下させるように回路構成されている。 - 特許庁

A temperature detecting device selectively supplies either pixel data for display or pixel data for temperature detection to each EL element to which the lead out wiring line of the anode potential is connected, when a plurality of EL elements to which lead out wiring lines of anode potentials are connected are discretely disposed in an effective pixel region.例文帳に追加

有効表示領域内に陽極電位の取り出し用配線が接続されたＥＬ素子が分散的に複数個配置されている場合、陽極電位の取り出し用配線が接続されたＥＬ素子のそれぞれに対し、表示用の画素データ又は温度検出用の画素データのいずれか一方を選択的に供給する。 - 特許庁

Currents are fed in a first direction (arrow A direction) and a second direction (arrow B direction) to the first reluctance element 12 and the second reluctance element 14, neutral potentials in respective states are outputted as a first voltage V1 and a second volyage V2 and then a difference operating section 50 operates the difference thereof.例文帳に追加

第１磁気抵抗素子１２及び第２磁気抵抗素子１４に、第１の方向（矢印Ａ方向）と第２の方向（矢印Ｂ方向）とに電流を流し、それぞれの状態における中点電位を第１の出力電圧Ｖ１、第２の出力電圧Ｖ２として出力し、差分演算部５０がそれらの差分を演算する。 - 特許庁

The signal amplifier includes an amplifying part 30 for receiving one of differential input signals and an amplifying part 32 for receiving the other, and a common mode detection circuit 28 for detecting a middle point potential of differential output signals obtained from the amplifying parts 30 and 32 and performing feedback control of offset potentials of the differential output signals.例文帳に追加

差動入力信号の一方を入力される増幅部３０と、他方を入力される増幅部３２と、増幅部３０，３２から得られる差動出力信号の中点電位を検出して当該差動出力信号のオフセット電位をフィードバック制御するコモンモード検出回路２８とを備える。 - 特許庁

When the signals SW1 and SW2 are supplied to the circuit 26, the switches SW2 are ON controlled while switches SW1a and SW1b are OFF controlled, gate columns of gate column pair of the decoder 27 are short-circuited and the potentials of the gate columns become an intermediate level between the 'H' level and an 'L' level.例文帳に追加

スイッチ制御信号ＳＷ１、ＳＷ２が電荷回収回路２６に供給されると、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂがＯＦＦ制御されている間にスイッチＳＷ２がＯＮ制御されて、ＲＯＭデコーダ２７の各ゲート列対のゲート列間がショートし、各ゲート列は“Ｈ”レベルと“Ｌ”レベルの中間レベルの電位となる。 - 特許庁

To provide a method for accurately and quickly calculating node potentials in a circuit network having inflow/outflow nodes of currents in wiring lines, and to provide a driving method for uniformizing voltages applied to an electron emitting element by using this method and a method for manufacturing an image forming apparatus having the element.例文帳に追加

配線中に電流の流出入節点を有する回路網における節点電位を精度良くかつ高速に計算する手法を提供し、この手法を用いて電子放出素子に印加される電圧を均一化する駆動方法および電子放出素子を有する画像形成装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

As abrasive grains, are cited inorganic particles, for example, silica or alumina, organic particles, for example, polystyrene, poly(methyl methacrylate) and the like, composite particles formed by bonding these organic particles to the polycondensate of polysiloxane, composite particles prepared by electrostatically integrating inorganic particles and organic particles having different signal ι-potentials, and the like.例文帳に追加

砥粒としては、シリカ、アルミナ等の無機粒子、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等の有機粒子、これらの有機粒子にポリシロキサンからなる重縮合体が結合してなる複合粒子、符号の異なるゼータ電位を有する無機粒子と有機粒子とを静電力により一体に複合化した複合粒子等を使用することができる。 - 特許庁

Before search operations in two TCAM cells of a PCAM cell 1 and an NCAM cell 1, a memory controller 100 connects the match line MLp to a power source and connects the match line MLn to a ground, and then connects the match lines MLp and MLn to each other so as that electric potentials of the match lines are the same as each other.例文帳に追加

メモリコントローラ１００は、それぞれＴＣＡＭセルであるＰＣＡＭセル１及びＮＣＡＭセル１における検索動作の前に、マッチラインＭＬｐを電源に接続しかつマッチラインＭＬｎを接地した後、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎとを接続し、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎの電位を互いに等しくする。 - 特許庁

In the electronic component, a plurality of electrodes 11, 12 are arranged on a substrate so that the pitch between the electrodes 11, 12 to be connected respectively to different electrical potentials becomes X and a cured material of the curable epoxy-based composition is applied to be spread over the electrodes 11, 12.例文帳に追加

本発明に係る電子部品では、基板上において、異なる電位に接続される電極１１，１２間の距離がＸとなるように形成された複数の電極１１，１２が設けられており、該電極１１，１２間にまたがるように前記エポキシ系硬化性組成物の硬化物が適用されている。 - 特許庁

When the amplitudes of input signals to be supplied to source areas of the analog switches are made 5 volts or lower, and the potentials to be applied to the counter electrodes of the pixel electrodes connected with pixel transistors are made counter electrode potential, the polarity of the counter electrode potential to the input signals is inverted for each horizontal scanning period.例文帳に追加

アナログスイッチＴＦＴのソース領域に供給する入力信号の振幅を５Ｖ以下にし、画素トランジスタが接続される画素電極の対向電極に与える電位を対向電極電位とした場合に該対向電極電位の前記入力信号に対する極性を１水平走査期間毎に反転させる。 - 特許庁

In the high frequency switching circuit, a high frequency signal via either a source electrode 102 or a drain electrode 103 in a multi-gate FET 100 is inputted and outputted via the other electrode, and controls high frequency signal passing or blocking is controlled by the electric potentials of control terminals connected to multiple gate electrodes 107, 108 and 109.例文帳に追加

マルチゲートＦＥＴ１００のソース電極１０２とドレイン電極１０３の一方から高周波信号が入力して他方から出力されると共に、複数のゲート電極１０７、１０８、１０９に接続された制御端子の電位により高周波信号の通過および遮蔽を制御する高周波スイッチ回路用半導体装置である。 - 特許庁

To provide a cation trap system for trapping cation without using a cation acceleration ring and using as a target of electron scattering experiment, easily placing a measuring apparatus and the like for measuring scattering phenomenon near a collision location, and raising collision probability (collision efficiency) by increasing the number of cation because the amount of trap potentials cannot be saturated easily.例文帳に追加

陽イオン加速リングを用いることなく陽イオンをトラップして電子散乱実験のターゲットとして用いることができ、衝突位置近傍に散乱現象を計測するための計測器等を容易に設置でき、トラップ電荷量が飽和しにくく陽イオンのイオン数を増して衝突確率（衝突効率）を高めることができる陽イオントラップ装置を提供する。 - 特許庁

A curable epoxy-based composition to be used in the electronic component contains an epoxy compound and a curing agent A which has no compatibility with the epoxy compound and has the particle size of ≤X/3 (wherein X is the pitch between the electrodes to be connected respectively to different electrical potentials) when the curing agent is dispersed in the curable epoxy-based composition.例文帳に追加

本発明に係る電子部品で用いられるエポキシ系硬化性組成物は、エポキシ化合物と、エポキシ化合物と相溶性を有しない硬化剤であって、エポキシ系硬化性組成物中に分散された際の粒径が、異なる電位に接続される電極間の電極間ピッチをＸとしたときに、Ｘ／３以下である硬化剤Ａとを含む。 - 特許庁

To provide a body surface potential searching device using an electrode for measuring body surface potentials such as an electroencephalogram, electrocardiogram, electromyogram, or the like, of a man or animal by forming a conductive route between the electrode and the body surface via shower water flow or its discharge as a reaching means instead of mounting it to a subject.例文帳に追加

シャワー水流またはその排水を介して極と体表面との間に導電経路を形成し、その電極を探針手段として用いることで、被験者に電極を装着することなく、人や動物の脳波、心電図、筋電図等の体表面電位を測定するための電極と、それを用いた体表面電位探針装置を提供する。 - 特許庁

The NO donor is administered at a therapeutically effective dose to a patient with a pathological condition including contraction or proliferation of smooth muscle or a cysteine-containing protein, or a patient with potentials of these risks, wherein the NO donor is insufficient to acutely lower the average arterial blood pressure or pulmonary arterial pressure at more than 10%.例文帳に追加

平滑筋の収縮もしくは増殖を含む病理学的状態またはシステイン含有タンパク質に関連する疾患を有するか、あるいはこれらの危険性がある患者に、治療有効量のＮＯドナーが投与され、このＮＯドナーは、平均動脈血圧または肺動脈圧を１０％より多く急性的に低下させるのには不十分である。 - 特許庁

The resistance of each of the elements constituting the bridge circuit 2 is so set that the lower limit of a fault determining point lower by a third prescribed value T3 than the lower limit of the permissible fluctuation range of a sensor output Vs on the air base is higher than the higher midpoint potential V2 of the two midpoint potentials input to the OP amplifier on the air base.例文帳に追加

エアベースにおけるセンサ出力Ｖｓの許容ばらつき範囲の下限値から第３所定値Ｔ３だけ低い故障判定点の下限値がエアベースにおけるＯＰアンプの入力される２つの中点電位のうち高い方Ｖ２よりも高くなるように、ブリッジ回路２を構成する各素子の抵抗値が設定されている。 - 特許庁

A plurality of filament-like electrodes are arranged, in the upper plate 3 of the upper face part of the measuring space so as to be substantially in parallel with the parallel planar electrodes 1, 2, and voltages are impressed to the filament-like electrodes, to bring potentials in respective positions of the filament-like electrodes into a potential substantially same to a space potential formed by the parallel planar electrodes 1, 2.例文帳に追加

測定空間の上面部である上面板３には、平行平板電極１，２に対して略平行に配置された複数の線状電極と、これらの線状電極の各位置での電位が、平行平板電極１，２によって形成される空間電位と略同電位となるように線状電極にそれぞれ電圧を印加する。 - 特許庁

As a result, voltage can stably be fed to the drain terminal and the source terminal of the FET constituting the semiconductor switch integrated circuit, and the potentials of the source terminal and the drain terminal of the FET of an off state can be set to a prescribed potential, even if DC voltage including GND potential other than control voltage is not added from an outside.例文帳に追加

その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 - 特許庁

Further, the plasma light source comprises: a virtual electrode formation device 40 which forms virtual electrodes 41 having lower potentials than that of center electrodes 12 at an isolated position apart from a light emission position of plasma light when residual plasma 3a is discharged after the plasma light emission, so that the residual plasma is accelerated with electrostatic force of the virtual electrodes 41 to be discharged at a high speed.例文帳に追加

さらに、プラズマ光発光後の残留プラズマ３ａの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極１２より電位の低い仮想電極４１を形成する仮想電極形成装置４０を備え、残留プラズマを仮想電極４１による静電気力により加速させて高速排気する。 - 特許庁

In a method for evaluating an electrophotographic photoreceptor, residual potentials in different exposing-developing times T1 and T2 are measured using an image forming process having a developing means to develop a latent electrostatic image formed on the photoreceptor, and whether the expression (1):|V1-V2|/(T1-T2)≤1.5 (V/ms) is satisfied or not is determined.例文帳に追加

感光体上に形成された静電潜像を現像する現像手段を有する画像形成プロセスを用いて、Ｔ１およびＴ２の異なる２種類の露光−現像時間における残留電位を測定し、｜Ｖ１−Ｖ２｜/（Ｔ１−Ｔ２）≦１.５（Ｖ/ｍｓ）・・・（１）を満足するか否かを評価する電子写真感光体の評価方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a picture display device wherein particles for displaying a picture with which white color is clearly displayed at a low driving voltage in a picture display device for displaying a picture by filling one or more kinds of particles between a transparent substrate and a counter substrate, and applying an electric field to the particles from the two kinds of electrodes at different potentials to make the particles fly and move.例文帳に追加

透明基板および対向基板の間に、１種類以上の粒子を封入し、電位の異なる２種類の電極から該粒子に電界を与えて、粒子を飛翔移動させ画像を表示する画像表示装置において、低い駆動電圧で白色が明瞭に表示される画像表示用粒子および画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with a plurality of pixel parts arrayed in a pixel region, a peripheral circuit arranged in a peripheral region located on the periphery of the pixel region to control the plurality of pixel parts, image signal lines for supplying image signals to the peripheral circuit, and ground potential lines for supplying ground potentials, which are formed on a substrate.例文帳に追加

電気光学装置は、基板上に、画素領域に配列された複数の画素部と、画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており複数の画素部を制御するための周辺回路と、周辺回路へ画像信号を供給するための画像信号線及び接地電位を供給するための接地電位線とを備える。 - 特許庁

A control part 10 controls an npn transistor Q11 and an npn transistor Q12 so that their currents are equal and their emitter potentials are equal to each other, so a potential difference having a positive temperature coefficient corresponding to differences in size and shape between those npn transistors Q11 and Q12 is generated between the bases of those transistors.例文帳に追加

制御部１０により、ｎｐｎトランジスタＱ１１およびｎｐｎトランジスタＱ１２の電流が等しく、かつそのエミッタ電位が互いに等しくなるように制御されるので、ｎｐｎトランジスタＱ１１およびｎｐｎトランジスタＱ１２のベース間には、これらのトランジスタのサイズや形状の違いに応じた正の温度係数を有する電位差が生ずる。 - 特許庁

Then, after the photoreceptor drum has reached a normal operation speed, it is confirmed and displayed 180, 190 whether or not the charged part and the discharged part are normally operating, by measuring the potentials of the photoreceptor drum surface (insulated substrate part) immediately after charged and discharged by the two surface electrometers, and comparing them with normal range values stored beforehand.例文帳に追加

その後感光体ドラムが通常運転速度に至った後に、帯電および除電直後の感光体ドラム表面（絶縁基材部分）の電位を前記２つの表面電位計で計測し、予め記憶した正常範囲値と比較することにより、帯電部・除電部が正常に動作しているか否かを確認し表示１８０，１９０する。 - 特許庁

In the reciprocity failure evaluating method for the photoreceptor, respective potentials of a photoreceptor to exposure energy after multi-beam simultaneous exposure of an exposure pattern and sequential exposure between multi-beam scanning exposure processes are measured and compared with each other and it is evaluated whether the photoreceptor as a body to be inspected has a reciprocity failure according to the comparison result.例文帳に追加

本発明の感光体の相反則不軌評価方法によれば、露光パターンにマルチビームの同時露光と、マルチビーム走査露光間の順次露光とにおける露光後の感光体の露光エネルギーに対する各電位を測定し、測定した各電位を比較して、比較した結果に応じて被検査体の感光体が相反則不軌を生じるか否かを評価する。 - 特許庁

The method for producing the hydrogen separation membrane comprises the steps of: introducing a material gas obtained by vaporizing a liquid organic silicon compound and a reactive gas into a film deposition chamber; and applying an alternating voltage having asymmetric positive and negative electrical potentials between electrodes arranged in the film deposition chamber to generate plasma and produce the hydrogen separation membrane consisting of silicon compound ceramics on a substrate arranged in the film deposition chamber.例文帳に追加

成膜チェンバー内に液体有機ケイ素化合物を気化させた材料ガスおよび反応ガスを導入し、該チェンバー内に設けられた電極間に電位的に正負非対称の交番電圧を印加してプラズマを発生させ、該チェンバー内に設置された基材上にケイ素化合物セラミックスからなる水素分離膜を製造する方法。 - 特許庁

Each film deposition source 21 to 23 has electrodes 31 to 36 and targets 41 to 46 two by two, respectively, and negative potentials are alternatively applied to the electrodes at the frequency of 10 to 100 kHz, so that, electric charges do not accumulate on the surfaces of the targets 41 to 46 even when insulating thin films are deposited, and sputter efficiency is high.例文帳に追加

各成膜源２１〜２３は電極３１〜３６と、ターゲット４１〜４６とを２個ずつ有しており、電極には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の周波数で交互に負の電位がかかるようになっているので、絶縁性薄膜を成膜する場合であっても、ターゲット４１〜４６表面に電荷集積が起こらずスパッタ効率が高い。 - 特許庁

The present invention includes a plurality of MOS transistors of which sources are connected to different potentials and drains are connected to a common load, and a selection means which is connected to a back gate of at least one of the plurality of MOS transistors for connecting the back gate to selected one of the source of the relevant MOS transistor and a predetermined potential.例文帳に追加

ソースが異なる電位に接続され、ドレインが共通の負荷に接続された前記複数のＭＯＳトランジスタと、前記複数のＭＯＳトランジスタの内の少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのバックゲートに接続され、前記バックゲートを、当該ＭＯＳトランジスタのソースと所定の電位との内の選択された１つに接続する選択手段とを含む。 - 特許庁

This electric potential therapy apparatus is characterized in that one of insulated conductors is directly installed near a part of the human body or installed via an auxiliary insulator, another conductor is installed near the opposite side thereto with the human body positioned therebetween, and the respective conductors are fed with potentials of producing potential difference by a transformer.例文帳に追加

絶縁された通電導子の一つを人体の一部近傍に直接或は補助絶縁体を介して設置し、もう一つの絶縁された通電導子を人体を挟んだ反対側近傍に設置し、それぞれの通電導子にトランスで電位差を待たせた電位が供給されるようにしたことを特徴とする電位治療器である。 - 特許庁

Drain and source potentials of a transistor M4 are inputted, respectively, to the noninverted input terminal (+) and the inverted input terminal (-) of a comparator 32 constituting a back gate switching control circuit 31 and then compared and detected, and a detection signal is inputted to one input end of an NAND circuit 33 constituting the back gate switching control circuit 31.例文帳に追加

トランジスタＭ４のドレインおよびソース電位は、バックゲート切換制御回路３１を構成する比較器３２の非反転入力端（＋）および反転入力端（−）にそれぞれ入力され比較検出され、その検出信号がバックゲート切換制御回路３１を構成するＮＡＮＤ回路３３の一方の入力端に入力される。 - 特許庁

To provide particles and a device for displaying an image through the flight and movement of the particles by Coulomb force by encapsulating one or more kinds of the particles between a transparent substrate and a counter substrate and applying an electric field to the particles from two electrodes having potentials different from each other, wherein a white color is clearly displayed at low driving voltage.例文帳に追加

透明基板および対向基板の間に、１種類以上の粒子を封入し、電位の異なる２種類の電極から該粒子に電界を与えて、クーロン力により粒子を飛翔移動させ画像を表示する画像表示装置において、低い駆動電圧で白色が明瞭に表示される画像表示粒子および画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A base material 11 having water permeability or gas permeability is coated with a bactericidal liquid comprising a solvent capable swelling the base material 11, a binder 12 and copper 13 and zinc 14 as two or more kinds of metals having different oxidation-reduction potentials, so as to provide a sterilization filter which draws microorganisms by electrical force, and suppresses the reproduction thereof.例文帳に追加

通水性または通気性を有する基材１１に、前記基材１１を膨潤可能な溶剤とバインダー１２と酸化還元電位の異なる２種類以上の金属としての銅１３と亜鉛１４を含む除菌液を塗布することで、電気的な力で微生物を引き寄せて、増殖を抑制することができる除菌フィルタを提供することができる。 - 特許庁

In a laminated piezoelectric element 1 constituted by alternately laminating a piezoelectric layer 11 and internal electrode layers 121, 122, defective goods are separated by monitoring a detection current which is generated by impressing a dc voltage to the laminated piezoelectric element 1 so that the internal electrode layers 121, 122 adjoining through the piezoelectric layer 11 may have different potentials.例文帳に追加

圧電層１１と内部電極層１２１、１２２とを交互に積層してなる積層型圧電体素子１において、圧電層１１を介して隣接する内部電極層１２１、１２２が異なる電位となるよう積層型圧電体素子１に直流電圧を印加することで発生する検出電流をモニタすることで不良品を分別する。 - 特許庁

The potential of the voltage source VCC is compared with the potential of an LCD power source VLCD, the higher potential is selected as a power source VCCMAX and fed to the substrate potentials of Pch transistors 5, 7, 14 and 16, and a control signal converted into the voltage level of the power source VCCMAX is inputted to the gates of the transistors 5, 7, 14 and 16.例文帳に追加

電圧源ＶＣＣの電位とＬＣＤ電源ＶＬＣＤの電位を比較して高い方を電源ＶＣＣＭＡＸとして選択してＰｃｈトランジスタ５，７，１４，１６の基板電位に供給し、Ｐｃｈトランジスタ５，７，１４，１６のゲートには電源ＶＣＣＭＡＸの電圧レベルに変換した制御信号が入力されるように構成した。 - 特許庁

The driving circuit is provided with a detection circuit (21) for detecting the threshold value of the cell transistor in a verifying operation, a storage circuit (22) for storing the detected threshold value, and a potential setting circuit (23) for setting the wirings (BL) to 3 or more potentials (V1 to V3) in a writing operation subsequent to the verifying operation.例文帳に追加

そして、駆動回路は、ベリファイ動作においてセルトランジスタのしきい値を検知する検知回路（２１）、検知されたしきい値を記憶する記憶回路（２２）、及び記憶回路に記憶されたしきい値に基づき、ベリファイ動作に続く書き込み動作において配線（ＢＬ）の電位を３つ以上の電位（Ｖ１〜Ｖ３）に設定する電位設定回路（２３）を具備する。 - 特許庁

A deflector 39 is composed of three deflection electrode pairs consisting of first deflection electrodes 51a, 51b and 51c disposed at given intervals in the direction of an optical axis 5 of an ion beam 19 and second deflection electrodes 52a, 52b and 52c opposing the foregoing, and is so designed that different electric potentials can be applied to each deflection electrode from a controller 7 via a switch 61.例文帳に追加

偏向器３９をイオンビーム１９の光軸５の方向に隙間を設けて配設された第１偏向電極５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及びこれに対向する第２偏向電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃからなる３つの偏向電極対によって構成し、コントローラ７からスイッチ６１を介して各偏向電極に異なる電位を印加できるようにする。 - 特許庁

Ground potentials 1G, 2G and a control instruction line passage 5L consisting of a control instruction line in a partial section containing a connection 4 is used to form an inspection circuit with circuit forming means 11 provided on a vehicle A and circuit forming means 21 provided on a vehicle B so that the electric continuity of the inspection circuit is identified by control means 10.例文帳に追加

接地電位１Ｇ，２Ｇと接続部分４を含む一部区間の制御指令線からなる制御指令線経路５Ｌとを用いて、車両Ａに設けられた回路形成手段１１と車両Ｂに設けられた回路形成手段２１とにより検査回路を形成し、制御手段１０によりその検査回路の電気的導通を確認する。 - 特許庁