「Potentials」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Only the part to which a voltage is applied is taken as EMI countermeasures, and by making the EMI filter 83 not to intervene the signal transfer parts 82C, 82D that constitute the other grounding cables, the EMI filter 83 is prevented working as an impedance component on the grounding cables, so that the reference potentials of printed patterns connected by the ground cables can be made equal.例文帳に追加

電圧が印可される部分のみＥＭＩ対策を施すことができ、他の接地線を構成する信号伝達部材８２Ｃ、８２ＤにＥＭＩフィルタ８３を介在させないことで、ＥＭＩフィルタ８３が接地線上のインピーダンス素子として作用することも防止でき、接地線で接続されるプリントパターン同士の基準電位を揃えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device to which single or a plurality of power supply potentials are supplied in accordance to the form of use, of which the power consumption is saved by making a through-current not flow to a circuit on the next stage when a power supply potential is not supplied to a part of circuits and in which the output level of the circuit on the next stage is unequivocally determined.例文帳に追加

使用形態に応じて単一又は複数の電源電位が供給される半導体装置において、一部の回路に電源電位が供給されない場合に、次段の回路に貫通電流が流れないようにして低消費電力化を図り、かつ、次段の回路の出力レベルを一義的に定めることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out.例文帳に追加

読み出しには差動型のセンスアンプ１０１を使用しその入力ＩＮ＋とＩＮ−にそれぞれＤａｔａ線とＤａｔａＸ線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。 - 特許庁

An inspection device 3 allows each in the external terminal group P20 to output either of the electric potentials H, L respectively, to generate a potential difference at least in one between adjacent external terminals, to detect a current flowing in the power source line 37, and to determine that a short circuit is produced between the external terminals in which the potential difference occurs by ensuring that a current value exceeds a prescribed reference value.例文帳に追加

検査装置３は外部端子群Ｐ２０の各々に電位Ｈ，Ｌの何れか一方を出力させて隣り合う外部端子間の少なくとも一つに電位差を生じさせ、電源線３７を流れる電流を検出し、電流の値が所定の基準値を超えたことを以って、電位差が生じている外部端子の間に短絡が生じていると判定する。 - 特許庁

The drive circuit for driving the display panel having wirings and display devices to be connected to the wirings has a first switch that transits potential of the wirings toward the first potential, a feedback amplifier that maintains the potentials of the wrings at the first potential, and a second switch that selects whether or not to supply an output from the feedback amplifier to the wirings.例文帳に追加

配線および前記配線に接続される表示素子を有する表示パネルを駆動するための駆動回路であって、前記配線の電位を第１の電位に向けて遷移させる第１のスイッチと、前記配線の電位を前記第１の電位に保つフィードバックアンプと、前記フィードバックアンプの出力を前記配線に供給するかしないかを選択する第２のスイッチと、を有している。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a control circuit C2 controlling an output of an on-chip compare signal OCC indicating pass/fail of data read from a memory array based on a scan signal SCAN and provided with a logic part, the prescribed terminal PAD out of a plurality of terminals for power source potentials provided in the semiconductor memory device is used for burn-in test.例文帳に追加

バーンイン試験の際に、スキャン信号ＳＣＡＮに基づいて、メモリアレイから読み出したデータのパス／フェールを表すオンチップコンペア信号ＯＣＣの出力を制御する制御回路Ｃ２を有するロジック部を備えた半導体記憶装置において、半導体記憶装置に設けられた複数ある電源電位用端子のうち所定の端子ＰＡＤをバーンイン試験用として使用する。 - 特許庁

Resistive elements R5-8 connected to a non-selection potential 1/2 VDD of the word line are connected to terminals of bit lines BL1-4, and potential reflection from each terminal when potentials of the word lines WL1-4 or the bit lines BL1-4 are varied are suppressed.例文帳に追加

ワードラインＷＬ１〜４の終端にワードラインの非選択電位１／２ＶＤＤに接続された抵抗素子Ｒ１〜４が接続し、また、ビットラインＢＬ１〜４の終端にビットラインの非選択電位１／２ＶＤＤに接続された抵抗素子Ｒ５〜８が接続し、ワードラインＷＬ１〜４、あるいはビットラインＢＬ１〜４の電位が変化した時の各々の終端からの電位反射を抑える。 - 特許庁

To stabilize the potential of a gate drive circuit by making the same potentials of the reference-potential side output terminal of the gate drive circuit and each emitter side of a plurality of parallel-connected switching elements, while suppressing current imbalances or unstable phenomena of the plurality of parallel-connected switching elements, and to prevent an abnormal voltage from being applied to the gate drive circuit.例文帳に追加

本発明は、並列接続した複数のスイッチング素子の電流不平衡あるいは不安定現象を抑制した上で、ゲート駆動回路の基準電位側出力端子と並列接続した複数のスイッチング素子の各エミッタ側とを同電位にしてゲート駆動回路の電位を安定にし、ゲート駆動回路に異常な電圧が印加されるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

The potential selection circuit 10 selects one of a plurality of input potentials, and the level shift circuit 20 inputs a voltage pulse having first potential as reference potential and outputs a voltage pulse having second potential as reference potential and is operated by potential difference between the output potential of the potential selection circuit and the first potential and that between the selected potential and the second potential.例文帳に追加

電位選択回路１０は複数の入力電位のうちの一つを選択し、レベルシフト回路２０は第１の電位を基準電位とする電圧パルスを入力し、第２の電位を基準電位とする電圧パルスを出力し、前記電位選択回路の出力電位と第１の電位との電位差及び前記選択電位と第２の電位との電位差で動作する。 - 特許庁

In the semiconductor device with a trench isolation structure, at least one well region and an MOS transistor are formed in the high power supply voltage circuit section, majority carrier capturing regions 401, 402 and minority carrier capturing regions 403, 404 for preventing latchup are provided in the vicinity of the end of the well region, and the potentials are set, respectively, at a level suitable for carrier suction.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部近傍にラッチアップを防止するための多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域を有しそれぞれの電位をキャリア吸い込みに適した電位に固定されている。 - 特許庁

The charger is configured so that one of at least two determination potentials is selected in accordance with a selection signal determined according to a chargeable voltage of a secondary cell, the selected determination potential is compared with a comparison potential based on a potential on the downstream side of a backflow prevention section, and when a fully charged state is detected, supply of a charging current into the backflow prevention section is shut down.例文帳に追加

二次電池の充電可能電圧に応じて決定される選択信号に応じて少なくとも２つの判定電位のうちの１つを選択して当該選択した判定電位と逆流防止部の下流の電位に基づく比較電位とを比較して満充電状態を検出たときに当該逆流防止部への充電電流の供給を遮断する充電装置。 - 特許庁

When a laminated ceramic electronic component is screened, a high voltage is applied for a time interval which is not longer than 100 ms, so that the electric field strength between adjacent internal electrodes connected to different potentials is in the range of 30-100 kV/mm to subject the laminated ceramic electronic component having an internal defect to dielectric breakdown, and separate the acceptable components from defective components.例文帳に追加

積層セラミック電子部品のスクリーニングにあたり、異なる電位に接続される隣り合う内部電極間の電界強度が３０〜１００ｋＶ／ｍｍの範囲となるように高電圧を１００ｍ秒以内の時間印加し、欠陥の内在している積層セラミック電子部品を絶縁破壊することにより、良品と不良品とを選別する、積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。 - 特許庁

Thereby, polarities of the compensation voltage given to pixel electrodes from the storage capacitance line 12 via the storage capacitances 2 can be reversed every plural pieces in a scanning line direction, potentials of the pixel electrodes can be reversed every plural pieces in the scanning line direction and the hatch pattern is also made not to be biased between the case when the polarity of the pixel electrodes is positive and the case when the polarity thereof is negative.例文帳に追加

これにより、蓄積容量線１２から蓄積容量２を介して画素電極に与えられる補償電圧の極性を走査線方向について複数個毎に反転させ、走査線方向について画素電極の電位を複数個毎に反転させることを可能とし、ハッチパターンに対しても、画素電極の極性が正と負で偏ることがないようにする。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

When each slave ECU 12 is powered on and activated while being connected to a communication network 13 through a harness, it reads out divided voltage potentials applied by voltage dividing resistors 22. 23 in each ID determining signal line 21, and allows the reception of a data packet transmitted from a control ECU when a wait time corresponding to the divided voltage potential elapses.例文帳に追加

各スレーブＥＣＵ１２は、夫々のハーネスを介して通信ネットワーク１３に接続された状態で電源が投入され起動されると、夫々のＩＤ決定用信号線２１において分圧抵抗２２，２３により付与される分圧電位を読み込み、その分圧電位に応じたウェイト時間が経過すると制御ＥＣＵより送信されるデータパケットの受信を許可する。 - 特許庁

Therefore, when the counter electrode potential is made to vary, the potential of the data signal lines S is not varied up to an undesired high potential due to the capacitance coupling between the data signal lines S and the counter electrodes when the counter electrode potential is varied, but the pixel capacitance can be charged with electricity corresponding to the gradations to be displayed at relatively low potentials of the data signal lines S.例文帳に追加

したがって、対向電極の電位を変化させる際に、データ信号線Ｓと対向電極との容量結合によって該データ信号線Ｓの電位が不所望に大きな電位に変化してしまうようなことはなく、該データ信号線Ｓの電位が比較的低い電位で表示すべき階調に対応した電荷を画素容量に注入することができる。 - 特許庁

In a two-line simultaneous scanning stage, a first select potential is applied to a row electrode of a first display line, a second select potential larger than the first select potential is applied to a row electrode of a second display line, and one of first to fourth mutually different potentials is selectively applied to one column electrode to control discharges of respective pixel cells of the first and second display lines.例文帳に追加

２ライン同時走査行程において、第１表示ラインの行電極に第１選択電位を印加すると共に第２表示ラインの行電極に第１選択電位より大なる第２選択電位を印加し、１の列電極に互いに異なる第１〜第４電位のいずれか１の電位を選択的に印加して第１及び第２表示ラインの各画素セルの放電を制御する。 - 特許庁

This electron gun is equipped with a plurality of leads 11L to 13L that are respectively conductive to a cathode 10 for emitting an electron beam and a plurality of electrodes for focusing the emitted electron beams to give specified potentials, and a shield portion S that is formed so that at least one of the plural leads 11L to 13L is in an extended manner to shield the rest of leads electromagnetically.例文帳に追加

本発明の電子銃は、電子ビームを出射するカソード１０や、電子ビームを収束させる複数の電極と各々導通して所定の電位を与える複数のリード１１Ｌ〜１３Ｌと、複数のリード１１Ｌ〜１３Ｌのうち、少なくとも１本から延出する状態で他のリードを電磁的にシールドするよう形成されるシールド部Ｓとを備えている。 - 特許庁

The sectoral approach is a method in which each country’s reduction potentials are analyzed. Emission reductions by sector are calculated based on the projection of future manufacturing activity and verification by individual countries; subsequently, overall national greenhouse gas emission reduction targets are set by aggregating the sectoral emission reductions. This approach offers a scientific and systematic perspective in negotiations and contributes to building effective frameworks.例文帳に追加

セクター別アプローチは、各国毎にセクター毎の削減ポテンシャルを検討し、今後の生産活動の見通しとともに各国間での検証を経てセクター別削減量を算出し、それらを積み上げて温室効果ガスの国別総量目標を設定する手法であり、これを活用することにより、交渉に科学的な知見を提供し、実効性のある枠組み構築に貢献することができる。 - 経済産業省

Moreover, Japan and other major carbon emitting countries announced together that they will set and implement total emissions reduction targets for each country as a practical measure for building the Post Kyoto Framework to curb greenhouse gas emissions. In setting reduction goals, Japan proposed the sectoral approach in which the reduction potentials in each sector are aggregated to decide overall goals.例文帳に追加

また、そのような枠組みを構築するための具体的な取組として、我が国は世界全体の温室効果ガス削減に向けて、主要排出国とともに国別総量削減目標を掲げて取り組むことを表明し、削減目標の設定に当たっては、公平さを確保するため、セクター別に削減可能量を積み上げる方式について世界に提案した。 - 経済産業省

A semiconductor circuit comprises a first circuit block, a second circuit block and power supply wirings supplying a plurality of reference potentials, in which both the first circuit block and the second circuit block are connected to a common power supply wiring, which is one of the power supply wirings and supplies a common reference potential, and the wire width of the common power supply wiring differs between the first circuit block and the second circuit block.例文帳に追加

半導体回路において、第１の回路ブロックと、第２の回路ブロックと、複数の基準電位を供給する電源配線と、を有し、前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとは、ともに前記電源配線の１つであり共通の基準電位を供給する共通電源配線に接続され、前記共通電源配線の線幅は、前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックで異なる。 - 特許庁

The all-solid secondary battery 10 capable of multiple valence changes includes a single-layer active material layer 12 including an active material 32 that has different redox potentials for respective valence changes, a positive electrode collector electrode 14 arranged on one surface of the single-layer active material layer 12, and a negative electrode collector electrode 16 arranged on the other surface of the single-layer active material layer 12.例文帳に追加

複数の価数変化が可能で、それぞれの価数変化に対応した異なるレドックス電位を有する活物質材料３２を含む単一層からなる単層活物質層１２と、単層活物質層１２の一方の表面に配置された正極集電極１４と、単層活物質層１２の他方の表面に配置された負極集電極１６と、を備えた全固体二次電池１０。 - 特許庁

The atomic arrangement simulation method for performing simulation for arraying atoms in a preset shape comprises: a temporary arrangement step of temporarily arranging the atoms in the shape; an annealing step of annealing the atoms arranged by the temporary arrangement step on the basis of potentials between the atoms; and a coarseness and minuteness adjustment step of adjusting the coarseness and minuteness relation of the atoms annealed by the annealing step.例文帳に追加

予め設定された形状に原子を配列するためのシミュレーションを行う原子配置シミュレーション方法において、前記形状に原子を仮配置する仮配置ステップと、前記仮配置ステップにより配置された原子を原子間ポテンシャルに基づいてアニーリングするアニーリングステップと、前記アニーリングステップによりアニーリングされた原子の粗密関係を調整する粗密調整ステップとを有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In an active matrix substrate in which pixel electrodes are formed in a matrix shape on the substrate, plural scanning lines and plural signal lines are formed in the peripheries of the pixel electrodes and thin film transistors driving the pixel electrodes are formed at the vicinities of the intersections of both the lines, metallic films whose potentials are the same as those of the pixel electrodes are formed at the edges of the pixel electrodes.例文帳に追加

基板上に絵素電極がマトリクス状に形成され、該絵素電極の周辺部を通って、複数の走査配線および複数の信号配線が形成され、両配線の交差位置近傍に、絵素電極を駆動する薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板において、前記絵素電極のエッジとなる部分に絵素電極と同電位の金属膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A durability evaluation method of a coated steel material under a moist environment, preferably in an aqueous solution having a chlorine ion concentration of 0.1 mol/L, determines individually a corrosion potential as a coated steel material and a corrosion potential as a bare steel material for a test material and a reference material under a moist environment and compares these corrosion potentials to determine the durability of the test material against a reference material.例文帳に追加

湿性環境中、好ましくは塩素イオン濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ以上の水溶液中で、被覆鋼材の耐久性評価方法であって、湿性環境中で、試験材と基準材について被覆鋼材としての腐食電位と裸鋼材としての腐食電位をそれぞれ求め、これらの腐食電位の比較より試験材の基準材に対する塗装の耐久性の良否を判定することを特徴とする被覆鋼材の耐久性評価方法。 - 特許庁

The device includes a stimulating electrode pricked in one area and electrically stimulating, a measuring electrode for measuring the evoked potential from one area, a reference electrode for measuring brain activity from the other area different from the measuring site of the evoked potential, and a data analyzing section for analyzing data by taking in measured potentials from the measuring electrode and the reference electrode, while focusing on two areas anatomically having projection relation in the brain.例文帳に追加

本発明は、脳内で解剖学的に投射関係を持つ２領域に着目し、一方の領域に刺入して電気刺激を行う刺激電極と、一方の領域から誘発電位を計測する計測電極、及び該誘発電位の計測部位とは異なる他方の領域からの脳活動を計測する参照電極と、計測電極及び参照電極それぞれからの計測電位を取り込み、データを解析するデータ解析部とを備える。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子１つを注入するために要する第１の電圧であって、前記第１の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。 - 特許庁

A mixer circuit which is supplied with an input signal and an oscillation signal and modulates and demodulates the input signal and the gain control amplifier with a π type load which is supplied with the output signal of the mixer circuit and has its gain controlled is connected between 1st and 2nd reference potentials, and the number of stages of gain control amplifiers is decreased to improve temperature characteristics and linearity and reduce current consumption.例文帳に追加

第１と第２の基準電位間に、入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御されるパイ型負荷を有する利得制御増幅器が接続され、利得制御増幅器の段数を削減することにより、温度特性と線形性を向上させるとともに消費電流を削減する。 - 特許庁

The picture display device for displaying a picture wherein one or more kinds of particles are enclosed between substrates one of which is at least transparent and faces the other; an electric field is applied to the particles from two kinds of electrodes at different potentials; the particles are those for picture display wherein hydrophobic silica fine-grains treated with hexamethyldisilazane are adhered to the mother particle surfaces made of a resin, and utilized.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する基板の間に１種類以上の粒子を封入し、電位の異なる２種類の電極から該粒子に電界を与えて、粒子を飛翔移動させ画像を表示する画像表示装置において、該粒子が、樹脂からなる母粒子表面にヘキサメチルジシラザンで処理した疎水性シリカ微粒子が付着した粒子である画像表示用粒子及びそれを利用した画像表示装置である。 - 特許庁

. In cooperation with a number of private institutions, such as the Asia PPP Promotion Conference (Chairperson: President Yoshihiko Nakagaki,Electric Power Development Co., Ltd.), a private organization to promote PPP in Asia, the government will enhance dialogue/collaboration with companies that are keen to participate in PPP projects. The government will also actively provide support to overseas developments in the areas where Japan's potentials and technologies can be exploited (water, environment, energy conservation/new energy, IT, etc.).例文帳に追加

また、アジアにおけるPPPを推進する民間団体であるアジアPPP推進協議会（会長：電源開発株式会社　中垣喜彦社長）をはじめとする各種民間団体等との連携を通じて、PPP事業参画に意欲のある企業との対話・連携を強化するとともに、我が国の技術力等のポテンシャルを発揮できる分野（水、環境、省エネ・新エネ、IT等）における海外進出の支援を積極的に行っていく。 - 経済産業省

The generating means 31 generates a first programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the first hard macro transistor and/or unnecessary contacts and a second programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the second hard macro transistor and/or unnecessary contacts when the potentials of the diffusion areas of the first and second hard macro transistors arranged adjacently based on circuit connection information are the same.例文帳に追加

生成手段３１は、回路接続情報に基づいて互いに隣接するように配置された第１及び第２のハードマクロ・トランジスタの拡散領域の電位が等しい場合には、第１のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第１のプログラマブル・トランジスタを生成するとともに、第２のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第２のプログラマブル・トランジスタを生成する。 - 特許庁

For example, by receiving a signal amplified and latched by the first latch circuit by the second latch circuit, and then electrically disconnecting the first and second latch circuits by use of the transmission control section 4905, it becomes possible to amplify and latch a signal received by the second latch circuit in the second latch circuit and utilize the output signal, simultaneously with regulating body potentials by applying a step waveform voltage 5003 to MOS transistors 4901 constituting the first latch circuit.例文帳に追加

例えば、第１のラッチ回路によって増幅・ラッチされた信号を第２のラッチ回路で受けて、その後に伝達制御部４９０５を用いて、第１、第２のラッチ回路を電気的に切り離すことで、第１のラッチ回路を構成するＭＯＳ型トランジスタ４９０１にステップ波形電圧５００３を印加してボディ電位を整えると同時に、第２のラッチ回路受けた信号を、第２のラッチ回路で増幅・ラッチ動作させ、その出力信号を利用することが可能となる。 - 特許庁

To tap into high-growing industrial sectors expected to serve as the driving force of local economies and encourage creation of new businesses, and to continuously create/foster new growth industry clusters that actively utilize local communities’ various strengths, characteristics, and potentials by forming networks consisting of a wide variety of stakeholders, such as the industry/the academy and government organizations, the government has commissioned external service providers to assign coordinators for wide area partnership purposes and to provide business matching services that will connect seeds and needs. 例文帳に追加

地域経済を牽引することが期待できる成長可能性が高い産業分野への参入や新たなビジネスの創造の促進に向けて、産学官等の様々な主体のネットワークを形成することにより、地域が有する多様な強みや特長、潜在力等をより積極的に活用した新たな成長産業群を継続的に創出・育成するため、広域的な連携を図るためのコーディネータの配置、シーズとニーズを結びつけるビジネスマッチング等を委託事業により実施した。 - 経済産業省

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer.例文帳に追加

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。 - 特許庁

The semiconductor integrated device has such a layout structure of wiring that becomes SL1≤SL2<SL3 when the minimum wiring interval is SL1 at the portion where both adjacent wiring have thin widths, the minimum wiring interval is SL2 at the portion where adjacent wiring has the same potential, and the minimum wiring interval is SL3 at the portion where adjacent wiring have different widths and different potentials.例文帳に追加

半導体集積装置は、互いに隣接する配線の双方が細幅配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ１とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が同電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ２とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が異電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ３とするときに、ＳＬ１≦ＳＬ２＜ＳＬ３となるような配線のレイアウト構造を有する。 - 特許庁