「Recrystallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a bottomed cylindrical electrode for a cold cathode fluorescent lamp, wherein coarsening of crystal grains called secondary recrystallization is prevented even under an environment in which high temperature heat history is applied, to enhance discharge characteristics for realizing high luminance and low power consumption and a product life.例文帳に追加

高温の熱履歴が加わる環境下でも二次再結晶化といわれる結晶粒の粗大化を防止し、高輝度化や低消費電力化のための放電特性、および製品寿命を向上させた有底円筒状の冷陰極蛍光ランプ用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a treating method for asbestos which makes the treated product recylable stably without dumping the treated material, consuming a great quantity of energy or producing the material which is easy to react with water such as forsterite having a posibility of recrystallization to chrysotile.例文帳に追加

被処理物質を廃棄することなく、大量のエネルギーを消費することなく、クリソタイルへ再結晶化の可能性のあるフォルステライトなど水と反応し易い物質を生成することがなく、かつ処理された生成物が安定で再利用可能となる石綿の処理方法の提供。 - 特許庁

The production method for the tantalum sputtering target includes forging and recrystallization-annealing a tantalum ingot or a billet obtained by melting and casting, and rolling it to form a crystal structure in which an orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of a target thickness.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide a single crystal production apparatus which prevents the occurrence of structural defects such as cracks in a seed crystal and produces a high quality single crystal, in the production of the single crystal by a sublimation recrystallization method, and to provide a method for producing a silicon carbide single crystal using the single crystal production apparatus.例文帳に追加

昇華再結晶法による単結晶の製造において、種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止でき、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び単結晶製造装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供できる。 - 特許庁

Further, the ratio HVh/HVs of the Vickers hardness HVh of a core part to the Vickers hardness HVs of the material after the softening and before the cold forging is set to ≤1.2 by a recrystallization treatment while maintaining the structure containing the spheroidal cementite, the acicular cementite and the ferrite.例文帳に追加

また、再結晶処理により、球状セメンタイト，針状セメンタイト，及びフェライトを含有する前記組織は維持したまま、芯部のビッカース硬さＨＶｈと軟化焼鈍し後かつ冷間鍛造前の素材のビッカース硬さＨＶｓとの比ＨＶｈ／ＨＶｓが１．２以下とされる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by growing good quality single crystal ingot with good reproducibility while inhibiting local and accidental pyrolysis-recrystallization in seed crystals from developing, in growing crystals by a liquid encapsulated Czochralski method (LEC method).例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for controlling the crystal structure of a metallic material includes: recrystallization of a metallic material by heating; selection of the crystal grains having a specified crystal orientation in the recrystallized metallic material: and emission of a laser beam on the selected crystal grains.例文帳に追加

本発明の金属材料の結晶組織制御方法は、金属材料を加熱により再結晶化すること、再結晶化された金属材料において特定の結晶方位を有する結晶粒を選択すること、選択された結晶粒にレーザービームを照射することを含む。 - 特許庁

To provide a simple method for producing a liquid crystal compound exhibiting a high specific resistance by recrystallization operation, to provide a liquid crystal composition using the liquid crystal compound obtained by the production method, and to provide a liquid crystal display element.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、簡便な製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。 - 特許庁

In the method for producing a sputtering target by subjecting a melt-cast Ta ingot or billet to forging, annealing, rolling, etc., the ingot or billet is subjected to recrystallization annealing at 1,373K-1,673K after subjected to the forging.例文帳に追加

溶解鋳造したＴａインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に１３７３Ｋ〜１６７３Ｋの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするＴａスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide an orally administrable preparation of itraconazole, having high elutability in both of acidic and basic regions, capable of preventing recrystallization in pressure forming, enabling the preparation to have a low dosage form or a small shape, and containing a solid dispersion of the itraconazole as a matrix.例文帳に追加

酸性および中性領域の両方において溶出性が高く、加圧成形時に再結晶化を防止することができ、製剤の小用量化または小型化が可能なイトラコナゾールの固体分散体をマトリックスとして含むイトラコナゾールの経口投与製剤を提供する。 - 特許庁

The production method of a seed crystal to be used for growing a silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method comprises preparing a silicon carbide single crystal substrate as a seed crystal from a silicon carbide single crystal ingot by mechanical processing, and annealing the seed crystal in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。 - 特許庁

When a single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, silicon carbide powder is used as a raw material, which is subjected to high purification treatment by a high temperature process at from 1,800°C to about 2,200°C to control purity to 99.99% or more.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予め、摂氏１８００度から摂氏２２００度程度の高温処理により高純度化処理を施し、純度を９９．９９％以上にした炭化珪素粉末を原料として使用する。 - 特許庁

By taking out a SiC single crystal 70 grown along a skirt member by a sublimation-recrystallization method together with a lid material 22 and cutting off the SiC single crystal 70 from a seed crystal 40 by a single wire saw, wire electric discharge machining, ultrasonic machining or the like, a frustoconical SiC single crystal 70 is prepared.例文帳に追加

昇華再結晶法によりスカート部材に沿って成長させたＳｉＣ単結晶７０を蓋材２２ごと取り出し、シングルワイヤーソー、ワイヤ放電加工、超音波加工等により、種結晶４０からＳｉＣ単結晶７０を切り離し、円錐台形状のＳｉＣ単結晶７０を得る。 - 特許庁

The method for preparing hydrated 4-[4-(4- hydroxydiphenylmethyl)-1-piperidinyl]-1-hydroxybutyl]-α,α-dimetylbenzeneacetic acid hydrochloride comprises subjecting anhydrous 4-[4-[4-(hydroxydiphenylmethyl)-1-piperidinyl]-1-hydroxybutyl]-α,α- dimetylbenzeneacetic acid hydrochloride to an aqueous recrystallization.例文帳に追加

無水の４−［４−［４−（ヒドロキシジフェニルメチル）−１−ピペリジニル］−１−ヒドロキシブチル］−α,α−ジメチルベンゼン酢酸塩酸塩を水性再結晶に付すことからなる、水和された４−［４−［４−（ヒドロキシジフェニルメチル）−１−ピペリジニル］−１−ヒドロキシブチル］−α,α−ジメチルベンゼン酢酸塩酸塩の製法。 - 特許庁

The thermodynamically stable-form crystal of ramatroban is obtained either by melting of ramatroban and subsequent recrystallization or by seeding a solution of ramatroban or a suspension of its metastable-form crystal of ramatroban with a thermodynamically stable-form seed crystal of ramatroban.例文帳に追加

ラマトロバンの熱力学的に安定な形態の結晶は、ラマトロバンを融解させ、続いて再結晶するか、或いははラマトロバンの溶液又はラマトロバンの準安定な形態の結晶の懸濁液に熱力学的に安定な形態の種晶を種晶添加することにより製造される。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity ruthenium sputtering target which does not allow cracks to occur in recrystallization or in welding and suppresses the film thickness distribution from becoming large in film formation for forming e.g. an electrode for a capacitor of a semiconductor memory, and to provide a target obtained thereby.例文帳に追加

再結晶化や熔接の際にクラックが発生せず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する成膜時において膜厚分布が大きくなることを抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲットの提供。 - 特許庁

A magnetron endhat assembly comprises endhats for a magnetron 1 and 4 where recesses 11 and 12 are formed, a blazing material 6 is filled in the recesses 11 and 12, and lead rods 2 and 3 are pressingly inserted into the recesses 11 and 12 by heating at a temperature less than the recrystallization temperature of molybdenum to join, and the lead rods 2 and 3.例文帳に追加

マグネトロンエンドハット組立品は、マグネトロン用エンドハット１，４に凹部１１，１２を形成し、この凹部１１，１２にロウ材６を入れ、そこにモリブデンの再結晶温度以下で加温しながらリード棒２，３を加圧挿入し接合したこのエンドハット１，４とリード棒２，３の夫々から実質的になる。 - 特許庁

The first solution heat treatment of the welded drum 2 and the second solution heat treatment of the rolled rings 4 are performed in a nitrogen atmosphere containing 1-3% hydrogen in an atmospheric dew point between -40°C to -70°C and at a temperature range of not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C.例文帳に追加

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜３０％の水素を含み、雰囲気露点−４０〜−７０℃の範囲の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。 - 特許庁

In the case the shape memory alloy is an Ni-Ti based alloy, the above concentrated heat source B is scanned, and heating is performed after the member 1 made of the alloy is subjected to secondary working, so as to be an objective shape, or after recrystallization heat treatment is performed at ≥770°C.例文帳に追加

形状記憶合金がＮｉ−Ｔｉ系合金の場合には、当該合金から成る部材１に２次加工を施して目的の形状とした後、あるいは７７０℃以上の温度で再結晶熱処理を施した後に、上記のような集中熱源Ｂを走査させて加熱する。 - 特許庁

In the method of growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, the temperature of a crucible for growth is lowered to suppress the temporary temperature elevation in the crucible during pressure reduction when the atmosphere pressure is dropped after the temperature for the growth of the crystal is attained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる方法において、雰囲気圧力を結晶成長温度到達後に低下させる際に、成長用坩堝温度を降下させ、減圧時の一時的な坩堝内温度上昇を抑制する。 - 特許庁

After secondary recrystallization annealing is applied to intermediate stock at 800-1,100°C for carrying out suppression of grain growth with an inhibitor and Goss integration, siliconizing treatment is performed and then purification annealing for removing the unnecessary inhibitor from the steel is done at ≥1,200°C.例文帳に追加

中間材にインヒビターにより結晶粒成長を抑制し、Ｇｏｓｓ方位に集積させる二次再結晶焼鈍を８００〜１１００℃で行った後、浸珪処理し、その後不要となったインヒビターを鋼より除去するための純化焼鈍を１２００℃以上で行う。 - 特許庁

Rolling is performed with an arbitrary rolling mill until the temperature in the fillet part of a rolled stock becomes not higher than the recrystallization temperature and the rolling of at least one pass is performed by a rolling mill group on the upstream side in the region of unrecrystallization temperature and, after that, the intermediate rolling is completed by the rolling mill group on the downstream side.例文帳に追加

さらには、圧延材のフィレット部温度がオーステナイトの再結晶温度以下になるまでは任意の圧延機で圧延し、未再結晶温度域で少なくとも１パスの圧延を上流側の圧延機群で行い、しかる後に下流側の圧延機群で中間圧延を終了する。 - 特許庁

The first solution heat treatment to the welded drum 2 and the second solution heat treatment to the rolled rings 4 are achieved in the nitrogen atmosphere containing 1-10% hydrogen and of the atmospheric dew point of -7 to 0°C, and in the temperature range of not lower than the recrystallization point of the maraging steel and not higher than 850°C.例文帳に追加

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜１０％の水素を含み、雰囲気露点−７〜０℃の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。 - 特許庁

Further, full annealing by which recrystallization occurs is performed to form a metallic structure in which the existence of coarse grains with a grain size >5 times the average grain size is ≤10 pieces per width of 10 mm or a metallic structure in which the standard deviation of the grain sizes is ≤70% of the average grain size.例文帳に追加

更に、再結晶の生じる完全なまし焼鈍を施して、平均結晶粒径の５倍を超える粗大粒の存在量が10mm幅あたり10個以下である金属組織とするか、結晶粒径の標準偏差が平均結晶粒径の70％以下である金属組織とする。 - 特許庁

When scanning a laser in a direction crossing a rolling direction of the steel sheet on the surface of the grain-oriented electromagnetic steel sheet after secondary recrystallization annealing, repeatedly performing irradiation at an interval in the rolling direction, and executing magnetic domain subdivision processing, the interval in the rolling direction of laser scanning is changed.例文帳に追加

二次再結晶焼鈍後の方向性電磁鋼板の表面に、該鋼板の圧延方向と交差する方向にレーザを走査して照射を圧延方向に間隔を置いて繰り返し行って、磁区細分化処理を施すに当たり、レーザ走査の圧延方向の間隔を変化させる。 - 特許庁

Accordingly, as heat of the lid 5 is directly transferred to the seed crystal 6, a temperature of the lid 5 becomes near to a temperature of the seed crystal 6, the temperature of the seed crystal 6 is accurately observed so that the temperature of the seed crystal 6 is accurately maintained to a recrystallization temperature.例文帳に追加

これにより、蓋体５の熱は種結晶６に直接伝達されるので、蓋体５の温度は種結晶６の温度に近くなり、種結晶６の温度を正確に監視することができ、種結晶６の温度を正確に再結晶温度に維持することができる。 - 特許庁

To attain extremely high magnetic flux density B8 and further to effectively solve the defect of film characteristics substantially inherent in Bi- containing steel, at the time of producing a grain oriented silicon steel sheet, by solving the instability of secondary recrystallization which has been feared in the case Bi is utilized as an inhibitor.例文帳に追加

方向性電磁鋼板の製造に際し、インヒビターとしてBiを利用した場合に懸念された２次再結晶の不安定性を解消して、極めて高い磁束密度Ｂ_8 を達成すると共に、Bi含有鋼に本質的に内在する被膜特性不良を効果的に解消する。 - 特許庁

In the method for increasing its strength, the special brass is hot-worked, is cold-worked, is heat-treated for distortion removal annealing and precipitation hardening, is further cold-worked, is annealed so as to control the grain size to <3 μm by recrystallization, and is subjected to finish cold working.例文帳に追加

そして、この特殊黄銅を、熱間加工し、冷間加工し、歪み取り焼鈍と析出硬化とを目的として熱処理し、更に冷間加工し、再結晶させることで粒径が３μｍ未満となるよう焼鈍し、仕上げ冷間加工を行うことを特徴とする高力化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a lattice for a lead storage battery in which workability such as expanding work is superior, and the amount of corrosion obtained by the work is less and decline of strength by recrystallization at high temperatures are less, and provide the lead storage battery using the lattice of which life performance is superior.例文帳に追加

エキスパンド加工等の加工性が優れ、しかも加工により得た格子の腐食量が少なく、また高温化での再結晶化による強度低下の少ない鉛蓄電池用格子の製造方法ならびに前記格子を用いた寿命性能の優れた鉛蓄電池を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the titanium ring to be used for the drum for manufacturing the electrolytic metallic foil comprises crushing the plate joint weld zones made thicker than the thickness of base metals by subjecting both ends of a plate joint to overlay welding or build-up welding by plural rollers disposed above and below the same, and then heating the weld zones to the recrystallization temperature or above.例文帳に追加

電解金属箔製造用ドラムのチタンリングの製造方法において、板継両端部を肉盛し、または肉盛溶接を行うなどにより、母材より肉厚とした板継溶接部をその上下に配した複数のローラにより圧壊し、その後、再結晶温度以上に加熱する。 - 特許庁

This method for recycling the polyester waste is characterized by subjecting the polyester waste containing a polyalkylene terephthalate as a main component to a glycolysis reaction, a transesterification reaction, a recrystallization process, and a purification treatment to obtain the pure dimethyl terephthalate, and then hydrolyzing the pure dimethyl terephthalate under pressurized steam to recover the highly pure terephthalic acid as a valuable substance.例文帳に追加

主としてポリアルキレンテレフタレートからなるポリエステル廃棄物を、グリコシス反応、置換エステル化反応、再結晶化、精製処理を経由して得た精製テレフタル酸ジメチルを、加圧水蒸気下で加水分解反応させて、有価物としての高純度テレフタル酸を回収する。 - 特許庁

In its production method, hot rolling is performed at the final pass rolling ratio of 25 to 55% and the finishing temperature of 290 to 370°C to obtain a hot rolled sheet having a recrystallization ratio of ≥80%, and the hot rolled sheet is subjected to cold rolling of 15 to 45% and is subjected to final annealing at 290 to 500°C for 0.5 to 10 hr.例文帳に追加

その製造方法として、熱延を、最終パス圧延率２５〜５５％、上がり温度２９０〜３７０℃で行なって、再結晶率８０％以上の熱延板を得、１５〜４５％で冷延し、２９０〜５００℃×０．５〜１０時間の最終焼鈍を行なう。 - 特許庁

Thus, it is essential for TCPA makers to fully recognize these facts and appropriately manage and treat reaction solvents after the reaction is completed as well as solvents after the recrystallization refinement, and at the same time adopt strict treatment such as measures to prevent workers engaged in this process from being exposed to HCB. 例文帳に追加

ＴＣＰＡメーカーにおいては、こうした事実をよく認識し、反応終了後の反応溶媒及び再結晶精製処理後の溶媒を適正に管理・処理するとともに、作業従事者へのばく露防止対策等厳正な取扱いをすることが必須である。 - 経済産業省

To efficiently remove various impurities, particularly colored impurities from an ionic liquid which cause troubles when the ionic liquid, to which it is hard to apply general purification treatments such as distillation, recrystallization or a column treatment, is used as an electrolyte or a solvent for (photo)electrochemical devices such as dye-sensitizing solar cells.例文帳に追加

蒸留、再結晶あるいはカラム処理等の一般的な精製処理の適用が困難なイオン性液体を、色素増感型太陽電池等の（光）電気化学的デバイスの電解質又は溶剤として使用する場合に問題となる各種不純物、特に有色の不純物を効率良く除去する。 - 特許庁

To provide a bottomed cylindrical electrode for a cold cathode fluorescent lamp, wherein coarsening of crystal grains called secondary recrystallization is prevented even under an environment in which high temperature heat history is applied, to enhance a product life, and to further enhance discharge characteristics for realizing high luminance and low power consumption.例文帳に追加

高温の熱履歴が加わる環境下でも二次再結晶化といわれる結晶粒の粗大化を防止して製品寿命を向上させるとともに、高輝度化や低消費電力化のためより一層の放電特性を向上させた有底円筒状の冷陰極蛍光ランプ用電極を提供する。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

To provide a repair part of excellent strength and environment resistance by efficiently and surely uniforming a crystal growing direction of a building-up part, appropriately penetrating in and preventing recrystallization due to crack and residual stress on welding, when conducting building-up repair of the gas turbine high temperature part by a half overlap method.例文帳に追加

ガスタービン高温部材のハーフオーバラップ法による肉盛補修に際し、効率よく肉盛部の結晶成長方向を一方向に確実に揃え、良好に溶け込ませ、割れの発生や溶接時の残留応力による再結晶の生成を防止し、高強度かつ耐環境性に優れた補修部位を得る。 - 特許庁

In this way, when the brass casting is deformed by receiving the outer power, the crystal structure so as to generate by dispersing the strain in a metallic crystal, is formed and the dislocation is eliminated by generating the recrystallization with strain energy generated with the dispersion in the case of receiving the high speed outer power, and thus, the brass having high ductility to the high speed outer power is obtd.例文帳に追加

これにより外力をうけ変形するとき金属結晶の歪が分散して生じるような結晶組織が形成され、高速外力を受けると、分散して生じた歪エネルギーが再結晶を生じさせて転位を解消し、高速外力に対する高い延性をもつ黄銅が得られる。 - 特許庁

By adding a water-soluble organic solvent and optionally water to a reaction liquid (alkaline) containing the N-protected amino acid and subsequently neutralizing the same with an acid, a good crystal can be obtained without requiring any extraction, concentration or recrystallization step during the steps of production of the N-protected amino acid to achievement of the crystal.例文帳に追加

N-保護アミノ酸含有反応液（アルカリ性）に対して水溶性有機溶媒、及び随意に水、を添加した後に、酸により中和を行うと、N-保護アミノ酸の生成から結晶の取得までの工程において、抽出、濃縮、再結晶のいずれの工程も必要とせずに良好な結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a shield member and an apparatus for growing a single crystal equipped with the member, which can produce a high quality and long-sized single crystal by virtue of prominent effects in uniformizing surface temperatures of the seed crystal and the grown crystal in the radial direction, in the production of a silicon carbide single crystal, etc., by a sublimation recrystallization method.例文帳に追加

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

This method for welding the grain-oriented electromagnetic steel sheets after having been secondary-recrystallization-annealed with each other comprises controlling the thickness of an oxide layer formed on the surface of the steel sheet to 1.0 μm or less, without forming a forsterite film on the surface of the steel sheet in the process of manufacturing the grain-oriented electromagnetic steel sheet; and welding them.例文帳に追加

二次再結晶焼鈍後の方向性電磁鋼板同士を溶接するに際し、上記方向性電磁鋼板の製造過程において鋼板表面にフォルステライト被膜を形成させることなく、かつ鋼板表面に形成された酸化物層の厚みを 1.0μm 以下とした上で、溶接を施す。 - 特許庁

This method for producing ipidacrine hydrochloride hydrate is characterized by adding water to partial hydrate of ipidacrine hydrochloride obtained by recrystallization and containing residual solvent, mixing the resultant and drying the obtained mixture or by leaving the partial hydrate of ipidacrine hydrochloride in a condition of high temperature and high humidity.例文帳に追加

再結晶により得られた残留溶媒の存在する塩酸イピダクリンの部分水和物に水を加えて混合し、得られた混合物を乾燥するか、又は該塩酸イピダクリンの部分水和物を高温高湿下に放置することを特徴とする残留溶媒の含まれない塩酸イピダクリン水和物の製造方法。 - 特許庁

A recrystallization energy is applied to the amorphous film to form a single crystal semiconductor film 3 with solid phase growth.例文帳に追加

本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming primary crystal solid phase grains as fine recrystallization texture and the mechanical property of a formed product is enhanced by applying the semi-solidified forming applicable to a casting to a billet of AZ91D magnesium alloy which is extensively used for die-casting alloy.例文帳に追加

鋳造材を対象に適用される半溶融成形をダイカスト用合金として広く使用されているＡＺ９１Ｄマグネシウム合金のビレットに適用して、初晶固相粒子を微細な再結晶組織として形成し、成形製品の機械的性質を向上させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The polyimide film comprising mainly pyromellitic acid dianhydride as the acid component and oxydianiline as the diamine component, contains total ≤2 ppm of sodium, potassium, nickel, palladium and platinum, and produced by preferably using the oxydianiline purified by distillation, recrystallization in a solvent.例文帳に追加

ジカルボン酸成分が主としてピロメリット酸二無水物、ジアミン成分が主としてオキシジアニリンであるポリイミドフィルムであって、該フィルム中のナトリウム、カリウム、ニッケル、パラジウムおよび白金含有量の合計が２ｐｐｍ以下であるポリイミドフィルムであり、好ましくは蒸留、溶媒中で再結晶し精製されたオキシジアニリンを用いて製造する。 - 特許庁