「be implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In a brush formed by a brush base implanted with a number of bristles at the tip side, and a grip part extended from the brush base, a number of bristles implanted in the brush base are divided into plural blocks in the cross direction, and a fragile part which can be cut is provided between the blocks.例文帳に追加

本発明は、先端側へ多数の毛束を植設したブラシ基台と、ブラシ基台に延設させた把持部とから成るブラシにおいて、ブラシ基台に植設された多数の毛束を巾方向に複数のブロックに分け、夫々のブロックの間に切断が可能な脆弱部を設けたものである。 - 特許庁

The stuffed toy 1 is provided with a main body part whose surface is formed by using a fabric 13 having a surface form to which a hook side hook-and-loop fastener having a hook part can be freely detachably attached, and hair implanted parts 20A-20O where the hook side hook-and-loop fastener is fixed and a plurality of hairs are implanted.例文帳に追加

縫い包み１が、フック部を有するフック側・面ファスナーを着脱自在に取付可能な表面態様を持つ布地１３を用いて表面が形成された本体部１０と、フック側・面ファスナーが固着された複数の毛の生えた植毛パーツ２０Ａ〜２０Ｏとを備えて構成される。 - 特許庁

In the ion implanting method, contaminant ions of first dose as a part of whole dose of the contaminant ions planed to be implanted is implanted by a perpendicular ion implantation (520), and contaminant ions of remaining dose formed by removing the first dose from the whole dose is processed in the tilt ion implantation (530).例文帳に追加

このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

To provide an electrostatically implanted brush wherein brush bristles and an adhesive layer are firmly joined and the strength of the brush bristles can be reduced, and to provide a developing device and an image forming apparatus.例文帳に追加

ブラシ毛と接着剤層との接着を強固にするとともに、ブラシ毛の強度を低減し得る静電植毛ブラシ、現像装置、および画像形成装置を実現する。 - 特許庁

To provide a medical lead system using an electromagnetic band cancellation filter that can be used in a magnetic resonance imaging (MRI) environment for a patient implanted with a medical instrument.例文帳に追加

医療器具が植え込まれた患者のための磁気共鳴画像化（ＭＲＩ）環境で利用できる電磁帯域消去フィルタを利用した医用リードシステムを提供する。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

Thus the impurity ions implanted in the semiconductor wafer 1W are regularly arranged and the variation in the threshold voltage of a MISFET can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体ウエハ１Ｗに注入された不純物イオンは、規則的な配列を有したものとなり、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

The Pachinko machine 10 is provided with an ornamental structure where spikes can be implanted to its front surface and where an ornament seen from its front surface is provided on a side deeper than the front surface.例文帳に追加

また、パチンコ機１０は、前面に釘を植設可能であり、かつ、前面から視認可能な装飾が前面より奥側に施された装飾体を備えている。 - 特許庁

At the same time, impurity ions are implanted after a process where a high-melting point silicide is left unremoved, by which the resistive element can be regulated in resistance.例文帳に追加

それと同時に、高融点金属シリサイドを残す工程の後に、不純物のイオン注入を行うことにより、抵抗素子の抵抗値も調整することが出来る。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on a gate insulating film 110, and an impurity is implanted thereon by masking the regions (120) where the capacitors are to be formed with a resist 193.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１０上に多結晶シリコン膜１１１を形成し、その容量が形成される領域（１２０）をレジスト１９３でマスクし不純物を注入する。 - 特許庁

The respective conductive holding bodies to which the conductive fibers have been implanted are installed individually in an image forming device, and the conductive fibers are made close to the photoreceptor to be used as the charge device.例文帳に追加

植毛の済んだ各導電性保持体を個別に画像形成装置内に設置し、導電性繊維を感光体に近接させて帯電器として用いる。 - 特許庁

To provide a technique by which a plurality of impurity implanted regions having different impurity concentrations can be formed on a semiconductor substrate without carrying out a photolithography process a plurality of times.例文帳に追加

複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a stripping method for photoresist by which a photoresist used when ions are implanted by high implant dose can be easily stripped without leaving residue.例文帳に追加

高い注入量でイオン注入する際に用いられるフォトレジストを、残留物を残すことなく、容易にストリップできるフォトレジストのストリップ方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for at least partially compensating an undesired effect of the interaction between ions to be implanted and a substrate in a plasma ion implanter.例文帳に追加

プラズマイオン注入装置において、注入されているイオンと基板との間の相互作用の不所望な効果を少なくとも部分的に補償する方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁

To provide a medical device which can be coated to minimize or substantially eliminate certain biological reaction against the introduction of the medical device into a living body, especially a medical device which can be implanted.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する一定の生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に移植可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor element allowing a conductivity distribution to be formed without making refractive index distributed even in a material system of a semiconductor into which ions can not be easily implanted, and a semiconductor element.例文帳に追加

イオン注入の困難な半導体による材料系においても、屈折率に分布をつけずに導電性分布を形成することが可能となる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, since B, which is a p-type dopant, and C for filling C holes can be positioned close to each other from immediately after the ion implantation, B can be replaced fully, even when a little amount of C is implanted.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントであるＢとＣ空孔を埋めるためのＣとがイオン注入直後から近接した場所に位置するようにできるため、Ｃの注入量が少なくても十分にＢの置換が行われる。 - 特許庁

To provide a composition comprising a peptide compound that can be stored at an elevated temperature for a long time and is particularly useful in a feeding apparatus that can be implanted for the delivery of a medicine for a long time.例文帳に追加

長期間高められた温度で貯蔵されることが出来、そして医薬の長期間送り出しのための植え込み可能な送り出し器具において特に有用なペプチド化合物の配合物を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A part of an implanted part 4b is protruded from the peripheral part 2b so that the gauge function for a hole wall during drilling can be added to the tip 4 inside the fitting hole 5.例文帳に追加

この装着穴５内の超硬チップ４は、植え込み部分4bの一部が前記外周部分2bから突出することにより、穿孔時の穴壁に対するゲージ機能が付加される。 - 特許庁

The thickness of the layer and FGF-2 content can be controlled by changing the solution composition and the possibility of peeling when implanted is low due to direct formation thereof on the biomaterial surface.例文帳に追加

層の厚さやFGF-2含有量は、溶液組成を変化させることで制御可能であり、生体材料表面に直接形成されるため埋入時の剥離の可能性は低い。 - 特許庁

A thermal stress analysis condition is automatically implanted by the 3D data base and the basic piping plan so that the decision of the analytic result can be automatically carried out by the 3D-CAD.例文帳に追加

熱応力解析条件は、３Ｄデータベース、基本配管計画より自動移植されるため解析結果の判定は３Ｄ−ＣＡＤが自動的に行うことが可能である。 - 特許庁

This shoe brush is characterized in that bristles 3 to be a brush are implanted in the upper side whole area of the root part of the thumb of a glove 1, which is formed of a mitten, by electrostatic implanting work.例文帳に追加

ミトンからなる手袋（１）の親指の付け根部分よりも上側全域にブラシ（２）となる毛（３）を静電植毛加工によって植え付けてあることを特徴とする靴用ブラシ。 - 特許庁

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method.例文帳に追加

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

The femoral component is configured to be implanted in a surgically prepared femur, and the tibial tray is configured for implantation in a prepared tibia.例文帳に追加

大腿骨コンポーネントは手術によって準備された大腿骨に植え込まれるための形状で構成され、脛骨トレーは準備された脛骨に植え込まれる形状で構成されている。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can stably reduce a shadow region where ions cannot be implanted during an oblique ion implantation step and has an appropriate structure for microfabrication, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

斜めイオン注入工程でイオン注入できない影領域を安定して低減させ、微細化に好適な構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an accessory with which a person can get more information about a method for setting an implanted medical apparatus in a body, data and so on, and which can be taken along easily.例文帳に追加

体内入込式の医療具の取付方法やデータ等を、さらに、多く知ることができるようにすると共に、容易に携帯できるようにした装飾品を提供すること。 - 特許庁

Various methods, such as heat ray detection by a thermocouple, optical fiber thermometer and IR camera may be used according to the kinds of the sterile container for measuring of the surface temperature of the implanted bone.例文帳に追加

移植骨の表面温度の測定には、無菌容器の種類に応じ、電熱対、光ファイバ温度計、赤外線カメラによる熱線感知など種々の方法を使用することができる。 - 特許庁

To provide an intraocular lens implantation instrument which stores an intraocular lens in a state in which the lens is set in the implantation instrument and enables the lens to be implanted in an eye without difficulty.例文帳に追加

眼内挿入用レンズを挿入器具内に設置した状態で保管することができ、しかもレンズを無理なく挿入できるようにした眼内レンズの挿入器具を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, since the impurity from one direction ((3) or (4)) of the impurity to be implanted from four directions, variations of an impurity concentration of the pocket ion region PKn2 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、４方向から注入される不純物のうち一方向（（３）もしくは（４））からの不純物が注入されないため、ポケットイオン領域ＰＫｎ２の不純物濃度のばらつきを抑え、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

Thus, structures of the molds for molding the respective panels 4 and 5 can be simplified; the mold can be easily disassembled even if a main reinforcement and a stirrup reinforcement are built in the mold; and the main reinforcement and the stirrup reinforcement can be easily implanted in the molding of the respective panels 4 and 5.例文帳に追加

これにより、各壁面パネル４,５を成形する型枠の構造を簡略化できるとともに、型枠に主鉄筋とスターラップ鉄筋を組み込んでも型枠の解体が容易であり、各壁面パネル４,５の成形時に簡単に主鉄筋とスターラップ鉄筋を植設できる。 - 特許庁

The eccentric level of a molding tool itself is set to be close to 0 by increasing the precision of manufacturing and assembling the constituent members of the molding tool, when microholes are perforated in the molded product by pins implanted in the molding tool.例文帳に追加

金型に設けられたピンによって成形品に微小な孔を穿設する時に、金型の構成部材の製作精度および組み立て精度を高くして金型自体の偏心量を０に近付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of dispensing with a process such as a resist separating process where the surface of a silicon substrate is liable to be oxidized, by a method wherein a natural oxide film is removed when ions are implanted.例文帳に追加

イオン注入時に自然酸化膜を除去しておき、レジスト剥離工程等のシリコン基板表面が酸化され易い工程を省略可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A biological tissue catching machine (10) having a housing (12) equipped with a fluid holding internal chamber having come to hold a fluid permeable tissue support body (16a), in which a living body can be implanted, is offered.例文帳に追加

生体植込み可能な流体透過性組織支承体（１６ａ）を保持するようになった流体保持内部チャンバを備えるハウジング（１２）を有する生物学的組織捕集器械（１０）が提供される。 - 特許庁

To provide a substrate for a bio chip in which a high-purity nanometer- microchip diamond membrane can be bonded to a basic material and to which a gene or a protein is implanted and to provide a method of manufacturing the substrate.例文帳に追加

基本材料に高純度を有するナノメートル・マイクロチップのダイヤモンド薄膜を付着できる遺伝子又は蛋白質を着床した生物チップの基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of blades 2 are implanted along an outer circumference of a disk 1 in such a manner that the blades 2 can be inserted and drawn out in a designated direction and retaining members 5 engaging and retaining the blades 2 are provided on one side of the designated direction of the blades 2.例文帳に追加

ディスク１の外周に沿って複数のブレード２を所定方向に挿抜自在に植設し、ブレード２の所定方向の一方側にブレード２に係合して保持する保持部材５を設ける。 - 特許庁

To provide a technique of making it possible to rationally inspect and sample a packed region with a waste water treatment apparatus packed with implantation members to be implanted with biological slimes in the packed region.例文帳に追加

充填領域に生物膜が着床する着床部材が充填された排水処理装置において、充填領域の点検やサンプリングを合理的に行うことを可能とする技術を提供する。 - 特許庁

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount.例文帳に追加

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 - 特許庁

The ion accelerated at 150 kV and the impurities accelerated at 30 kV which are not ion go out of the second accelerator 8 and enter into a wafer treatment chamber 11, to be implanted into a wafer W put on a mounting platform 12.例文帳に追加

１５０ｋＶで加速されたイオンと３０ｋＶで加速されたイオンでない不純物とが第２加速器８から出て行き、ウエハ処理室１１に入り、載置台１２に載置されたウエハＷに打ち込まれる。 - 特許庁

A lever 41 is supported so as to be freely rotatable on a second supporting pin 40 implanted on the frame and is connected to the fountain key supporting base 3 through the second pin 51 provided on the fountain key supporting base 3 side.例文帳に追加

レバー４１はフレームに植設した第２の支持ピン４０に回動自在に支持され、壷キー支持台３側に設けられた第２のピン５１を介して壷キー支持台３に連結されている。 - 特許庁