「be implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion implantation holes 16 of a photo resist decide to which transistor gate 13 are to be ions implanted and the ion implantation holes 15 of an aluminum film are used to accurately decide the position/area of ion implantation.例文帳に追加

イオン注入孔２４が密なところと疎なところでは、ガラスマスク上のイオン注入孔の寸法は同一であるのに、フォトレジストのイオン注入孔２４の寸法が互いに同一にならない。 - 特許庁

To make ion implantation possible even when a raw material of ions intended to be implanted into a substrate is a solid such as chromium, iron or carbon, and to achieve a sufficient effect by ion implantation.例文帳に追加

基体に注入したいイオンの原料がクロム、鉄、炭素のような固体状のものであってもイオン注入を可能にし、且つ十分なイオン注入効果が得られるようにすることにある。 - 特許庁

Wherein, as a diffuse reflection body 9, transparent raising 11 implanted in a transparent film body 10 or fluffy raising 11 of light transmission may be employed besides transparent adherent materials.例文帳に追加

ここに、乱反射体９としては透明な粘着性材料のほか、透明な被膜体１０に植設する透明な起毛１１や、光を透過できる綿毛状の起毛１１なども選択されるものである。 - 特許庁

To allow a surgeon to select an optimal material of an acetabular cup assembly to be implanted in a specific site for implantation, its position and direction before or during operation so that operation may be made easy and less costly.例文帳に追加

本発明は外科医に、特定の移植部位に移植する股臼カップアセンブリに対する最適な材料、位置および方向を、手術が容易であり費用がかからない方法で、手術前または手術中に選択する可能性を提供する。 - 特許庁

Plasma is generated from the vapor of an electrically conductive molten solution by discharge in which the molten liquid is used as a cathode, and ions in the plasma are implanted into a work to be processed by applying negative high voltage pulses on the work to be processed which is placed in the plasma.例文帳に追加

導電性の融液を陰極とした放電によって、融液の蒸気からプラズマを発生させ、プラズマ中においた被処理物に負の高電圧パルスを印加することによってプラズマ中のイオンを被処理物に注入する。 - 特許庁

Accordingly, ions to be implanted reach an exposed surface, where ends of a silicon layer 13 and the embedded insulation layer 17 are exposed without being interrupted by the resist 18, and the parasitic channel suppression ion implantation can be performed efficiently.例文帳に追加

したがって、イオン注入されるイオンが、レジスト１８に邪魔されることなく、シリコン層１３と埋め込み絶縁層１７の端部の一部が露出した露出面に到達し、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことができる。 - 特許庁

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method.例文帳に追加

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

Adjacently to the region, As (rsenic) with a does of 5×1014 cm-2 to 1016 cm-2 is selectively ion implanted in the non-doped polysilicon wiring, n+Poly 20 (n+ polysilicon) which will be n+ layer 15 and n-type diode is simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

また、前記の箇所と隣接してノンドープのポリシリコン配線１１に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＡｓ（ヒ素）２９を選択的にイオン注入して、同時にｎ^+ 層１９とｎ型ダイオードになるｎ^+ Ｐｏｌｙ２０（ｎ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入するポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

By using the threshold voltage model where the profile of the channel direction is linearly approximated using the length by which an implanted pocket has soaked into a channel direction and a maximum impurity concentration in the implanted pocket as physical parameters, and by solving the model analytically using a new threshold condition in consideration of a nonuniform profile, the threshold voltage can be found precisely.例文帳に追加

チャネル方向の注入ポケットの染み出し長と注入ポケットの最高不純物濃度とを物理パラメータとして、チャネル方向のプロファイルを線形近似したしきい値電圧モデルを用い、不均一なプロファイルを考慮した新たなしきい値条件を用いて、モデルを解析的に解くことにより、しきい値電圧を適確に求めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip.例文帳に追加

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion-implanted diamond thin film 5-13 including a surface formed with the protection layer 5-14 is arranged in a super high-temperature/high-pressure baking furnace to be annealed at pressure equal to or higher than 3.5 GPa and at a temperature equal to or higher than 600°C.例文帳に追加

表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 - 特許庁

A coating (6) of a comparatively soft metal is applied by electrical discharge surface treatment at a part (5) undergoing a specific pressure from a disc (7) in an implantation part (4) of the blade (1) to be implanted in a disc (7) of the compressor of the gas turbine.例文帳に追加

ガスタービンエンジンの圧縮機のディスク（７）に植込まれる翼（１）の植込み部（４）において、ディスク（７）から面圧を受ける部分（５）に、放電表面処理を用いて比較的軟らかい金属をコーティング（６）する。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

Hence, different portions of a substrate, or different substrates, can be implanted respectively by different shaped ion beams without going through using multiple fixed apertures or retuning the ion beam each time.例文帳に追加

よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。 - 特許庁

To provide a wig film excellent in wearing feeling, and made of a polyurethane resin film in which hairs are to be implanted and which has a mat surface and presents patterns resembling the skin: and to provide a method for producing the wig film.例文帳に追加

本発明は、毛髪を植設するためのポリウレタン系樹脂フィルムの表面が艶消し面とされて皮膚に疑似した模様を呈している装着感に優れたかつら用フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.例文帳に追加

電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a package laminated structure which is not dependent on the thickness of a semiconductor chip, and to provide a semiconductor device having a package laminated structure enabling an underfill material to be stably implanted.例文帳に追加

半導体チップの厚さに依存しないパッケージ積層構造を有する半導体装置、及び、アンダーフィル材の安定的な注入を可能とするパッケージ積層構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The invention relates to a system to modify refractivity of a cornea of an eye, and includes a ring shape first component (22) adapted to be implanted at a first depth in the cornea (14).例文帳に追加

本発明は、眼の角膜の屈折特性を調節するためのシステムに関するものであって、角膜（１４）内の第１深さのところに埋設され得るよう構成されたリング形状の第１部材（２２）を具備している。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate film, wherein when a nitrogen is implanted in a silicon substrate for suppressing an oxidation speed, the thickness of oxide film formed by the oxidation process can be made smaller with good controllability.例文帳に追加

本発明は、窒素をシリコン基板中に注入して酸化速度を抑制する際に、酸化処理によって形成される酸化膜厚を制御性良く薄くできるゲート膜形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This band, particularly, an adjustable band 10 can be implanted, by being arranged around an anatomical passage, for example, a stomach 12 or the other lumen, and has the non-mechanical attachment mechanism for mutually connecting two end parts 40 and 42.例文帳に追加

解剖学的通路、例えば胃（１２）又は他の管腔の周りに配置される植え込み可能な帯、特に可調式帯（１０）は、２つの端部（４０，４２）を互いに連結する非機械的取付け機構を有する。 - 特許庁

Each device is inserted into each row of the implanting holes to be implanted with the second bristle tuft and shifted in a specified direction and in a specified order.例文帳に追加

第２の植毛機に少なくとも２本の毛分け具を付設しておき、各毛分け具を第２のブリッスル束を植毛すべき植毛穴の各列に挿入し、それらの毛分け具を特定の方向に特定の順序に移動させる。 - 特許庁

To respond to complicatedly recessed/projecting surface of a coated object, in a brush implanted with bristles having polishing property, simultaneously executing polishing, base polishing, and sanding work when executing work for cleaning dirt, float and peel of a coating film, or the like on the object to be coated.例文帳に追加

塗装する被塗物に対して、汚れ、塗膜の浮き・剥れ等の洗浄作業を行なう時に、研磨、足付け、サンディング作業を同時に行なえる研磨性を有した毛を植設したブラシを提供することにある。 - 特許庁

A fountain key supporting base 3 is supported so as to be rotatable on a first supporting pin 8 implanted on a frame between an ink fountain forming state and a state in which the fountain key supporting base 3 is separated from an ink fountain roller 1.例文帳に追加

壷キー支持台３はフレームに植設した第１の支持ピン８に、インキ壷を形成する状態と壷キー支持台３をインキ壷ローラ１から離間させた状態との間を回動自在に支持されている。 - 特許庁

To provide a medical device, particularly a medical device capable of being implanted which can be coated for minimizing or substantially eliminating a definite biological living body reaction against the introduction of the medical device into a living body.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する一定の生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に移植可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

To provide an artificial tooth root implant capable of being fixed promptly after implanted in a jawbone, or an artificial bone implant capable of being fixed promptly after implanted in a living body, which enable a new bone growing on a surface of the implant to reach inside of the surface of the enlarged implant so as to be more fixed thereon and prevent bone resorption over time caused by stress shielding of the new bone.例文帳に追加

本発明の課題は人工歯根インプラントは顎骨に埋入植立後、人工骨インプラントは生体内に埋入後早期に定着し、更にインプラント表面に成長する新生骨は拡大したインプラント表面内部にまで及び固定を強固なものとし、該新生骨のストレスシールディングによる経時的骨吸収が起らないようにすることにある。 - 特許庁

To provide an organic EL device which can be efficiently increased in blue color purity and luminance, by using a material into which electric charges can be easily implanted and which has a large energy gap for a light-emitting layer, and improving the multilayered structure of the device.例文帳に追加

電荷の注入が容易でエネルギーギャップが大きい物質を有機電界発素子の発光層に用いるとともに、有機電界発光素子の積層構造を改良することによって、効率良く高い青色の純度と高い輝度を可能にする有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a pump usable as a heating element cooling pump, a blood transporting means, a reagent dispenser and a pump implanted in a living organism, which can be reduced in size and weight and which can be driven with such a low voltage as several voltages without emitting any sound.例文帳に追加

本発明の目的は、発熱素子の冷却用ポンプ、血液搬送手段、試薬ディスペンサー、並びに生体内埋め込みポンプに使用可能なポンプであって、しかも小型化が可能であり、軽量で、数Ｖ程度の低電圧で駆動し、しかも無音で駆動することができるポンプを提供することである。 - 特許庁

When the advance direction of implanted impurities is approximately in parallel with a channel ring direction, energy loss caused by elastic collision is estimated to be smaller, and further, when the impurities penetrate more deeply into crystal and the energy is lower than 80 eV, the energy loss caused by the elastic collision is estimated to be zero.例文帳に追加

注入された不純物の進行方向がチャンネリング方向と略平行な場合、弾性衝突によるエネルギー損失を小さく見積もり、さらに、結晶奥深くまで進入してエネルギーが80eVよりも小さくなった場合、非弾性衝突によるエネルギー損失をゼロとする。 - 特許庁

To provide a toothbrush, wherein the production time and a defect generation rate are drastically reduced by simplifying steps and in addition, needle-like bristles are implanted using non-polyester-based bristles which can not be conventionally applied as materials.例文帳に追加

工程の単純化によって生産時間と不良発生率を大幅減らすことができるうえ、従来では適用不可能であった非ポリエステル系の刷毛を材料として使用して針状毛が植毛された歯ブラシを提供すること。 - 特許庁

This ferromagnetic TMR head has a high deflecting electrode spin implantation layer 11 adjacently to the TMR element 1 and the high spin deflecting electrode electrons are implanted into the TMR element, by which the magneto-resistive effect may be made higher than that of the conventional TMR element.例文帳に追加

強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子１に隣接して高偏極スピン注入層１１を備え、高スピン偏極電子をＴＭＲ素子内に注入することで、従来ＴＭＲ素子より磁気抵抗効果を増大させる。 - 特許庁

A large number of fitting holes 24 are formed in the upper support plate 19, and a large number of holding projections 22 are implanted at intervals in the upper surface of the lower support plate 20 so as to be vertically aligned with the corresponding fitting holes 24.例文帳に追加

上側支持板１９には嵌合孔２４が間隔をおいて多数形勢され、下側支持板２０上には対応の嵌合孔２４と上下に芯合するように多数の保持突起２２が間隔をおいて植設される。 - 特許庁

The sutures that are utilized to affix the graft material to the underlying stent structure can be modified to have a profile that allows it to lock and secure it to another stent-graft or a vessel into which it is implanted.例文帳に追加

グラフト材料を下側のステント構造体に付けるために用いられる縫合糸を、別のステントグラフト又はそれが埋植される血管にロックして固定することを可能にする輪郭を持つように変更することができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate piece into which an impurity is previously implanted is mounted on the semiconductor substrate, so that the impurity containing part can be formed without direct implantation of impurity into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のように、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって、半導体基板に直接不純物を注入せずに不純物含有部を形成することが可能となる。 - 特許庁

An integrated apparatus is provided for non-contact measurement of the axial length (AL), anterior chamber depth (VKT) and cornea curvature (HHK) of the eye to calculate and select an intraocular lens (IOL) to be implanted in particular.例文帳に追加

本発明は、特に、移植する眼内レンズ（ＩＯＬ）の計算及び選択を行うために、眼の軸方向長さ（ＡＬ）、前房の深さ（ＶＫＴ）、及び角膜の曲率（ＨＨＫ）を非接触的に測定するための一体化装置に関する。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

The template assembly is used for performing the radiation treatment in the animal body by implanting one or more hollow needles at the target position in the animal body, and has a needle fixing component for fixing one or more needles implanted in the animal body, and the needle fixing component can be sutured on the skin of the animal body.例文帳に追加

前記テンプレート組立体は、前記動物体に対して前記埋め込まれた針の１本以上を固定するための針固定部品を有し、前記針固定部品は前記動物体の皮膚に縫合可能である。 - 特許庁

After needling is carried out in a state that a nonwoven fabric 3 is laid over the rear face of the mat main body 2 wherein piles 8 are implanted on the base cloth 7, a polymer adhesive 4 is made to be impregnated from the non-lamination face side of the nonwoven fabric 3.例文帳に追加

基布７の上にパイル８が植設されたマット本体２の裏面に不織布３を重ね合わせた状態でニードリングを行った後、該不織布３の非積層面側から高分子接着剤４を含浸せしめる。 - 特許庁

The barrier (12) is porous to allow moieties of the macromolecular bio-compatible material (14), when implanted, to be exposed through the barrier (12), whereby the surface of the barrier (12) is experienced by the body as an essentially non-foreign object by a body.例文帳に追加

埋め込まれた場合に生体適合性高分子材料（１４）の一部がバリアを通して曝露されるようにバリア（１２）は多孔性であり、これによって、身体はバリアの表面を本質的に異物ではないと認識する。 - 特許庁

The A layer includes: a base 14 made of extremely-thin and moisture-permeable film-like material; a primary adhesive layer 15 formed on the whole of the back surface of the base 14 to be applied to the user's body; and hair material 9 implanted into one end part of the base.例文帳に追加

Ａ層は極薄かつ透湿性のフィルム状素材からなるベース１４と、ベース１４の裏面全面に形成され人体に貼付される第１粘着層１５と、ベースの一端部に植え付けられたヘア材９とからなる。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

To provide an NOR-type mask ROM and its manufacturing method of, whereby in programming ROM codes uniformity of an impurity ion implanted in channel regions can be sufficiently improved to suppress programming defects.例文帳に追加

ＲＯＭコードのプログラミングを実施する際に、チャネル領域にイオン注入する不純物の均一性を向上することができ、これによりプログラミング欠陥を抑制できるＮＯＲ型マスクＲＯＭとその製造方法の提供。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which meets a request for high-density magnetic recording by suppressing a blooding phenomenon of implanted ions (phenomenon in which the implanted ions are scattered in a horizontal direction in vertical implantation) in a method for manufacturing the recording medium to be used for a high-recording density hard disk (HDD), etc. by ion implantation; and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

本発明は、高記録密度ハードディスク（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体をイオン注入法において製造する方法において、注入イオンのにじみ現象（垂直注入時に水平方向へ注入イオンが散乱する現象）を抑制することを課題とし、高密度磁気記録の要求にあった磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁