「been a gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Excavation technologies for methane hydrate have been the bottle neck, but in March 2008, JOGMEC was successful in consecutively produce methane gas from methane hydratefirst in the world, using a reduced pressure method23 in tests conducted in Canada.例文帳に追加

メタンハイドレートは、採掘技術が課題となっていたが、本年3月にJOGMECがカナダで行った実験において、世界で初めて減圧法23によりメタンハイドレートからメタンガスを連続的に生産することに成功している。 - 経済産業省

Mr. Anderson having now been able to get two or three jars of gas, we shall have a few experiments to make, and I want to shew you the best way of making these experiments. 例文帳に追加

アンダーソンさんが、この気体をびん2、3個分集めてくれましたので、いくつか実験をやってみましょう。こういう実験をやるいちばんいい方法を見せたいんです。 - Michael Faraday『ロウソクの科学』

The fuel cell control system 100 is stopped by the steps of: switching an oxidant gas to be supplied to the cathode in the fuel cell stack 1 to the fuel gas; and supplying the fuel gas that has been supplied to the anode in the fuel cell stack 1 through the fuel reforming part 3, to the fuel cell stack 1 without passing the fuel reforming part 3 by switching a supply passage.例文帳に追加

燃料電池スタック１のカソードへ供給する酸化剤ガスを燃料ガスへ切り替え、かつ、燃料電池スタック１のアノードへ燃料改質部３を介して供給していた燃料ガスを、供給路の切り替えにより燃料改質部３を介さずに燃料電池スタック１へ供給し、燃料電池制御システム１００の停止を行う。 - 特許庁

The apparatus is characterized by the fact that the end of the gas compartment adjacent the mouth of the beverage compartment occupies less than the entire mouth of the beverage compartment so that when the closure member is removed, a beverage contained in the beverage compartment may be conveniently poured out, whether or not the frangible cover of the gas compartment has first been punctured for releasing the gas.例文帳に追加

上記装置は、上記ガス区画室の破砕可能カバーが先ず穿刺されて上記ガスを放出したか否かに関わらず、閉塞部材が取り外されたときには飲料区画室内に収容された液体飲料が好適に注ぎ出され得る様に、上記飲料区画室の口部の近傍である上記ガス区画室の端部は上記飲料区画室の上記口部の全体未満を占有する、という事実により特徴付けられる。 - 特許庁

At parts in which the cathode gas flow passage 6 positioned at the both side parts of a face in which the cathode gas flow passage 6 of this plate 23 with the both face grooves is not formed, an extra groove 20 to make the volume per unit area of the part closer to an inside reaction part in which the cathode gas flow passage 6 has been formed is formed.例文帳に追加

この両面溝付きプレート２３のカソードガス流路６が形成された面の両側部に位置するカソードガス流路６が形成されていない部分に、その部分の単位面積当たりの容積を、カソードガス流路６が形成された内部反応部と近づけるための捨て溝２０を形成する。 - 特許庁

Article 7 With respect to an agreement for a wholesale supply prescribed in Article 2, paragraph 10 of the Gas Business Act prior to the revision by Article 2 (hereinafter referred to as the "Old Gas Business Act") which has been concluded, prior to the enforcement of Article 2, by a General Gas Utility or a Wholesale Supplier prescribed in Article 37-11, paragraph 1 of the Old Gas Business Act, the provisions of Article 2, paragraph 10, Article 22, and Article 37-11 of the Old Gas Business Act (including the penal provisions relating to these provisions) shall remain in force within three years from the date of enforcement of Article 2. 例文帳に追加

第七条　第二条の規定の施行前に一般ガス事業者又は同条の規定による改正前のガス事業法（以下「旧ガス事業法」という。）第三十七条の十一第一項に規定する卸供給事業者が旧ガス事業法第二条第十項に規定する卸供給を約した契約については、第二条の規定の施行の日から起算して三年を経過する日までの間は、旧ガス事業法第二条第十項、第二十二条及び第三十七条の十一の規定（これらの規定に係る罰則を含む。）は、なおその効力を有する。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

After a fuel gas flow passage 163 has been closed and a reformer 140 has been pressurized, each of passages 134, 136 is closed to seal the reformer 140 at high pressure, and therefore, a pressure in the reformer 140 at restart can be maintained higher than ordinary pressure even when the pressure is lowered with a decrease in temperature in the reformer 140.例文帳に追加

燃料ガス流通経路１６３を閉じるとともに改質装置１４０を加圧した後に、各経路１３４，１３６を閉じて改質装置１４０を高圧で密閉しているため、改質装置１４０の温度低下に伴い圧力が低下しても、再起動時の改質装置１４０の圧力を常圧よりも高くできる。 - 特許庁

A gaseous mixture of a carbon supply gas and gaseous hydrogen is fed onto the surface of a substrate on which a catalyst layer of a prescribed thickness has been formed to form graphite nano-fibers consisting of a graphite nano-fiber layer of a controlled thickness and a non-fiber layer.例文帳に追加

所定の膜厚を有する触媒層が形成された基板上に炭素供給ガスと水素ガスとからなる混合ガスを導入し、基板上に、膜厚の制御されたグラファイトナノファイバ層とノンファイバ層とからなるグラファイトナノファイバを形成する。 - 特許庁

To provide a copper sputtering target material for a TFT which can reduce a tensile residual stress in a copper film which has been deposited even not changing a deposition condition (pressure in deposition, gas kind used for deposition or the like), and to provide a copper film for a TFT, and a sputtering method.例文帳に追加

成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for removing sulfur compounds has a sulfur compound removing means 11 to pass a gas containing sulfur compounds through an adsorbent having a zeolite having a proton at the ion-exchange site and/or a dealuminization-treated zeolite, and a hydrogen sulfide removing means 12 to pass the gas which has been passed through the above adsorbent through a hydrogen sulfide adsorbent and/or a hydrogen sulfide absorbent.例文帳に追加

プロトンをイオン交換サイトにもつゼオライトおよび／または脱アルミニウム処理が行われたゼオライトを有する吸着剤に、硫黄化合物を含むガスを通過させる硫黄化合物除去手段１１と、硫化水素吸着剤および／または硫化水素吸収剤に、前記吸着剤に通過させられたガスを通過させる硫化水素除去手段１２とを備えた硫黄化合物除去装置である。 - 特許庁

To provide a method for measuring an amount of a source substance existing in a source substance evaporation section in a chemical vapor-deposition process of vapor-depositing a thin film on an article by supplying a source gas which has been produced by evaporating the source substance stored in the source substance evaporation section into a deposition chamber.例文帳に追加

ソース物質蒸発部に貯蔵されているソース物質を蒸発させて生成したソースガスを蒸着チャンバーに供給して薄膜蒸着を行う化学気相蒸着工程において、ソース物質蒸発部内に存在するソース物質の量を測定する方法を提供する。 - 特許庁

Article 5 With regard to the application of the provision of Article 27-4 after the revision to Gas Facilities to be used for a General Gas Utility Business prescribed in Article 2, paragraph 1 after the revision, for which a construction project for installation or modification has been commenced prior to the enforcement of this Act, the phrase "according to the construction plan approved under Article 27-2, paragraph 1 or paragraph 2 (including such plan following any minor revision specified by an Ordinance of the Ministry of International Trade and Industry under the proviso of the said paragraph" in Article 27-4, paragraph 2, item 1 shall be deemed to be replaced with "in the case of the construction project to install or modify Gas Facilities pertaining to the license or permission obtained under Article 3 or Article 8, paragraph 1 prior to the revision by the Act for Partial Revision of the Gas Business Act (Act No. 18 of 1970), in a manner for which the license or permission has been obtained under Article 3 or Article 8, paragraph 1 prior to the revision by the said Act, or in the case of such project pertaining to the permission obtained under the said paragraph after the revision by the said Act, in a manner for which the permission has been obtained under the said paragraph after the revision by the said Act." 例文帳に追加

第五条　改正後の第二条第一項に規定する一般ガス事業の用に供するガス工作物であつて、この法律の施行の際現にその設置又は変更の工事をしているものに関する改正後の第二十七条の四の規定の適用については、同条第二項第一号中「第二十七条の二第一項又は第二項の認可を受けた工事の計画（同項ただし書の通商産業省令で定める軽微な変更をしたものを含む。）」とあるのは、「ガス事業法の一部を改正する法律（昭和四十五年法律第十八号）による改正前の第三条又は第八条第一項の許可に係るガス工作物の設置又は変更の工事にあつては同法による改正前の第三条又は第八条第一項の許可、同法による改正後の同項の許可に係るものにあつては同法による改正後の同項の許可を受けたところ」とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Next, a carbon nanotube 104 in which a carrier has been doped by a fine particle 103 is grown up by a thermal chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and boric acid triisopropyl in a step S103.例文帳に追加

次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 - 特許庁

A substrate on which a catalyst layer has been formed is set in a reaction vessel, the atmosphere in the reaction vessel is set to be a depressurized atmosphere including a carbon-containing gas having a partial pressure of 10 Pa or less, and the substrate is heated to grow carbon fibers on the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層を形成した基板を反応容器内に配置し、該反応容器内の雰囲気を、分圧が１０Ｐａ以下の炭素含有ガスを含む減圧雰囲気として上記基板を加熱し、触媒層上にカーボンファイバーを成長させる。 - 特許庁

This laser-annealing apparatus for treating a semiconductor material, having a surface is provided with (a) a laser which directs the beam to a position on the surface of the semiconductor material, and (b) a nozzle which feeds gas flow to the position on the surface of the semiconductor material for removing surrounding air from the position to which the beam has been directed.例文帳に追加

表面を有する半導体材料を処理するレーザーアニーリング装置は、ａ）該半導体材料の表面上の位置にビームを向けるレーザーと、ｂ）該半導体材料の表面上の位置にガスフローを送って、該ビームが向けられる位置から周囲空気を除去するノズルとを備える。 - 特許庁

To provide a furnace cover having a structure which allows no reduction in the cross-sectional area of a gas passage and avoids the attachment of tar and coke powder to connection points between a furnace cover brick and a seal plate which has been conventionally a disadvantage.例文帳に追加

本発明の課題は、従来技術の欠点である炉蓋レンガとシールプレートとの接続個所にタール、コークス粉が付着するような構成を回避し、しかもガス通路の断面積減少が生じないような構成の炉蓋を案出することである。 - 特許庁

A gaseous raw material is obtained by supplying the raw powder to a treatment vessel from a raw material storage section which stores the solid material powder therein through a powder-introducing passage together with a carrier gas, and converting the raw powder into plasma in a powder vaporization section which has been installed in the powder-introducing passage.例文帳に追加

固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 - 特許庁

The skin care method comprises immersing the total or a part of a body in an aqueous solution which has a pH of 4-7 and contains 5-200 ppm of a fatty acid ester having a molecular weight of 100 or higher and a ClogP value of 4-18 and in which 50 ppm or higher of carbon dioxide gas and an inorganic salt have been uniformly dissolved.例文帳に追加

分子量１００以上でありClogP値が４〜１８の脂肪酸エステルを５〜２００ppm含み、濃度５０ppm以上の炭酸ガス及び無機塩が均一に溶解した、pH４〜７の水溶液中に身体の一部又は全身を浸漬することによるスキンケア方法。 - 特許庁

To effectively prevent water from intruding into the inside of a shield to a member to be worked under water, which has projecting and recessing parts, and to provide a submerged working device and its working method by which the change in a gas flow to a working part has been reduced and their application to a nuclear reactor.例文帳に追加

本発明は、水中下で凹凸のある被加工部材に対してシールド内への水の浸入を効果的に防止し、加工部に対するガス流の変化を少なくした水中加工装置、及びその加工方法及び原子炉への応用を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a substrate W, to which a developing solution has been supplied by a developing solution supply part 50, is subjected to a first rinsing process with a rinsing solution supply part (60), the surface of the substrate W is entirely heated by supplying heated nitrogen gas to the main surface of the substrate W from a heated gas supply part 80.例文帳に追加

現像液供給部５０によって現像液の供給された基板Ｗに対してリンス液供給部６０により第１のリンス処理を施した後、加熱気体供給部８０によって基板Ｗに対して加熱された窒素ガスを基板Ｗの主面に供給して基板Ｗ全面を加熱する。 - 特許庁

To prevent a low-melting compound in a gas generated in and exhausted from a rotary hearth from fixing on circuit facilities and corroding and degrading them, when reducing pellet which has been granulated from a raw material containing charcoal wood and an oxidized metal, in the rotary hearth to manufacture a reduced pellet; and to effectively collect a sensible heat in the exhaust gas.例文帳に追加

回転炉床にて炭材及び酸化金属を含有する原料を造粒したペレットを還元処理して還元ペレットを製造するにあたり、回転炉床から発生する排ガス中の低融点化合物による系統設備への固着や腐食劣化を防止し、かつ排ガス顕熱を有効に回収することを目的とする。 - 特許庁

The system 1 for producing dry ice is provided with a dehumidifier 2 that removes moisture from a gas containing CO_2, a refrigerating machine 3 that uses air as a refrigerant by which the gas containing CO_2 having been removed moisture is cooled, and a separation apparatus 4 that separates dry ice produced from the cooled CO_2, and also the method for producing dry ice using the system is provided.例文帳に追加

ＣＯ_2を含むガスから、水分を除去する除湿器２と、水分を除去したＣＯ_2を含むガスを冷却する空気冷媒冷凍機３と、ＣＯ_2が冷却されてできたドライアイスを分離する分離装置４とを備えるドライアイス製造システム１、およびこれを用いたドライアイス製造方法。 - 特許庁

In the gas meter comprising a cutoff valve 11 for cutting off the supply of gas by detecting the generation of the causes of alarm/cut-off where criteria have been preset, and a test switch 5 for operating the cutoff valve by operating the circuit in a test mode, the test switch detects magnetic force with a specific level from the outside and operates the circuit in a test mode.例文帳に追加

あらかじめ判定基準が設定された警報・遮断事由の発生を検知してガスの供給を遮断する遮断弁１１と、テストモードの回路の作動によって遮断弁を動作させるテストスイッチ５とを備えたガスメータにおいて、テストスイッチが外部からの特定の大きさの磁力に感知してテストモードの回路を作動させるようにした。 - 特許庁

In the production of hollow fiber membrane comprising a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer, it has been found the thermal decomposition and the oxidative decomposition of a hydrophilic polymer, particularly PVP can be suppressed by using a gas of which oxygen content is ≤10 vol.% as a carrier gas.例文帳に追加

親水性高分子と疎水性高分子からなる中空糸膜の製造において、湿潤状態の中空糸膜を乾燥する際、キャリアガスとして酸素濃度が１０ｖｏｌ％以下の気体を用いることにより、親水性高分子、特にポリビニルピロリドンの熱分解および酸化分解を抑制できることを見出した。 - 特許庁

Next, in a step S102, a carbon thin film 103 in which a carrier has been doped is formed on the metal layer 102 by a heat chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and triisopropyl borate.例文帳に追加

次に、ステップＳ１０２で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、金属層１０２の上にキャリアがドープされた炭素薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

This carbon nanotube can be manufactured through a defect introducing process for introducing defects into a raw material carbon nanotube, and a heating process for heating the raw material carbon nanotube into which the defects have been introduced, to a temperature of 1,000 to 2,000°C in a vacuum or in an innert gas atmosphere.例文帳に追加

このカーボンナノチューブは、原料カーボンナノチューブに欠陥を導入する欠陥導入工程と、欠陥を導入された原料カーボンナノチューブを、真空中又は不活性ガス雰囲気中で１０００〜２０００℃に加熱する加熱工程と、を経て製造することができる。 - 特許庁

It has been found that when multi-ply base paper of three or more layers for a paper container having a damage occurring angle obtained in a bending test of 25° or larger and smaller than 35° is used, high bending suitability may be attained and damage of a printed layer and a gas barrier layer may be prevented.例文帳に追加

曲げ試験における破壊発生角度が、２５°以上３５°未満の３層以上の多層抄き合わせ紙容器用原紙を用いることで、折り曲げ加工適性に優れるとともに、印刷層あるいは及びガスバリア層の割れを防止することを見出した。 - 特許庁

This system comprises a heat decomposition stage by the induction heating of a combustion object matter, a gas incinerating stage 1 by the induction heating of incinerating the combustion object matter that has been gasified by the former stage and a conveying device 3 fitted to a charging hole 34 from which the combustion object matter is charged into the heat decomposition stage 2.例文帳に追加

被燃焼物の誘導加熱による熱分解ステージと、ここでガス化された被燃焼物を焼却する誘導加熱によるガス焼却ステージ１と、前記熱分解ステージ２へ被燃焼物を投入する投入口３４に取り付けた搬送装置３とから成る。 - 特許庁

When the gas has been introduced to the space S2, the flexible bag 2 shrinks, and the liquid filled inside is taken out to the outside through the inside of a tube 8, a flow passage between a valve 24 and the valve seat, a smaller diameter flow passage 26 and a flow passage 23.例文帳に追加

空間Ｓ２にガスが導入されると、可撓性バッグ２が収縮し、内部に充填されている液体がチューブ８内、バルブ２４とバルブシートとの間の流路、小径流路２６及び流路２３を介して外部に取り出される。 - 特許庁

When the spool 14 has been driven to move in a direction toward -X, among the load openings 36, a wider opening 82 is covered with the land portion 22, but a narrower opening 84 is not covered with the land portion 22 and therefore a primary-side gas pressure is supplied from the supply opening 30 to a load through the narrower port 84.例文帳に追加

スプール１４が−Ｘ方向に移動駆動されると、負荷口３６の開口のうち、広い開口８２の部分はランド部２２に覆われているが、狭い開口８４はランド部２２に覆われず、供給口３０からの１次側気体圧は狭い開口８４を通って負荷に供給される。 - 特許庁

The controller 5 determines that a connection relationship between the suction flow regulating valve 3 and the controller 5 has been reversed and incorrectly connected, from the fact that a pressure of gas inside the suction pipe 21 is lower than a specified value within a predetermined period in the first compression operation of the compressor 1 after performing a base-point indexing.例文帳に追加

制御部５は基点出しを行った後の最初の圧縮機１の圧縮動作において所定の期間内に吸入管２１内の気体の圧力が規定値を下回ったことをもって、吸入流量調整弁３と制御部５との接続関係が逆転して誤接続されていると判断する。 - 特許庁

To provide a method for reusing various apparatuses used in a semiconductor manufacturing process, particularly in a dry process, by simply repairing the surface of a member composing the apparatus, which has been corrosively worn due to the action of a halogen-based gas, and for improving the durability of the apparatuses.例文帳に追加

半導体製造プロセス、とくにドライプロセス用の各種装置およびその構成部材が、ハロゲン系ガスなどの作用によって腐食損耗した場合に、その表面を簡便に補修して復元させることにより、該装置等の再使用と耐久性を向上させるための方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal carrier, which method can apply tension to a metal plate by catching large wave portions even when the height of the wave has been increased, and can suppress the increase of ventilation resistance and the decrease of gas contacting surface area by eliminating a step at a final end portion of winding.例文帳に追加

波の高さを高くした場合でもこの高波部を引っ掛けて金属板にテンションを付与することができ、また、巻き上げ最終端部の段差を無くして通気抵抗の増加及びガス接触表面積の減少を抑制することのできるメタル担体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a skirting board formed from a vinyl chloride resin that is excellent in workability when applied to a wall through use of an adhesive and prevents the occurrence of shrinkage and peeling from a wall after having been adhesively applied and that can inhibit the generation of a hydrogen chloride gas when it is burnt upon fire or in the course of firing treatment, thermal recycle or the like.例文帳に追加

施工性に優れ、施工後の収縮や接着剥がれの発生を防止するとともに、火災、燃焼処理、サーマルリサイクルなど燃焼する際の塩化水素ガスの発生を抑制することができる塩化ビニル系樹脂製巾木を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.例文帳に追加

III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁

A burner device 1 includes a burner 3, a recuperator 4 that uses heat recovered from combustion exhaust gas from the burner 3 to preheat combustion air supplied to the burner 3, and a chemical heat pump 5 that absorbs heat from the combustion exhaust gas having been supplied to the recuperator 4 and releases absorbed heat to combustion air before it is supplied to the burner 3.例文帳に追加

バーナ装置１は、バーナ３と、バーナ３の燃焼排ガスから回収した熱でバーナ３に供給される燃焼空気を予熱するレキュペレータ４と、レキュペレータ４に供給後の燃焼排ガスから熱を吸収し、吸収した熱をバーナ３に供給される前の燃焼空気に放出するケミカルヒートポンプ５を備える。 - 特許庁

To provide a device for cleaning an electrode surface by using the atmosphere pressure plasma at reduced cost and in wider applications in a device for cleaning and eliminating contaminants such as deposits on a surface by spraying a plasma gas jet generated by ionizing helium gas, without using any abrasives, over electrode surfaces, which has been generally cleaned by abrasives such as diamond.例文帳に追加

一般的にダイヤモンド等の研磨剤で洗浄していた電極等表面を、研磨剤を用いることなく表面付着物等の汚濁物をヘリウムガスを電離したプラズマガスジェットを照射することで洗浄除去する装置において、低コスト化と汎用性を持たせる為、大気圧プラズマを利用した洗浄装置を提供する。 - 特許庁

Then, an oxygen gas, a hydrogen gas, and trimethyl aluminum are supplied to the diamond crystal layer 1 in a CVD chamber having been reduced in pressure to 76 Torr to form an insulating layer 4 of an Al(OH)_3 or Al_1-x-yO_xH_y compound at a gate portion between the source electrode 2 and drain electrode 3 into a thickness of 8 nm.例文帳に追加

次に、７６Ｔｏｒｒに減圧したＣＶＤチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層１に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極２とドレイン電極３との間のゲート部に厚さ８ｎｍのＡｌ（ＯＨ）_3またはＡｌ_1-x-yＯ_xＨ_y化合物からなる絶縁層４を形成する。 - 特許庁

To put deodorization treatment into practice at low cost by adding a function for deodorizing the exhaust gas including binder components generated in a heat treatment furnace to a hot blast generator which has been used hitherto for only hot blast supply to a heat treatment furnace.例文帳に追加

従来、熱処理炉への熱風供給のためだけに使用されてきた熱風発生装置に、熱処理炉で生じたバインダー成分を含む排ガスを脱臭処理するための機能を付加し、低コストで脱臭処理を実施できるようにする。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which high sealing property between a film shaped electrode unit and a flow passage plate for fuel and between the film shaped electrode unit and the flow passage plate for oxidizing gas has been realized by sealing materials containing a copolymer of chemically stable metal-containing element-based monomer.例文帳に追加

化学的に安定な含金属元素系モノマーの共重合体を含むシール材により膜状電極ユニットと燃料用流路板および酸化性ガス用流路板との間の高いシール性を実現した燃料電池を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing apparatus 1 including wafer cleaning devices 30A to 30C washing the wafer W and a drying machine DS drying the wafer W having been cleaned, with IPA, a gas/liquid separation tank DT is incorporated which functions as a scrubber for removing the IPA used in the drying process.例文帳に追加

ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 - 特許庁

The combination of a process pressure below about 1 Torr with a hydrogen flow rate up to about 3 standard later for minute (SLM) has been found to remove substantially all oxygen contamination from the surface of the silicon wafer at a process temperature less than about 800°C without the use of a reactive gas.例文帳に追加

約１トール以下の処理圧力と約３ＳＬＭまでの水素流量の組合せによって、反応性ガスを用いずに約８００未満の処理温度でシリコンウエハ表面から酸素汚染を実質的にすべて除去されることが分かった。 - 特許庁

Under the magnetic recording layer, a multilayer underlayer is provided which has a nonmagnetic template layer composed of ruthenium and silicon disposed between a first nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere, and is composed of ruthenium or a first ruthenium alloy and a second nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere with pressure higher than that in sputtering the first nonmagnetic underlayer, and composed of one of ruthenium and a second ruthenium alloy.例文帳に追加

磁気記録層の下に、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウムまたは第１のルテニウム合金からなる第１非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、第１非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第２のルテニウム合金のうち一方からなる第２非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する多層下地層を設ける。 - 特許庁

Article 36-2 (1) A General Gas Utility shall, when intending to implement a construction project2 to install or modify Gas Facilities to be used for the General Gas Utility Business, when such construction project has been specified by an Ordinance of the Ministry of Economy, Trade and Industry, notify the Minister of Economy, Trade and Industry of the plans for the construction project; provided, however, that this shall not apply to any unavoidable temporary work to be implemented in the event of loss of or damage to Gas Facilities or in the event of a disaster or other emergency. 例文帳に追加

第三十六条の二　一般ガス事業者は、一般ガス事業の用に供するガス工作物の設置又は変更の工事であつて、経済産業省令で定めるものをしようとするときは、その工事の計画を経済産業大臣に届け出なければならない。ただし、ガス工作物が滅失し、若しくは損壊した場合又は災害その他非常の場合において、やむを得ない一時的な工事としてするときは、この限りでない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide an electrolytic gas-generating apparatus which does not frequently stop working even when an amount of water supplied to a water electrolysis tank is reduced, does not decrease an energy efficiency of gas generation during electrolysis even when having been left for a long period of time, further precisely grasps a consumption of the water, stops working in more precise timing, and does not deteriorate the water electrolysis tank.例文帳に追加

水電解槽への供給水量が低下しても、頻繁に運転が停止せず、長期間放置しても、電解時のガス発生のエネルギー効率が低下しない、また、水の消費量を正確に把握し、より正確なタイミングで運転を停止させることが可能で、水電解槽を劣化させない電解式ガス発生装置を提供する。 - 特許庁