「conversion element」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical fiber wiring board and a composite substrate of optical fiber electric wiring having a little restriction in wavelength of a used optical signal, facilitating the positioning between an optical fiber and an optical waveguide core, preventing easy displacement and pitch deviation of the optical fiber, facilitating the mounting of an optical element, and having an optical path conversion mirror without any restriction of dimension of the substrate.例文帳に追加

使用する光信号の波長制約が少なく、かつ光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれ・ピッチずれがしにくく、光学素子の実装が容易であり、かつ基板の大きさの制限を受けずに光路変換ミラーを備えられる光ファイバ配線板及び光ファイバ電気配線複合基板を提供する。 - 特許庁

Outgoing light emitted by a laser beam source 2 placed on a silicon substrate 8 transmits a hologram element 3 consisting of a translucent plane 4 and a diffraction grating 10, an NA is converted by an NA conversion lens 5, transmits the polarizing film 6a of a polarizing beam splitter 6, and is condensed on a magneto-optical disk via a collimator lens 7 and an objective lens not shown by a figure.例文帳に追加

シリコン基板８に裁置されたレーザー光源２により出射された出射光は、透光性平板４と回折格子１０とからなるホログラム素子３を透過し、ＮＡ変換レンズ５によりＮＡを変換され、偏光ビームスプリッター６の偏光膜６ａを透過し、コリメートレンズ７と図示しない対物レンズとを介して光磁気ディスクに集光される。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

To provide such a conversion module that an improved integration density of a component element is attained by improving a conversion module 1 for transmitting and/or receiving light by at least one optical semiconductor 9.例文帳に追加

モジュール１は接触部に電気的に接続されていて、該接触部がベースプレート３の下面側２に形成されていて、少なくとも１つの光半導体９が、光を送信方向Ｂでベースプレート３の上面側１０から離れる方向に送信することができるように、かつ／または光を受信方向Ｂでベースプレート３の上面側で受信することができるように配置されている形式の、光を少なくとも１つの光半導体９によって送信かつ／または受信するための変換モジュール１を改良して、構成素子の改良された集積密度が達成されるような変換モジュールを提供することである。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 1 provided with a semiconductor electrode 11 with at least a semiconductor fine particle layer formed, an opposing electrode 12, and an electrolyte layer 5 interposed between the electrodes, the semiconductor fine particle layer 4 is put under a hydrothermal treatment after film forming to increase its specific surface area and a sensitizing dye-carrying quantity.例文帳に追加

透明基板２上に、少なくとも半導体微粒子層４が形成された半導体電極１１と、対向電極１２と、これら電極間に挟持されてなる電解質層５とを有する光電変換素子１において、半導体微粒子層４を成膜後に水熱処理することによって、その比表面積を増大化せしめ、増感色素担持量を増加させる。 - 特許庁

To provide a substrate with a transparent conductive oxide film (a substrate with transparent conductive oxide film useful as a substrate for a thin film silicon-based solar cell in particular), having low resistance, high transparency, satisfactory light scattering performance, and excellent mass productivity, over a full wavelength region (300 nm-3 μm), its manufacturing method, and a photoelectric conversion element using the substrate.例文帳に追加

低抵抗、高透明で、太陽光の全波長域（３００ｎｍ〜３μｍ）で良好な光散乱性能を有する特徴を有し、量産性に優れた、透明導電性酸化物膜付き基体（特に薄膜シリコン系太陽電池用基板として有用な透明導電性酸化物膜付き基板）とその製造方法および該基板を用いた光電変換素子（特に太陽電池）の提供。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic photoelectric conversion element wherein a layer containing an organic compound having light conductivity is arranged between a pair of electrodes, vapor phase epitaxy is performed while controlling a part or all of the layer containing the organic compound having light conductivity at a substrate temperature of 60°C to 250°C, and the organic compound is a quinacridone-based colorant which improves the orientation of molecules.例文帳に追加

一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 - 特許庁

At least one two-input buffer for inputting a clock signal and the output signal of a gating circuit is inserted on the post-stage of the gating circuit directly driving an element to supply a clock and by connecting a fixed value signal to a terminal, to which the clock signal is directly connected, inside the gating circuit, to which the clock signal is directly connected, logically equivalent conversion is performed.例文帳に追加

被クロック供給素子を直接駆動しているゲーティング回路の後段に、クロック信号とゲーティング回路の出力信号を入力とする二入力バッファーを少なくとも１個以上挿入し、クロック信号が直接接続されているゲーティング回路の中でクロック信号が直接接続されていた端子に固定値信号を接続することで、論理的に等価な変換を行う。 - 特許庁

The power conversion device for converting DC power into AC power includes: a grounding terminal T4 to which the grounding line 4 can be connected; a connecting passage for connecting the negative electrode at the DC power input side and the grounding terminal T4; and a resistance element R1 arranged on the connecting passage.例文帳に追加

ＤＣ電力をＡＣ電力に変換する電力変換装置であって、接地線４が接続可能な接地端子Ｔ４と、ＤＣ電力入力側の負極と接地端子Ｔ４との接続経路と、前記接続経路上に設けられる抵抗素子Ｒ１とを備え、接地工事の施工によりＤＣ電力入力側の負極が接地される電力変換装置。 - 特許庁

The DC/DC power converter uses the energy-migration capacitor and an inductor, utilizes charging and discharging of the energy-migration capacitor to perform DC/DC conversion, and includes a means of detecting or calculating a ripple voltage of the energy-migration capacitor and a means of adjusting a switching frequency of a semiconductor switching element according to the detected or calculated ripple voltage.例文帳に追加

本発明によるＤＣ／ＤＣ電力変換装置は、エネルギ移行用コンデンサとインダクタを用い、エネルギ移行用コンデンサの充放電を利用して直流／直流変換を行うものであり、エネルギ移行用コンデンサのリップル電圧を検出または演算し、この検出または演算されたリップル電圧に応じて、半導体スイッチング素子のスイッチング周波数を調整する手段を有する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor layer 20 with a photoelectric conversion element to generate a signal electric charge corresponding to a received light quantity, the insulating layer 29 having an insulating material buried in an opening part formed at the semiconductor layer 20, and protecting membranes 30, 31 formed at a surface side of the semiconductor layer 20 so as to cover the insulating layer 29.例文帳に追加

受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層２０と、半導体層２０に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層２９と、絶縁層２９を被覆するように半導体層２０の表面側に形成された保護膜３０，３１とから固体撮像装置１を構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the die that has a texture structure for printing on a surface of a die substrate, used for manufacturing the base structure of a transparent insulating substrate with the base structure used for the photoelectric conversion element, includes a step of performing a CVD film formation on an initial texture structure after a step of forming the initial texture structure on the surface of the die substrate.例文帳に追加

光電変換素子に用いる下地構造付透明絶縁基板の下地構造の製造に用いる、金型基板の表面に印刷用テクスチャ構造を有する金型の製造方法であって、前記金型基板の表面に初期テクスチャ構造を形成する工程の後に、初期テクスチャ構造上にＣＶＤ製膜を行う工程を含むことを特徴とする金型の製造方法。 - 特許庁

This organic photoelectric conversion element has a first electrode, a second electrode, and an active layer located between the first electrode and the second electrode, wherein the active layer includes a conjugate polymer compound, and the first electrode is provided by a process of bringing a coupling agent into contact with at least a surface of the electrode on the active layer side, and thereafter applying a lyophilic treatment to the surface.例文帳に追加

第１の電極と、第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層が共役高分子化合物を含み、該第１の電極が、電極の少なくとも該活性層側の表面にカップリング剤を接触させた後、該表面に親液化処理を施す工程により得られる有機光電変換素子。 - 特許庁

In the dye-sensitized photoelectric conversion element 1 having conductivity and having the action pole 5 made from a range where a plurality of linear first base materials 8 and a plurality of linear second base materials 9 are knitted at a mesh, an opening rate of the mesh at the range knitted in the mesh is 0.4-80%.例文帳に追加

導電性を有するとともに線状をなす複数の第１基材８および第２基材９が網目状に編まれてなる領域からなる作用極５を備えてなる色素増感型光電変換素子１であって、前記網目状に編まれてなる領域の網目の開口率が０．４〜８０％であることを特徴とする色素増感型光電変換素子１。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes: first and second substrates arranged by separating each other; a plurality of first electrodes arranged on one surface of the first substrate facing the second substrate, extending from a sealing zone of the first substrate and separated from each other; and a protective layer arranged on the first electrode.例文帳に追加

互いに離隔して配される第１及び第２基板と、第２基板と対向する第１基板の一面上に配され、第１基板のシーリング領域から延び、互いに離隔する複数の第１電極と、第１電極上に配される保護層と、を備え、シーリング領域上の保護層の端部は、少なくとも２つ以上の第１電極を横切って連続的に延びる光電変換素子。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element 1 includes the working electrode constituted from a region formed by braiding a plurality of first base materials 8 and second base materials 9 having conductivity and forming a linear shape, and has a porous oxide semiconductor layer 13 formed only on the light receiving face side of the working electrode.例文帳に追加

導電性を有するとともに線状をなす複数の第１基材８および第２基材９が網目状に編まれてなる領域から構成される作用極を備える色素増感型光電変換素子１であって、前記作用極の受光面側にのみ多孔質酸化物半導体層１３が形成されていることを特徴とする色素増感型光電変換素子１。 - 特許庁

In the method of manufacturing the photoelectric conversion element which has a scribing step of forming a scribe 30 on a film 13 including the transparent electrically conductive film 12 which is formed on the glass substrate 11, the scribing step is performed with a laser beam 15 induced with water jet 16 having a diameter of ≤100 μm and the laser beam 15 is emitted from the side of the film 13 toward the side of the glass substrate 11.例文帳に追加

ガラス基板１１上に成膜された透明導電膜１２を含む膜１３にスクライブ３０を形成するスクライブ工程を有する光電変換素子の製造方法において、スクライブ工程は直径が１００μｍ以下の水ジェット１６で誘導したレーザー光線１５によって行われ、レーザー光線１５を膜１３側からガラス基板１１側に向かって照射する。 - 特許庁

The solid state image sensor has a micro lens on a semiconductor substrate 1 with a photoelectric conversion element 2 formed.例文帳に追加

光電変換素子２が形成された半導体基板１の上にマイクロレンズを備える固体撮像素子において、半導体基板１の上に厚さＸのカラーフィルタ層が積層されると共に該カラーフィルタ層の表面部を厚さＹ（＜Ｘ）の凸レンズ部１１ａに成形して前記マイクロレンズ１１とし、該カラーフィルタ層の凸レンズ１１ａ部を除く厚さＺ（＝Ｘ−Ｙ）の部分１１ｂを平板形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition, a light emitting diode with its light emitting element encapsulated by the same, and a color conversion type light emitting diode encapsulated by the same, excellent in hardening ability and in adhesiveness, high in light resistance and in heat resistance, with the light emitting surfaces not to be stained by foreign matters or damaged by mounting tools during the installation process.例文帳に追加

硬化性および接着性が良好で耐光耐熱耐久性を有し、かつ、実装する際に発光面に異物が付着したり、実装用器具により発光面が損傷を受けたりという問題が生じない熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物で発光素子を封止した発光ダイオードおよび色変換型発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The wavelength conversion element is provided with an optical waveguide 15A and a periodical polarization inversion structure 20 formed in the optical waveguide 15A, and the periodical polarization inversion structure 20 has a polarization inversion part 22 and a polarization non-inversion part 24 alternately arranged, and each polarization inversion part 22 includes a first polarization inversion part 22A and a second polarization inversion part 22B having different design widths.例文帳に追加

光導波路１５Ａと、この光導波路１５Ａ内に形成されている周期分極反転構造２０とを備えている波長変換素子であって、周期分極反転構造２０は、交互に配列された分極反転部２２と非分極反転部２４とを有し、分極反転部２２は、設計幅の異なる第一の分極反転部２２Ａと第二の分極反転部２２Ｂとを含む。 - 特許庁

To provide an inexpensive and noise-resistant signal processor which acquires highly reliable signal quality by obtaining an A/D converting means, which is flexibly compatible with the voltage condition of an analog image signal to be outputted from an imaging element, and digitizing the analog image signal in the comparatively initial stage of an image signal processing circuit, so as to subsequently facilitate IC conversion in the image signal processing circuit.例文帳に追加

撮像素子から出力されるアナログ画像信号の電圧条件に柔軟に対応可能なＡ／Ｄ変換手段を実現し、アナログ画像信号を画像信号処理回路の比較的初段でデジタル化する事で、その後の画像信号処理回路のＩＣ化を容易にし、安価でノイズに強く、安定性の高い信号品質を得られる信号処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide a method for forming a titanium oxide film capable of using a low heat-resistant material for a transparent conductive film and a substrate by excluding a high temperature treatment, reducing cost thereby, realizing a flexible solar cell having flexibility and suppressing lowering of its activity, an apparatus for its forming, and a photoelectric conversion element equipped with such a titanium oxide film.例文帳に追加

高温処理を省くことで、透明導電膜や基板に耐熱性の低い材料の使用を可能とし、これにより、低コスト化が可能で、しかも、柔軟性を有するフレキシブルな太陽電池が実現可能でかつ活性低下を抑制し得る、酸化チタン膜を形成する方法および形成するための装置ならびにこのような酸化チタン膜を備えた光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric cooler excellent in durability and reliability in which cracking of an N type thermoelectric material, a P type thermoelectric material or an electrode constituting a thermoelectric conversion element is suppressed while preventing the N type thermoelectric material or the P type thermoelectric material from being stripped from the electrode by employing a flexible thin film as a thermal conductor.例文帳に追加

熱伝導体２０、２０として、可撓性を有する薄膜を使用し、熱電変換素子１０を構成するＮ型熱電材料やＰ型熱電材料あるいは電極１２の亀裂、Ｎ型熱電材料またはＰ型熱電材料と電極１２との剥離が生じにくく、耐久性および信頼性に優れた熱電冷却装置を提供することを課題としている。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element constituted of the ionic liquid gel electrolyte obtained by gelatinizing liquid electrolyte made of a redox ion pair with an ionic organic oligomer gelatinizing agent, a dye-absorbing semiconductor electrode (b) provided in contact with a transparent conductive substrate (a), and the ionic liquid gel electrolyte (c) incorporated between counter electrodes (d), as well as the solar cell, are provided.例文帳に追加

イオン性有機オリゴマーゲル化剤により、レドックスイオン対からなる液体電解質をゲル化して得られるイオン性液体ゲル電解質、及び透明導電性基板ａに接して設けた色素吸着半導体電極ｂ及び対極ｄの間に組み込まれたイオン性液体ゲル電解質ｃから構成される色素増感型光電変換素及び太陽電池。 - 特許庁

In a photoelectric conversion element, having at least the first electrode, the second electrode, a semiconductor layer being sensitized by the pigment, and an electric charge migration layer the first electrode is light reflective, the second electrode is light transmissive, and an amount of photoabsorption of the electric charge migration layer is 1/4 or lower than that of the semiconductor layer being sensitized by the pigment.例文帳に追加

少なくとも第一電極、第二電極、色素によって増感された半導体層および電荷移動層を有する光電変換素子において、第一電極が光反射性であり、第二電極が光透過性であり、かつ、電荷移動層の光吸収量が、色素によって増感された半導体層の光吸収量の１/４以下である構成とする。 - 特許庁

The pseudo- phase matching wavelength converter 4a provided in the resonator is rotated by a spiral coil rotating unit 16 temperature-controlled by a Peltier element 10 mounted in a holder 8 to change the laser beam incident angle to wavelength- match the conversion central wavelength of the pseudo-phase matching wavelength converter to the resonator wavelength, thereby oscillating a second harmonic wave.例文帳に追加

ホルダ８に取付けられペルチェ素子１０によって温度制御されるらせんコイル回転部１６により、共振器内に設けられた疑似位相整合波長変換素子４ａが回転され、レーザ光入射角が変化し、疑似位相整合波長変換素子の変換中心波長と共振器波長との波長整合がおこなわれ、第２高調波を発振する。 - 特許庁

To obtain a means for preventing generation of leakage current flowing from a grid to electrolyte solution and leakage current flowing from a transparent conductive film to electrolyte solution, when assembling a conductive glass into a photoelectric conversion element such as a dye-sensitized solar battery, in the conductive glass provided with a transparent conductive film on it with a grid made of a metal film provided on this transparent conductive film.例文帳に追加

ガラス上に透明導電膜を設け、この透明導電膜上に金属膜からなるグリッドを設けた導電性ガラスにおいて、この導電性ガラスを色素増感太陽電池などの光電変換素子に組み立てた際に、グリッドから電解液に流れる漏れ電流および透明導電膜から電解液に流れる漏れ電流の発生を防止するための手段を得ること。 - 特許庁

The imaging device comprising an imaging element capable of reading image signals for one frame obtained by photoelectric conversion is provided with: light emission means capable of varying light distribution characteristics; and light distribution control means which controls light distribution by the light emission means in accordance with the contrast within the screen occurring when reading the image signals.例文帳に追加

光電変換により得られた１フレーム分の画像信号を読み出すことが可能な撮像素子を有する撮像装置において、配光特性を変化させることが可能な発光手段と、前記画像信号を読み出す際に生じる画面内の明暗差に応じて前記発光手段の配光を制御する配光制御手段を備えていることを特徴とする構成とした。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a photoelectric conversion element capable of preventing the occurrence of short circuit between a first electrode or a semiconductor layer and a second electrode when the second electrode is formed on an intermediate layer after a porous layer including the semiconductor layer displaying a semiconductor electrode function and the intermediate layer not displaying the semiconductor layer function is formed in the first electrode.例文帳に追加

第一電極に、半導体電極機能を発揮する半導体層と、半導体電極機能を発揮しない中間層とを備える多孔質層を形成した後、中間層に重ねて第二電極を形成する際に、第一電極や半導体層と第二電極との短絡が生じることを防止することができる光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The transparent photoelectric converting element has features having more than 80% that the beam transparent part area has a ratio of more than 80% of the whole photo sensitive part relating to photoelectric conversion, and has a wavelength region which indicates a beam transmissivity of over 10% between 400 to 700 nm wavelength.例文帳に追加

少なくとも透明導電層、半導体層、電荷移動層、透明対極から構成される光電変換素子であって、光電変換にかかわる全受光部のうち光透過性部分の面積比率が80％以上であり、かつ、前記光透過性部分は波長400〜700ｎｍの間に光透過率10%以上を示す波長領域を有することを特徴とする透明光電変換素子。 - 特許庁

The second imaging element has second optoelectric transducer arrays (11 and 32) for arraying the optoelectric transducers, having a substantially uniform photoelectric conversion characteristics in the wavelength region of visible rays, in the two-dimensional array shape and receiving the transmitted rays transmitted through the first optoelectric transducer arrays in each optoelectric transducer and the reading circuits reading charges generated in the optoelectric transducers.例文帳に追加

第２の撮像素子は、可視光の波長域においてほぼ均一な光電変換特性を有する光電変換素子が２次元アレイ状に配列され、各光電変換素子は、第１の光電変換素子アレイを透過した透過光を受光する第２の光電変換素子アレイ（１１，３２）と、光電変換素子に発生した電荷を読み出す読出回路とを具える。 - 特許庁

In the lithium tantalate single crystal with a substantially stoichiometric composition to which Sc is added, Sc is added within a range of 4×10^-1 mol% or more and 8×10^-1 mol% or less to the lithium tantalate single crystal, and is for the wavelength conversion element which converts wavelength of incident light into wavelength in the ultraviolet region by utilizing polarization reversal structure.例文帳に追加

本発明によるＳｃを添加した実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶において、Ｓｃは、タンタル酸リチウム単結晶に対して４×１０^−１ｍｏｌ％以上８×１０^−１ｍｏｌ％以下の範囲添加されており、分極反転構造を利用して、入射光の波長を紫外域の波長に変換する波長変換素子用であることを特徴とする。 - 特許庁

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support.例文帳に追加

結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

The laser light source device provided with a semiconductor laser 1, an optical waveguide type wavelength conversion element 3 for leading light from the laser 1 and outputting visible rays and a DC power supply 5 for supplying power to the laser 5 is also provided with a high frequency superposition circuit 6 for superposing a high frequency component of about 300 MHz to a DC component outputted from the DC power supply 5.例文帳に追加

半導体レーザー１と、半導体レーザー１からの光を導入し可視光を出力する光導波路型の波長変換素子３と、半導体レーザー１に電源を供給する直流電源５とを備えたレーザー光源装置であって、直流電源５からの直流成分に３００ＭＨｚ程度の高周波成分を重畳する高周波重畳回路６を備えた。 - 特許庁

In the manufacturing method of the photoelectric conversion element of a dye-sensitized type, made up of an electrode layer, a semiconductor electrode sequentially formed of semiconductor layers each carrying dyes, and an electrolyte layer on a substrate, the dyes are aromatic amine compounds, and carried on the semiconductor layer and formed at 40°C or more and 100°C or less.例文帳に追加

基体上に電極層、色素を担持してなる半導体層を順次設けて形成される半導体電極、及び電解質層を設けてなる色素増感型の光電変換素子の製造方法において、前記色素が芳香族アミン化合物であり、前記色素を４０℃以上１００℃以下で半導体層に担持して形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The photoelectric control circuit 54 switches over an operation level by a switchover switch 55 so as to accommodate to a plurality of operation levels, inputs the electric signal converted by the photoelectric conversion element 51 to a gain adjustment amplifying circuit 56, and adjusts the gain of the gain adjustment amplifying circuit 56 by detecting a light receiving voltage at the operation level set by the switchover switch 55.例文帳に追加

光電制御回路５４は、複数の運用レベルに対応できるように切替スイッチ５５により動作レベルを切替える構成となっており、光電変換素子５１で変換された電気信号を利得調整増幅回路５６に入力すると共に、切替スイッチ５５により設定された運用レベルで受光電圧を検知して利得調整増幅回路５６の利得を調整する。 - 特許庁

In the piezoelectric ceramic for the piezoelectric actuator for finely driving a magnetic recording head supported by an arm by the piezoelectric ceramic, a gas containing CO_2 is contained inside the closed air hole of the piezoelectric ceramic for less than 40 mass ppm to a sintered compact mass by carbon element conversion, and surface roughness is 0.5μm or less by center line average roughness Ra.例文帳に追加

アームにより支持された磁気記録ヘッドを圧電セラミックスにより微少駆動させる圧電アクチュエータ用圧電セラミックスにおいて、前記圧電セラミックスの閉気孔内にＣＯ_２を含む気体が焼結体質量に対して炭素元素換算で４０質量ｐｐｍ未満含有されており、かつ、その表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．５μｍ以下である圧電アクチュエータ用圧電セラミックスとする。 - 特許庁

The processor 3 includes at least one multiplier 6 that multiplies RGB signals output from the scope 2 by respectively set coefficients, a coefficient setting means (microcomputers 42, 32) for setting each element datum of the color conversion matrix read out from the memory in the multiplier as the coefficients, and at least one adder 7 that adds up signals output from the multiplier.例文帳に追加

プロセッサ３に、スコープ２から出力されたＲＧＢ信号に、それぞれ設定された係数を乗ずる少なくも１つの乗算器６と、メモリから読み出された色変換マトリクスの各要素データを、乗算器に係数として設定する係数設定手段（マイコン４２、３２）と、乗算器が出力する信号を加算する少なくとも１つの加算器７とを設ける。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 206 has a first semiconductor portion made of the first material and having a recess or projection portion, and a second semiconductor portion of the same conductivity type with the first semiconductor portion laminated in three dimensions on the recess or projection portion of the first semiconductor portion and made of a second material having smaller band gap energy than the first material.例文帳に追加

光電変換素子２０６は、第１の材料からなり、凹部または凸部を有する第１の半導体部分と、第１の半導体部分の凹部上または凸部上に三次元状に積層され、第１の材料よりもバンドギャップエネルギーが小さい第２の材料で構成され、第１の半導体部分と同じ導電型の第２の半導体部分とを有している。 - 特許庁

Illumination light which is made incoherent and illuminates a pattern surface on an observation object by using coherent light, and reference light which is made incoherent are formed, a light amount of reference light is dimmed corresponding to reflectance of a pattern surface, reflection light from a pattern surface and reference light are combined and imaged on a photoelectric conversion element and a pattern position is measured from the imaged interference image signal.例文帳に追加

コヒーレント光を用いて観察物体上のパターン面を照明するインコヒーレント化された照明光と、インコヒーレント化された参照光とを形成し、参照光の光量をパターン面の反射率に対応して調光し、パターン面からの反射光と参照光を合わせて光電変換素子上に結像させ、その結像した干渉画像信号からパターンの位置を計測する。 - 特許庁

An identification device 2 for identifying the registered object segments an object area from an input picture which is desired to be collated and generates a transformed picture, performs a logarithmic conversion, a differential strength direction arithmetic and a particular space distance with each picture element value of this picture, and makes an object which shows the minimum particular space distance between the particular spaces accumulated in the device 3 as the identification result.例文帳に追加

登録された物体を識別する識別装置２は照合したい入力画像から対象領域を切り出して変形画像を生成し、この画像の各画素値に対して対数変換と、微分強度方向計算および固有空間距離を計算し、装置３に蓄積する固有空間との間で最小の固有空間距離を示す物体を識別結果とする。 - 特許庁

The acquisition of the character information in a normal route from the FEP 20 is shut off and a user input character display element 32 acquires the character information from a work memory 40 utilized in Japanese conversion and is displayed, by which the neat displaying of the character information according to the font, etc., of the typing software 30 itself is made possible without receiving the restriction by the font performance of the FEP 20.例文帳に追加

また、ＦＥＰ２０から正規ルートでの文字情報の取得を遮断し、日本語変換の際に利用するワークメモリ４０からユーザ入力文字表示部３２が文字情報を取得して表示することにより、ＦＥＰ２０のフォント性能によって制約を受けることなく、タイピングソフト３０自身のフォント等に従って文字情報をきれいに表示することができるようにする。 - 特許庁

The detector is composed of a pair of chip shaped cores 6, and 7 arranged on the substrate 1, while spacing with a prescribed space for collecting the magnetic flux generated by the current flowing through the circuit conductor 3, and a magneto-electric conversion element 4 placed between the pair of magnetic cores and outputs a signal proportional to the current by detecting the collected magnetic flux.例文帳に追加

回路導体３に流れる電流に基づいて発生する磁束を集磁するように基板１上に所定の間隙を介して配置された一対のチップ状集磁コア６，７と、上記一対のチップ状集磁コア６，７の間隙に設けられ集磁された磁束を検出して電流に比例した信号を出力する磁電変換素子４とを備えた構成とする。 - 特許庁

A timing generating circuit 6 gives a timing pulse A to an image pickup element 3, which moves the scanning area 3b decided by the vertical magnification factor designation signal tV to a position designated by the vertical scanning area designation signal mV, and a signal outputted resulting from scanning the scanning area 3b is processed by a time base conversion circuit 4 and a signal processing circuit 5 and a video signal is obtained.例文帳に追加

タイミング発生回路６はタイミングパルスＡを撮像素子３に供給し、垂直拡大率指定信号ｔ__Ｖで決定される走査領域３ｂを垂直走査領域指定信号ｍ_Ｖで指定された位置に移動させ、走査領域３ｂが走査されて出力された信号は、時間軸変換回路４，信号処理回路５で処理され映像信号となる。 - 特許庁

In the substrate for the wavelength conversion element provided with a first substrate 11, a second substrate 12 for holding the first substrate and an adhesive layer 13 formed between the first and the second substrates 11 and 12 and comprising a silicon oxide, the thickness of the adhesive layer 13 is made smaller than one fourth of the thickness of the first substrate 11 and larger than one half of the wavelength of the incident light.例文帳に追加

第１の基板１１と、この第１の基板１１を保持するための第２の基板１２と、前記第１の基板１１と第２の基板１２との間に形成された酸化珪素からなる接着層１３とを備え、前記接着層１３の厚みを、前記第１の基板１１の厚みの１／４より薄く、かつ入射光の波長の１／２より厚くしたものである。 - 特許庁