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conversion elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5910



例文

In the image reader having a light source irradiating an image side of an original and a photoelectric conversion element that receives a light reflected in the image side of the original and extracts the light as an analog image signal, and applying a drive voltage to the light source through the flexible wiring board 4, the flexible wiring board 4 is used for earthing to an enclosure holding the light source.例文帳に追加

原稿の画像面を照射する光源と、原稿の画像面で反射された反射光を受光してアナログ画像信号として取り出す光電変換素子とを有し、光源への駆動電圧の印加をフレキシブル配線基板4を介して行う画像読取装置において、光源を保持する筐体へのアースをフレキシブル配線基板4を用いて行う。 - 特許庁

The scanner 1 includes a light emitting section 2 for irradiation with a laser light, a light receiving section 3 for receiving the laser light which is not blocked, and a signal conversion element 4 for outputting a numerical signal corresponding to the quantity of the received light Fz, and is configured so as to move relative to the film roll 8 in the width direction parallel to its axial line.例文帳に追加

走査装置1は、レーザー光を照射する発光部2と、遮られなかったレーザー光を受光する受光部3と、受光した光量Fzに応じて数値化信号を出力する信号変換素子4とを含み、かつ、フィルムロール8に対してその軸線と平行に且つ幅方向に沿って相対的に移動可能に構成される。 - 特許庁

Moreover, the electroacoustic D/A converter is adopted as one configuration element, an electric accessory device which is similar to an A/D converter by a general electric circuit is installed, and then an electroacoustic A/D converter is constituted, so that a transmitter/receiver having a function for executing conversion in an analog voice signal and a digital electric signal is constituted.例文帳に追加

さらに、この電気音響的D/A変換器を1つの構成要素として、一般的な電気回路によるA/D変換器と同様な電気的付属装置を付設して電気音響的A/D変換器を構成することにより、アナログ音声信号とデジタル電気信号との変換機能を有する送受話器を構成する。 - 特許庁

In this case, the capacity voltage conversion circuits 8, 9 are composed of high impedance amplification circuits 60, 80 and diodes 64, 74, 84, 85 for applying reference voltage from a reference voltage source 70 on the input side of the amplification circuits 60, 80, and the whole block can be formed to be integrated on one semiconductor board together with the angular speed detection element 1.例文帳に追加

この場合、容量電圧変換回路8,9は、高入力インピーダンス増幅回路60,80と、この増幅回路60,80の入力側に基準電圧源70から基準電圧を印可するダイオード64,74,84,85とから構成し、角速度検出素子1と共に回路ブロック全体を1枚の半導体基板に集積化して形成可能とする。 - 特許庁

例文

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、X線、あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁


例文

In the non-linear voltage resistor porcelain composition comprising a main component containing zinc oxide, a 1st sub-component containing a rare earth element, and a 2nd sub-component containing silicon oxide; the ratio of the 2nd sub-component to 100 mol of the main component is 1 atomic %<2nd sub-component<30 atomic % in the conversion of Si.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む主成分と、希土類元素の酸化物を含む第1副成分と、Siの酸化物を含む第2副成分とを、有する電圧非直線性抵抗体磁器組成物であって、前記主成分100モルに対する前記第2副成分の比率が、Si換算で、1原子%<第2副成分<30原子%である。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のn+不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

Of the luminous fluxes (S polarized light + p polarized light) condensed and emitted by and from the lens array 310, the luminous flux L2 passing the prescribed spacing Cp without entering the polarized light conversion element array 320a is the luminous flux including the prescribed polarized light (s-polarized light) to be intrinsically emitted and the ineffective polarized light (p-polarized light).例文帳に追加

レンズアレイ310で集光されて出射した光束(s偏光光+p偏光光)のうち、偏光変換素子アレイ320aに入射せずに所定の間隔Cpを通過する光束L2は、本来出射するべき所定の偏光光(s偏光光)および無効な偏光光(p偏光光)を含む光束である。 - 特許庁

To acquire more accurate restored image data even if an imaging apparatus which effectually expands the depth of field of imaging means by subjecting restoration processing to image data obtained by imaging a subject by the imaging means takes a picture using an imaging element having nonlinear photoelectric conversion characteristics.例文帳に追加

撮像手段により被写体を撮像して得た画像データに対して復元処理を施して撮像手段の被写界深度を実効的に拡大する画像撮像装置において、光電変換特性が非線形特性を有する撮像素子を用いて撮影を行なった場合でも、より正確な復元画像データを取得できるようにする。 - 特許庁

例文

The organic photoelectric conversion element 10 includes an electrode pair made up of a first electrode 32 and a second electrode 34, and an active layer 40 sandwiched between the electrodes of the electrode pair, wherein any one of the electrodes of the electrode pair contains a conductive material, and an alkaline metal salt or alkaline earth metal salt.例文帳に追加

有機光電変換素子10は、第1電極32及び第2電極34からなる一対の電極、及び前記一対の電極間に挟持される活性層40を備える有機光電変換素子において、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極が、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩と導電体とを含む。 - 特許庁

例文

This photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through an electrolyte layer abutting them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has a metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode is the above type electrode.例文帳に追加

また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする光電変換素子である。 - 特許庁

The plastic optical element material is a resin composition comprising an oligosiloxane-modified norbornene resin obtained by ring-opening metathesis polymerization of a mixture of a norbornene monomer having a thioacetal structure with an oligosiloxane compound bearing a vinyl group and subsequent conversion of a carbon-carbon double bond in the molecular chain into a single bond.例文帳に追加

チオアセタールノル構造を有するノルボルネン系モノマーと、ビニル基を有するオリゴシロキサン化合物の混合物を開環メタセシス重合させた後、分子鎖中の炭素−炭素二重結合を単結合に変換することによって得られるオリゴシロキサン変性ノルボルネン系樹脂を含有する樹脂組成物であることを特徴とするプラスチック光学素子材料。 - 特許庁

The wavelength converted light generating device 1A is provided with an excitation light source 10 for supplying the excitation light L0 of a predetermined wavelength, and a wavelength conversion element 20 in which an aggregate 22 of crystals of dye molecules is held by a holding substrate 21 and which generates wavelength-converted light L1 by the incidence of the excitation light L0.例文帳に追加

所定波長の励起光L0を供給する励起光源10と、色素分子の結晶の集合体22が保持基板21によって保持され、励起光L0が入射されることによって、波長変換された変換光L1を生成する波長変換素子20とを備えて、波長変換光生成装置1Aを構成する。 - 特許庁

This polarization conversion element 1 is composed of columnar glass members 11 sticked sequentially on a plurality of boundary faces forming an angle of substantially 45° for a light incoming face 1a and a light outgoing face 1b and having cross sectional shape being substantially parallelogram and polarization separation membranes 12 and phase difference plates 13 provided alternately on a plurality of boundary faces.例文帳に追加

偏光変換素子1は、光入射面1aおよび光射出面1bに略45°の角度を成す複数の界面で順次貼り合わされた断面形状が略平行四辺形の柱状のガラス材11と、複数の界面に交互に設けられた偏光分離膜12および位相差板13とを含み構成されている。 - 特許庁

To realize a code reader capable of reading a visible code read on the basis of a reflectance difference of light and an invisible code formed of a fluorescent material by a single device, not having reduction of code reading accuracy by a band cut filter differently from before, and hardly receiving influence of detection sensitivity wavelength dependence of a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光の反射率差に基づいて読み取られる可視コードと蛍光材料によって形成される不可視コードとを一台で読み取ることのできる装置として、従来のようなバンドカットフィルタによるコード読取り精度の低下がなく、光電変換素子の検出感度波長依存性の影響も受けにくいコード読取装置を実現する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive layer, and a photovoltaic element employing it, which exhibits superior photoelectric conversion characteristics even under a high temperature, high humidity or long term use or when a process in reducing atmosphere, e.g. annealing or hydrogen processing, is included in the process following to formation of a transparent conductive layer containing zinc oxide.例文帳に追加

高温下、多湿下、あるいは長期間にわたる使用下などにおいても、あるいは酸化亜鉛を含む透明導電層を形成した後の行程において加熱処理、アニール処理、水素処理のような還元雰囲気の行程を含む場合にも優れた光電変換特性をもつ透明導電層、それを用いた光起電力素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an oxide optical semiconductor porous thin-film electrode using paste causing very little shear droop in applying it and allowing thick-film printing and automatic printing and having a uniform thickness; and to provide a photoelectric conversion element, a dye-sensitized solar cell, and a dye-sensitized solar cell module including the oxide optical semiconductor porous thin-film electrode.例文帳に追加

塗布した際のだれが非常に小さく、厚膜印刷、自動印刷が可能とならしめるとともに、前記ペーストを用いた均一な厚さの酸化物光半導体多孔質薄膜電極、並びにこの酸化物光半導体多孔質薄膜電極を有する光電変換素子及び色素増感太陽電池、色素増感型太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

A mixing circuit which mixes a 1st signal RF and a 2nd signal LO has a conversion stage T3 which converts the 1st signal RF into a current and mixing cores T1 and T2 which mix the current with the signal LO, and the mixing cores relate to a mixing circuit which is loaded through at least one load element ZC.例文帳に追加

本発明は、第1の信号RFと第2の信号LOとをミキシングするミキシング回路であって、第1の信号RFを電流に変換する変換ステージT3と、上記電流と第2の信号LOとをミキシングするミキシングコアT1,T2とを有し、上記ミキシングコアが少なくとも一つの負荷素子ZCを介して負荷を受けるミキシング回路に関する。 - 特許庁

An outer protrusion H1501 and an inner protrusion H1502 facing the wall surface of a partition wall H1106 forming each ink channel H1201 are formed in each ink channel H1201 between the upstream side end on the electrothermal conversion element H1103 side and the downstream side rear end on the ink supply opening H1102 side for the ink introducing direction.例文帳に追加

各インク流路H1201には、インクの導入方向に対して電気熱変換素子H1103側の上流側端部とインク供給口H1102側の下流側後端との間に、各インク流路H1201を形成する隔壁H1106の壁面に互いに対向する外側凸部H1501および内側凸部H1502が形成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a photoconductive semiconductor layer and a charge transfer layer on a conductive support and counter electrodes on it, and a charge injection agent layer and a charge generation agent layer are formed, in the order, on the surface of a semiconductor that forms the photoconductive semiconductor layer.例文帳に追加

導電性支持体上に光導電性半導体層と電荷移動層を有し、その上に対向電極を有する光電変換素子において、前記光導電性半導体層を形成する半導体の表面に、電荷注入剤層とその上に電荷発生剤層が順次形成されていることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

This power conversion equipment charges and discharges resonance capacitors 15a-15d which are connected between the collector and the emitter of a switching element in a full bridge configuration by a resonance reactor 12 which is arranged between the intermediate voltage point between two or more voltage dividing capacitors 11 for dividing DC voltages and the primary intermediate terminal of a harmonic transformer 13.例文帳に追加

直流電圧を分割する2個以上の分圧コンデンサ11による中間電圧と、高周波トランス13の1次側中間端子との間に配置した共振リアクトル12で、フルブリッジ構成のスイッチング素子のコレクターエミッタ間に接続した共振コンデンサ15a〜15dを充放電する電力変換装置とするものである。 - 特許庁

The driver 1 comprises at least one driven body, and a plurality of actuators 5A and 5B for driving the driven body wherein each actuator 5A, 5B comprises an electromechanical conversion element for imparting a driving force to the driven body when power is applied, and the actuators 5A and 5B cooperate to drive the driven body.例文帳に追加

本発明の駆動装置1は、少なくとも1つの被駆動体と、前記被駆動体を駆動する複数のアクチュエータ5A、5Bとを備え、前記各アクチュエータ5A、5Bは、電力を印加することにより、前記被駆動体に駆動力を付与する電気/機械変換素子を備え、前記各アクチュエータ5A、5Bを互いに協調させて前記被駆動体を駆動する。 - 特許庁

A manufacturing method of a pseudo-phase matching conversion element makes the base material of the quartz crystal cyclically inducing the twin by applying stress; and when stress is applied to a quartz crystal substrate being the base material, the temperature between two planes orthogonal in the direction of stress application is a quartz crystal phase transition point or lower to provide the temperature difference between the two planes.例文帳に追加

応力を印加して周期的にツインを誘起させた水晶を母材とした擬似位相整合波長変換素子の製造方法において、母材となる水晶基板に応力を印加する際に、応力印加方向に直交する2平面間の温度を水晶の相転移点以下とすると共に、その2平面間に温度差を設ける。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element.例文帳に追加

熱電変換装置は、少なくとも2個のP型半導体素子Ph,Pc及びN型半導体素子Nh,Ncを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する熱交換基板1,2を備える。 - 特許庁

When manufacturing a photoelectric conversion element having a structure in which an electrolyte layer 10 provided between a porous electrode 5 provided on a transparent conductive layer 2 of a transparent substrate 1 and a counter electrode 8, current collector wiring 3 is formed by a conductive paste containing silver particles and low-melting-point glass frits on the transparent conductive layer 2.例文帳に追加

透明基板1の透明導電層2上に設けられた多孔質電極5と対極8との間に電解質層10が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、透明導電層2上に銀粒子と低融点ガラスフリットとを含む導電性ペーストにより集電配線3を形成する。 - 特許庁

Since a light shielding member is applied to the surfaces of pixels of an imaging element and the shielding of incident light to a photoelectrical conversion part is controlling by moving the light shielding member, the imaging apparatus capable of controlling exposure even when the illumination part for emitting a flash such as flash light is used, reducing noise caused by a dark current and obtaining file images can be provided.例文帳に追加

撮像素子の画素上に遮光部材を設け、該遮光部材を移動させることで光電変換部への入射光の遮光を制御することで、フラッシュ光のような閃光を発する照明部を用いる場合でも露出制御が可能であり、暗電流によるノイズが少なく良好な画像が得られる撮像装置を提供することができる。 - 特許庁

To form a circumferentially-polarized orbicular-zone-shaped illumination pupil distribution while favorably reducing light quantity loss by using a polarization conversion element that can convert linearly polarized incident light having a polarization direction in an almost single direction into circumferentially-polarized light having a polarization direction in an almost circumferential direction.例文帳に追加

ほぼ単一方向に偏光方向を有する直線偏光状態の入射光をほぼ周方向に偏光方向を有する周方向偏光状態の光に変換することのできる偏光変換素子を用いて、光量損失を良好に抑えつつ周方向偏光状態の輪帯状の照明瞳分布を形成する。 - 特許庁

In the production method of the photoelectric conversion element at least having a conductive support body and a layer of semiconductor fine particles sensitized by coloring matter, the semiconductor fine particles are dipped in an absorbent liquid composed of at least organic salt, dye and a solvent to have the dye absorbed on its surface.例文帳に追加

少なくとも導電性支持体と色素によって増感された半導体微粒子の層とを有する光電変換素子の作成方法であって、少なくとも有機塩基、色素、溶媒から成る吸着液に半導体微粒子を浸漬して半導体微粒子の表面に色素を吸着させる事を特徴とする光電変換素子の作成方法。 - 特許庁

In a luminaire 10 of a projector, intensity of illumination light of each color from LEDs 11r-11b of respective colors is detected sequentially by a common photoelectric conversion element 13, sampled by a common sample hold circuit 31, and fed back to the drive circuits 12r-12b of respective colors by the comparison circuits 34r-34b of respective colors.例文帳に追加

プロジェクタの照明装置10においては、各色のLED11r〜11bからの各色の照明光の光強度を共通の光電変換素子13によりシーケンシャルに検出し、共通のサンプルホールド回路31でサンプリングして、各色の比較回路34r〜34bにより各色の駆動回路12r〜12bにフィードバックする。 - 特許庁

Since the polarization conversion element 8 includes a retardation plate 82, constituted of a single quartz crystal wafer on which first retardation portions 821 for converting linearly polarized light of transmitted light by 360° or 180° and second retardation plates 822 are arrayed alternately, it is unnecessary to have the retardation plate 82 configured by sticking a plurality of quartz crystal wafers to each other.例文帳に追加

偏光変換素子8は、透過光の直線偏光を360°または180°変換する第一位相差部821と第二位相差部822とが交互に並列される1枚の水晶薄片から構成される位相差板82を有するので、複数枚の水晶薄片を貼り合せて位相差板82を構成する必要がない。 - 特許庁

An element substrate of a pair of substrates between which a liquid crystal as an electrooptical material is held has a TFT 116 connected to a scanning line 112 and a data line 114, a pixel electrode 118 connected to the TFT 116, and a D/A conversion circuit 160 which converts a digital image signal VID to an analog image signal and supplies the same to a line L.例文帳に追加

電気光学材料としての液晶が挟持された一対の基板のうち、素子基板に、走査線112とデータ線114とに接続されたTFT116と、このTFT116に接続された画素電極118と、ディジタル画像信号VIDをアナログ画像信号に変換して、ラインLに供給するD/A変換回路160とを備える。 - 特許庁

When consecutive photographing is executed, the gain of an amplifier (incorporated into an A/D conversion circuit of the poststage of an imaging element) for amplifying an image signal for each photographing frame to compensate gradual decrease of the optical rate of the LED is increased by causing a gain changing means to change the gain, so that an amplitude level of an image signal for each photographing may be adjusted.例文帳に追加

連写撮影が行なわれているときにLEDの光量の漸減分を補うように撮影コマごとに画像信号を増幅するアンプ(撮像素子後段のA/D変換回路内にアンプが内蔵されている)のゲインをゲイン変更手段に変更させることにより上げていって撮影ごとの画像信号の振幅レベルをあわせるようにする。 - 特許庁

A first electrode 20 at the side that is irradiated with light, produced on a transparent substrate 10, and a photoelectric conversion layer 30 made of at least two types of components and a charge transport layer 40 are laminated successively in between with an area to a counter electrode (second electrode) 50, so that they serve as the first and second electrode sides, respectively, to form a light-receiving element.例文帳に追加

光が照射される側の第1電極20が透明基板10上に作製され、その対向電極(第2電極)50との間に、少なくとも2種以上の成分で構成される光電変換層30が第1電極側、電荷輸送層40が第2電極側となるように順次積層されることで構成される受光素子。 - 特許庁

To provide a wavelength plate which realizes a liquid crystal projector which forms images of high luminance and high contrast by rotating a plane of polarization of polarized light to a prescribed angle in all the visible light region in the case that polarized light obliquely impinges on a transparent layer consisting of a phase difference film and to provide a polarization conversion element for the liquid crystal projector provided with the same.例文帳に追加

位相差フィルムよりなる透明層に斜め方向から偏光光が入射した場合に、全可視光領域について、偏光光の偏光面が所期の角度に回転し、輝度が高く、コントラストが高い画像が形成される液晶プロジェクターが得られる波長板およびこれを具えた液晶プロジェクター用偏光変換素子を提供すること。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element such as a dye-sensitized wet-type solar cell having a semiconductor electrode 12 using an oxide semiconductor such as titanium oxide and other inorganic semiconductors, a ring fusion porphyrin complex having at least one polar group is bonded with the semiconductor electrode 12 as sensitizing dyes through the polar group.例文帳に追加

酸化チタンのような酸化物半導体その他の無機半導体を用いた半導体電極12を有する色素増感型湿式太陽電池などの光電変換素子において、半導体電極12に増感色素として、少なくとも一つの極性基を有する環融合型ポルフィリン錯体を、この極性基を介して結合させる。 - 特許庁

A solar battery cell (the photoelectric conversion element) 1 includes a p-type silicon substrate 10 having a through hole 10a, a light receiving surface electrode 21 provided on a light receiving surface of the silicon substrate 10, a through hole electrode 22 formed in the through hole 10a, a rear surface electrode 23 formed on a rear surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

この太陽電池セル(光電変換素子)1は、貫通孔10aが形成されたp型のシリコン基板10と、シリコン基板10の受光面上に設けられた受光面電極21と、貫通孔10aの内部に設けられた貫通孔電極22と、シリコン基板10の裏面上に設けられた裏面電極23とを備える。 - 特許庁

The automatic focusing system has an optical lens 101 including a focusing lens 101a for adjusting an image forming position at imaging, a lens driving means 109 for moving the focusing lens 101a and an imaging element 102 which carries out photoelectric conversion of the imaging, image formation of which is performed by the optical lens 101, and outputs an image signal.例文帳に追加

本発明にかかる自動合焦装置は、撮像の結像位置を調整するための合焦用レンズ101aを含む光学レンズ101と、合焦用レンズ101aを移動させるレンズ駆動手段109と、光学レンズ101によって結像される撮像を光電変換して画像信号を出力する撮像素子102とを有する。 - 特許庁

A first face A for positioning and fixing the first integrator 12 in a triaxial direction is formed on the outer peripheral section of the integrator holder 11 and a second face B for positioning and fixing the second integrator 13, the mask 14 and the polarized light conversion element 15 respectively in the triaxial directions are formed on the side opposite to the first face A.例文帳に追加

そして、インテグレータホルダ11の外周部には、第1のインテグレータ12を3軸方向に対して位置決めして固定する第1面Aが形成され、第1面Aと反対側に、第2のインテグレータ13、マスク14、偏光変換素子15を3軸方向に対してそれぞれ位置決めして固定する第2面Bが形成される。 - 特許庁

The thermoelectric generation system includes: a power generation unit composed of a thermoelectric element module; power storage means which stores DC power obtained by the power generation unit; and AC conversion means which converts the DC power supply obtained by the power storage means into a commercial AC voltage by a combination of a booster converter with a converter for DC-AC interconversion.例文帳に追加

熱電素子モジュールからなる発電ユニットと、当該発電ユニットにて得られた直流電力を蓄電する蓄電手段と、当該蓄電手段にて得られた直流電源を昇圧コンバータとDC−AC相互変換コンバータとの組み合せにて商用交流電圧に変換する交流変換手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

An electric power conversion apparatus 1 includes: multiple semiconductor modules 2, each of which incorporates a semiconductor element; a cooler 3 having a module coolant passage 30 in which a coolant cooling the semiconductor modules 2 circulates; an electronic component (reactor) 4 other than the semiconductor modules 2; and a placement part 5 having a placement surface 51 on which the electronic component 4 is placed.例文帳に追加

電力変換装置1は、半導体素子を内蔵してなる複数の半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する冷媒を流通させるモジュール冷媒流路30を有する冷却器3と、半導体モジュール2以外の電子部品(リアクトル)4と、電子部品4を載置する載置面51を有する載置部5とを備えている。 - 特許庁

A harmonic generation device comprises: a solid state laser oscillator 1; a volume phase diffraction grating 3 for transmitting laser light B oscillated from the solid state laser oscillator 1 to obtain a fundamental C; a selectively transparent member 5 for reflecting a fundamental D and transmitting a harmonic K corresponding to the fundamental D; a wavelength conversion element 9; and a reflective film 10.例文帳に追加

高調波発生装置は、固体レーザ発振体1、固体レーザ発振体1から発振されるレーザ光Bを透過して基本波Cを得る体積型位相回折格子3、基本波Dを反射し、基本波Dに対応する高調波Kを透過する選択的透過部材5、波長変換素子9、および反射膜10を備えている。 - 特許庁

To provide an inductor element formed on a semiconductor substrate, which is applicable in particular to a high-frequency module or a voltage conversion module used for a portable information communication device, wireless LAN (local area network), or the like, can be miniaturized and suppress an increase in resistance loss, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、半導体基板に形成されたインダクタ素子及びその製造方法に関し、特に携帯情報通信機器や無線LAN(Local Area Network)等に用いられる高周波モジュールや電圧変換モジュールに適用され、小型化できると共に、抵抗損失の増加を抑制することのできるインダクタ素子及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a photovoltaic element which can solve such a problem that a semiconductor layer formed on a metallic layer functioning as a photoelectric conversion layer can not cover the metallic layer sufficiently well and a defective part is produced because a projection projecting partly from the uneven area formed on the surface of the metallic layer or a part having a large difference in height in the uneven area exists.例文帳に追加

本発明は、金属層表面に形成した凹凸の一部に突出した部分や凹凸差が大きな部分が存在するため、その上に形成される光電変換層として機能する半導体層が金属層を十分に被覆できず、欠陥部位が生じてしまう問題、を解消できる光起電力素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

The invention provides an oxide semiconductor paste containing a cellulosic thickener, wherein the cellulosic thickener is a methylcellulose, an oxide semiconductor paste containing a cellulosic thickener, wherein the cellulosic thickener is a hydroxy cellulosic thickener, a porous oxide semiconductor thin film, a photoelectric conversion element and a solar battery.例文帳に追加

セルロース系増粘剤を含む酸化物半導体ペースト、該セルロース系増粘剤がメチルセルロースであることを特徴とする上記の酸化物半導体ペースト、該セルロース系増粘剤がヒドロキシセルロース系増粘剤であることを特徴とする上記の酸化物半導体ペースト、多孔質酸化物半導体薄膜、光電変換素子および太陽電池。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

IV属材料を主成分とする半導体基板40の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層60,62及び電極80,82を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のpn接合部を構成するp層とn層との間に量子井戸部50を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ1は、受光面12aへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード12、受光面12a上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ11とを具備する。 - 特許庁

With the photoelectric conversion element laminated with a conductive support body, a photosensitive layer consisting of charge transport material with the space filled with semiconductor fine particles absorbing dyestuff, a charge transport layer and a counter electrode, in that order, the voids of the photosensitive layer is made to be smaller toward the direction of the conductive support body.例文帳に追加

導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子及び当該半導体微粒子の間の空隙に充填された電荷輸送材料からなる感光層、電荷移動層及び対極の順に積層された光電変換素子において、導電性支持体方向へ向かって感光層の空隙率が小さくなるよう構成する。 - 特許庁

An image processing unit is provided with an entry means that enters image data, a selection means that selects any of a plurality of pattern arrangements in response to the print condition of the image data, and an imbedding means that imbeds electronic watermark information by applying gradation conversion to the image data according to each element constituting the pattern arrangement selected by the selection means.例文帳に追加

画像データを入力する入力手段と、前記画像データの印刷条件に応じて複数のパターン配列の1つを選択する選択手段と、前記選択手段で選択されたパターン配列を構成する各要素に応じて、前記画像データを階調変換することにより電子透かし情報を埋め込む埋め込み手段とを有する。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

n型不純物半導体層と、その上に形成されたp型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、n型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第1のn型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第2のn型不純物とを含有させる。 - 特許庁

例文

The photoelectric conversion element such as a die-sensitized solar cell is constituted in such a way that a semiconductor electrode comprising a metal oxide semiconductor layer 3 containing light scattering particles in addition to light absorbing particles and a counter electrode 6 using a conductive polymer and/or a carbon base material are faced and an electrolyte layer 7 is interposed between the electrodes.例文帳に追加

光吸収粒子に加えて光散乱粒子を含む金属酸化物半導体層3からなる半導体電極と、導電性高分子および/またはカーボン系材料を用いた対極6とを互いに対向させ、それらの間に電解質層7を設けて色素増感型太陽電池などの光電変換素子を構成する。 - 特許庁




  
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