「ev」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery optimal for an electronic vehicle (EV), hybrid electronic vehicle (HEV), or the like, superior in output characteristics and output regeneration characteristics with changes of IV resistance values restrained at low charging depth, even at charging and discharging at a large current of ≥60 A.例文帳に追加

６０Ａ以上の大電流で充放電しても、低い充電深度でＩＶ抵抗値の変化を抑制した、出力特性及び出力回生特性に優れた電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）等に最適な非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

In another embodiment, the cleaning catalyst contains the transition metal oxide and an alkaline earth metal and/or an alkali metal so that at least a part of the transition metal oxide is in contact with at least a part of the alkaline earth metal and/or the alkali metal, and has the oxygen-electron bond energy of ≥528.8 eV.例文帳に追加

浄化触媒は、遷移金属酸化物と、アルカリ土類金属及び／又はアルカリ金属とを含有し、遷移金属酸化物の少なくとも一部とアルカリ土類金属及び／又はアルカリ金属の少なくとも一部とが接触しており、酸素の電子の結合エネルギーが５２８．８ｅＶ以上である。 - 特許庁

To provide a power transmission device of a hybrid vehicle performing the shift traveling of the vehicle and the electric traveling (EV traveling) to drive the vehicle by the output of electric motors by using power distributors and the electric motors while efficiently transmitting the output of an engine to driving wheels with simple control.例文帳に追加

動力分配器と電動モータとを使用して、エンジンの出力を効率よく駆動輪に伝達しつつ車両の変速走行を行うことと電動モータの出力によって車両を走行させる電気走行（ＥＶ走行）とを電動モータの簡単な制御で行うことを可能とする。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

In a mobile communication unit 10, when page message reception timing arrives during BCMCS data reception, the communication system of the mobile communication unit 10 is switched from EV-DO to 1x, and the page message is received in the above R slot period.例文帳に追加

携帯通信装置１０においてＢＣＭＣＳデータの受信が行われているときにページメッセージの受信タイミングが到来すると、携帯通信装置１０の通信方式はＥＶ−ＤＯから１ｘへ切り替わり、上記Ｒスロットの期間においてページメッセージの受信が行われる。 - 特許庁

In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加

本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が２種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、０.２２ｅＶ未満である電界効果トランジスタを有するＭＭＩＣを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁

When it is determined to be in the steering retaining state, a wire-wound resistance calculation unit 116 sets the arithmetical value of induced voltages eu, ev, ew generated in an electric motor 20 to zero, and calculates wire-wound resistances Ru, Rv, Rw from motor terminal voltages Vu, Vv, Vw and motor currents Iu, Iv, Iw.例文帳に追加

保舵状態であると判定された場合、巻線抵抗演算部１１６は、電動モータ２０で発生する演算上の誘起電圧ｅu，ｅv，ｅwの値をゼロに設定して、モータ端子電圧Ｖu，Ｖv，Ｖwとモータ電流Ｉu，Ｉv，Ｉwとから巻線抵抗値Ｒu，Ｒv，Ｒwを算出する。 - 特許庁

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中にＳｉが原子レベルで均一に分散複合し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による光電子スペクトルのピーク値から求めたＳｉ原子の２ｐ軌道の束縛エネルギーが１０１〜１０３ｅＶの範囲にあることを特徴とするＳｉ分散ガラス状カーボン材。 - 特許庁

In the light emission element in which a layer including a luminescence domain is prepared between an anode and a negative pole, a visible light (wavelength of 380-780 nm) transmittance of the above-mentioned anode is specified at 35-75%, and the work function of the above anode is further specified at 3.0-7.0 eV.例文帳に追加

陽極と陰極との間に、発光領域を含む層が設けられた発光素子において、前記陽極の可視光（波長３８０〜７８０ｎｍ）透過率が３５〜７５％に規定され、更に前記陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶに規定された発光素子。 - 特許庁

More specifically, a relationship between the accelerator pedal operation amount and the accelerator opening degree is non-linearized in accordance with the non-linearized map so as to become the accelerator opening degree to the same accelerator pedal operation amount smaller in comparison with an off state of the EV priority switch.例文帳に追加

具体的には、ＥＶ優先スイッチがオフ状態のときよりも同一のアクセルペダル操作量に対するアクセル開度が小さくなるように、上記のアクセルペダル操作量−アクセル開度非線形化マップに従って、アクセルペダル操作量とアクセル開度との関係を非線形化する。 - 特許庁

The vehicle 100 travels by selecting either an EV priority mode wherein internal charge to the capacitor by the power generation part is restricted, or an HV priority mode which controls internal charge by the power generation part so that a charge status value of the capacitor is maintained within a predetermined limit.例文帳に追加

車両１００は、発電部による蓄電部に対する内部充電が制限されるＥＶ優先モードと、蓄電部の充電状態値が所定の範囲内に維持されるように発電部による内部充電を制御するＨＶ優先モードとのいずれかを選択して走行する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of suppressing fluctuation of an IV resistance value at low depth of discharge even if it is charged and discharged with a large current of not less than 50 A, excellent in output characteristics and regeneration characteristics, and optimal for an electric vehicle (EV) and a hybrid electric vehicle (HEV).例文帳に追加

５０Ａ以上の大電流で充放電しても、低い放電深度でＩＶ抵抗値の変化を抑制した、出力特性及び出力回生特性に優れた電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）等に最適な非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

A geophone A, a geophone B, a geophone C, and a geophone D are set in an NS direction, an EW direction, the NS direction, and the EV direction of the building respectively and measure the micro-tremor in the respective directions, and the measured values are amplified by an amplifier and measured by an oscilloscope via a recorder.例文帳に追加

建物内のＮＳ方向に換振器Ａを、ＥＷ方向に換振器Ｂを、地盤のＮＳ方向に換振器Ｃを、ＥＷ方向に換振器Ｄを、それぞれセットし、各方向の常時微動を測定し、測定値を増幅器で増幅して記録器を介してオシロスコープで測定する。 - 特許庁

By connecting a planar structure and a JBS structure within one chip in parallel, the JBS structure is applied in a low-current region with forward voltage characteristics, and the planar structure, i.e., a guard ring structure composed of a Schottky metal with a barrier height higher than 0.70 eV, is applied in a high-current region.例文帳に追加

プレーナ構造とＪＢＳ構造を１チップ内で並列接続することで、低電流領域での順方向電圧特性にはＪＢＳ構造、大電流域ではバリアハイトが０．７０ｅＶより高いショットキーメタルから構成されたガードリング構造（プレーナ構造）が作用する。 - 特許庁

When deciding that it is photography at night because luminance shows low luminance under X (EV), the CPU 110 decides it as a situation that it is impossible to specify, in the step, which is to be performed, photography of a night view or photography of a person, and allows both of flash-off photography and flash-on photography to be consecutively performed.例文帳に追加

ＣＰＵ１１０は、輝度がＸ（ＥＶ）未満の低輝度であって夜間撮影であると判定したときにはステップで夜景あるいは人物撮影のいずれであるかを特定することができないとしてフラッシュオフ撮影とフラッシュオン撮影との双方を連続して行なわせる。 - 特許庁

The organic electroluminescent device 100 has (a) an anode 103, (b) an electroluminescent medium 109, and (c) an alloy-based cathode 115 containing two or more kinds of metals in order, and all of the alloy metals have a work function higher than 4.0 eV.例文帳に追加

有機電場発光デバイス１００の構成が、順に、ａ）アノード１０３、ｂ）電場発光媒体１０９、及びｃ）２種以上の金属を含む合金系カソード１１５を含んで成り、該合金の金属のすべてが４．０ｅＶより高い仕事関数を有することを特徴とする。 - 特許庁

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked.例文帳に追加

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 - 特許庁

When a motor torque direction is changed during traveling of the hybrid vehicle in an EV mode, vibration caused by the backlash is reduced through clutch slip control for slipping a clutch element in an automatic transmission between a motor and driving wheels.例文帳に追加

本発明は、ハイブリッド車両のＥＶ走行時にモータートルクの方向転換が行われる場合、モーターと駆動輪との間に存在する自動変速機内のクラッチ要素をスリップさせるクラッチスリップ制御を通してバックラッシュによる振動低減が行われるようにすることを特徴とする。 - 特許庁

In this ion beam device, cations generated in an ionization chamber 5 with energy of at most several eV do not pass through an ion suppressing electrode 12 by an electric field E2 formed between the ionization chamber 5 and the ion suppressing electrode 12 controlled at a potential of some ten V to the ionization chamber 5.例文帳に追加

イオン化室５で生成された高々数ｅＶのエネルギーの陽イオンは、イオン化室５とそのイオン化室５に対して数１０Ｖの電位に制御されたイオン抑制電極１２間に形成される前記電場Ｅ_2により、イオン抑制電極１２を通過することはない。 - 特許庁

On x-ray absorption end fine structure spectrum, in a state that 80 mol% of lithium is released, intermediate point of absorbance at K-shell absorption end of nickel is sifted by 1.1 eV or more.例文帳に追加

この正極活物質は、粒子表面におけるフッ素が内部に対して過剰に存在し、Ｘ線吸収端微細構造スペクトルにおいて、８０ｍｏｌ％のリチウムが離脱した状態とした際に、ニッケルのＫ殻吸収端における吸光度の中間点が、１．１ｅＶ以上シフトするものである。 - 特許庁

Between the other electrode and the organic photoelectric conversion layer, an electron blocking layer may be formed whose electron affinity is smaller than the work function of the adjacent electron by 1.3 eV or above, and ionization potential is the same as or smaller than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

もう一方の電極と有機光電変換層との間に、電子親和力が、隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、イオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、それより小さい電子ブロッキング層を設けても良い。 - 特許庁

Between one electrode and an organic photoelectric conversion layer, a hole blocking layer is formed which consists of an organic compound and whose ionization potential is larger than the work function of the adjacent electrode by 1.3 eV or above, and electron affinity is the same as or larger than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

電極と有機光電変換層との間に、イオン化ポテンシャルが隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、電子親和力が隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等かそれより大きい、有機化合物からなる正孔ブロッキング層を設ける。 - 特許庁

On the occasion of forming the thin film by evaporating the metal or the insulator on the surface of the resin sheet transferred continuously in a vacuum chamber, the surface is processed in the chamber with an ion or a plasma having 1,000-500,000 eV, prior to the evaporation.例文帳に追加

真空室内を連続的に移送される樹脂シートの表面に金属または絶縁物を蒸着して薄膜を形成するに際し、該蒸着に先立って該真空室内で１，０００〜５００，０００ｅＶのエネルギーを有するイオンあるいはプラズマで当該表面を処理する。 - 特許庁

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less.例文帳に追加

金属基板１上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子層以上置換した埋込み層２を介して、前記アルカリ金属原子が１原子層以上積層された表面層３を備えて、仕事関数φを３ｅＶ以下とした多層構造体。 - 特許庁

When a liquid crystal device 1 is driven, a longitudinal electric field Ev is generated in a region between pixel electrodes 9a1 and 9a2, that is, a non-aperture region along a layer thickness direction of a liquid crystal layer 50 according to difference between potential of a first part 85p1 and potential of a counter electrode 21.例文帳に追加

液晶装置１の駆動時には、第１部分８５ｐ１の電位及び対向電極２１の電位の差に応じて、液晶層５０の層厚方向に沿って画素電極９ａ１及び画素電極９ａ２間の領域、即ち非開口領域において縦電界Ｅｖが生じる。 - 特許庁

The obtained anode layer 10 has an ionizing potential of 5.5 eV or more, so that an increase of the hole injection barrier can be suppressed even though a material having a high ionizing potential such as phosphorescent host agent or conductive highpolymer is used as the adjoining light emitting layer or hole transport layer.例文帳に追加

このようにして形成される陽極層１０は５．５ｅＶ以上のイオン化ポテンシャルを有し、隣接する発光層や正孔輸送層に燐光発光ホスト剤や導電性高分子などのイオン化ポテンシャルが高い物質を用いても正孔注入障壁の増大を抑制できる。 - 特許庁

The image processing apparatus discriminates that the photographic conditions of frame images 14 to 16 in existence in the vicinity of the reference frame image 13 and whose EV value is within a prescribed value (±1) is the same as / similar to that of the reference frame image 13, and selects them as processing object frame images for generating a high-resolution still image.例文帳に追加

基準フレーム画像１３の近傍に存在し、かつ、ＥＶ値が所定値（±１）以内であるフレーム画像１４〜１６を、基準フレーム画像１３と撮影条件が同一・類似であると判断し、高解像度静止画像を作成する処理対象フレーム画像として選択する。 - 特許庁

The vehicle 100 selects either an EV priority mode in which internal charging to the electricity accumulating parts by the power generator is restricted, or an HV priority mode in which the internal charging by the power generator is controlled in order to maintain the charging state value of the electricity accumulating part within a prescribed range.例文帳に追加

車両１００は、発電部による蓄電部に対する内部充電が制限されるＥＶ優先モードと、蓄電部の充電状態値が所定の範囲内に維持されるように発電部による内部充電を制御するＨＶ優先モードとのいずれかを選択して走行する。 - 特許庁

The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions, so as to have an electronic state where an occupied level exists in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in a valence band.例文帳に追加

被覆膜２０及びホール注入層４は所定の成膜条件で成膜した膜厚２ｎｍ以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁

An air conditioning control means to lower the refrigerating capacity of the refrigerating cycle 3 (for example, to change over to an inner air circulating mode, to lower rotating speed of a compressor 31 by specified quantity, etc.) is carried out in the case when temperature of the EV cooling water detected by a water temperature sensor 94 is higher than a set value (65°C).例文帳に追加

水温センサ９４によって検出されるＥＶ冷却水の温度が設定値（６５℃）以上の場合には、冷凍サイクル３の冷凍能力を下げる空調制御手段（例えば、内気循環モードに切り替える、コンプレッサ３１の回転速度を所定量低下させる等）を行う。 - 特許庁

When the internal combustion engine is started in the EV running state where a vehicle travels only by electric motor drive torque Tm, a rotational speed Ne of the internal combustion engine is increased from zero by the power of the transmission input shaft by shifting a clutch from a shut off state to a half-engagement state.例文帳に追加

電動機駆動トルクＴｍのみで走行するＥＶ走行状態にて内燃機関を始動する場合、クラッチを遮断状態から半接合状態に移行して変速機入力軸の動力により内燃機関の回転速度Ｎｅをゼロから増大させる。 - 特許庁

If the desirably used wavelength is 1.55 μm used in optical fiber communication, that is 0.8 eV, a tube diameter is about 1 nm for a peak A to come the energy position, the tube diameter is about 2.1 nm in the peak B and the tube having about 3.1 nm diameter is corresponding to the peak C.例文帳に追加

使用したい波長が光ファイバ通信で用いられる１．５５μｍすなわち、０．８ｅＶであれば、ピークＡがこのエネルギー位置に来るためには、チューブの直径はおよそ１ｎｍであり、ピークＢでは２．１ｎｍ、ピークＣでは３．１ｎｍ程度の直径のチューブが対応する。 - 特許庁

When the advance direction of implanted impurities is approximately in parallel with a channel ring direction, energy loss caused by elastic collision is estimated to be smaller, and further, when the impurities penetrate more deeply into crystal and the energy is lower than 80 eV, the energy loss caused by the elastic collision is estimated to be zero.例文帳に追加

注入された不純物の進行方向がチャンネリング方向と略平行な場合、弾性衝突によるエネルギー損失を小さく見積もり、さらに、結晶奥深くまで進入してエネルギーが80eVよりも小さくなった場合、非弾性衝突によるエネルギー損失をゼロとする。 - 特許庁

A surface treatment by which the work function of the surface of the anode 6 is increased by 0.5 eV or more is carried out by exposing to a steam of solution of acid, after the surface of the anode 6 is cleaning treated so that the contact angle of the surface of the anode 6 to water may be 10° or less.例文帳に追加

陽極６の表面の水との接触角が１０°以下になるように陽極６の表面を洗浄処理した後、酸の溶液の蒸気にさらすことにより陽極６の表面の仕事関数を０．５ｅＶ以上大きくする表面処理を行なう。 - 特許庁

The pixel electrode layer 21 is made of Al, and a carrier transport layer 22 made of an Al alloy (or Al-Li alloy) containing a rare earth element of 3.1 to 4.3 eV in work function or a titanium group is provided between the pixel electrode layer 21 and organic photoelectric conversion layer 23.例文帳に追加

画素電極層２１はＡｌからなるとともに、画素電極層２１と有機光電変換層２３との間に、仕事関数が３．１ｅＶ以上４．３ｅＶ以下の希土類元素若しくはチタン族を含むＡｌ合金（又はＡｌ−Ｌｉ合金）からなるキャリア輸送層２２が設けられている。 - 特許庁

An ECU (electronic control unit), when passing through the road pricing area, where an exhaust gas output vehicle is set to be the charging object is predicted (YES-determination in S100), acquires the present SOC of an accumulation device (S110), and estimates energy quantity required for passing through the road pricing area by EV travel (S120).例文帳に追加

ＥＣＵは、排ガス出力車両を課金対象とするロードプライシングエリアの通過が予測されると（Ｓ１００のＹＥＳ判定時）、蓄電装置の現在のＳＯＣを取得する（Ｓ１１０）とともに、ＥＶ走行によってロードプライシングエリアを通過するために必要なエネルギ量を推定する（Ｓ１２０）。 - 特許庁

This contactless AC switch is characterized by that a power semiconductor element of its switching part is a unipolar transistor using as a material a wide-gap semiconductor crystal of ≥2.0 eV in the band-gap energy between a valance electron band and a conductive electron band and has linear output characteristics for a control signal.例文帳に追加

本発明の非接触交流開閉器は、開閉部のパワー半導体素子が、価電子バンドと伝導電子バンド間のバンドギャップエネルギが２.０ｅＶ 以上のワイドギャップ半導体結晶を素材としていて、しかも制御信号に対してリニアな出力特性を有するユニポーラ型トランジスタである。 - 特許庁

Electric charges, collected in the electrostatic chuck 1 which electrostatically attracts a substrate 2 to be treated, are eliminated by introducing a gas containing a destaticizing gas having an anion generating cross-sectional area of ≥1×10-18 cm2 near the electronic energy of 0 eV to a treatment chamber 3, in which the chuck 1 is provided.例文帳に追加

被処理基板２を吸着する静電チャック１が内部に設けられた処理室３内に、電子エネルギー０ｅＶ近傍にて１×１０^-18 ｃｍ^2 以上の負イオン生成の断面積を持つ除電用ガスを含むガスを導入して、静電チャック１に蓄積されている電荷の除電を行う。 - 特許庁

When a hybrid vehicle enters a deceleration state during EV mode and when down-shifting is requested from the gear stages, an ECU (Electronic Control Unit) rotationally synchronizes both clutch plates that are engagement elements of a shift clutch so as to engage the corresponding shift clutch.例文帳に追加

ＥＶ走行中にハイブリッド車両が減速状態となり、これらの変速段の中でダウンシフトが要求された場合、ＥＣＵは、対応する変速クラッチを係合状態に移行させるべく当該変速クラッチの係合要素である両クラッチ板を回転同期させる。 - 特許庁

The surface exposed parts of the organic luminescent layer 11, carrier transport layer 10 and electrode 12 are irradiated with hydrogen ion in an energy range of less than 150 eV to provide a protective film formed of poly-paraxylene film for covering the surface exposed part.例文帳に追加

電荷注入型発光素子の有機発光層１１、キャリア輸送層１０、及び電極１２の表面露出部分に、１５０ｅＶ未満のエネルギー範囲にある水素イオンを照射して、この表面露出部分を覆うポリパラキシレン膜からなる保護膜を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

When AT input shaft torque can not follow fluctuation of Ev value and does not get below torque zero line, gear shift control according to gear shift rule corresponding to power OFF is not performed by mistake, and a trouble such as racing of the engine and gear shift shock does not occur.例文帳に追加

ＡＴ入力軸トルクがＥｖ値の変動に追従できずにトルクゼロ線を下回らなかった場合に、誤ってパワーＯＦＦに対応する変速制御則で変速制御を行ってしまうことがなく、エンジンの吹き上がりや変速ショックなどの不具合が生じることがない。 - 特許庁

In the semiconductor film manufacturing method, Si ions are accelerated by an accelerating electrode after ionizing Si atoms or Si clusters, and a substrate 7 is irradiated with the accelerated ions to form a Si film, using Si ions which are controlled to energy of 2-8 eV.例文帳に追加

Ｓｉ原子、または、Ｓｉクラスタをイオン化後、加速電極６でＳｉイオンを加速し、該イオンを基板７に照射してＳｉ膜を成膜する半導体薄膜の製法であって、前記Ｓｉイオンとしてエネルギーが２〜８ｅＶに制御されたＳｉイオンを用いることを特徴とする半導体薄膜の製法。 - 特許庁

In the active matrix type liquid crystal display device, with which pixels having TFT elements are configured in the form of a matrix on a transparent sapphire substrate, the liquid crystal display device is configured by forming a semiconductor layer comprising the TFT element from the transparent semiconductor of a band gap ≥2.9 eV.例文帳に追加

透明サファイア基板上に、ＴＦＴ素子を有する画素をマトリックス状に構成するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、ＴＦＴ素子を構成する半導体層をバンドギャップが２．９ｅＶ以上である透明半導体により形成し液晶表示装置を構成する。 - 特許庁

The method for implanting a hetero element into a semiconductor device is carried out in such a manner that the degree of vacuum of a vacuum chamber irradiated with ions is set to 1×10^-6 Pa or below, and the semiconductor device is irradiated with the ions of a hetero element other than the constituent elements of the semiconductor with an energy of less than 100 eV.例文帳に追加

イオンを照射する真空容器の真空度を1×10^-6Pa以下とし、かつ半導体素子に対して、半導体構成元素以外の異種元素のイオンを100eV未満のエネルギーで照射することを特徴とする半導体素子への異種元素の導入方法。 - 特許庁

Ionization potential of the electron hole checking layer 6 is larger by 0.1 eV or higher than the ionization potential of the light-emitting layer 5; the electron transport layer 7 includes an electron transport material and an alkaline metal; and at least a part of the alkaline metal is dispersed in the electron transport layer 7 in a cation state.例文帳に追加

正孔阻止層６のイオン化ポテンシャルは発光層５のイオン化ポテンシャルよりも0.1eV以上大きく、電子輸送層７は電子輸送性材料及びアルカリ金属を含有し、アルカリ金属の少なくとも一部が電子輸送層７内でカチオン状態で分散している。 - 特許庁