「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

A maximum correlation region detecting part 43 detects a region where the correlation with a first region defined to be disposed on a registered fingerprint image of a registered fingerprint image data memory part 20 is maximum, among collation fingerprint images in a collation fingerprint image data memory part 30.例文帳に追加

最大相関領域検出部４３が、登録指紋画像データ記憶部２０の登録指紋画像上に配置が定義された第一の領域との相関が最大となる領域を照合指紋画像データ記憶部３０の照合指紋画像から検出する。 - 特許庁

A program including a plurality of modules is stored in a first memory, and when receiving a processing request, the plurality of modules of the program are executed in a predetermined order, and a processing result of each module of the program is stored in a write-once type in a second memory.例文帳に追加

複数のモジュールを含むプログラムを第１のメモリに記憶しておき、処理要求を受信した際、前記プログラムの複数のモジュールを予め定められた順番で実行し、前記プログラムの各モジュール毎の処理結果を第２のメモリに追記記憶する。 - 特許庁

Then, when a switching instruction is input while the last image in the predetermined display order is displayed, an instruction image for instructing display of files stored in a second memory different from the first memory is displayed on the display device.例文帳に追加

そして、所定の表示順序における最後の画像が表示されているときに切り替え指示が入力された場合に、前記第１のメモリとは異なる第２のメモリに記憶されているファイルの表示を指示するための指示画像を、前記表示装置に表示させる。 - 特許庁

The device is provided with a reloadable nonvolatile memory, a first means which stores reproduced video based on the command of the user and a second means which displays the video stored in the nonvolatile memory with a prescribed timing.例文帳に追加

光ディスク再生装置において、書き換え可能な不揮発性メモリ、再生された映像をユーザの指令に基づいて不揮発性メモリに格納させる第１手段、および不揮発性メモリに格納された映像を、所定のタイミングで表示させる第２手段を備えている。 - 特許庁

When the CPU 1 selects a first recording method, the CPU 1 allows the memory to store the received video data sequentially, and when the CPU 1 selects a second recording method, the CPU 1 allows the memory to store the video data of the specified caption portion and the caption data by corresponding to each other.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、第１の録画方式を選択した場合には受信した映像データを逐次前記メモリに記憶させ、第２の録画方式を選択した場合には特定した字幕部分の映像データと字幕データとを対応付けて前記メモリに記憶させる。 - 特許庁

When a command indicating a request of program guide information of a program in the same time on a different channel is notified, a program guide processor 2 first acquires a present time, and subsequently, acquires EIT (schedule) of a network channel designated by the previously notified command from a memory 7 or a flash memory 8.例文帳に追加

番組表処理部２は、裏番組の番組表情報の要求を示すコマンドが通知されると、まず現在時刻を取得し、次に、先に通知されたコマンドに指定されたネットワークのチャンネルのEIT（schedule）をメモリ７またはフラッシュメモリ８から取得する。 - 特許庁

The control circuit 20 simultaneously reads electrical states of the plurality of selection memory cells sMC, and simultaneously applies the program voltages only to an unprogrammed selection memory cell sMC after executing first write operation, based on the electrical states (second write operation).例文帳に追加

制御回路２０は、複数の選択メモリセルｓＭＣの電気的状態を同時に読み出し、その電気的状態に基づき、第1書込み動作の実行後にプログラムされていない選択メモリセルｓＭＣのみに同時に前記プログラム電圧を印加する（第２書込み動作）。 - 特許庁

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第１半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第２半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第３半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit alternately arranging a memory cell array and a sense amplification row, the first and second areas are formed on a memory cell array, and replacement of the data lines in the switching area can be facilitated by forming the switching area on the sense amplification row.例文帳に追加

メモリセルアレイとセンスアンプ列とが交互に配置される半導体集積回路において、第１および第２領域をメモリセルアレイ上に形成し、切換領域をセンスアンプ列上に形成することで、切換領域におけるデータ線の入れ換えを容易にできる。 - 特許庁

The control part 13 performs rewriting to the memory main body 8 at a timing when reading/writing to the memory main body 8 is not performed, on the basis of the data stored in the first storage part 10 and the address stored in the second storage part 11.例文帳に追加

制御部１３は、メモリ本体８に対する読み出し／書き込みが実行されていないタイミングにおいて、第１の記憶部１０に記憶されているデータと第２の記憶部１１に記憶されているアドレスに基づいて、メモリ本体８に対して再書き込みを行う。 - 特許庁

When a signal to represent the logical value of the information stored in the first memory circuit 69a matches a signal to represent the inverted value of the logical value of the information stored in the second memory circuit 69b, an error check circuit 72 decides it as a read error.例文帳に追加

エラー判定回路７２は、第１の記憶回路６９ａに記憶された情報の論理値を表すべき信号と、第２の記憶回路６９ｂに記憶された情報の論理値の反転値を表すべき信号とが一致するとき、読出しエラーであると判定する。 - 特許庁

The first controller detects switching signals for switching the 'on' and 'off' states of the switch to a memory and store into the memory and transmits the stored values to the second controller via the communication bus, the second controller controls the control system devices based on the received stored values.例文帳に追加

第１コントローラは、スイッチの「入り」状態及び「切り」状態のスイッチ信号を検出してメモリに記憶・保持し、その記憶値を通信バスを介して第２コントローラに送信し、該第２コントローラは、前記受信した記憶値に基づいて、制御系装置を制御する。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

When one page of image data is acquired from the printer controller 3, the recorder body delivers white data to the printer controller 3 in order to initialize the first page memory or the second page memory in the printer controller 3 which had stored the one page of image data thus acquired.例文帳に追加

装置本体は、プリンタコントローラ３から１ページ分の画像データを取得した場合に、取得した１ページ分の画像データを記憶していたプリンタコントローラ３における第１ページメモリまたは第２ページメモリを初期化すべく白データをプリンタコントローラ３へ送出する。 - 特許庁

A first state signal is outputted to the input/output terminal during a term in which erasing voltage is supplied to the nonvolatile memory cell existing in the selected block of 1 and erasing of data stored in the nonvolatile memory cell existing in the selected block of 1 is completed.例文帳に追加

選択された１のブロックにある不揮発性メモリセルに消去電圧を供給し、選択された１のブロックにある不揮発性メモリセルに格納されたデータの消去が完了するまでの期間、入出力端子に第１状態信号が出力される。 - 特許庁

A nonvolatile memory 3 can store information more than 2 bits and enables the first read-out for outputting information read out from the nonvolatile memory cell as 1 bit information and second read-out for outputting the information read out as 2 bit information.例文帳に追加

不揮発性メモリ（３）は２ビット以上の情報を格納可能にされ、不揮発性メモリセルから読み出した情報を１ビット情報として出力する第１読み出しと、読み出した情報を２ビット情報として出力する第２読み出しとが可能である。 - 特許庁

A first memory 6 temporarily stores the data obtained by reproducing the prescribed range of the recorded music data already recorded at the recording medium in a reproducing section 3 and a second memory 7 temporarily stores the music data for DRAW obtained by the reproducing device 4.例文帳に追加

第１メモリ６は、記録媒体に既に記録されている記録済曲データの所定範囲を再生部３で再生して得られたデータを一時的に格納するもので、第２メモリ７は、再生装置４で得られる追記用曲データを一時的に格納するものである。 - 特許庁

When a second special-symbol start memory is generated while performing the continuous performance state on the basis of a first special-symbol start memory stored in a RAM 31c, the performance mode of the continuous performance state under execution is changed by a game control device 30.例文帳に追加

ＲＡＭ３１ｃに記憶された第１特図始動記憶に基づいて連続演出状態を実行している際に、第２特図始動記憶が発生した場合、遊技制御装置３０によって実行中の連続演出状態の実行態様を変更する。 - 特許庁

Similarly, second and third switches are provided for switching between connection and nonconnection of the first bit line pair to a third bit line pair connected to a memory cell column belonging to a block 7c and a fourth bit line pair connected to a memory cell column belonging to a block 7d.例文帳に追加

同様に、第１のビット線対を、ブロック７ｃに属するメモリセル列に接続された第３のビット線対、及びブロック７ｄに属するメモリセル列に接続された第４のビット線対に夫々接続するか否かを切り換える第２及び第３のスイッチを設ける。 - 特許庁

When a control part 10 detects that an auto-preset button of an operating part 6 is pressed down, the control part 10 allocates each frequency to a selection button of the operating part 6 on the basis of the frequency data stored in the first preset memory 8 and stores each frequency in a second preset memory 9.例文帳に追加

制御部１０は、操作部６のオートプリセットボタンが押されたことを検出すると、第１のプリセットメモリ８に記憶されている周波数データを基に、各周波数を操作部６の選局ボタンに割り付けて第２のプリセットメモリ９に記憶する。 - 特許庁

After the last trigger phenomenon arises, when the amount of the data sample which is equal to the sum of the number of the memory locations of the first number and the number of the memory locations of the second number is written in the linear region, the writing of the data sample into the linear region is stopped.例文帳に追加

最終のトリガ事象が生じた後に、第１の個数の記憶場所の数及び第２の個数の記憶場所の数の和に等しい量のデータ・サンプルを線形領域に書き込んだときに、線形領域へのデータ・サンプルの書き込みを停止する。 - 特許庁

When the computer device 100 completes the booting process, the first OS 171a is loaded from the hard disk 17 and executed, a second OS kernel program memory region 141 is established in a system memory 14, and the second OS kernel program 172b is loaded thereto.例文帳に追加

コンピュータ装置１００は起動プロセスを完成した後、該ハードディスク１７中より該第１ＯＳ１７１ａをロード及び実行し、並びにシステムメモリ１４中に第２ＯＳコアプログラムメモリ領域１４１を構築してそれに第２ＯＳコアプログラム１７２ｂをロードする。 - 特許庁

An MPU 14 writes the data of the head portion of music in a first memory 9 beforehand via a memory control means 11, and adds recording type information to the data according to the length of a part recording the music or the number of such parts when the operation is finished.例文帳に追加

ＭＰＵ１４は、メモリ制御手段１１を介してあらかじめ第１のメモリ９に楽曲の先頭部分のデータを書き込み、その動作が終了する時に、楽曲が記録されているパートの長さやパートの数に応じて記録形態情報をデータに付加する。 - 特許庁

An address decoder 12 generates two or more selection signals SEL0-SEL3, so as to simultaneously select first to fourth memory circuits RAM 0-RAM3, on the basis of an address signal ADD for accessing to the memory circuit by a CPU 11 in testing mode.例文帳に追加

アドレスデコーダ１２はテストモード時にＣＰＵ１１が１つのメモリ回路をアクセスするためのアドレス信号ＡＤＤに基づいて第１〜第４メモリ回路ＲＡＭ０〜ＲＡＭ３を同時に選択するように複数の選択信号ＳＥＬ０〜ＳＥＬ３を生成する。 - 特許庁

In the case of controlling absorption of a first starting memory ((1)), that a big winning is to be generated at a third starting memory is pre- read ((2)), and a command for controlling forced appearing pattern display corresponded to this number of pre-reading is retrieved and transmitted to the side of a special pattern display device 100.例文帳に追加

始動メモリ１個目の消化制御を行うに際して（ ）、３個目先で大当りが生起されることを先読みし（ ）、この先読み数に対応付けられた強制出目表示制御用コマンドを索出して特別図柄表示装置１００側に送信する。 - 特許庁

The hollow cylindrical body 3 undergoes a low temperature side shape memory treatment and a high temperature side shape memory treatment varying the diameter of the cylinder so that the first shape at a low temperature and the second shape at a high temperature are memorized different in the diameter of the cylinder and the diameter of the cylinder can be varied following changes in temperature.例文帳に追加

中空筒状体３は、筒径を変えて低温側形状記憶処理と高温側形状記憶処理とが施され、筒径の異なる低温時の第１形状と高温時の第２形状とを記憶し、温度変化に伴って筒径が変化される。 - 特許庁

In that case, the binarizing processor separately stores the error to be diffused into surrounding undetermined pixels outside the target block BL by individually dividing the error into an accessible first memory (internal RAM 21c) and a second memory (internal RAM 21d) via independent buses.例文帳に追加

この際、２値化処理部は、該着目ブロックＢＬ外の周辺の未判断画素に拡散させる前記誤差を、各々独立したバスを通じて個別にアクセス可能な第１のメモリ（内部ＲＡＭ２１ｃ）と第２のメモリ（内部ＲＡＭ２１ｄ）とに分けて格納する。 - 特許庁

When the busy state of the memory is detected by the busy detection part after the write command is issued, the clock output control part stops the supply of the transfer clock to the memory only in a predetermined first designated period, and thereafter starts the supply of the transfer clock.例文帳に追加

ライトコマンド発行後に前記ビジー検出部により前記メモリのビジー状態が検出されたとき、クロック出力制御部が、所与の第１の指定期間だけ前記メモリに対して前記転送クロックの供給を停止し、その後該転送クロックの供給を開始する。 - 特許庁

The OD control section 3 performs an overdrive-process on a first image data 101 read from the frame memory 1 in a current frame period by using a second image data 102 read from the frame memory 1 in a previous frame period to drive the display panel.例文帳に追加

ＯＤ制御部３は、現フレーム期間においてフレームメモリ１から読み出される第１画像データ１０１に対し、前フレーム期間において表示パネルを駆動するためにフレームメモリ１から読み出された第２画像データ１０２を用いて、オーバードライブ処理を行なう。 - 特許庁

After that, the shape memory alloy coil 1 is reformed into a shape memory alloy coil 1 having a second outside diameter smaller than the first outside diameter, and a cover member 2 formed of a soft material with elasticity is mounted thereon covering its outside diameter.例文帳に追加

その後、形状記憶合金コイル１を前記第１の外径より小さい第２の外径を有する形状記憶合金コイル１に形成し直し、その外周を覆うように、柔軟で伸縮性を有する材料で形成されたカバー部材２を装着する。 - 特許庁

A settlement job is classified into a first settlement step in which sales data of each commodity classified and collected depending on an item in a sum memory is reported and outputted and a second settlement step in which the contents of the sum memory are cleared to start them singly, respectively.例文帳に追加

精算業務を、集計メモリに項目別に分類されて集計された各商品の売上データをレポート出力する精算第１ステップと、集計メモリの内容をクリアする精算第２ステップとに分類してそれぞれ単独で起動するようにする。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fourth word line conductive layers 32a-32d on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction separating from the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸から離れる方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

There are provided a composite chip LSI 10 obtained by integrally laminating a function chip 11 and a first memory chip 12, and a printed board 25 on which the composite chip LSI 10 is mounted on one surface side and which is formed with a second memory chip 20 being able to be mounted on the other surface side.例文帳に追加

ファンクションチップ１１と第１メモリチップ１２とが積み重ね形状で一体化された複合チップＬＳＩ１０と、一面側に複合チップＬＳＩ１０が取り付けられ、他面側に第２メモリチップ２０が取り付け可能に形成されたプリント基板２５とを設ける。 - 特許庁

In the case of ordering to an article selling and buying server by the wireless telephone, first of all, a memory card is loaded into terminal equipment, communication with the article selling and buying server is performed, and a selling and buying ID is generated on the terminal equipment to become a key of selling and buying as a result and written on the memory card.例文帳に追加

無線電話によって商品売買サーバーに注文するに際し、先ず、端末装置にメモリカードを指しこみ、商品売買サーバーと通信をおこない、その結果、売買のキーとなる端末装置上で売買ＩＤを生成して、メモリカードに書きこむ。 - 特許庁

The microprocessor includes a rate control input for receiving a rate control signal having a first level indicative of the microprocessor frequency being equal to the external memory frequency or a second level indicative of the microprocessor frequency being twice the external memory frequency.例文帳に追加

マイクロプロセッサは外部メモリ周波数と等しいマイクロプロセッサ周波数を表わす第１のレベルか、または外部メモリ周波数の２倍であるマイクロプロセッサ周波数を表わす第２のレベルかを有する速度制御信号を受信するための速度制御入力を含む。 - 特許庁

A first IC is provided with: a nonvolatile memory that stores pre-acquisition adjustment data obtained by pre-adjusting an internal configuration section adjustable by adjustment data and correction data for other circuits; and an interface for connecting the nonvolatile memory to the outside.例文帳に追加

第１のＩＣは、調整データにより調整可能について予め事前に調整を行なった結果の事前取得調整データおよび他の回路の補正用データが記憶される不揮発性メモリと、不揮発性メモリを外部に対して接続するためのインターフェースを備える。 - 特許庁

Verified basic operating programs are stored in the first memory array block during the manufacturing process, and operation programs to be corrected or added are stored in the second memory array block after the manufacturing process to reduce the total time taken to store the programs and facilitate the correction and addition of the programs.例文帳に追加

検証された基本的な動作プログラムは製造工程中に第１群メモリに保存し、修正または追加される動作プログラムは製造工程後に第２群メモリに保存して、全体プログラム保存時間を減らし、プログラムの修正及び追加を容易にする。 - 特許庁

The control means will download detailed map data for the specified range around the destination to the first memory means and then search the guide path to the destination again, if being instructed to acquire the detailed map data around the destination from the second memory means.例文帳に追加

制御手段は、目的地の周辺の詳細な地図データを第２の記憶手段から取得する旨の指示があったとき、目的地の周辺の所定の範囲の詳細な地図データを第１の記憶手段にダウンロードし、目的地までの誘導経路を再度探索する。 - 特許庁

To achieve thinning and downsizing of a memory card connector, set a plurality of connection terminals on the same plane, and with only a predetermined connection terminal connected by displacing a first slide member or a second slide member in accordance with kinds of inserted memory cards.例文帳に追加

複数の接続端子が同一平面上に設定され、挿入されるメモリーカードの種類に応じて第１のスライド部材又は第２のスライド部材が移動されることにより、所定の接続端子のみを接続させ、メモリーカードコネクタの薄型化・小型化を図る。 - 特許庁

Based on an output signal from the operation switching circuit 21, an operation control circuit 22 controls a period of voltage application to a plate line to obtain volatile mode operation of a first memory area 11 and a nonvolatile mode operation of a second memory area 12, for example.例文帳に追加

動作切換回路２１からの出力信号に基づき、動作制御回路２２にてプレート線への電圧印加時間を制御することで、例えば第１のメモリ領域１１の揮発モード動作と、第２のメモリ領域１２の不揮発モード動作とを実現する。 - 特許庁

The bit conductive layer 80 connects the first impurity regions 24 of the nonvolatile memory 100 arranged in i row [j+1] column electrically with the second impurity regions 34 of the nonvolatile memory 100 arranged in [i+1] row [j+1] column.例文帳に追加

ビット導電層８０は、ｉ行［ｊ＋１］列に配置された不揮発性記憶装置１００の第１不純物領域２４と、［ｉ＋１］行［ｊ＋１］列に配置された不揮発性記憶装置１００の第２不純物領域３４とを電気的に接続する。 - 特許庁

In the semiconductor device, at first, the high temperature test is performed, and the high temperature test result of the high temperature test of the memory cell arrays 11a to 11n is written on the acceptance or rejection discrimination fuse circuits 13a to 13n provided respectively of the memory cell arrays 11a to 11n.例文帳に追加

この半導体装置において、まず、高温試験を行い、メモリセルアレイ１１ａ，１１ｂ，〜，１１ｎのそれぞれに設けられた合否判定ヒューズ回路１３ａ，１３ｂ，〜，１３ｎに、メモリセルアレイ１１ａ，１１ｂ，〜，１１ｎの高温試験の高温試験結果を書き込む。 - 特許庁

The moving image processing method processes a syntax element with high appearance frequency by using a probability state variable held in a second memory 13 with small access latency and processes other syntax elements by using a probability state variable held in a first memory 12 with large access latency.例文帳に追加

本発明は、アクセスレイテンシの小さな第２のメモリ１３に保持した確率状態変数を用いて出現頻度の高いシンタックスエレメントを処理し、アクセスレイテンシの大きな第１のメモリ１２に保持した確率状態変数を用いて他のシンタックスエレメントを処理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device with which such a first problem that a test time for detecting a deteriorated capacitor of a semiconductor memory device using the conventional ferroelectric capacitor becomes long or such a second problem that inprint endurance is inferior is solved.例文帳に追加

従来の強誘電体キャパシタを用いた半導体記憶装置の劣化したキャパシタを検出する為の試験時間が長くなるという第１の課題、或いは、インプリント耐性が劣るという第２の課題を解決した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a plurality of memory parts MEM1 are tested, test input data (DIN_T, ADR_T, CS_T, RW_T) generated in an inspection circuit BT1 are shifted in order in each register (SF5 to SF8) of a first data shift circuit formed by using a scan flip-flop, and are transferred to each memory part.例文帳に追加

複数のメモリ部ＭＥＭ１のテストを行う際、検査回路ＢＴ１において発生するテスト入力データ（ＤＩＮ＿Ｔ，ＡＤＲ＿Ｔ，ＣＳ＿Ｔ，ＲＷ＿Ｔ）は、スキャンフリップフロップを用いて形成される第１のデータシフト回路の各レジスタ（ＳＦ５〜ＳＦ８）を順にシフトされて、各メモリ部に転送される。 - 特許庁