「first process」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

In the laser processing process, a laser processing region 43 including a metal pattern 41a formed on the principal surface 3a of the scribe region 40b is irradiated with a first laser beam having first energy from the side of a principal surface 3a to remove an insulating layer (first insulating layer) 34.例文帳に追加

このレーザ加工工程では、第１のエネルギーを有する第１のレーザを、スクライブ領域４０ｂの主面３ａ上に形成された金属パターン４１ａを含むレーザ加工領域４３に主面３ａ側から照射して、絶縁層（第１絶縁層）３４を取り除く。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer.例文帳に追加

固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。 - 特許庁

The posture of the tray guide 72 can be changed to a first posture enabling insertion of a tray on which the recording medium is placed, to a second posture retracted upwardly from the first posture and capable of recording images on the paper and to a third posture inclined in a process from the first posture to the second posture.例文帳に追加

トレイガイドは、記録メディアを載置したトレイを挿入可能な第１姿勢、第１姿勢よりも上方へ退避し用紙への画像記録を可能にした第２姿勢、及び第１姿勢から第２姿勢への過程において傾斜した第３姿勢に姿勢変化可能である。 - 特許庁

An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer.例文帳に追加

絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。 - 特許庁

When a 'first large prize' or a 'second large prize' occurs, the game music and the lighting pattern of decorative lamps corresponding to the 'first large prize' or 'second large prize' are set and outputted together with the game process of the 'first large prize' or 'second large prize'.例文帳に追加

そして、「第１大当たり」又は「第２大当たり」が発生した場合には、この「第１大当たり」又は「第２大当たり」の遊技処理と共に、該「第１大当たり」及び「第２大当たり」に対応するゲーム音楽と各装飾ランプの点灯パターンが設定、出力される（Ｓ２、Ｓ４）。 - 特許庁

The present method includes receiving a protected digital bit stream; sending this digital bit stream to a media player; calling a first plugin for reading first header information to process the digital bit stream by the media player; sending the digital bit stream to the first plugin; and decrypting at least a part thereof.例文帳に追加

本方法では、保護されているデジタルビット・ストリームを受信し、これをメディアプレーヤに送り、メディアプレーヤは第１のヘッダ情報を読み取ってデジタルビット・ストリームを処理するための第１のプラグインを呼び出し、デジタルビット・ストリームを第１のプラグインに送り、ここで少なくともその一部を解読する。 - 特許庁

Then, after a portion of the first electrode is adhered to the metallic film, the first substrate is separated from the piezoelectric layer, and a second electrode is formed on the piezoelectric layer exposed by a removal process, and a resonator is formed by applying voltage to the first and second electrodes.例文帳に追加

次に、第１の電極の一部と金属膜を貼り合わせた後、第１の基板を圧電層より分離し、除去工程により露出した前記圧電層上に第２の電極を形成し、第１及び第２の電極に電圧を印加することで共振器を形成する。 - 特許庁

The averaging process part 41 sets the connection relationship between the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes so that each of the plurality of first electrodes is connected to the second electrode whose relative position is the closest to the relative position of that first electrode, among the plurality of second electrodes.例文帳に追加

均等処理部４１は、複数の第１電極の各々を、複数の第２電極のうちの当該第１電極の相対位置に最も近い相対位置を有するものに接続するように、複数の第１電極と複数の第２電極との接続関係を設定する。 - 特許庁

In a manufacturing process of a first driven gear 42, when a drilling work for forming an opening 42a on the inner periphery of the first driven gear 42 is applied, the groove 83 constituting one side of the oil sump 84 is formed in an approximately central part in the axial direction of the opening 42a of the first driven gear 42.例文帳に追加

ファーストドリブンギヤ４２の製造工程において、ファーストドリブンギヤ４２の内周部に開口部４２ａを形成する穴開け加工を施す際に、ファーストドリブンギヤ４２の開口部４２ａの軸方向略中央部に油溜まり８４の一方を構成する溝部８３を形成する。 - 特許庁

A process atmosphere is composed using an oxidative gas composing an oxidative atmosphere and having a first flow rate, a first carrier gas carrying a first impurity substance and having a second flow rate, and a second carrier gas carrying a second impurity substance and having a third flow rate higher than the second flow rate.例文帳に追加

第１流量を有し酸化性雰囲気を組成する酸化性ガス、第２流量を有し第１不純物質を運搬する第１キャリアガス、ならびに第２流量より多い第３流量で供給され、第２不純物質を運搬する第２キャリアガスを使用して工程雰囲気を組成する。 - 特許庁

A CPU for general control cumulatively stores and holds individual information that specifies first type of development (first to fourth kinds of performance) determined every time the first type of development is determined during a probability variable mode and a CH mode in the process of giving a ball entry rate improved state.例文帳に追加

統括制御用ＣＰＵは、入球率向上状態の付与中である確変モード及びＣＨモード中に第１系統の展開を決定する毎に決定した第１系統の展開（第１種〜第４種演出）が特定される個別情報を累積的に記憶保持するようにした。 - 特許庁

The process of arranging the mold segments includes the steps of arranging a first pair of the mold segments facing to each other, mounting a second pair of the mold segments on one of the first pair of the mold segments and mounting a third pair of the mold segments on the other mold segment of the first pair.例文帳に追加

前記鋳型割分を配置する工程が、第一ペアの略相対する鋳型割分を配置する工程と、第二ペアの鋳型割分を該第一ペアの鋳型割分の一方に搭載する工程と、第三ペアの鋳型割分を該第一ペアの鋳型割分の他方に搭載する工程とを含む。 - 特許庁

Furthermore in a previous step of the control process of the first to fourth display devices, this Pachinko machine determines whether at least one of the first to fourth variable winning devices is in an open state or not and whether either of the first to fourth display devices executes a winning stop display or not.例文帳に追加

さらに第１〜第４表示装置の制御処理の前段階において、第１〜第４可変入賞装置の少なくとも１つが開状態中であるか否か、第１〜第４表示装置のいずれかにおいて当たり停止表示が行われているか否かを判別する。 - 特許庁

In the first resist buried pedestal formation process, a first resist plating die 10 is removed (Fig.5C), and a first resist buried pedestal 14 is formed (Fig.5D) by using new resist without absorbing moisture and the method of removing bubbles in the resist body set to conditions differing from conventional ones.例文帳に追加

第１レジスト埋込台座形成工程では、第１レジストめっき型１０を除去し（図５Ｃ）、水分を吸湿していない新規レジストおよび従来と異なる条件に設定された本発明のレジスト体の気泡除去方法を用いて第１レジスト埋込台座１４を形成する（図５Ｄ）。 - 特許庁

Then, a lower piezoelectric layer 40 and an intermediate piezoelectric layer 41 other than a first active section R1 in a region overlapped with the first active region R1 from its plane view are moved from the lower piezoelectric layer 40 (face side separated from the first active section R1), and through-holes 40a and 41a are formed (removal process).例文帳に追加

そして、平面視で第１活性部Ｒ１と重なる領域にある第１活性部Ｒ１以外の、下部圧電層４０及び中間圧電層４１を下部圧電層４０側（第１活性部Ｒ１から離れた面側）から除去し、貫通孔４０ａ、４１ａを形成する（除去工程）。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of easily taking out a sheet from a first discharge part even if the sheet after an image forming process is discharged to the first discharge part, with an operation panel located at a closed position for closing at least a part of an opening surface of the first discharge part.例文帳に追加

第１排出部の開放面の少なくとも一部を閉鎖する閉鎖位置に操作パネルが位置する状態で、画像形成処理後の用紙を第１排出部に排出する場合であっても、第１排出部から用紙を取り出し易くすることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the process of manufacturing a display, the first base plate having the first stiffness supports the second base plate to form the pixels, and the first base plate is removed from the second base plate after the display is completed to obtain a flexible display.例文帳に追加

表示装置を製造する過程においては、第１硬度を有する第１基板部がフレキシブルな第２基板部を支持して第２基板部に画素が形成されるようにし、表示装置を製造した後には第１基板部を第２基板部から除去して、フレキシブルな表示装置を製造する。 - 特許庁

To provide an electrolytic processing method to process a work furnished with a first hole and a second hole to be open in the wall portion surrounding the first hole, capable of processing the edge part as the contacting part of the first hole surrounding wall with the second hole surrounding wall into an approximately curved surface.例文帳に追加

被加工物に、第１の孔と、第１の孔の周壁部に開口する第２の孔とが形成されている場合に、第１の孔の周壁部と第２の孔の周壁部とが接する部分であるエッジ部を、略曲面状に加工することが可能な電解加工方法を提供する。 - 特許庁

In a process for controlling a power consumption level in the device, the device is operated at a complete-operation power level; a first standby time is counted; and a first standby time changer is changed in response to the detection of the use of the device before the completion of the first standby time.例文帳に追加

デバイス内の電力消費レベルをコントロールするためのプロセスであり、デバイスを完全動作電力レベルにおいて動作させ、第１待機時間をカウントし、第１待機時間の満了の前のデバイスの使用検出に応答して第１待機時間変更子を変更する。 - 特許庁

The first injection process of the injection molding machine 10 is divided into a plurality of sections and, in the front section performed at the beginning, the valve mechanism 80 is controlled so as to supply the material to the first cavity 31 and injection is performed under the molding condition corresponding to the first cavity 31.例文帳に追加

射出成形機１０の１回の射出工程が複数の区間に分割され、始めに行われる前区間では第１キャビティ３１に材料を供給するよう弁機構８０が制御されるとともに、第１キャビティ３１に応じた成形条件で射出が行われる。 - 特許庁

The method for producing trichlorosilane includes, as mutually independent processes, a first production process for generating trichlorosilane by reacting metallic silicon with hydrogen chloride and a second production process for generating trichlorosilane by reacting metallic silicon with tetrachlorosilane and hydrogen, wherein from a reaction product gas containing trichlorosilane obtained by the first production process, the trichlorosilane is condensed and separated, and the remaining effluent gas is supplied as a hydrogen source to the second production process.例文帳に追加

金属シリコンに塩化水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第１の製造プロセスと、金属シリコンにテトラクロロシラン及び水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第２の製造プロセスとを、互いに独立したプロセスで含み、前記第１の製造プロセスにより得られたトリクロロシランを含む反応生成ガスから、該トリクロロシランを凝縮分離し、トリクロロシランが凝縮分離された後の排ガスを、水素源として第２の製造プロセスに供給することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate with the built-in chip comprises a first process of forming a wiring structure connected to the semiconductor chip on a first core substrate, a second process of installing the semiconductor chip on a second core substrate, and a third process of laminating the first core substrate, where the wiring structure has been formed on the second core substrate where the semiconductor chip has been installed.例文帳に追加

半導体チップが内蔵されたチップ内蔵基板の製造方法であって、第１のコア基板上に、前記半導体チップに接続される配線構造を形成する第１の工程と、第２のコア基板上に、前記半導体チップを設置する第２の工程と、前記配線構造が形成された前記第１のコア基板と、前記半導体チップが設置された前記第２のコア基板を張り合わせる第３の工程と、を有することを特徴とするチップ内蔵基板の製造方法。 - 特許庁

The drying method in the drying device 1 includes: a process of adding water and a surface active agent to a fiber structure 100; a second process of immersing the fiber structure 100 in carbon dioxide in the liquid state or the supercritical state after the first process; and a third process of evaporating carbon dioxide in the liquid state or the supercritical state in which the fiber structure 100 is immersed in the second process.例文帳に追加

乾燥装置１における乾燥方法は、繊維構造体１００に水と界面活性剤とを加える第１の行程と、第１の行程の後に、繊維構造体１００を液体状態または超臨界状態の二酸化炭素に浸漬させる第２の行程と、第２の行程において繊維構造体１００を浸漬させた液体状態または超臨界状態の二酸化炭素を蒸発させる第３の行程とを行なう。 - 特許庁

This method includes a first process (a) to prepare a substrate 10 having a surface 11 containing titanium, a second process (b) to discretely arrange a material 13 different from titanium on the surface, and a third process (c) to heat treat the surface containing titanium subjected to the second process so as to form fine lines 15 containing titanium oxide.例文帳に追加

チタンを含む表面１１を有する基体１０を用意する第一の工程（ａ）と、前記表面にチタンとは異なる材料１３を離散的に配置する第二の工程（ｂ）と、チタンを酸化する雰囲気中で、前記第二の工程を施した前記チタンを含む表面を熱処理して酸化チタンを含む細線１５を形成する第三の工程（ｃ）を有する酸化チタンを含む細線の製造方法。 - 特許庁

This processing method comprises a process to selectively process processing films 105, 106 in the processing region by relatively scanning the substrate using a first processing light 110 whose irradiation form on the substrate is smaller than the processing region, and process to selectively process the processing films 105, 106 by irradiating the processing region with a second processing light 112.例文帳に追加

基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第１の加工光１１０を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第２の加工光１１２を照射して加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程とを含む。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The first process includes (a) the process of chemically or physically bonding a surface modifying agent having a hydrophobic group to the catalyst precursor particle to modify its surface, (b) the process of forming a hydrophobic layer with a hydrophobic group of a surfactant and the hydrophobic group of the surface modifying agent, and (c) the process of coating the hydrophobic layer with the inorganic oxide to form the coating layer.例文帳に追加

第１工程は、（ａ）疎水性基を有する表面修飾剤を化学的又は物理的に触媒前駆体粒子に結合させ表面修飾する工程と、（ｂ）界面活性剤の疎水性基と表面修飾剤の疎水性基によって疎水性層を形成する工程と、（ｃ）無機酸化物によって疎水性層を被覆し被覆層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method of repairing the directly connected track includes: a removal process for detaching a rail 13 and a clip 23 from a shoulder 21 of a first fastening device 12; a cutting process for cutting a prominent portion (shoulder body 24) in the shoulder 21 from a tie 11; an installation process for setting up a second fastening device on the tie 11; and a fastening process for fastening the rail 13 by the second fastening device.例文帳に追加

第１締結装置１２のショルダー２１からレール１３及びクリップ２３を取り外す撤去工程と、ショルダー２１におけるまくらぎ１１からの突出部分（ショルダー本体２４）を切断する切断工程と、まくらぎ１１上に第２締結装置を設置する設置工程と、第２締結装置によってレール１３を締結する締結工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In obtaining the process model for continuous simulation from discrete observed values, a plurality of types of process models are first obtained by making weighting for the discrete observed values different, the fitting strain affected by the weighting is subsequently digitized about the plurality of type of process models, and any process model is selected with the results of the digitization as an index.例文帳に追加

離散的な実測値から連続的なシミュレーションのプロセスモデルを得るのにあたり、先ず、前記離散的な実測値に対する重み付けを相違させて複数種類のプロセスモデルを得て、その後、前記複数種類のプロセスモデルについて重み付けの影響によるフィッティングの歪み度を数値化し、当該数値化の結果を指標にいずれか１つのプロセスモデルを選択する。 - 特許庁

Data processing is performed by a work station connected with a data center through a network in a process in which an additive is automatically prepared and poured simultaneously when supplying liquid fuel to calculate actual running fuel economy by equipment as a first process and a process in which the inspection of exhaust gas component and the measurement of fixed speed fuel economy are performed to obtain data as a second process.例文帳に追加

個別車両に対し、第一工程として機器類による、液体燃料の給油と同時に添加剤を自動調合注入して実走行燃費を算出する工程と、第二工程として排出ガス成分検査と定速燃費を測定してデーターを出す工程と、ネットワークを通じてデーターセンターに接続したワークステイションによりデーター処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes: a first process of forming a resist pattern 3 on a substrate 1; a second process of irradiating the substrate 1 with UV rays while heating in an inert gas and nitrogen atmosphere or of immersing the substrate in an alkali solution while heating; a third process of implanting ions; and a fourth process of stripping the resist pattern 3.例文帳に追加

基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。 - 特許庁

A resist pattern manufacturing method comprises a first process of applying a resist 11 on a substrate, a second process of exposing the resist 11 to light reaching the substrate so as to enable a plurality of regions of the resist 11 to be exposed to light varying in intensity corresponding to the plurality of regions, and a third process of baking the resist 11 after the exposure process is finished.例文帳に追加

レジストパターン製造方法において、基板にレジスト１１を塗布する工程と、前記基板まで到達する光で前記レジスト１１を露光する工程であって、前記レジスト１１は複数の領域を有し、それぞれの前記複数の領域が異なる強さで露光される前記露光工程と、前記露光工程後、前記レジスト１１をベークする工程とを有すること。 - 特許庁

The specific molded product is molded by a first process wherein sawdust 3, adhesives 4 and fireproof liquid 5 are prepared to a pellet 20; a second process of drying the pellet 20; and a third process wherein the dried pellet 20 is filled into a heat compression mold, and the adhesives are melted in the pressing process to execute molding by pressure fixing.例文帳に追加

おが屑３と接着剤４と耐火液５をペレット２０にする第一の工程と前記ペレット２０を乾燥させる第二の工程と、乾燥させたペレット２０を熱圧縮金型内３５に充填し、この熱圧縮金型によって押圧し、且つその押圧過程で前記接着剤を溶融させて圧着成型する第三の工程にて、所定の成形品４１を形成する。 - 特許庁

This method is divided into a projection part forming mobile type and a shaft part forming mobile type using the inside of a die, and forms a bulge part by applying a bulge process in a first process and the projection part with this bulge part by applying a forming bulge process in a second process.例文帳に追加

突起部成形用可動型と軸部成形用可動型に分割され金型内を用い、第１工程のバルジ加工で膨出部を形成し、この膨出部を第２工程の型寄せバルジ加工で突起部に成形する方法で、突起部先端の軸方向角部外面の目標曲率半径をRとした時、式「1.2−0.2(R／t_0)≦(d_1/d_2)(L_1／L_2)≦1.4」を満たす条件で第１工程のバルジ加工と第２工程の型寄せバルジ加工をおこなう。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The analyzing method is composed of a first process of adsorbing the organic substance in the atmosphere to the adsorbent by contacting the atmosphere in the clean room with the graphite carbon adsorbent, a second process of thermally separating the organic substance adsorbed to the adsorbent by heating the adsorbent, and a third process of analyzing the organic substance thermally separated by the second process by using a separating analyzer.例文帳に追加

グラファイトカーボン系吸着剤にクリーンルーム内の大気を接触させて該大気中の有機物を該吸着剤に吸着させる第１工程と、該吸着剤を加熱して該吸着剤に吸着した有機物を熱脱離させる第２工程と、前記第２工程により熱脱離した有機物を分離分析装置を用いて分析を行う第３工程とからなる分析方法。 - 特許庁

This method for producing the pepper oil includes: the first process of obtaining a mixture by adding 3-25 pts. of vegetable oil and fat based on 100 pts. of pepper whole; the second process of supplying the mixture into a compressor; the third process of compressing the mixture in the compressor followed by crushing the pepper whole; and the fourth process of separating pepper oil from the mixture.例文帳に追加

本発明に係るコショウオイルの製造方法は、コショウホール１００部に対して植物油脂３〜２５部を加えて混合物を得る第１の工程と、前記混合物を圧搾装置内に供給する第２の工程と、前記圧搾装置内において前記混合物を圧搾処理して、前記コショウホールを砕く第３の工程と、前記混合物からコショウオイルを分離する第４の工程と、を含む。 - 特許庁

A first process for coating a vehicle with the foam agent including the anion surface active agent for washing, a second process for coating the vehicle with the water soluble wax agent including the cation surface active agent for waxing, a third process for coating the vehicle with the coating agent including the amino modified silicon oil, and a fourth process for drying the vehicle with a drying device are performed in order.例文帳に追加

洗車機を用い、車両に対し、アニオン界面活性剤を含有するフォーム剤を塗布して洗浄する第一行程と、カチオン界面活性剤を含有する水性ワックス剤を塗布してワックスがけする第二行程と、アミノ変性シリコーンオイルを含有するコーティング剤を塗布する第三行程と、乾燥装置で乾燥する第四行程とを順次施行する。 - 特許庁

This processing method includes: a first process of generating fine particle including molecules and fine particle including cluster; a second process of ionizing the fine particle including molecules and the fine particle including cluster; a third process of transporting the fine particle including molecules and fine particle including cluster; and a fourth process of removing the molecules and cluster forming the outer shell among the fine particle including molecules and fine particle including clusters.例文帳に追加

加工方法において、微粒子内包分子、微粒子内包クラスタを生成する第一の工程と、該微粒子内包分子、該微粒子内包クラスタをイオン化する第二の工程と、該微粒子内包分子、該微粒子内包クラスタを輸送する第三の工程と、該微粒子内包分子、該微粒子内包クラスタの内、外郭をなす分子、クラスタを除去する第四の工程と、を設けた。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

The control process portion 13 performs the process of expanding the pass band by increasing the first cut-off frequency or by decreasing the second cut-off frequency according to the relation of the magnitude of the frequencies of noise signals and ripple signals, so that the ripple signals are contained in the pass band in the optimization process.例文帳に追加

制御処理部１３は、最適化処理の過程で、通過帯域にリップル信号が含まれるように、ノイズ信号とリップル信号の周波数の大小関係に応じて、第１カットオフ周波数を上昇させることにより、又は、第２カットオフ周波数を低下させることにより、通過帯域を拡げる処理を行う。 - 特許庁

The method for sputtering includes a first process (S02) to form a film having high resistivity by sputtering on a shield member disposed near the target, a second process (S03) to dispose a substrate to face the target and a third process (S04) to form, using the target, a dielectric film on the substrate by sputtering.例文帳に追加

このスパッタリング方法は、スパッタリングでターゲットの近傍に配置されたシールド部材に高比抵抗膜を形成する第１の工程（Ｓ０２）と、基体をターゲットに対向させて配置する第２の工程（Ｓ０３）と、スパッタリングでターゲットにより基体上に誘電体膜を形成する第３の工程（Ｓ０４）とを含む。 - 特許庁

With this, because the control part 51 supplies the drying solvent from the first storage tank 11 to the solvent regenerating apparatus 3 to regeneration-process, no interruption of the processing in the drying process apparatus 1 of the substrate processing apparatus involved in the regeneration process is required to be able to improve the throughput of the substrate processing apparatus.例文帳に追加

これとともに、制御部５１は、第１の貯留タンク１１から溶剤再生装置３に乾燥溶剤を供給して再生処理を行わせるので、再生処理に伴って基板処理装置の乾燥処理装置１における処理を中断する必要がなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 - 特許庁

Both conveyance for an outer panel 40a of a car body panel part 40 from a pre-hem process part 43 to adhesive coating process parts 45 and 47, and conveyance to a conveyor 63 of the car body panel 40 integrated an inner panel 40b with the outer panel 40a at the adhesive process parts 45 and 47, are carried out by a first handling robot 51.例文帳に追加

車体パネル部品４０のアウタパネル４０ａに対するプリヘム工程部４３から接着剤塗布工程部４５，４７への搬送および、接着剤塗布工程部４５，４７でアウタパネル４０ａにインナパネル４０ｂを一体化させた車体パネル部品４０のコンベア６３への搬送を、第１のハンドリングロボット５１で行う。 - 特許庁

When the consecutive six bits of dominant of the communication received from the process input/output parts 6-8 appears equal to or more than setting number of times in a setting time period, a communication line connecting between the first and second transceivers and transmitting the communication from the process input/output part 6 to the process control controller 1 is disconnected.例文帳に追加

プロセス入出力部６〜８から受信した通信のドミナントが、設定時間内に設定回数以上、６ビット連続した場合には、第１のトランシーバと第２のトランシーバを接続してプロセス入出力部６からプロセス制御コントローラ１への通信を伝送している通信回線を切断する。 - 特許庁