「first process」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Once the parameters for the first and second domains have been obtained, the process proceeds to deriving interchangeable implementation in the first and second domains of one or more circuit elements in response to one or more of these parameters.例文帳に追加

第１および第２領域のパラメーターが取得されると、１つ以上のこれらのパラメーターに応答して、プロセスは、１つ以上の回路素子の第１および第２領域において互換性のある実装を導き出すことに進む。 - 特許庁

After that, in a process detecting pressure in an evaporation system and determining leak, first, negative pressure is introduced into the evaporation system by a second vacuum pump and simultaneously, or before or after that, negative pressure is introduced into the evaporation system by the first vacuum pump.例文帳に追加

その後、エバポ系内圧力検出及びリーク判定処理では、まず、第２の負圧ポンプによりエバポ系内に負圧を導入すると共に、これと同時に又は前後して第１の負圧ポンプによりエバポ系内に負圧を導入する。 - 特許庁

A first plate part 6202 of each erection piece 62 temporarily fixed to the steel plate 60 is matched with a flange 5202 of angle steel 52, positioned, and temporarily fixed by a drill screw 26 or a driving rivet (a process of temporarily fixing the first plate part).例文帳に追加

鋼板６０に仮止めされた各エレクションピース６２の第１の板部６２０４を山形鋼５２のフランジ５２０２に合わせ、位置合わせを行ってドリルねじ２６または打ち込み鋲により仮止めする（第１の板部の仮止め工程）。 - 特許庁

A dummy interconnect line 13 and non-dummy interconnect lines 12a and 12b are then formed simultaneously on the first interlayer insulating film 10 and a second interlayer insulating film 11 is formed on the first interlayer insulating film 10 by plasma process.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜１０に、ダミー配線１３と、非ダミー配線１２ａ及び１２ｂとを同時に形成し、更に、第１層間絶縁膜１０の上に、プラズマプロセスによって、第２層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁

Also, in a process of vertically moving only a wiper unit 60, the wiper cleaner 58 provided in the head guide 50 is brought into sliding contact with from the tip 631 to the side face of the first wiper 63, so as to perform cleaning operation of the first wiper 63.例文帳に追加

またワイパーユニット６０だけを上下動させる過程においても、ヘッドガイド５０に設けられたワイパークリーナー５８が第１ワイパー６３の先端６３１から側面にかけて摺接し、第１ワイパー６３のクリーニング動作が行われる。 - 特許庁

Since the first sidewall insulating film 20 fills a slot part even when stacking deviation takes place, the semiconductor substrate 1 will not be etched in the following process, where the first conductive film 8 is removed.例文帳に追加

また、上記重ね合わせずれが発生した場合でも、第一のサイドウォール絶縁膜２０が溝部１９を埋めるので、その後の第一の導電膜８を除去する工程でも、半導体基板１がエッチングされることはなくなる。 - 特許庁

On one main surface of a transfer source substrate 50, the ceramic dielectric layer 5 made of the high-dielectric constant ceramic, and a conductive layer 4B are formed in this order for manufacturing a first laminate 60 (a first laminate manufacturing process).例文帳に追加

転写元基板５０の一方の主表面上に、高誘電率セラミックからなるセラミック誘電体層５と導体層４Ｂとをこの順序で形成して第一積層体６０を製造する（第一積層体製造工程）。 - 特許庁

When the aging process is carried out by applying a predetermined voltage to the plasma display panel after the panel has been produced, first aging 11 is performed, after which second aging 12 is performed under conditions different from the first aging conditions.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルを製造した後、そのプラズマディスプレイパネルに所定の電圧を印加してエージング工程を行う際に、第一のエージング１１を行った後に、第一のエージング条件とは異なる条件で第二のエージング１２を行う。 - 特許庁

And, if the receiving of commands related to movements for the first character 70 and the second character 71 is terminated by the control unit 1, a process for changing the ability data of the first character 70 is executed by the control unit 1.例文帳に追加

そして、第１キャラクタ７０および第２キャラクタ７１に対する動作に関する命令の受け付けが制御部１により終了された場合に、第１キャラクタ７０の能力データを変更する処理が、制御部１により実行される。 - 特許庁

In the first process, a columnar tool 100 is progressed along the butted part 30 while being rotated; thus a metal is moved from the first member 1 to the second member 20 to thereby form a projecting part substitution part on the stepped part.例文帳に追加

第１工程では、円柱状の工具１００を回転させながら突き合わせ部３０に沿って進行させることで、第１の部材１０から第２の部材２０に金属を移動させて、段付部に凸部代替部１５０を形成する。 - 特許庁

In a second process, the substrate 10 with the first thin film 20 formed is held so that the portion 12 of the film-formed face is not be covered, and a further second thin film 40 is formed on the portion 12 of the film-formed face and on the first thin film 20.例文帳に追加

第二工程では、被成膜面の一部１２を覆わないように、第一薄膜２０が成膜された基板１０を保持し、被成膜面の一部１２の上及び第一薄膜２０の上にさらに第二薄膜４０を成膜する。 - 特許庁

The method for producing the alcoholic beverage involves a fermenting process comprising a first fermenting step carried out by adding the basidiomycete to a material to be fermented, and a second step carried out by adding the yeast after starting the first fermenting step.例文帳に追加

発酵工程が、まず被発酵物に担子菌を添加してなされる第一発酵工程と、該第一発酵工程の開始後に酵母を添加してなされる第二発酵工程と、からなることを特徴とするアルコール飲料の製造方法。 - 特許庁

Since the upper surface part of the first metal film 302 is covered with the resist film 303, remaining on the upper surface of the first metal film 302 after a previous etching process, a part to be oxidized only becomes a side edge part 304.例文帳に追加

前工程のエッチング工程後に第１の金属膜３０２の上面に残存しているレジスト膜３０３によって第１の金属膜３０２の上面部分は覆われているため酸化される部分は側面部分３０４のみとなる。 - 特許庁

A video signal processor performs a combining process to superimpose a first marker signal on a first video signal component at a specific position and superimpose a second marker signal on a second video signal component at roughly the same position as the specific position.例文帳に追加

特定位置の第１の映像信号成分に対して第１のマーカー信号を重畳し、特定位置とほぼ同一位置の第２の映像信号成分に対して第２のマーカー信号を重畳する合成処理を行う。 - 特許庁

While a region in which a first-conductivity-type impurity ion is present is masked, a second-conductivity-type impurity ion is implanted onto the entire surface of the metal film 7 on the silicon substrate 1 after the first process with prescribed energy.例文帳に追加

次に、第１導電型の不純物イオンを存在させる領域をマスクした状態で、第１工程後のシリコン基板１上の金属膜７の全面に、第２導電型の不純物イオンを所定のエネルギーで注入する。 - 特許庁

A first device includes: a sensor configured to sense a stimulus received by the first device; a controller configured to process data received from the sensor, and to obtain processed sensor data; a transmitter; and a battery.例文帳に追加

第一の装置は、第一の装置が受けた刺激を感知するように構成されたセンサーと、センサーから受信したデータを処理してそれにより処理済センサーデータを得るように構成されたコントローラーと、トランスミッターと、バッテリーとを含む。 - 特許庁

For each pixel of interest on the first pixel array 204, a pattern matching process is applied between the first pixel array 204 and the second pixel array 206, to calculate the mapping address on the second pixel array 206 for the pixel of interest.例文帳に追加

第１画素列２０４上の注目画素ごとに、第１画素列２０４と第２画素列２０６との間でパターンマッチング処理が実行されて、注目画素についての第２画素列２０６上のマッピングアドレスが演算される。 - 特許庁

On a gate insulation film 103, a conductive film as the material of a first gate electrode element 104 is formed first and a partitioning insulation film 105 consisting of a material allowing etching process is laminated next selectively on this conductive film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３上に、第１ゲート電極要素１０４の材料となる導電膜と、この導電膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなる仕切絶縁膜１０５とを積層状態に形成する。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

A transfer policy is disposed at every flow label of a capsule conversion IP frame which is received as transfer propriety information and forwarding information is obtained from the first forwarding DB 55 in a forwarding process 57 concerning the first one frame of the capsule conversion IP frame 57.例文帳に追加

転送ポリシーを、転送可否情報として受信するカプセル化ＩＰフレームのフローラベルごとに設け、カプセル化ＩＰフレームの１フレーム目について、フォワーディングプロセス５７で第１のフォワーディングＤＢ５５からフォワーディング情報を得る。 - 特許庁

The second and first light receiving elements 240, 230 receive transmitted lights L1t, L2t from the first and second light emitting elements 210, 220 so as to implement the process for correcting a reference signal value of the quantity of light emission in the optical sensor.例文帳に追加

光センサの発光量の基準信号値を補正するための処理を実行するために、第１と第２の発光素子２１０，２２０からの透過光Ｌ１ｔ，Ｌ２ｔをそれぞれ第２と第１の受光素子２４０，２３０に受光させる。 - 特許庁

In the formation process of the conductor layers 19, 22, 33, alignment marks 41, 42 are formed, which comprise a first light reflection section 43 and a second light reflection section 45 for surrounding the first light reflection section 43 while being separated by a removing pattern 44.例文帳に追加

導体層１９，２２，３３の形成工程では、第１光反射部４３と抜きパターン４４を隔ててその第１光反射部４３を包囲する第２光反射部４５とからなる位置合わせマーク４１，４２を形成する。 - 特許庁

On the inside face of the first cover 70, a female type connection part 22 of the terminal metal fitting 21 and a coil welding part 26 are mounted, and in this process, electric wire welding parts 27 in the terminal metal fittings 21B and 21c are protruded to the outside form the lower edge of the first cover 70.例文帳に追加

第１カバー７０の内面に、端子金具２１における雌型接続部２２、コイル溶接部２６が載せられ、そのとき端子金具２１Ｂ，２１Ｃの電線溶接部２７は、第１カバー７０の下縁から外部に突出する。 - 特許庁

Through-holes 144a to 144d in which the via conductors 145a to 145d are filled are formed through a punching process from the first face 120a toward the second face 120b, diameters enlarge from the first face 120a to the second face 120b.例文帳に追加

ビア導体１４５ａ〜１４５ｂが充填される貫通孔１４４ａ〜１４４ｄは、第１面１２０ａから第２面１２０ｂに向けて打ち抜き加工を行うことで形成され、第１面１２０ａから第２面１２０ｂに拡径している。 - 特許庁

The identification of the first information as higher priority may cause the utility meter or other device to process the first information ahead of one or more pieces of second information designated as lower priority.例文帳に追加

第１の情報がより高優先性であるとの特定によって需給メータまたは別のデバイスは、より低優先性であると指定された１つまたは複数の第２の情報より前に第１の情報を処理する結果となることがある。 - 特許庁

The mold has a second cavity 12 communicating with the first cavity, and in the forging process, the molten metal of the first cavity 11 is solidified in a early stage, while contriving the directive solidification so that the solidification of the second cavity 12 may be delayed.例文帳に追加

成形型１は第１キャビティ１１に連通する第２キャビティ１２を有し、鋳造工程において第１キャビティ１１の溶湯を早期に凝固させると共に第２キャビティ１２の凝固が遅延するように指向性凝固を図る。 - 特許庁

In the process in which the first buffer member 31 and the second buffer member 32 are plastic-deformed, the energy for rotating the molecular drag pump 1 is consumed by the first buffer member 31 and the second buffer member 32 to relax the impact.例文帳に追加

第１緩衝部材３１および第２緩衝部材３２が塑性変形する過程において、分子ポンプ１を回転させるエネルギーが第１緩衝部材３１および第２緩衝部材３２で消費され衝撃が緩和される。 - 特許庁

In the heating process, the expandable resin 3 is expanded by heating in a space between the first member 2 and the second member 5 as the first member 2 and the second member 5 remain arranged in such a manner that they keep the axial direction may fit to the horizontal direction.例文帳に追加

加熱工程では、第１部材２及び第２部材５を、これらの軸方向が水平方向に沿うように配置した状態で、加熱により発泡樹脂３を第１部材２及び第２部材５の間で発泡させる。 - 特許庁

Based on the ratio of the area with the first space to the area with the second space in the process for the step S32, the second locus, for which the size of the first locus is changed, is generated by designated normalization.例文帳に追加

ステップＳ３２の処理において、第１の大きさの領域に対する第２の大きさの領域の大きさの比率に基づいて、所定の正規化により、第１の軌跡の大きさを変更した第２の軌跡が生成される。 - 特許庁

In this treatment process, the temperature leveling of the second optical element is performed under the same condition as the first optical element 15 and the optical surface shape of the second optical element is measured under the same condition as the first optical element in the same way to evaluate the degree of the shape error of the second optical element.例文帳に追加

この処理工程では第１の光学素子１５と同一条件で調湿したのち同じく第１の光学素子と同一条件で光学面形状を測定して形状誤差の程度を評価する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device further includes a step of removing the metal by polishing so that the upper surface of both the first gate 30 and second gate 31 is exposed and the metal is left in the first gate 30 and second gate 31 with different thickness.例文帳に追加

また、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１の上面が共に露出するようにメタルを研磨除去し、第１のゲート部３０と第２のゲート部３１で厚みの異なるメタルを残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for heat-treating a silicon substrate at first temperature in atmospheric gas containing nitrogen, and performing heat treatment at second temperature that is higher than the first one, thus forming a silicon nitride film on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を窒素を含む雰囲気ガス中において第１の温度で熱処理し、続いて第１の温度より高い第２の温度で熱処理することにより前記シリコン基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有すること。 - 特許庁

This coating method includes a process of forming the gradation part g by superposing the first and the second coating materials in wet-on-wet coating through the control of the first and second spray guns 8, 10.例文帳に追加

この塗装方法は、第一スプレーガン８及び第二スプレーガン１０の制御により、上記第一色の塗料と上記第二色の塗料とがウエット・オン・ウエットで塗り重ねられて上記グラデーション部ｇが形成される工程を含む。 - 特許庁

When starting of an examination process is selected in an attendant operation display part 14, a cassette ID and the number of stored bills of the first bill storing cassette read from the first bill storing cassette are stored in a storing part 15.例文帳に追加

係員操作表示部１４で精査処理の開始が選択されたとき、第１の紙幣収納カセットから読み取ったカセットＩＤおよび第１の紙幣収納カセットの紙幣収納枚数を記憶部１５に記憶させておく。 - 特許庁

Hereby, a difference (temperature amplitude) between average temperature of the first adsorption core 3 upon the heat adsorption process and average temperature of the first adsorption core 3 can be reduced to hereby improve a result coefficient.例文帳に追加

これにより、吸熱行程時における第１吸着コア３の平均温度と放熱行程時における第１吸着コア３の平均温度との差（温度振幅）小さくすることができるので、成績係数を向上させることができる。 - 特許庁

A normal profile storage section 16 stores first identification information for identifying a file or a folder operated in a first process generated in a terminal infected with known Bot, and Bot classification information that shows the classification of Bot.例文帳に追加

正常プロファイル記憶部１６は、既知のボットに感染している端末で生成された第１のプロセスが操作を行ったファイルまたはフォルダを識別する第１の識別情報と、ボットの種別を示すボット種別情報とを記憶する。 - 特許庁

The method of forming a doped silicon film includes a first process for increasing a temperature of a liquid material containing the dopant source and higher-order silane compound from a first temperature to a second temperature under a pressurized atmosphere in a vessel.例文帳に追加

ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 - 特許庁

Steaming is a significant process which determines the condition of haze (white spots on the surface of steamed rice which become visible as koji yeast propagates), and some brewers insist that steaming comes first, steaming comes second, and steaming comes third for sake brewing, instead of a general phrase expressed as 'koji comes first, yeast mash comes second, and preparation comes third.' 例文帳に追加

日本酒破精を決定する工程として蒸しは非常に重要であり、通常は「一麹、二酛、三造り」と言われる酒造りの鉄則を「一に蒸し、二に蒸し、三に蒸し」と言い切る酒造家もいるくらいである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The film thickness correction mechanism is composed of a first film thickness distribution correction plate and a second film thickness distribution correction plate, and the second film thickness distribution correction plate goes in and out from the particle shielding region of the first film thickness distribution correction plate in the process of film deposition.例文帳に追加

膜厚補正機構は第一の膜厚分布補正板と第二の膜厚分布補正板からなり、製膜中に第一の膜厚分布補正板の粒子遮蔽領域から第二の膜厚分布補正板が出入りする。 - 特許庁

However, in this process, a first counter weight 79 with prescribed weight is moved by a control device with respect to an X-axis direction in the opposite direction of the movement direction of a stage via first axial linear motors 80A, 80B.例文帳に追加

しかるに、このとき、制御装置により、所定重量を有する第１のカウンタウェイト７９が第１軸リニアモータ８０Ａ，８０Ｂを介して、ステージの移動方向とは反対方向にＸ軸方向に関して移動させられる。 - 特許庁

To solve a problem that a load by a process to an external device reduces the performance of a second storage when connecting a first storage and a second storage to provide the external device in the first storage to a host as a device of the second storage.例文帳に追加

第一のストレージと第二のストレージとを接続し、第一のストレージ内の外部デバイスを第二のストレージのデバイスとしてホストへ提供する場合、外部デバイスに対する処理による負荷が、第二のストレージの性能を低下させる。 - 特許庁

In this treatment process, the temperature leveling of the second optical element is performed under the same condition as the first optical element 15 and the optical surface shape of the second optical element is measured under the same condition as the first optical element in the same way to evaluate the degree of the shape error of the second optical element.例文帳に追加

この処理工程では第１の光学素子１５と同一条件で温度ならしをしたのち同じく第１の光学素子と同一条件で光学面形状を測定して形状誤差の程度を評価する。 - 特許庁

In the second process, solid-phase epitaxy process of the second portion and the third portion wherein at least a part of the first portion is taken as a seed is induced by performing heating treatment for at least the second portion and the third portion.例文帳に追加

第２の工程において、少なくとも第２の部分および第３の部分に対して加熱処理を施すことにより、第１の部分の少なくとも一部をシードとする第２の部分及び第３の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。 - 特許庁

It is decided whether to permit execution of the sub processing or not based on relation between a first time spent from a carriage of a certain product into the process to completion of the main processing and the tact time preset for the process (S4).例文帳に追加

その工程へ或る生産品が搬入されてからメイン処理の完了までに要した第１の時間とその工程のために予め設定されたタクトタイムとの関係に基づいて、サブ処理の実行を許可するか否かを判定する（Ｓ４）。 - 特許庁

This method of manufacturing a non-single crystalline film comprises a first process of optimizing laser irradiation and monitoring it with a diffracted light after the non-single crystal film is formed, and a second process of irradiating a substrate with a laser beam, keeping it in a cooled state.例文帳に追加

本発明の非単結晶膜の製造方法は、第１に、非単結晶膜を形成した後、回折光でモニタリングしてレーザ照射を最適化するようにし、第２に、基板を冷却した状態で、レーザ照射を行うようにする。 - 特許庁