「layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(768ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photocurable resin composition which allows formation of an optical functional sheet having a fine pattern and can sufficiently satisfy adhesion with a sheet substrate, mold-release properties with a die, surface hardness of a processed layer, and flexibility/scratch resistance of a sheet, and to provide the optical functional sheet.例文帳に追加

本発明は、微細なパターンを有する光学機能性シートを形成可能とし、シート基材との密着性、金型との離型性、加工層の表面硬度とシートの柔軟性・耐擦傷性を十分に満足できる光硬化性樹脂組成物および光学機能性シートを提供せんとするものである。 - 特許庁

When a thermoplastic resin is melt-extruded, a molten resin 8 is supported in a gap between a cooling roll 2 made of a metal or ceramic and a rubber roll 3 by a substrate layer 9 having the width smaller than that of the molten resin 8, so as to sandwich and press the molten resin 8 without supporting thick parts 8a of the molten resin 8.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を溶融押出するに際し、金属又はセラミックの冷却ロール２とゴムロール３との間隙に溶融樹脂８をその幅より狭い幅の支持体層９により支持し、該溶融樹脂８の肉厚部８ａを支持することなく挟圧することを特徴とする光学用フィルムの製造方法である。 - 特許庁

Then the compound semiconductor layer 50 is stuck to the element substrate 7 by pressurizing the laminate 130 through the softened pressurizing cushion layers 150 and 111 between the first and second pressurizing members 51 and 52, while the laminate 130 is heated to a sticking temperature at which the cushion layers 150 and 111 are softened.例文帳に追加

そして、加圧クッション層１５０，１１１が軟化する貼り合わせ温度に積層体１３０を加熱しつつ、第一加圧部材５１と第二加圧部材５２との間で該積層体１３０を、軟化した加圧クッション層１５０，１１１を介して加圧することにより、化合物半導体層５０と素子基板７とを貼り合わせる。 - 特許庁

In the case that resistance elements or MOSFET elements which are formed by single conduction type adjoin on a half-insulating substrate, a guard layer of the same or an inverse conduction type is formed between adjoining both of the elements, and variation of electrical property is restrained under impact of a generated electric field when potential difference generates.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、単一の導電型で形成された抵抗素子または電界効果トランジスタ素子が隣接している場合、隣接する両素子間に同じまたは逆の導電型のガード層を形成し、電位差が生じた場合に発生する電界の影響による電気的特性の変動を抑制する。 - 特許庁

In a counter substrate 10 of the transflective liquid crystal device 100, the color filter 241 for the transmissive display with a wide chromaticity region is formed on a transmissive display region 100c of the lower layer side of a counter electrode 21 and the color filter 242 for the reflective display with a narrow chromaticity region is formed on a reflective display region 100b thereof.例文帳に追加

半透過反射型液晶装置１００の対向基板１０では、対向電極２１の下層側のうち、透過表示領域１００ｃには色度域の広い透過表示用カラーフィルタ２４１を形成し、反射表示領域１００ｂには色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ２４２を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.例文帳に追加

圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁

A capacitor C and a variable capacity diode D are connected between a small metal plate 35 arranged at a band-gap surface of a substrate 3 having an EBG structure and a conductive layer 31 to be grounded, and control voltage V is applied through a control terminal TC to thereby be able to adjust the capacitance of the variable capacity diode D.例文帳に追加

ＥＢＧ構造を有する基板３のバンドギャップ面に配置される金属小板３５と、グランドとなる導電層３１との間に、コンデンサＣ，可変容量ダイオードＤを接続し、制御端子ＴＣを介して制御電圧Ｖを印加することによって、可変容量ダイオードＤの容量を調整可能に構成する。 - 特許庁

Further, the element has a plurality of second conductivity-type semiconductor layers (53A, 53B) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the semiconductor layer and separated at the isolation region (55), and an antireflection film (57) formed on a light-receiving region (61), including the isolation region and a plurality of second conductivity-type semiconductor layers.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。 - 特許庁

A ceramic insulating substrate 32 has one major surface to which a metal plate 35 principally comprising a low resistance metal is bonded through a metal plate bonding material 37, and the other major surface on which a metallize layer 39 is formed such that the end face thereof is located on the inside of the end face of the metal plate bonding material 37.例文帳に追加

セラミックスからなる絶縁基板３２の一方主面に、低抵抗金属を主体とする金属板３５を金属板用接合材３７により接合してなるとともに、絶縁基板３２の他方主面に、端面が金属板用接合材３７の端面よりも内側となるようにメタライズ層３９を形成した。 - 特許庁

The molding device constituted by interposing a metallic layer 3 consisting of metal having a melting point lower than the melting point of the resin 7 for molding substrates between the opposite surfaces of the metal mold 10 and the stamper 1 arranged in the prescribed position within the metal mold 10 for transferring ruggedness to the optical disk substrate is used in a molding process step for the optical disks.例文帳に追加

光ディスクの成形工程において、金型１０と、光ディスク基板に凹凸を転写するために金型１０内の所定位置に配置されたスタンパ１との対向面間に、基板成形用樹脂７の融点より低融点の金属からなる金属層３を介在させた成形装置を用いる。 - 特許庁

The transparent touch panel in which fixed side and movable side transparent substrates 1, 2 each formed with a transparent conductive film 3 on one side are arranged so that the transparent conductive films face each other through a spacer, has a self-curing coating layer 6 on the opposite side to a surface formed with the transparent conductive film 3 of the movable side transparent substrate.例文帳に追加

片面に透明導電膜がそれぞれ形成された固定側および可動側の透明基板を透明導電膜どうしがスペーサーを介して対向するように配置させた透明タッチパネルが、可動側の透明基板の透明導電膜が形成された面と反対側に自己治癒性コート層を有する。 - 特許庁

On a light-receiving surface on which the sunlight is made incident of the solar cell substrate, a multi-layer film which has high absorption characteristics with respect to the sunlight having the wavelength in a sensitivity region of high sunlight spectral density, and has reflection characteristics with respect to the sunlight of the wavelength, in a sensitivity region where the sunlight spectral density deteriorates, is formed.例文帳に追加

太陽光電池基板の太陽光が入射する受光面に、太陽光スペクトル密度が高い感度領域の波長を有する太陽光に対しては高い吸収特性を持ち、太陽光スペクトル密度が低下する感度領域の波長の太陽光に対しては反射する特性を有する多層膜を形成する。 - 特許庁

On a substrate AM for the liquid crystal device LP, input/output signal terminals CX_1, CX_2, CX_3, CX_4, TX_1, and TX_2 for inspection are formed below a seal layer GS at break parts 40 of gap control areas 41, 42, 43, and 44 formed along the outer circumferential edge of a pixel part 21.例文帳に追加

液晶装置ＬＰの液晶装置用基板ＡＭにおいて、シール層ＧＳの下層側には、画素部２１の外周縁に沿って形成されたギャップ制御領域４１、４２、４３、４４の途切れ部分４０に検査用の入出力信号端子ＣＸ_1 、ＣＸ_2 、ＣＸ__3 、ＣＸ_4 、ＴＸ_1 、ＴＸ_2 が形成されている。 - 特許庁

The optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a), a TFT (30) connected thereto, an upper side light-shielding layers (300, 6a) covering at least the channel region of the TFT from the upper side, and a lower side light-shielding layer (11a) covering at least the channel region of the TFT from the lower side on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.例文帳に追加

基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁

A resin solution, comprising a hydrophilic polymer, a good solvent of the hydrophilic polymer, a weak solvent of the hydrophilic polymer and an organic acid, whose solubility with respect to water 100 g at 20°C is the degree of 0.01-2 g/100 ml, is applied on at least one side of a substrate and, thereafter, a porous layer is formed through a phase converting method.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に、親水性重合体、親水性重合体の良溶媒、親水性重合体の貧溶媒、及び２０℃における水１００ｇに対する溶解性が０．０１〜２ｇ／１００ｍｌ程度の有機酸を含む樹脂溶液を塗布した後、相転換法により多孔質層を形成する。 - 特許庁

To provide a stain-preventing wall paper suppressing the stain by attachment of a starch-based adhesive, causing less curling even without having a covering layer on the reverse surface of a base material, having flexibility and being excellent in a following property to a substrate, so as to be pasted as an interior material for a wall or ceiling of a house or the like.例文帳に追加

本発明の目的は、でん粉系接着剤の付着汚染が抑えられると共に、基材裏面の被覆層が無くてもカールが少なく、柔軟性があり下地追従性に優れた住宅等の壁や天井用の内装材として貼られる汚れ防止壁紙を提供することにある。 - 特許庁

A pixel region, defined with a gate bus line 12 and a drain bus line 14 and arranged on the TFT substrate 2, has a sub-pixel A to which the gray scale voltage for driving the liquid crystal layer 6 is applied, and a sub-pixel B which is formed while being separated from the sub-pixel A and to which the voltage lower than the gray scale voltage is applied.例文帳に追加

ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により画定されてＴＦＴ基板２上に配置された画素領域は、液晶層６を駆動するための階調電圧が印加される副画素Ａと、副画素Ａと分離して形成されて階調電圧より低い電圧が印加される副画素Ｂとを有している。 - 特許庁

When the core part 94 is formed by selectively radiating an activation energy light beam or the like on a core layer 9 by using a mask 20, the positioning is performed by relatively moving the substrate 2 on which the element 1 has been mounted two dimensionally with respect to the mask 20 so that the point A of the mask 20 coincides with the position of the light emitting part 101.例文帳に追加

マスク２０を用いてコア層９に活性エネルギー光線等を選択的に照射しコア部９４を形成する場合、マスク２０の箇所Ａが発光部１０１の位置に一致するよう、素子１搭載済みの基板２をマスク２０に対し２次元方向に相対的に移動して位置合わせする。 - 特許庁

A transparent conductive film laminate has a three-layer laminated structure in which an indium oxide transparent conductive film (I) formed on a translucent substrate is used as a base, and a zinc oxide transparent conductive film (II) for protecting the indium oxide transparent conductive film and a zinc oxide transparent conductive film (III) having excellent concavo-convex properties are formed in sequence on the indium oxide transparent conductive film.例文帳に追加

透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜（Ｉ）を下地として、その上に、酸化インジウム系透明導電膜を保護するための酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩ）、次いで凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩＩ）が順次形成された三層積層構造とする。 - 特許庁

On the surface layer of one main side of a P-type SiC substrate 10, a P^+-type SiC region 20, an N^+-type SiC source region 30, and both N-type SiC drain region 40 and N^+-type SiC drain region 50, located away from the P^+-type SiC region 20 and the N^+-type SiC source region 30, are formed.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ基板１０の一主面側の表層にＰ＋型ＳｉＣ領域２０と、Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０と、Ｐ＋型ＳｉＣ領域２０及びＮ＋型ＳｉＣソース領域３０から離隔してＮ型ＳｉＣドレイン領域４０とＮ＋型ＳｉＣドレイン領域５０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the electromagnetic wave absorption material comprises the steps of forming many vent holes arriving at a substrate corresponding to the planar shape of the magnetic material by a photolithography on a resist film, forming the magnetic material in which the magnetic materials are filled in the vent holes, and forming the magnetic material distribution layer by further polishing the magnetic materials and the resist film to a predetermined thickness.例文帳に追加

製造方法は、レジスト膜に、フォトリソグラフ法によって、磁性体の平面形状に対応した下地に達する多数の通孔を形成し、この通孔に磁性材料を充てんして磁性体を形成し、さらに磁性体およびレジスト膜を一定の厚みに研磨して磁性体分布層を形成する工程を含む。 - 特許庁

This adhesion member for semiconductors is provided with an adhesion sheet and a substrate layer, where the adhesion sheet comprises the adhesive composition comprising (A) a high molecular weight component having a curable functional group; (B) a multi-functional epoxy resin; (C) a phenol resin; and (D) inorganic fine particles, and the composition reaches a fully cured state at 120°C for 2 hours.例文帳に追加

接着シートと基材層を備える接着部材であって、前記接着シートが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなる半導体用接着部材。 - 特許庁

The photomask blanks have on a substrate a photosensitive composition layer containing at least one sensitizing dye selected from (A-1) dialkylaminobenzene compounds or (A-2) compounds represented by general formulae (V), (VI) and (VII), (B) a polymerization initiator, (C) a compound having an ethylenically unsaturated bond, (D) a binder polymer, and (E) a light blocking material.例文帳に追加

基板上に、（A-1）ジアルキルアミノベンゼン系化合物または(A-2)一般式（Ｖ）、(VI)、および(VII）で表される化合物から選択される少なくとも１種の増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクス。 - 特許庁

In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element in which a member for the liquid crystal display element is used, with which a scratch due to a contact with a substrate is hardly produced on an alignment layer surface even when subjected to an unwinding or winding step to a roll before or after alignment treatment such as rubbing, and alignment defects are significantly reduced.例文帳に追加

ラビングなどの配向処理前あるいは配向処理後にロールへの巻き出し、巻き取り工程を経ても、配向膜表面に基板との接触によるキズがつきにくく、配向不良を著しく低減出来る液晶表示素子用部材を用いた液晶表示素子の製造法を提供する。 - 特許庁

In the heat-sensitive recording material with a heat-sensitive recording layer comprising a color developing ingredient on a transparent substrate, the heat-sensitive recording material is characterized by an absorbance at a wave length of 670 nm in a density region of 2.0 measured by means of a transparent density meter TD904 (a visual filter made by macbeth Co., Ltd.) being 1.4-1.6.例文帳に追加

透明支持体上に、発色成分を含む感熱記録層を有する感熱記録材料において、透過濃度計ＴＤ９０４（ビジュアルフィルタ、マクベス社製）で測定した濃度２．０の領域における、波長６７０ｎｍでの吸光度が１．４〜１．６であることを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁

To provide a structure having a release layer comprising an electron beam curable silicone resin, which can sufficiently put the merit of electron beam curing low in energy necessary for curing to a practical use, can reduce the damage to a substrate and requires no large-sized electron beam irradiation device, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

硬化に必要なエネルギーが小さいという電子線硬化のメリットを十分に生かすことができ、下地へのダメージを低減することができ、大型の電子線照射装置が不要な、電子線硬化型シリコーン樹脂からなる剥離層を有する構造体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A thin film transistor substrate having the semiconductor layer 33 of the thin film transistor and source-drain electrodes 28, 29, wherein the source-drain electrodes 28, 29 are composed of nitrogen containing layers that contain nitrogen, or oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a, and thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。 - 特許庁

A charge generating agent having no absorption peak in the maximum intensity wavelength of flash light emitted by the flash fixing means but having a main absorption peak within a wavelength region where the intensity of the flash light is 1/2 or less of the maximum intensity is incorporated in a photoreceptive layer formed on a supporting substrate.例文帳に追加

支持基体上に形成された感光層に、フラッシュ定着手段が発するフラッシュ光の最大強度波長に吸収ピークを有しておらず、かつ前記フラッシュ光の強度が最大強度の１/2倍以下となる波長域内に主たる吸収ピークを有する電荷発生剤を含有させた。 - 特許庁

The nucleation layer can be deposited by using a first process gas which contains tungsten hexafluoride, silane, molecular hydrogen and argon and has a flow ratio of molecular hydrogen to argon of about 1.5:1 and also a partial pressure of tungsten hexafluoride of 0.5 Torr or below and allowing the first process gas to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

核生成層は、六フッ化タングステン、シラン、分子水素およびアルゴンを含みアルゴンに対する分子水素の流量比が約１．５：１であり、また六フッ化タングステンの分圧が０．５トルに等しいかまったはそれ以下である第１の処理ガスを、前記基板処理チャンバ中へ流すことによって堆積される。 - 特許庁

This ink-jet type recording head has a piezoelectric thin film element 60 arranged via a diaphragm 51 to at least one face of a pressure chamber substrate having a pressure chamber 10 filled with ink and also a bimetal layer 50 interposed between the diaphragm 51 and the piezoelectric thin film element 60.例文帳に追加

本発明のインクジェット式記録ヘッドは、インクが充填される加圧室１０を備える加圧室基板の少なくとも一方の面に、振動板５１を介して圧電体薄膜素子６０を配置したインクジェット式記録ヘッドにおいて、振動板５１と圧電体薄膜素子６０の間に、バイメタル層５０を介在させたものである。 - 特許庁

The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、微結晶シリコンから形成された半導体層（チャンネル領域）１１４と、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７と、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９と、ドレイン電極１２０と、ソース電極１２１と、を備える。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

A black matrix provided with plural opening parts and having conductivity is provided in one surface of a transparent substrate, and a barrier made of the inorganic conductive material is provided at the predetermined position near each opening part on the black matrix, and a phosphor layer is provided in the opening parts so as to form a front plate for a field emission type display device.例文帳に追加

透明基板の一方の面に、複数の開口部を備え導電性を有するブラックマトリックスを設け、このブラックマトリックス上の各開口部の近傍所定位置に無機導電性材料からなる障壁を設け、上記開口部に蛍光体層を設けて、電界放出型表示装置用の前面板とする。 - 特許庁

The optical information recording method for recording information in an optical recording medium having a recording layer on a substrate at a linear speed of 15m/s or more is characterized in that surface wobbling acceleration is 2m/s^2 or less when the optical information recording medium is measured at a linear speed of 3.5m/s.例文帳に追加

基板上に記録層を有する光情報記録媒体に、線速度が１５ｍ／ｓ以上で情報を記録する光情報記録方法であって、前記光情報記録媒体を線速度３．５ｍ／ｓで測定したときの面振れ加速度が２ｍ／ｓ^2以下であることを特徴とする光情報記録方法である。 - 特許庁

In each of a pair of discharge electrodes 12, 12 formed on the top surface of an insulating substrate 11, an Al base electrode member 23 constituting a tip part is connected to an Ag base electrode member 21 constituting a base end part through an RuO_2 base resistor layer 22 containing Ag and Pd.例文帳に追加

絶縁性基板１１の上面に形成された一対の放電電極１２，１２のそれぞれについて、先端側部分を構成するＡｌ系電極部材２３を、Ａｇ及びＰｄを含むＲｕＯ_2系抵抗体層２２を介して、基端側部分を構成するＡｇ系電極部材２１に接続する。 - 特許庁

A semi-conductor wafer in which a plurality of pads are formed on its surface and a plurality of structural bodies exposed to a pad forming surface side are formed, and a sheet on which a plurality of protective caps to protect the structural bodies are separately fixed while the pads are exposed on one surface of a support substrate via a heat-peelable layer are prepared.例文帳に追加

表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor substrate, a silicon wafer 36 added with impurities at a high concentration is housed in a chamber 22, and while a hydrogen gas 28 is supplied into the chamber 22, the surface of the silicon wafer 36 is scanned with a line laser light to eliminate impurities thereon, thereby forming a shallow low-concentration layer on the surface of the silicon wafer 36.例文帳に追加

不純物が高濃度に添加されたシリコンウェハ（３６）をチャンバー（２２）内に収容し、該チャンバー（２２）内に水素ガス（２８）を供給しながら、シリコンウェハ（３６）の表面をライン状のレーザ光で走査して、該表面に存在する不純物を脱離し、シリコンウェハ（３６）の表面に浅い低濃度層を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device 1, a first removing process is started in a gate electrode layer 4A on a semiconductor substrate 2, then, the terminal of the first removing process is detected, and the time of a second removing process of a next stage different in a processing condition from the first removing process is determined based on the terminal time.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法において、半導体基板２上のゲート電極層４Ａにおいて第１の除去処理を開始し、この第１の除去処理の終点を検出し、この終点時間に基づき、第１の除去処理に対して処理条件が異なる次段の第２の除去処理の時間を決定する。 - 特許庁

As to a thermal recording material provided with a thermal color developing layer which contains a colorless or light colored coloring compound and a color developing compound which makes it develop color upon heating as main components on a substrate, the thermal recording material is characterized by containing methane bisphenols as a color developing compound and a compound represented by the following formula (1).例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を主要成分として含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、顕色性化合物としてメンタンビスフェノール類と下記式（１） - 特許庁

The method is characterized by including: a first shape forming step for forming a first shape 104, which is acquired by reducing a second shape 107 and substantially similar thereto, in a resist layer 103 on a substrate 101; and a shape extension step for extending the size of the first shape 104 to the extent to become the second shape 107.例文帳に追加

第２の形状１０７を縮小して略相似する第１の形状１０４を基板１０１上のレジスト層１０３に形成する第１形状形成工程と、第１の形状１０４の大きさを第２の形状１０７になるまで拡大する形状拡大工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus, a photo-catalytic layer 16, which is transparent for ultra-violet and catalyzes photo-degradation of the carbon-based material produced from a resist pattern 11 due to ultra-violet processing, is formed on a surface of a quartz-glass plate 2 dividing an ultra-violet radiation lamp 5 from the processing chamber 4.例文帳に追加

基板処理装置を構成するに際し、紫外線照射ランプ５を処理室４から区分する石英ガラス板２の表面に、紫外光照射処理に伴ってレジストパターン１１から発生した炭素系物質の光分解を触媒する紫外光透過性の光触媒層１６を形成する。 - 特許庁

An optical disk is provided with an information signal part 1c for recording and/or reproducing an information signal on one main surface of a disk substrate 1, and a light transmissive layer 2 for transmitting a laser beam used for recording and/or reproducing the information signal on the side of the information signal part.例文帳に追加

ディスク基板１の一主面上に、情報信号を記録可能および／または再生可能に構成された情報信号部１ｃと、情報信号部が存在する側に上記情報信号の記録および／または再生に用いられるレーザ光を透過可能に構成された光透過層２とが設けて光ディスクを構成する。 - 特許庁

In the optical information recording medium, a phase change type recording layer which can take at least two different phases is set on a substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも２つの異なる相を取りうる相変化型記録層を設けた光学的情報記録用媒体であって、該相変化型記録層が下記一般式（１）で表される組成を主成分とすることにより、高速記録消去が可能で保存安定性に優れる光学的情報記録用媒体が得られる。 - 特許庁