「memory device」に関連した英語例文の一覧と使い方(465ページ目) - Weblio英語例文検索

In the nonvolatile memory device having a resistance change layer RW, the resistance change layer RW is composed of a metal oxide film that contains an element with a higher electronegativity compared with a metal element, constituting the metal oxide film, in the metal oxide film at a concentration which is ≤25 at%.例文帳に追加

抵抗変化層ＲＷを有する不揮発性記憶装置において、抵抗変化層ＲＷは、金属酸化膜に、２５ａｔ％以下の濃度で、金属酸化膜を構成する金属元素に比して電気陰性度の大きな元素が含まれる膜によって構成される。 - 特許庁

To provide color expression without having an uncomfortable feeling since chromaticity of each of skin color being memory color, sky blue (cyan) and green is shifted as an area on a chromaticity diagram expressed by three RGB primary colors is very large, in an image display device capable of expressing a wide gamut.例文帳に追加

広色域表現できる画像表示装置において、ＲＧＢ３原色で表現される色度図上の面積が非常に大きいため、記憶色である肌色、空（シアン）、緑もそれぞれ色度がシフトしてしまうため、違和感のない色表現を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the various techniques and tools for coding and decoding, a variable length code in each macro block including a plurality of conversion coefficient data existence indicators is determined by a computing device provided with a processing unit and a memory, and the determined variable length code is transmitted as a signal within a bit stream.例文帳に追加

符号化しおよび復号する様々な手法およびツールは、処理ユニットおよびメモリを備えたコンピューティング・デバイスにより複数の変換係数データ存在インジケータを含むマクロブロックごとの可変長符号を決定し、決定した可変長符号をビットストリーム内で信号伝達する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents the deterioration of the hydrogen diffusion blocking performance of a hydrogen barrier film covering a capacitor caused by an influence of an uneven shape by a plurality of ferroelectric capacitors, and the variation of a polarization characteristic of the ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a data control unit configured to selectively process the data for writing to a memory and configured to enable one processing function from a group of processing functions in response to a mode register command during the write operation, wherein the group of processing functions includes at least three processing functions.例文帳に追加

メモリにライト動作を行うために選択的にデータを処理し、ライト動作中にモードレジスタコマンドに応答して、プロセシング機能のグループのうち、１つのプロセシング機能をイネーブルするデータ制御部を備え、プロセシング機能のグループは、少なくとも３つのプロセシング機能を含む半導体装置である。 - 特許庁

This memory semiconductor device can includes: a plurality of semiconductor patterns having a vertical long axis on the upper surface of a substrate and two-dimensionally arranged; and a plurality of word lines three-dimensionally arranged among the plurality of semiconductor patterns while having a long axis crossing the plurality of semiconductor patterns.例文帳に追加

メモリ半導体装置は、基板の上部面に垂直長軸を有し、２次元的に配列される複数の半導体パターン、及び複数の半導体パターンを横切る長軸を有しながら、複数の半導体パターン間で３次元的に配列される複数のワードラインを包含できる。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit LSI mountable to a disk drive recording/reproducing device 0001 includes: a signal processor 0107 of an RF signal read from a pickup; a servo controller 0106 responsive to a servo error signal read from the pickup; a memory controller 0108; and an external interface 0110.例文帳に追加

ディスクドライブ記録再生装置０００１に搭載可能な半導体集積回路ＬＳＩは、ピックアップから読み出されるＲＦ信号の信号処理部０１０７、ピックアップから読み出されるサーボ誤差信号に応答するサーボ制御部０１０６、メモリ制御部０１０８、外部インターフェース０１１０を含む。 - 特許庁

To provide an image scanning device for reading images on the surface and the backside of a document at different scanning positions on a conveying path, capable of reducing a memory capacity required for storing image data generated by image reading performed at these reading positions.例文帳に追加

搬送経路上の異なる読取位置で原稿の表面と裏面の画像読み取りを行う画像読取装置であって、これらの読取位置で行われた画像読み取りにて生成された画像データを記憶するために必要なメモリ容量を低下させることができる画像読取装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which reduces the height of a floating gate electrode, facilitating the formation of a control gate electrode, makes the coupling ratio of the floating gate electrode increased, and the control gate electrode and reducing interference effect between memory cell transistors.例文帳に追加

浮遊ゲート電極の高さを低くして制御ゲート電極の形成を容易にしつつ、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とのカップリング比を増加させるとともにメモリセルトランジスタ間の干渉効果を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ferroelectric thin film 9 for storing charges formed on a conductivity type silicon substrate 1 on which a memory selection transistor is formed wherein the ferroelectirc thin film 9 is formed by adding a group IIIA or IIIB element.例文帳に追加

メモリ選択用トランジスタを形成した導電型シリコン基板１上に、電荷を蓄積する強誘電体薄膜９が形成されており、その強誘電体薄膜９が周期表の第IIIＡ族または第IIIＢ族の元素を添加されて構成された半導体装置である。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

When the physical movement of the communication device detected in accordance with a detection output from an accelerator sensor 113 agrees with the physical movement stored in the memory 105, a control part 108 controls respective parts to execute the prescribed processing associated with the physical movement.例文帳に追加

加速度センサー１１３からの検出出力に応じて検出する自機の物理的な動きが、メモリ部１０５に記憶されている物理的な動きに一致する場合に、制御部１０８は、各部を制御し、その物理的な動きに対応付けられている所定の処理を実行するようにする。 - 特許庁

A wireless utility program 11 captures the VGA slide data which are plotted on the video memory (VRAM) 15 by the program 12 through the driver 14 and the captured VGA slide data are transmitted to a wireless projector 2 via radio signals using a radio LAN device 13.例文帳に追加

ワイヤレスユーティリティプログラム１１は、プレゼンテーションプログラム１２がディスプレイドライバ１４を介してビデオメモリ（ＶＲＡＭ）１５に描画したＶＧＡスライドデータをキャプチャし、そしてそのキャプチャしたＶＧＡスライドデータを無線ＬＡＮデバイス１３を用いてワイヤレスプロジェクタ２に無線信号によって送信する。 - 特許庁

This device has a position-measuring instrument which computes position information, by receiving radio waves from multiple satellites and stores a nonvolatile memory with current position information computed from the measured position as current position information.例文帳に追加

複数の衛星からの電波を受信して、位置情報を算出する測位装置を有し、収集信号に基づいて、測位装置により算出される現在の位置情報を目的地として不揮発性メモリに記憶させると共に、直前の複数の位置情報を不揮発性メモリに記憶させる。 - 特許庁

A control part 13 analyzes the sort of data inputted from the external device and distributes and stores the inputted data to/in an automatic distribution directory corresponding to the analyzed data sort in a memory card 7 having a plurality of automatic distribution directories corresponding to the sorts of data.例文帳に追加

制御部１３は、外部機器から入力されたデータの種類を解析して、データの種類に対応する複数の自動振り分けディレクトリを有するメモリカード７において、解析したデータの種類に対応する自動振り分けディレクトリに入力されたデータを振り分けて記憶する。 - 特許庁

Selector switches are integrated monolithically in a circuit of CMOS technology for a memory cell device being electrically programmable and having at least first and second input terminals connecting with first (HV) and second (LV) voltage generators respectively and an output terminal (OUT).例文帳に追加

それぞれ第１（ＨＶ）および第２（ＬＶ）の電圧発生器に結合するために少なくとも第１および第２の入力端子、および出力端子（ＯＵＴ）を有する、電気的にプログラミング可能なメモリセル装置のためのＣＭＯＳ技術の回路にモノリシックに集積化されたセレクタスイッチ。 - 特許庁

The user assembles the semiconductor memory in the car stereo device, and reads out the control data corresponding to required seats, and controls the filter characteristics, etc., of the DSP to obtain the required acoustic characteristics without requiring operation for measuring and adjusting the acoustic characteristics.例文帳に追加

使用者側では、半導体メモリをカーステレオ装置に組み込み、システム制御回路４１を介して、所望の座席に対応する制御データを読み出し、ＤＳＰのフィルタ特性などを制御することで、音響特性の測定や調整のための演算を必要とせず、所望の音響特性が得られる。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a ferroelectric capacitor FC including: the lower electrode LE formed so as to possess a plurality of projections 20; a ferroelectric film FE formed on the lower electrode; and an upper electrode UE formed on the ferroelectric film.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数の突出部２０を有するように形成された下部電極ＬＥと、下部電極上に形成された強誘電体膜ＦＥと、強誘電体膜上に形成された上部電極ＵＥとを含む強誘電体キャパシタＦＣを備えている。 - 特許庁

In an inter-motion-compensated-frame prediction encoding device, by providing a coefficient multiplier 15 inside an inter-frame prediction feedback loop using the frame memory 110, the prediction error output of an encoding frame and an already encoded reference frame is reduced and the image quality of encoded images is improved.例文帳に追加

動き補償フレーム間予測符号化装置において、フレームメモリ１１０を用いたフレーム間予測フィードバックループ内に係数乗算器１５を設けることにより、符号化フレームと既に符号化された参照フレームとの予測誤差出力を低減させ、符号化画像の画質を向上させる。 - 特許庁

At such a time, when communication should be performed over the wireless LAN but the communication can not be performed and the MAC address of the present station stored in the memory 12 is designated to the communication unit 2, the communication unit 2 is capable of communicating with another information processing terminal device 4a, 4b by using this MAC address.例文帳に追加

このとき、無線ＬＡＮで通信すべき場合に、通信できないとき、通信ユニット２に対してメモリ１２に記憶された自局のＭＡＣアドレスを指定すると、通信ユニット２はこれを用いて他の情報処理端末装置４ａ、４ｂなどと通信をすることができる。 - 特許庁

To improve the utilization efficiency of network resources relating to a frame transfer device of the so-called "common buffer type" for tentatively storing a transmitted frame into a FIFO memory, corresponding to the frame of a common buffer constituted of the plurality of FIFO memories, reading the frame from the common buffer and transmitting it.例文帳に追加

本発明は、送信されてきたフレームを、複数のＦＩＦＯメモリからなる共通バッファの、そのフレームに応じたＦＩＦＯメモリに一旦格納し、その共通バッファからフレームを読み出して伝送する、いわゆる共通バッファ型のフレーム転送装置に関し、ネットワーク資源の利用効率を高める。 - 特許庁

An I/V converter 61, A/D converter 62, CPU 63, D/A converter 64, filament current control circuit 65, main filament current setting device 66, and an electronic circuit 6 including a memory 67 are connected to an objective aperture 18 and a heating power source 15 of a filament 11a.例文帳に追加

対物アパーチャー１８とフィラメント１１ａの加熱電源１５には、Ｉ／Ｖ変換器６１、Ａ／Ｄ変換器６２、ＣＰＵ６３、Ｄ／Ａ変換器６４、フィラメント電流制御回路６５、主フィラメント電流設定器６６、メモリ６７を含む電子回路６が接続されている。 - 特許庁

The control device for the electronic apparatus evacuates the correction data to an independent RAM storage area inside a microcomputer mounted on an inverter control board, and combines and writes the received parameter data and the correction data when rewriting data of a nonvolatile memory to update only the parameter data.例文帳に追加

インバータ制御基板に搭載されたマイクロコンピュータ内の独立したＲＡＭ記憶領域に補正データを待避させ、不揮発性メモリのデータを書き換える際は、受信したパラメータデータと前記補正データとを組み合わせて書き込むことでパラメータデータのみを更新できるようにした。 - 特許庁

A simulation device includes: a CPU0(31) configured to control a function IP by executing a user program 7; a CPU1(32) configured to simulate the function IP by executing a simulator program 6; and a shared memory 33 configured to be accessed by the CPU0(31) and the CPU1(32).例文帳に追加

シミュレーション装置は、ユーザプログラム７を実行することによって機能ＩＰを制御するＣＰＵ０（３１）と、シミュレータプログラム６を実行することによって機能ＩＰをシミュレートするＣＰＵ１（３２）と、ＣＰＵ０（３１）およびＣＰＵ１（３２）によってアクセスされる共有メモリ３３とを含む。 - 特許庁

To provide a memory management device which can reduce the execution interruption time by GC at the time of executing the GC for collecting objects, by arranging objects which can be referred to from plural threads in a heap referred to as a thread group heap.例文帳に追加

本発明は、複数のスレッドから参照することができるオブジェクトを、スレッドグループヒープと呼ばれるヒープに配置することによって、オブジェクトを回収するためのＧＣを実行する際に、ＧＣによる実行停止時間を削減することができるメモリ管理装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To enable a split-gate nonvolatile semiconductor memory device which erases data, by drawing out electrons from a floating gate, and attracting them to a control gate to be configured so as to make it carry out its data erasing operation appropriately and stably.例文帳に追加

データ消去を、フローティングゲートからコントロールゲートに電子を引き抜くことによって行うスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置において、そのデータ消去の動作を適切に、かつ安定的に行うことができるスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

When the execution of firmware update is designated, the printer reads an update file stored in an attached USB memory into its own device (on RamDisk) (S104, S105), and performs the update of the firmware from the update file which is thus read in (S109).例文帳に追加

印刷装置を、ファームウェアアップデート処理の実行が指示された場合、装着されているＵＳＢメモリに記憶されているアップデートファイルを自装置内（RamDisk上）に読み込んでから（Ｓ１０４，Ｓ１０５）、読み込んだアップデートファイルに基づいて、ファームウェアのアップデートを行う（Ｓ１０９）装置として構成しておく。 - 特許庁

To provide a bus arbitration device for securing data communication performance for executing processing whose real time property is requested within a prescribed time or less without making data access quantity to a common memory in performing the processing whose real time property is requested larger than necessary.例文帳に追加

リアルタイム性の要求される処理を所定時間以下で実施できると共に、リアルタイム性の要求される処理を行う場合の共通メモリへのデータアクセス量を必要以上に大きくすることなく、データ通信性能を確保することができるバス調停装置を得る。 - 特許庁

Concerning this non-volatile semiconductor memory device, in the shoulder part of a first conductive wafer, electrons are transported through a first gate insulating film between a second conductive impurity region and a floating gate so that information can be written or erased.例文帳に追加

第１導電型半導体基板の肩部分において、第２導電型不純物領域と浮遊ゲートとの間で第１ゲート絶縁膜を介して電子の輸送を行うことにより情報の書き込み又は消去を行う不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device maintaining a current-driving capability and preventing the short channel effect by activating the impurities of a gate electrode in a FET for logic element without spoiling the quality of a gate insulator film in a FET for memory element and a method of manufacturing it.例文帳に追加

メモリ素子用ＦＥＴにおけるゲート絶縁膜の膜質を損なうことなく、ロジック素子用ＦＥＴにおけるゲート電極の不純物が活性化されることにより電流駆動能力が維持され、かつ短チャネル効果が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The central processing unit is provided with a memory for indexing price information and weight for each product based on the product identification information, and the central processing unit transmits the transaction of the accumulated price and weight to the remote scanning device 12 so that the purchases can use it.例文帳に追加

中央処理装置は、製品識別情報に基づいて各製品についての価格情報および重量を指標付けするメモリを有し、中央処理装置は、累算した価格および重量のトランザクションを、購入者が使用できるように遠隔走査装置に送信する。 - 特許庁

This image-retrieving database device 1 includes: a memory 12 storing a range of a subspace in a vector space so as to use it for the clustering processing; and a HDD 13 storing each characteristic amount vector of the plurality of images associatively to the subspace to which each characteristic amount vector belongs.例文帳に追加

画像検索用のデータベース装置１は、クラスタリング処理に用いるために、ベクトル空間における部分空間の範囲を記憶するメモリ１２と、複数の画像の特徴量ベクトルを各特徴量ベクトルが属する部分空間に関連付けて記憶するＨＤＤ１３とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。 - 特許庁

Since the set values (set torque value and set rotational frequency value) stored in a memory 3 of the tool body A can be set only by the setting device B separate from the tool body A, the set values such as the torque or the rotational frequency are not inadvertently changed during operation unlike conventional ones.例文帳に追加

工具本体Ａのメモリ３に記憶する設定値（トルク設定値並びに回転数設定値）が工具本体Ａとは別の設定器Ｂでのみ設定可能であるから、従来例のようにトルクや回転数などの設定値が作業中に不用意に変更されることがない。 - 特許庁

This semiconductor memory includes a storage section 104, a buffer circuit 106 for inputting each bit signals of data from the storage section 104, and an I/O wiring 108 which is closely extended on a semiconductor substrate with interval and to guide the bit signal to the outside of the device.例文帳に追加

記憶部１０４と、記憶部１０４からのデータの各ビット信号を入力とするバッファ回路１０６と、前記ビット信号を装置外部に導くべく半導体基板上に間隔をおき近接して延在しバッファ回路１０６の出力に接続されたＩ／Ｏ配線１０８とを含んでいる。 - 特許庁

Even if the operation of the boom is regulated, the control unit 30 allows the operation of the boom based on the boom operation when the operating signal input from the boom operating device 10 is the signal for moving the working bench within the safety range stored in a working range memory 32.例文帳に追加

コントロールユニット３０はブームの作動が規制された場合でも、ブーム操作装置１０から入力される操作信号が、作業範囲メモリ３２に記憶された安全領域内において作業台を移動させるものである場合には、そのブーム操作に基づいたブームの作動をそのまま許容する。 - 特許庁

A control device of an amplifier has a memory unit which memorizes an instruction value of control voltage to amplify the signal level to a reference level for every first temperature increase width, and a control voltage creation unit which outputs the control voltage corresponding to the instruction value of the control voltage to the amplifier.例文帳に追加

増幅器の制御装置は、第１の温度上昇幅ごとに前記信号のレベルを基準レベルに増幅するための制御電圧指令値を記憶する記憶部と、前記制御電圧指令値に対応した制御電圧を前記増幅器に出力する制御電圧生成部とを有する。 - 特許庁

To provide a storage device and a recording and reproducing system which, when encrypted data is recorded in a nonvolatile memory and if a one-bit error occurs in the encrypted data, prevents the influence of the error from spreading as a multi-bit error upon decryption.例文帳に追加

暗号化されたデータを不揮発性メモリに記録した際に、暗号化データに１ビットのエラーが生じた場合でも、暗号化復号化した際に多ビットエラーとなってエラーの影響が拡大するのを防止することが可能な記憶装置及び記録再生システムを提供することである。 - 特許庁

A plurality of DSP (digital signal processors) 1-2, a bus protocol conversion function part 3 connecting data buses of various protocols, and a flash ROM 5 are connected to a data bus 11, and an external storage device 4 including a volatile memory is connected to the bus protocol conversion function part 3 to constitute a DSP card 13.例文帳に追加

複数のＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）１〜２と、種々のプロトコルのデータバスを接続するバスプロトコル変換機能部３と、フラッシュＲＯＭ５がデータバス１１に接続され、揮発性のメモリからなる外部記憶装置４が、バスプロトコル変換機能部３に接続されてDSPカード１３を構成している。 - 特許庁

The communication terminal device having a telephone mode for communicating by voice and an e-mail mode for transmitting a message in characters, as a communication mode, further comprises: an address 10 for storing destination data; a transmitted message memory 121; and a control unit 5 including a mode switching means.例文帳に追加

この通信端末装置は、通信モードとして、音声による通信を行うための電話モードと文字によるメッセージを送信するメールモードとを有するものであって、通信先データを記憶する住所録１０と、発信メッセージメモリ１２１と、モード切換手段を含めた制御部５を備えている。 - 特許庁

The device comprises a pixel generation part 1 generating parameters of each pixel; a plurality of shader processing parts 2a, 2b, 2c and 2d generating final parameters of each pixel; a texture unit 3 performing texture processing; and a memory interface part 4 storing processing results from the processing parts 2a-2d.例文帳に追加

画像処理装置は、各ピクセルのパラメータを生成するピクセル生成部１と、各ピクセルの最終的なパラメータを生成する複数のシェーダ処理部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと、テスクチャ処理を行うテクスチャユニット３と、シェーダ処理部２ａ〜２ｄの処理結果を記憶するメモリインタフェース部４とを備えている。 - 特許庁

Next, the image drawing circuit rotates the display direction of the image for the ornament symbol display device with the display direction different by an angle of 90 degrees as shown in Fig.31(C), and re-composes the image in the composite image stored in the frame buffer memory as shown in Fig.31(D).例文帳に追加

次に、描画回路は、図３１（Ｃ）に示すように、表示方向が９０度異なる装飾図柄表示装置用の画像の表示方向を９０度回転させ、図３１（Ｄ）に示すように、この画像をフレームバッファメモリに格納された合成画像に再度合成する。 - 特許庁

To provide a still picture image pickup device having a means to detect a camera-shake of each of consecutive still pictures that can obtain a still picture with less camera-shake without using an expensive image memory and losing the image quality of the still picture.例文帳に追加

連続する静止画像のぶれ量を検出する手段を有する静止画像撮像装置において、高価な画像メモリを使用することなく、静止画像の画質を損なわずにぶれの少ない静止画像を得ることができる静止画像撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁