memory-deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24675件
FERROELECTRIC FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, FERROELECTRIC CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FUNCTIONAL FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法 - 特許庁
By having this case body part 3 inserted into an IC memory card slot 101 formed at external equipment 100, the portable telephone device 1 can be connected directly with the external equipment 100, and interface between them can be realized.例文帳に追加
この筐体部3を外部機器100に設けられているICメモリカードスロット101に挿入させることで、携帯電話装置1と外部機器100とを直接的に接続し、かつ両者間でのインターフェースも取ることができる。 - 特許庁
A memory means 13 stores the setting state of the image display device set by a user and the output state of the sound signal, and the stored content is read out on the control circuit 12 and a sound output is controlled by the control means 7.例文帳に追加
メモリ手段13は、ユーザが設定した画像表示装置の設定状態及び音声信号の出力状態を記憶し、その記憶内容が制御回路12に読み出されて制御手段7により音声出力が制御される。 - 特許庁
To provide a method of monitoring an erase threshold voltage distribution in a NAND type flash memory device, which can surely detect and measure the distribution of erase threshold voltage (Vt), in such a relation that a peripheral cell and a main cell mutually interfere.例文帳に追加
周辺セルとメインセルとが相互に干渉する関係において、消去しきい値電圧(Vt)の分布を確実に検出して測定できるNAND型フラッシュメモリ素子の消去しきい値電圧分布モニタリング方法を提供する。 - 特許庁
Read/write of data can be performed from each of all controllers, namely, a controller (1) 11, a controller (2) 13 in the same unit to a shared memory 16 of an I/O input and output device (A) 15 via a system bus 2.例文帳に追加
同一ユニット内のすべてのコントローラ、すなわちコントローラ(1)11、コントローラ(2)13からそれぞれI/O入出力装置(A)15の共有メモリ16に対してシステムバス2経由でデータの書き込み・読み出しをすることができる。 - 特許庁
To provide a nonvolatile storage device which carries out writing to memory cells by energy irradiation and allows a processing time for the whole to be reduced while exactly carrying out the writing process, and to provide its writing method.例文帳に追加
エネルギー照射によりメモリセルの書き込みが行なわれる不揮発性記憶装置において、書き込み処理を正確に行ないつつその全体の処理時間を短縮できる不揮発性記憶装置、及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁
When a cordless telephone is used (S6: Yes) and automatic transmission setting is turned on (S7: ON), a telephone device transmits contents of a transmitter's number memory (a telephone number of an opposite party having a new incoming call) to the cordless telephone (S8).例文帳に追加
コードレス電話が使用中であり(S6:Yes)、且つ、自動送信設定がオン状態である場合には(S7:ON)、発信者番号メモリの内容(新たに着呼のあった相手側装置の電話番号)をコードレス電話へ送信する(S8)。 - 特許庁
To provide an information processing apparatus, a bridge device, and an information processing method, for improving a processing speed by enabling a processor to perform read processing to a storage medium whose read speed is high at a DMA (Direct Memory Access) transfer destination.例文帳に追加
DMA転送先の読み出し速度の速い記憶媒体に対してプロセッサからの読み出し処理を可能とし、処理速度の向上を行う情報処理装置、ブリッジ装置および情報処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
When a switch 11 is depressed at the time of synchronizing the copied data with data stored in a computer device B, a power supply circuit 12 supplies power only to the memory 14, a synchronization control circuit 13 and an external I/O interface circuit 15.例文帳に追加
コンピュータ装置B内のデータとのシンクロナイズを実行するときに、スイッチ11が押下されると、電源回路12は、メモリ14,シンクロナイズ制御回路13および外部入出力インタフェース回路15にのみ電源を供給する。 - 特許庁
A USB mouse device is provided with a hub function part (1B) constituted of a USB port (20) installed in a USB mouse main body (1), and at least USB memory (11) is installed so as to be freely attachable/detachable in the USB port (20).例文帳に追加
本発明によるUSBマウス装置は、USBマウス本体(1)に設けられたUSBポート(20)からなるハブ機能部(1B)を有し、このUSBポート(20)には少なくともUSBメモリ(11)が着脱自在に設けられている構成である。 - 特許庁
Next, the information processing device sets a route to a point on a road corresponding to the edge of the area from the current position; calculates a required time of the route; and stores the required time for each route in a RAM or a flash memory (S4-S11).例文帳に追加
次に、現在位置から範囲の端に対応する道路上の地点までの経路を設定し、その経路における所要時間を算出して、その所要時間を経路毎にRAMやフラッシュメモリに保存する(S4〜S11)。 - 特許庁
A terminal alarm device 2 is composed of an input part 7 for inputting a signal from a sensor 1, an arithmetic processing part 8 for processing the signal from the input part 7, a memory part 10 for storing the destination to report and a portable radio communication part 9.例文帳に追加
端末警報装置2が、センサー1からの信号を入力する入力部7と、入力部7からの信号を処理する演算処理部8と、通報先を記憶するメモリ部10と、携帯無線通信部9とからなる。 - 特許庁
The CPU 41 selects a rice pearling condition (distinction of new rice and old rice, revolution number of motor and rice pearling time) adapted for the input rice information 4a from various kinds of rice pearling conditions memorized in a rice pearling table of a memory device 44.例文帳に追加
CPU41は、記憶装置44の精米テーブルに記憶されている各種精米条件の中から、入力された米情報4aに適合する精米条件(古米・新米の別、モータの回転数、精米時間)を選択する。 - 特許庁
When downloading is selected, a block of the RAM or the flash memory specified by address information attached to data sent from the external device is deleted (S10), and received data are written in the deleted block (S11).例文帳に追加
ダウンロードが選択されると、外部装置から送信されてくるデータに付加されたアドレス情報により指定されたRAMまたはフラッシュメモリのブロックを消去し(S10)、その消去したブロックに受信したデータを書き込む(S11)。 - 特許庁
Thereafter, when the user operates a power supply on/off key to turn off a power supply and then turn on the power supply again, the brightness adjustment operation relative to an imaging device 11 is started by using the initial brightness adjustment quantity stored in the non-volatile memory 17.例文帳に追加
この後、ユーザが電源オン/オフキーを操作して電源をオフし、再度電源をオンすると、不揮発性メモリ17に保存記憶されている初期輝度調整量を用いて撮像部11に対する輝度調整動作が開始される。 - 特許庁
This semiconductor memory device 100 is constructed in such a manner that a booster circuit 20 generates a predetermined power supply voltage Vpp exceeding an external power supply voltage Vcc, and supplies it to a plurality of storage blocks B1 to Bm via a global power line GPL.例文帳に追加
半導体記憶装置100では、ブースタ回路20は、外部電源電圧Vccを超える既定電源電圧Vppを生成し、全域電力線GPLを介して複数の記憶ブロックB1〜Bmに提供する。 - 特許庁
To provide a data rewriting device in which a data rewriting time can be predicted previously before data of a nonvolatile memory is rewritten, a data rewriting method, a program for rewriting data, and a recording medium in which the program is recorded.例文帳に追加
不揮発性メモリのデータの書き換えを行う前に、データ書き換え時間を予め予測することが可能な、データ書き換え装置、データ書き換え方法、データ書き換えのためのプログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁
When a large amount of system resources (a CPU use rate and a memory use amount) are consumed in the server device, a module in a load distribution apparatus performs the flow control and the reception rejection of the particular request.例文帳に追加
上記課題は、サーバ装置でシステムリソース(CPU使用率、メモリ使用量)を多量に消費していたときに、特定のリクエストの流量制御および受信拒否を負荷分散装置のモジュールが行うことにより解決する。 - 特許庁
At the time of performing a focusing servo, the device adds a signal from the memory 8 and a signal from a DSP 6 by an adder 9 and performs a control so that a driver 4 drives an actuator 2 while outputting an actuator driving signal based on the added signal.例文帳に追加
フォーカスサーボ時は、加算器9によってメモリ8からの信号とDSP6からの信号を加算し、ドライバ4はその信号に基づくアクチュエータ駆動信号を出力してアクチュエータを駆動するように制御する。 - 特許庁
A driver for controlling writing to a secondary storage device is disposed in a lower order than a file system, to redirect data to be written to the secondary storage to a memory as a primary cache and a cache data file on a networked cache server as a secondary cache.例文帳に追加
ファイルシステムの下位に2次記憶装置書込み制御ドライバを配置し、2次記憶装置への書込みに対して、メモリを1次キャッシュ、ネットワーク先のキャッシュサーバ上のキャッシュデータファイルを2次キャッシュとして書込みをリダイレクトする。 - 特許庁
To provide an optical disk reproduction device for shortening a time until the start of data reproduction from an optical disk having a plurality of recording layers and for preventing recording capacity of a memory for storing look-ahead data from becoming large.例文帳に追加
複数の記録層を有する光ディスクからのデータ再生開始までの時間を短縮すると共に、先読みしたデータを格納するメモリの記録容量が大容量化することを防いだ光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁
In this method for inserting an electronic seal into contents of a document in a computer system by using an electronic key, the electronic key is provided with a memory which stores random parameters, and the computer system is provided with a storage device and an add-in program.例文帳に追加
電子キーを利用して電子印鑑をコンピューターシステムにおける書類の内容に差し込む方法を提供し、電子キーがランダムパラメーターを貯蔵したメモリーを具え、コンピューターシステムは貯蔵装置とアドインプログラムとを具える。 - 特許庁
To provide a semiconductor IC device capable of increasing a total memory capacity and in addition a higher speed operation without accompanying a fine patterning technology which requires a large amount of cost for a capital investment and has a definite limitation naturally.例文帳に追加
設備投資などに膨大な費用がかかり、おのずと一定の限界がある微細化技術を伴うことなしに、トータルの記憶容量を増大させ、さらに、より高速動作が可能な半導体集積装置を提供する。 - 特許庁
The angle detected by the detection part is stored in a semiconductor memory device provided in the control part, while showing that the angle is different from the setting angle on the display part and making the display flicker to issue a warning at the same time.例文帳に追加
前記検知部によって検知した角度は前記制御部に設けられた半導体メモリに記憶され、同時に、前記表示部に設定角度と異なることを表示するとともに、表示を点滅させて警告を発する。 - 特許庁
This device is provided with first and second additional FET/N1 and P1 arranged in parallel on one of potential lines DL and SL for supplying first and second driving potentials VDD, VSS to respective memory cells 24.例文帳に追加
半導体記憶装置は、第1及び第2の駆動電位VDD、VSSをSRAMの各メモリセル24に供給する電位線DL、SLの一方の上に並列に配設された第1及び第2の追加FET・N1、P1を有する。 - 特許庁
Moreover, the jobs including the image data are extracted (S204), and the target jobs of the abandonment instruction and the extracted other jobs including the image data included in the jobs are abandoned from the memory part of the image forming device (S205).例文帳に追加
さらに、その画像データを含んでいるジョブを抽出し(S204)、画像形成装置のメモリ部から、破棄命令の対象ジョブ、およびそのジョブが含んでいる画像データを含んでいる、抽出された他のジョブを破棄する(S205)。 - 特許庁
To provide an output processing device and a data structure for executing its processings, that eliminate the need for storing N pages of data assigned to a single page in memory, and can realize N-in-one recoding at a high speed.例文帳に追加
本発明は、Nページのデータを1ページに割り付けたデータをメモリに展開することなくNイン1の記録を高速に行える出力処理装置及びその処理を実行するためのデータ構造を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a control device for a mobile terminal that can easily reproduce various data through easy operation by using external equipment, even when using an external memory, without temporarily transferring the various data in the mobile terminal to a personal computer.例文帳に追加
携帯端末内の各種データを一旦パーソナルコンピュータへ転送することなく、外部メモリを使用したとしても、外部機器を利用して簡単な操作で容易にデータを再生することができる携帯端末用制御装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein connection/disconnection between the power supply terminals of respective segments of a built-in memory and a power line can be controlled by segment even before or after a fuse is used to cut out power supply.例文帳に追加
フューズによる電源切断を行う前であっても行った後であっても、内蔵するメモリの各セグメントの電源端子と電源ラインとの接続/遮断をセグメントごとに制御することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁
At least a part of each on the bistable device and the bistable memory element is composed of an organic microcrystal, and an organic bistable layer is incorporated which changes the resistance depending on the bias voltage, thus assuring the characteristic control capability, low-cost fabrication and reduced variation in the characteristics.例文帳に追加
少なくとも一部が有機微結晶で構成され、バイアス電圧に応じて抵抗値が変化する有機双安定層を有することにより、特性制御が可能で、安価に作製でき、かつ特性ばらつきが少なくなる。 - 特許庁
A worker displays the image data accumulated in the image data memory part 17 on a monitor screen of a terminal device 18, relative to the liquid crystal panel determined to be out of the criterion, and sequentially executes visual inspection by switching the data.例文帳に追加
作業者は、前記判定基準外と判定された液晶パネルについて、画像データ記憶部17に蓄積された画像データを端末装置18のモニター画面上に表示し、これを順に切り替えながら目視検査を行う。 - 特許庁
To suppress conventional overheads for rewriting of operation setting to a RAM (Random Access Memory) after transfer of an operational state when transferring from a normal operational state to a power-saving state in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置において、通常の動作状態から省電力状態に移行した際に、従来における動作状態の移行後にあるRAMへの動作設定の書き換えのためのオーバーヘッドを抑えることを目的とする。 - 特許庁
When receiving the telephone-book data 24a by a data receiving part 31, the portable terminal device B stores the telephone-book data in a memory 35 and discriminates the data format of the telephone-book data so as to reply and transmit telephone-book data 44a of the same data format.例文帳に追加
携帯端末装置Bは、電話帳データ24aをデータ受信部31で受信すると、メモリ35に保存すると共に、そのデータ形式を判別して、同じデータ形式の電話帳データ44aを応答送信する。 - 特許庁
To reduce memory resources for summary grasp of a moving picture file and also to download only a desired portion of data in an image file even in a device provided with only a storage medium of a limited capacity such as a portable terminal.例文帳に追加
動画ファイルの概要把握のためのメモリ資源を削減でき、また、携帯端末のように限られた容量の記録媒体しか備えていない装置においても、画像ファイル中の所望する一部のデータのみをダウンロード可能とすること。 - 特許庁
The temperature characteristic of a physical quantity conversion factor G is memorized in the memory device 3 as detection value correction information, and thus, temperature correction including individual differences of the physical quantity conversion factor G of each current sensor circuit 2 is performed.例文帳に追加
記憶装置3には検出値補正情報として物理量変換係数Gの温度特性が記憶され、これにより各電流センサ回路2の物理量変換係数Gの個体差を含めた温度補正が行われる。 - 特許庁
In the semiconductor device having a memory cell capacity 40 and the antifuse 20A, the antifuse 20A has at least two or more insulating elements A and B which are formed simultaneously with the capacity 40 and electrically connected in series.例文帳に追加
メモリセル容量40及びアンチヒューズ20Aを有する半導体装置において、前記アンチヒューズは、前記メモリセル容量と同時に形成され電気的に直列に配置された少なくとも2つ以上の絶縁素子A,Bを有している。 - 特許庁
To provide a recovery method of a NAND flash memory device in which interference effect due to difference between threshold voltage of an erasing cell and threshold voltage of a program cell can be reduced by raising threshold voltage of the erasing cell.例文帳に追加
消去セルのしきい値電圧を高めることにより、消去セルのしきい値電圧とプログラムセルのしきい値電圧との差によるインターフェランス効果が低減可能なNAND型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法を提供する。 - 特許庁
To improve performance such as scalability and data transfer performance between different type I/Fs, maintainability, and reliability for boards/PK (packages thereof) constituting a DKC (memory controller) and a DKC configuration based on mutual connection between the boards/PK in a disk array device.例文帳に追加
ディスクアレイ装置で、DKCを構成するボード/PK、それらの相互接続によるDKC構成に関し、スケーラビリティ、異種I/F間のデータ転送などの性能向上、及び保守性や信頼性の向上などを実現する。 - 特許庁
In this scanning type charged particle beam microscope using an electron beam etc., when a scanning image is taken-in in a memory device synchronizing with a scanning signal, a delay of the electronic circuit is corrected and taken-in by a shift registor having variable number of steps.例文帳に追加
電子線等を使用した走査型荷電粒子ビーム顕微鏡において、走査信号に同期して走査画像を記憶装置に取り込む際に、電子回路の遅延を可変段数のシフトレジスタにより補正して取り込む。 - 特許庁
On the other hand, when a ball gets into a right or left second ordinary electric prize device to win a prize, a jackpot random number is stored in a second jackpot relating information memory area, and the jackpot determination is carried out based on the stored random number.例文帳に追加
一方で、左右の第二普通電動役物へ遊技球が入賞した場合には、第二大当たり関係情報記憶エリアに大当たり乱数が記憶され、記憶された乱数に基づいて大当たり判定が行われる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a nonvolatile memory device that suppresses an increase in the number of steps while performing process using a plurality of hard masks corresponding to kinds of films when films of many kinds of materials are processed by etching.例文帳に追加
多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a numerical control method and a device therefor where it is unnecessary for a user to be conscious of a search time for making a memory store jump destination position information and the leading position of each program or the like even in the case of the operation of a large capacity working program.例文帳に追加
大容量加工プログラムの運転であっても、ジャンプ先位置情報、各プログラムの先頭位置などをメモリに記憶させるためのサーチ時間を意識する必要のない数値制御方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
Designation information for designating which of the plurality of instruction codes is included in the instruction signal based on the operations of the first and second operation switches SW1, SW2 is stored in the EEPROM (Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory) 13b of the mobile device 10.例文帳に追加
また、第1及び第2の操作スイッチSW1,SW2の操作に基づいて複数の指令コードのうちのいずれを指令信号に含めるかを指定する指定情報を携帯機10のEEPROM13bに記憶させる。 - 特許庁
A three-dimensional shape verifier 212 determines the closest three-dimensional shape by comparing the three-dimensional shape of the object measured by the three-dimensional shape measuring device with the three-dimensional shape stored in the three-dimensional shape memory 211.例文帳に追加
三次元形状照合部212は、三次元形状測定装置が測定した物体の三次元形状と、三次元形状記憶部211が記憶した三次元形状とを比較して、最も近い三次元形状を判定する。 - 特許庁
The solid-state image pickup device 1 is provided with: a plurality of photoelectric conversion parts (21); first, second vertical transfer parts (23a, 23b) connected to different wirings; a plurality of memory parts (63) which control transmission timing of electric charges; and a horizontal transfer part (61).例文帳に追加
固体撮像素子1に、複数の光電変換部(21)と、異なる配線に接続された第1、第2垂直転送部(23a,b)と、電荷の送出タイミングを制御する複数のメモリ部(63)と、水平転送部(61)とを設ける。 - 特許庁
A response message-transmitting part 11d, when the keywords memorized in the keyword memory part 12b are included in the entered message, transmits a response message that corresponds to such keywords to a game device in which such entered message is entered.例文帳に追加
返信メッセージ送信部11dは、キーワード記憶部12bに記憶されたキーワードが入力メッセージに含まれる場合、当該入力メッセージを入力したゲーム装置に対して、当該キーワードに対応する返信メッセージを送信する。 - 特許庁
To reduce an execution speed of application and a capacity necessary for memory device while allowing to classify in an easy manner to create a processing description part 180, and localize software changes even when a hardware and controlling methods are changed.例文帳に追加
判り易く階層化して処理記述部180を作成でき、ハードウエアや制御方法の変更時にも、ソフトウエアの変更工数を局所化できるとともに、アプリケーションの実行速度と、記憶装置の必要容量を削減する。 - 特許庁
To reduce a peak current of one refresh operation than before; to avoid an interference between adjacent banks; and to prevent a data destruction of a memory cell caused by a lack of data hold time in a large capacity semiconductor storage device having a multi-bank configuration.例文帳に追加
多バンク構成の大容量化した半導体記憶装置において、1回のリフレッシュ動作におけるピーク電流を従来よりも下げ、隣接するバンクの干渉を避け、データホールド時間の不足によるメモリセルのデータ破壊を防ぐこと。 - 特許庁
A lens device for a projector includes a projection lens 21 for projecting image light, a lens case where the projection lens is contained, a terminal portion 25 for communicating information with the projector body which generates image light, and a memory 23.例文帳に追加
プロジェクタ用レンズ装置として、像光を投射させる投射用レンズ21と、投射用レンズを収納したレンズ筐体と、像光を生成させるプロジェクタ本体と情報をやり取りする端子部25と、メモリ23とを備える。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor memory device includes: a silicon nitride film 20 formed on a side face of the variable resistive film or phase change film 17; and a silicon oxide film 21 formed on a side face of the diode and having a charge trap less than that in the silicon nitride film 20.例文帳に追加
さらに、可変抵抗膜または相変化膜17の側面に形成されたシリコン窒化膜20と、前記ダイオードの側面に形成され、シリコン窒化膜20より電荷トラップが少ないシリコン酸化膜21とを備える。 - 特許庁
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