「minimum potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of dry cells 4 stored in these cases are connected in series by a coupling terminal 5 and connector part 7, and the power is taken out at a positive external terminal 91 connected to the maximum potential of the dry cells 4 and a negative external terminal 92 connected to the minimum potential.例文帳に追加

ケース１及び２に収納された電池４は、ケース１及び２の開放面同士を閉じた状態で、複数の乾電池４を連結端子５及びコネクタ部７によって直列に接続し、乾電池４の最高電位に接続された正の外部端子９１及び最低電位に接続された負の外部端子９２に電力を取り出す。 - 特許庁

The detection circuits VC1-VC3 are used by a reference potential which is independent for every blocks B1-B3 in which the fuel cells FC1-FC9 are divided, and detect a minimum voltage out of each voltage of the fuel cells belonging to the blocks B1-B3.例文帳に追加

検出回路ＶＣ１〜ＶＣ３は、燃料電池ＦＣ１〜ＦＣ９を区分したブロックＢ１〜Ｂ３ごとに独立した基準電位で用いられ、ブロックＢ１〜Ｂ３に属する燃料電池の各々の電圧のうちの最小電圧を検出する。 - 特許庁

To prevent an abnormal image caused by the stain of a charging means and the occurrence of scumming, and to elongate the service life of the charging means while suppressing the sticking of a carrier to an image carrier to the minimum by changing the texture potential of the image carrier under prescribed conditions.例文帳に追加

像担持体の地肌ポテンシャルを所定の条件で変えることにより、像担持体へのキャリア付着を最小限にとどめながら、帯電手段の汚れによる異常画像や地汚れの発生を防止し、帯電手段の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, during a test operation, a voltage different from that during a normal operation is supplied to an internal power supply line, and in which a normal voltage, such as a precharge potential or the like, is stably supplied while suppressing an increase in chip area to a minimum level.例文帳に追加

テスト動作時において通常動作時とは異なる電圧が内部電源配線に供給される半導体装置において、チップ面積の増大を最小限に抑制しつつ、プリチャージ電位などの通常電圧を安定供給する。 - 特許庁

Further, out of potential courses of the own-vehicle, a best own course in which a collision probability of the own-vehicle with other vehicles is minimum is calculated, and a best own course collision probability as a collision probability with other vehicles in the best own course is acquired.例文帳に追加

また、自車両の可能進路の中から、自車両と他車両との衝突確率が最小となる最善自己進路を算出し、最善自己進路における他車両との衝突確率である最善自己進路衝突確率を求める。 - 特許庁

A plurality of common signals S120 are generated in a common signal generating circuit 120 based on the liquid crystal panel driving reference voltage V100, the minimum potential V101 of the liquid crystal panel driving voltage, the voltage V110 which is generated by the booster circuit 110.例文帳に追加

液晶パネル駆動基準電圧Ｖ１００と液晶パネル駆動電圧の最低電位Ｖ１０１と昇圧回路１１０が生成した電圧Ｖ１１０とを基にコモン信号生成回路１２０で複数のコモン信号Ｓ１２０を生成する。 - 特許庁

Since voltage lower than the minimum potential 0V of the semiconductor device is given to the tungsten film 103; alkali metals, such as existing mobile sodium ion, having the positive charge which exists in silicic acid glass base 101 or oxidization silicon films 102 and 104, move in the direction to the tungsten film 103 currently maintained at low potential so that they may be fixed by being caught by the tungsten film 103.例文帳に追加

タングステン膜１０３に半導体素子の最低電位０Ｖよりも低い電圧が与えられているため、珪酸ガラス基体１０１や酸化珪素膜１０２、１０４に存在している正の電荷を有する可動性のあるナトリウムイオン等のアルカリ金属は、低い電位に保たれているタングステン膜１０３の方へ移動し、タングステン膜１０３に捕らえられることで固定される。 - 特許庁

The transmission circuit for transmitting a differential signal having a pulse time of a predetermined minimum pulse time or more includes a driver for sending the signal as a potential difference of two transmission lines, a driven unit operating based on the signal by receiving the signal due to the potential difference of the two lines, and a connecting resistor for electrically connecting the two lines.例文帳に追加

予め定められた最小パルス時間以上のパルス時間を有する差動信号を伝送する伝送回路であって、２本の伝送線の電位差として、差動信号を送出する駆動部と、２本の伝送線の電位差により差動信号を受け取ることにより、差動信号に基づいて動作する被駆動部と、２本の伝送線を電気的に接続する接続抵抗とを備える。 - 特許庁

In this case, the maximum value of the gap formed by the electrifying surface 1-3 and the body to be electrified 2 is ≥ the surface potential forming gap 1-100 and the minimum value is ≤ the surface potential forming gap.例文帳に追加

帯電面１−３と、該帯電面と被帯電体２との間に介在して帯電面と被帯電体との間にギャップを形成する複数のスペーサ１−１を有する帯電部材１であり、帯電面１−３と被帯電体２の成すギャップの最大値が表面電位作成ギャップ１−１００以上で、最小値が表面電位作成ギャップ以下であることを特徴とする帯電部材。 - 特許庁

Impedance with respect to the ground potential across the antenna coil L is made to balance, to some extent, by connecting the IC chip 20 via the intermediate taps TP1 and TP2, and the effect due to the suspension capacitor between the antenna coil L and the surrounding structure is suppressed to be a minimum.例文帳に追加

中間タップＴＰ１，ＴＰ２を介してＩＣチップ２０を接続することでアンテナコイルＬ両端の接地電位に対するインピーダンスをある程度バランスさせ、アンテナコイルＬと接地電位にある周囲の構造物との浮遊容量による影響を最小限に抑える。 - 特許庁

At this time, an object by gathering 10 latent images (distribution of surface potential of a photosensitive drum) 104a when the laser beam is lit only for the minimum unit time is regarded as image density distribution 106a when the toner is adhered to the whole pixel 762 and the image density distribution 106a is predicted.例文帳に追加

このとき、レーザビームを最小単位時間だけ点灯させた場合の潜像（感光体ドラムの表面電位の分布）１０４ａを１０個集合させたものを、画素７６２の全体にトナーを付着させた場合の画像濃度分布１０６ａとみなして、画像濃度分布１０６ａを予測する。 - 特許庁

A direct current charge system is used at least in the image formation, and an alternating voltage to be potential breaking operation or light irradiation is applied during the time of minimum requirement, by aiming at an image carrier surface portion with which the rear end of the transfer material has come into contact, which can cause image defects.例文帳に追加

少なくとも画像形成時は直流帯電方式を用い、画像不良と成り得る転写材後端部が接触していた像担持体表面部分を狙って、電位ならし動作となる交流電圧、もしくは、光照射を必要最小限の時間行う。 - 特許庁

The data measurement device 20a obtains respective mean values, the maximum values, and the times at which the measurements are performed, for the supply voltage Vdc, the supply current Idc, and the tube-to-ground electrical potential Vpe, obtains the minimum values and the times at which the measurements are performed, and provides them to a data reading computer 21.例文帳に追加

そして，データ計測装置２０ａは，通電電圧Ｖｄｃ，通電電流Ｉｄｃ，および管対地電位Ｖｐｅのそれぞれの平均値，最大値およびその計測時刻，ならびに最小値およびその計測時刻を求め，データ読み取りコンピュータ２１に与える。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a parallel parking assist system for a host vehicle and a method of evaluating an area used as a parking space for the host vehicle which provides a driver with an alert representing the suitability of a potential parking space while keeping the required number of sensors to a minimum.例文帳に追加

センサの必要数を最低限としつつ、可能性のある駐車スペースの適合性を示すアラートを運転者に提供する、ホスト車両のための縦列駐車アシストシステムと、ホスト車両のための駐車スペースとして用いられる領域を評価する方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of evenly and surely forming a passive film while suppressing excessive metal corrosion of a crystal grain surface, and selectively breaking and metal-corroding a passive film in a grain boundary part without stopping or holding sweep at a re-passivation minimum potential.例文帳に追加

結晶粒表面の過剰な金属腐食を抑えて、不動態皮膜をムラなく確実に形成でき、また、再不動態化最小電位にて掃引の停止・保持をすることなく、粒界部の不動態皮膜を選択的に破壊して金属腐食させ得る方法を提供する。 - 特許庁

In the cathode 62, the cathode active substance in which the minimum value of the open circuit potential of the anode 61 and the cathode 62 when the anode active substance represented by the above general formula is in a range of x≤0.89 becomes 1.9 V or lower, is combined with the anode active substance, and used.例文帳に追加

負極６２においては、上記一般式で表される正極活物質がｘ≦０．８９の範囲にあるときの正極６１と負極６２との開回路電位の最低値が１．９Ｖ以下になるような負極活物質を、正極活物質と組み合わせて用いる。 - 特許庁

When the charge start voltage value of the body to be charged is defined as Vth, the surface potential of the body to be charged before; and after reaching the electrifying member is defined as Vo, and further the maximum value and the minimum value of the pulsating voltage are defined as Vmax and Vmin respectively, they satisfy the relation |Vmax-Vo|>|Vth|>|Vmin-Vo|.例文帳に追加

被帯電体の帯電開始電圧値をＶｔｈとし、帯電部材に到達する前後の被帯電体の表面電位をＶｏとし、さらに上記脈流電圧の最大値、最小値をそれぞれＶｍａｘ、Ｖｍｉｎとしたとき、 ｜Ｖｍａｘ−Ｖｏ｜＞｜Ｖｔｈ｜＞｜Ｖｍｉｎ−Ｖｏ｜なる関係を満たす。 - 特許庁

A plurality of segment signals S140 are generated in a segment signal generating circuit 140 based on a liquid crystal panel driving reference voltage V100, the minimum potential V101 of a liquid crystal panel driving voltage, a voltage V110 which is generated by a booster circuit 110 and a liquid crystal panel display data S130.例文帳に追加

液晶パネル駆動基準電圧Ｖ１００と液晶パネル駆動電圧の最低電位Ｖ１０１と昇圧回路１１０が生成した電圧Ｖ１１０と液晶パネル表示データＳ１３０とを基にセグメント信号生成回路１４０で複数のセグメント信号Ｓ１４０を生成する。 - 特許庁

The image forming apparatus forms an electrostatic latent image pattern on a photosensitive drum, and controls the value of the bias current set for a first light emitting element based on the potential of the electrostatic latent image pattern detected by a potential sensor 212 so that the value of the bias current for the first light emitting element comes close to a minimum value of the drive current supplied to the first light emitting element to form the electrostatic latent image.例文帳に追加

感光ドラム上に静電潜像パターンを形成し、第１の発光素子に対応するバイアス電流の値が前記静電潜像を形成するために第１の発光素子に供給される駆動電流の最小値に近づくように、電位センサ２１２によって検出される静電潜像パターンの電位に基づいて第１の発光素子に対応するバイアス電流の値を制御する。 - 特許庁

The semiconductor integrated device has such a layout structure of wiring that becomes SL1≤SL2<SL3 when the minimum wiring interval is SL1 at the portion where both adjacent wiring have thin widths, the minimum wiring interval is SL2 at the portion where adjacent wiring has the same potential, and the minimum wiring interval is SL3 at the portion where adjacent wiring have different widths and different potentials.例文帳に追加

半導体集積装置は、互いに隣接する配線の双方が細幅配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ１とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が同電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ２とし、互いに隣接する配線の少なくとも一方が太幅配線であって、かつ、当該隣接する配線同士が異電位の配線である箇所の最小配線間隔をＳＬ３とするときに、ＳＬ１≦ＳＬ２＜ＳＬ３となるような配線のレイアウト構造を有する。 - 特許庁

A voltage Vout_0 to be output from the signal processing circuit 10 when a minimum value of an input voltage Vin indicating a high level is input is also calculated from a potential difference permitted between the input voltage Vin and the supply voltage Vs when the input signal line is connected to a high level power line.例文帳に追加

また、入力信号線がハイレベルの電源ラインに接続される場合の入力電圧Ｖｉｎと電源電圧Ｖｓとの間に許容されている電位差に基づき、ハイレベルを示す入力電圧Ｖｉｎの最小値が入力された場合に信号処理回路１０から出力される電圧Ｖｏｕｔ_０を算出する。 - 特許庁

To independently form a grounding potential GND coming into contact with a P type isolation region surrounding an outer periphery of transistors constituting a cascode circuit, whereby a leakage to the input terminal side of a reception signal of a local oscillator signal component is suppressed to the minimum.例文帳に追加

ＩＣチップ小型化に伴い、ダブルバランストミキサ回路の上段部から下段部への局部発振器信号の漏洩経路として、配線を経由する従来のもの以外に、ダブルバランストミキサ部とカスコード部の間のＰ^+型分離領域が持つ寄生容量を経由するものの割合が高まり、ローカル漏洩特性が劣化する。 - 特許庁

To provide a flue gas desulfurization method which can prevent the occurrence of peroxides like S_2O_6 and S_2O_8 causing COD (chemical oxygen demand) even when the amount of sulfur oxide in flue gas is effectively reduced and an ORP (oxide reduction potential) value cannot be controlled below a set value by reducing the flow rate of ventilating oxygen-containing gas to minimum.例文帳に追加

排ガス中の亜硫酸ガス量が実効的に低下して、通気する酸素含有ガス流量を最小にしてもＯＲＰ値を設定値以下に制御できなくなった場合でも、ＣＯＤの発生原因であるＳ_2Ｏ_6，Ｓ_2Ｏ_8のような過酸化物の生成を防ぐことが可能な排煙脱硫方法を提供する。 - 特許庁

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b.例文帳に追加

半導体基板２上に、酸化物３ｂと、酸化物３ｂに囲まれた酸化物３ｂよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物３ａとから構成される高誘電ゲート絶縁膜３を形成し、酸化物３ａと酸化物３ｂのバンドギャップ差に起因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。 - 特許庁

In the winding arrangement of a stator in a dynamo-electric machine, at least one of coils 106 of respective circuits 108, 110 does not continue to other coils 106 of a corresponding circuit, and the coil 106 receives a phase voltage Vp of the coil 106 that has a contact in the minimum magnetic potential of the corresponding circuit and is not adjacent.例文帳に追加

回転電気機械のステーターの巻線配置を、各回路１０８、１１０のコイル１０６の少なくとも一つが、対応する回路の他のコイル１０６と連続せず、かつ、コイル１０６が、対応する回路の最低磁位において接点を持つ、隣接しないコイル１０６の相電圧Vpを受けるように構成する。 - 特許庁

Stand-by power can be lowered, because a dissipation current and potential supplied to the control circuit 2 are set in a minimum required for the stand-by mode by setting the constants of the R1 and R2 of the auxiliary power-supply circuit 5, and the power device at a low cost can be obtained, because the auxiliary power supply circuit can be constituted only of a resistor.例文帳に追加

補助電源回路５のＲ１とＲ２の定数を設定することにより制御回路２に供給する消費電流と電位を待機モードに必要な最低限に設定できるので待機電力を大幅に削減でき、抵抗器だけで補助電源回路を構成できるため安価な電源装置を得ることができる。 - 特許庁

By using the developer including toner particles incorporating magnetic powder and binder resin and set so that the dynamic resistance of the developer is ≤200 MΩ and the absolute value of the difference ΔV between the maximum value and the minimum value of the surface potential of a developer layer on a developing sleeve is ≤5 V, the image having excellent image density and less fogging is formed.例文帳に追加

磁性粉と、バインダー樹脂とを含有するトナー粒子を含み、その動抵抗が２００ＭΩ以下、現像スリーブの現像剤層の表面電位の最大値と最小値の差ΔＶの絶対値が５Ｖ以下である現像剤を使用することにより、画像濃度が良好でかぶりの少ない画像を形成する。 - 特許庁

The supperlattice structure 4 is a quantum well structure, a quantum fine line structure or a quantum dot structure obtained by alternately laminating a negative dielectric medium and the positive dielectric medium, respective minimum dimensions are almost a de Broglie wavelength, and potential energy to electrons of the negative dielectric medium and the positive dielectric medium is different.例文帳に追加

超格子構造４は、負誘電体媒質と正誘電体媒質を交互に積層した、量子井戸構造または量子細線構造または量子ドット構造となっており、各々の最小寸法が電子のド・ブロイ波長程度で、負誘電体媒質と正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。 - 特許庁

The gas detector 1 is provided with an offset voltage changeover means 61a for controlling the offset voltage generating part in such a way as to output such an offset voltage as to minimize an error potential difference equal to a prescribed minimum voltage or greater from among the plurality of offset voltages on the basis of offset voltage changeover information during the transition period of a temperature rise of each element.例文帳に追加

そして、各素子の温度が上昇する過渡期間において、オフセット電圧切換情報に基づき、複数のオフセット電圧のうち、誤差電位差を所定の最低電圧以上で且つ最も小さくするオフセット電圧が出力されるように、オフセット電圧生成部を制御するオフセット電圧切換手段６１ａが設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a multiplier M4 multiplies the internal resistance RI by the negative electrode internal resistance ratio KRM so as to get negative electrode internal resistance RM, and a divider M5 divides the negative electrode potential VM by the negative electrode internal resistance RM, and an inverter M6 inverts a code, and outputs a maximum current at charging as a minimum current IMIN.例文帳に追加

更に、内部抵抗ＲＩと負極内部抵抗比率ＫＲＭとを乗算器Ｍ４で乗算して負極内部抵抗ＲＭを求め、除算器Ｍ５で負極電位ＶＭを負極内部抵抗ＲＭで除算し、反転器Ｍ６を通して符号反転し、充電時の最大電流を最小電流ＩＭＩＮとして出力する。 - 特許庁

It is possible to reduce the radial entire size of a pyroelectric-type infrared sensor, to lower the potential of the motor case 3a to a signal ground by a simple constitution, to improve the accuracy in the results of measurements by removing the electromagnetically induced noise of the motor 3, and to suppress the propagation of the noise and vibrations of the motor 3 to the outside to a minimum.例文帳に追加

焦電型赤外線センサの径方向の全体サイズの小型化を実現すると同時に、簡易な構成でモータケース3aの電位を信号グランドに落とし、モータ3の電磁誘導ノイズを除去し測定結果の精度を向上させることができ、また、モータ3の騒音や振動の外部への伝達も最小限に抑える構成とすることができる。 - 特許庁

This new topograph measuring method and its device are characterized by detecting the electrostatic force working between the cantilever and the sample, and feeding back a cantilever bias potential at which the electrostatic force becomes minimum to the cantilever, in the noncontact type atomic force microscope for scanning the sample surface by the cantilever to execute measurement, while maintaining an attraction gradient between the cantilever and the sample constant.例文帳に追加

本発明による新トポグラフ測定方法およびその装置は、カンチレバーと試料間の引力勾配を一定に維持しながらカンチレバーで試料表面を走査することにより計測する非接触型原子間力顕微鏡において、カンチレバーと試料間に作用する静電気力を検出し、該静電気力が最小となるカンチレバーバイアス電位をカンチレバーにフィードバックすることを特徴とする。 - 特許庁

The compensation circuit 8 compensates for the saturation quantities of two phases which are saturated by moving the virtual neutral point potential to be equal when two of the three phase voltage command values are saturated or when one of the three phase voltage command values is saturated and a difference between the maximum value and the minimum value of the three phase voltage command values is larger than a DC voltage value of DC power.例文帳に追加

インバータ部４を構成する半導体スイッチング素子をオン／オフ制御するスイッチング信号としてのパルス幅変調信号を演算、出力する制御部６に、３相の相電圧指令値の内２相が飽和した場合、または３相の相電圧指令値の内１相が飽和し、かつ３相の相電圧指令値の最大値と最小値との差が前記直流電力の直流電圧値よりも大きい場合に、仮想中性点電位を移動させ飽和した２相の飽和量が等しくなるように補正する補正回路８を備えた。 - 特許庁