「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate connection structure which relaxes stress in a connection part between a wiring pattern and a terminal electrode and is capable of preventing peeling and disconnection, a method for manufacturing the substrate connection structure, a mounting device, a mounting method, and an electro-optical device and an electronic device provided with the substrate connection structure.例文帳に追加

配線パターンと端子電極との接続部において応力を緩和し、剥離や断線を防止できる基板接続構造体、基板接続構造体の製造方法、実装装置、実装方法を提供すると共に、基板接続構造体を備えた電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

In a region directly above the gate electrode 1 lying between first layer metals (1AL) 4 and 5, a metal dummy pattern 6 having width W (<L) in the first direction D1 is arranged while extending in the second direction D2 orthogonal to the longitudinal direction of the gate (current flow direction).例文帳に追加

第１層メタル（１ＡＬ）４，５で挟まれたゲート電極１の直上方領域に、第１方向Ｄ１に関する幅Ｗ（＜Ｌ）を有し且つゲート長方向（電流の流れる方向）に直交する第２方向Ｄ２に延在するメタルダミーパターン６が、配設されている。 - 特許庁

To obtain an anisotropic conductive adhesive film that has an excellent electric connectivity of a very small-area electrode, hardly causes a dielectric breakdown (short) between fine wirings, makes an electric connection with a long-term reliability and has a high storage stability in an electric connection of minute pattern.例文帳に追加

微細パターンの電気的接続において、微小面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊（ショート）が起こりにくく、長期信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い回路接続用異方導電性接着フィルムの提供すること。 - 特許庁

To obtain an anisotropic conductive adhesive film that has an excellent electric connectivity of very small-area electrode, hardly causes a dielectric breakdown (short) between fine wirings, makes an electric connection with a long-term reliability and has a high storage stability in an electric connection of a minute pattern.例文帳に追加

微細パターンの電気的接続において、微小面積の電極の電気的接続性に優れると共に、微細な配線間の絶縁破壊（ショート）が起こりにくく、長期信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムの提供すること。 - 特許庁

In the cord switch assembly 1 in which a cord switch 2 and a wiring board 3 are integrated, an electrode wire 4 exposed from the cord switch 2 in the cord switch 2 is welded to an intermediating metal plate 5, and the intermediating metal plate 5 is welded to the conductor pattern 6 of the wiring board 3.例文帳に追加

コードスイッチ２と配線基板３とが一体化されたコードスイッチアセンブリ１において、コードスイッチ２から露出されたコードスイッチ２内の電極線４が仲介金属板５に溶接され、仲介金属板５が上記配線基板３の導体パターン６に溶接されている。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

As for the CuKα-ray diffraction pattern of a negative electrode material, the peak intensity ratio of a peak A corresponding to a tin element existing in a region of 31.5-32.5 degree, to a peak B corresponding to Cu_6Sn_5 existing in a region of 29.5-30.5 degree (A/B) is 0.2 or less.例文帳に追加

ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおいて、３１．５〜３２．５度の領域内に表れる錫単体に対応するピークＡと、２９．５〜３０．５度の領域内に表れるＣｕ_６Ｓｎ_５に対応するピークＢとのピーク強度比（Ａ／Ｂ）が０．２以下であることを特徴としている。 - 特許庁

A high frequency module 10 comprises: a layered body including a plurality of dielectric layers having an electrode pattern thereon; and a switching element 11 integrally mounted on the surface of the layered body and having a test terminal PT for outputting a negative voltage applied to the switching element 11.例文帳に追加

高周波モジュール１０は、電極パターンが形成された複数の誘電体層を有する積層体と、スイッチ素子１１に印加された負電圧を出力するテスト端子ＰＴを有し、積層体の表面に実装されたスイッチ素子１１とが一体成型されている。 - 特許庁

This significantly reduces the reflection of the i-beam radiated at exposure on the substrate backside 10b, and hence an electrode pattern 20 having a high size accuracy is formed without forming an antireflective film on the substrate surface 10a at the exposure side of the substrate 10.例文帳に追加

それにより、露光時に照射されるｉ線の基板裏面１０ｂにおける反射が有意に抑制されるため、基板１０によって露光される側の基板面１０ａに反射防止膜を成膜することなく、高い寸法精度を有する電極パターン２０を形成することができる。 - 特許庁

In this case, the plurality of write electrodes 3b are set in an electrode pattern in which one end parts of bases of triangles of adjacent write electrodes 3b overlap in a direction orthogonal to the axial direction of the latent image carrier 2 (rotation direction of the latent image carrier 2; vertical scanning direction).例文帳に追加

その場合、複数の書込電極３ｂの電極パターンは互いに隣接する書込電極３ｂの三角形の底辺の一端部どうしが潜像担持体２の軸方向と直交する方向（潜像担持体２の回転方向；副走査方向）にオーバーラップされて設けられている。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a quartz, capable of forming a highly precise electrode pattern by washing with an acid before etching a quartz wafer for preventing the etching unevenness from its generation, and a method for producing a quartz device.例文帳に追加

水晶ウェハをエッチングする前に、酸によって洗浄することによって、エッチングの際に生じるエッチングムラの発生を防止して、高精度な電極パターンの形成を行うことができる水晶の表面加工方法及び水晶デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The electronic device has a semiconductor substrate 10 having an integrated circuit 12 formed internally, an insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 and having an elastically deformable part 24, an electrode 34 formed on the elastically deformable part 24 while being connected electrically with the interior of the semiconductor substrate 10, and a substrate 58 on which a wiring pattern 62 is formed oppositely to the electrode 34 while being connected electrically therewith.例文帳に追加

電子装置は、集積回路１２が内部に形成された半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成されて弾性変形可能部２４を有する絶縁層２０と、半導体基板１０の内部に電気的に接続されて弾性変形可能部２４上に形成されてなる電極３４と、電極３４と対向して電気的に接続された配線パターン６２が形成されてなる基板５８と、を有する。 - 特許庁

There is provided a light emitting device provided with a mount substrate, an electrode 2a provided on the mount substrate, an LED chip 3 provided on a part of the electrode 2a, and a planar shape having a pattern corresponding to a far field image and a near field image of light emitted from the LED chip 3 as at least a part of an outline.例文帳に追加

マウント基板と、マウント基板上に設けられた電極２ａと、電極２ａの一部の上に設けられたＬＥＤチップ３と、電極２ａ上に少なくとも設けられた蛍光体層とを具備し、電極２ａが、ＬＥＤチップ３から発せられる光の遠視野像や近視野像に対応するパターンを輪郭の少なくとも一部として有する平面形状を備えることを特徴とする発光装置。 - 特許庁

The present invention relates to a method of manufacturing a device for measuring conductivity of a liquid, particularly of an ultrapure water, which is characterized by providing 2 conductivity-measuring electrodes suitable for determining a cell constant enabling conductivity measurement of an ultrapure liquid and by comprising a method of producing each electrode by forming an electrode pattern from a conductive material on the substrate of an insulating material.例文帳に追加

本発明は、液体、特に超純水の導電率を測定するための装置の製造方法であって、超高純度の液体の導電率の測定を可能にするセル定数を定めるために適した２つの導電率測定電極を備え、絶縁材料の基板上に導電性材料からの電極パターンを形成することによって、各電極を製造することを含むことを特徴とする方法に関する。 - 特許庁

At the same time, the via electodes 15a existing at a first repeating pitch of a first repeating pattern of the electrodes 13a are pitch-converted through internal electrodes 13b (a first and a second electrode layer for conducting) and conducted to via electrodes 15b (a first and a second via electrode for conducting) formed at a second repeating pitch scattered on the rear surface of the capacitor.例文帳に追加

その一方、内部電極１３ａの第１繰り返しパターンの第１繰り返しピッチで存在するビア電極１５ａは、第２繰り返しパターンで形成された内部電極１３ｂ（第１、第２の通電用電極層）を介してピッチ変換され、コンデンサ裏面において点在するような第２繰り返しピッチで形成されたビア電極１５ｂ（第１、第２の通電用ビア電極）と導通されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a common electrode 382 formed on an upper substrate 311, a gate driver formed on a lower substrate 341 facing the upper substrate 311, an insulating pattern 350 formed on the common electrode 382 facing the gate driver, and a conductive sealant 186 for bonding the upper substrate 311 and the lower substrate 341 together.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、上部基板３１１上に形成された共通電極３８２、上部基板３１１と対向する下部基板３４１上に形成されたゲート駆動部、このゲート駆動部と対向する共通電極３８２の上部に形成された絶縁パターン３５０、及び上部基板３１１と下部基板３４１とを合着させるための導電性のシーリング材１８６を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of electrode lands and wiring patters such as wiring are mounted on the surface of IC (semiconductor device) 10, an IC chip 11 is mounted faceup on the surface of a package board 12 forming a plurality of electrode bumps 15 corresponding to the wiring pattern on the rear face, sealed by a sealing resin 14, and a display 16 indicating the position of the IC chip 11 is adhered.例文帳に追加

本発明のＩＣ（半導体装置）１０は、表面に複数本の電極ランド、配線などの配線パターンが、裏面に前記配線パターンに対応して複数個の電極バンプ１５が形成されているパッケージ基板１２の前記表面にフェイスアップでＩＣチップ１１を搭載し、封止樹脂１４で封止し、パッケージ基板１２の裏面１２Ａに、ＩＣチップ１１の位置を示す表示１６が付されている。 - 特許庁

In this first cover substrate 2, an external connecting electrode 25 is positioned inner than a second electrical connecting metal layer 29 jointed to a first electrical connecting metal layer 19 of the sensor substrate 1, and a groove 20b for loosening the stress generated to the movable part together with joint of an external connecting electrode 25 and a conductor pattern 43 of a mounting board 40 is formed between both of them.例文帳に追加

第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置し、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a ferroelectric memory 1000 includes a step (a) wherein a lower electrode layer 20, a ferroelectric layer 30, and a first upper electrode layer 40 are stacked in sequence on a substrate 10; a step (b) to anneal the ferroelectric lamination; and a step (c) to pattern the ferroelectric lamination into a specified shape.例文帳に追加

本発明にかかる強誘電体メモリ１０００の製造方法は、（ａ）基体１０の上方に下部電極層２０、強誘電体層３０、および第１の上部電極層４０を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、（ｂ）前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、（ｃ）前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The dielectric structure is formed on a pixel layer or electrode layer, the uneven dielectric coefficient distribution is formed by using a specific pattern of the dielectric layer structure to generate a lateral electric field quantity, and then lines of the electric force of a slit electrode lateral electric field on the substrate are changed to increase liquid crystal molecule tilting and also accelerate the pretilt and response time of liquid crystal molecules, thereby forming multiple domains.例文帳に追加

画素層或いは電極層の上に誘電層構造が形成され、この誘電層構造の特定パターンを利用し不均一な誘電係数分布を形成し、横向の電場分量を発生することにより、基板上のスリット電極横向き電場の電力線を改変し、液晶分子傾倒を増強し、液晶分子のプレティルトと応答時間を加速し、これによりマルチドメインを形成する。 - 特許庁

The oxide semiconductor electrode is provided with a first base material, a first electrode layer consisting of a conductive layer and metal oxide laminated in random order in contact with each other on the first base material, and a porous layer formed on the first electrode layer and the conductive layer containing metal oxide semiconductor fine particles, of which, the conductive layer is formed in a pattern with continued polygons with at least one internal angle obtuse.例文帳に追加

第１基材と、上記第１基材上に順不同で互いに接するように積層された導電層および金属酸化物からなる第１電極層と、上記第１電極層および上記導電層上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層とを有する酸化物半導体電極であって、上記導電層が少なくとも一つの内角が鈍角である多角形が連続したパターン状に形成されていることを特徴とする酸化物半導体電極を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The flexible harness, detachable from the electrode pad of the electric/electronic component, is provided with a flexible insulating film, a conductive pattern formed on the insulating film, and a contact member formed at a contact area of the end part of the conductive pattern, wherein the contact member has elastically deformable resin as a core, with the core in a ball shape covered with a conductive layer.例文帳に追加

本発明に係るフレキシブルハーネスは、電気・電子部品の電極パッドに対して着脱可能なフレキシブルハーネスであって、可撓性を有する絶縁フィルムと前記絶縁フィルム上に形成された導体パターンと前記導体パターンの端部の接点領域に形成された接点部材とを具備し、前記接点部材は弾性変形可能な樹脂をコアとし前記コアが導電層で被覆されたボール形状を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor chip in which an electrode pad is formed on a main surface, an inner connected terminal formed on the electrode pad, an insulating layer formed on the main surface so as to expose part of the inner connected terminal and cover the other, and further cover a side and a backside of the semiconductor chip, and a wiring pattern formed on the insulating layer and electrically connected to an exposed part of the inner connected terminal.例文帳に追加

本半導体装置は、主面に電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、前記主面に、前記内部接続端子の一部を露出し他部を覆うように形成されるとともに、前記半導体チップの側面及び裏面を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記内部接続端子の露出部と電気的に接続された配線パターンと、を有する。 - 特許庁

In the phase change memory formed in a memory matrix pattern, crevices 13 and 15 lower in the thermal conductivity than interlayer insulating films 9 and 12 are formed between adjacent upper electrode films 6 and between adjacent lower electrode films 4, whereby heat generating inside the phase change memory is prevented from dissipating through the interlayer insulating films 9 and 12, and a phase change material film 5 is efficiently heated at a lower current than a conventional one.例文帳に追加

メモリマトリクス状に形成された相変化メモリにおいて、隣り合う上部電極膜６同士の間および隣り合う下部電極膜４同士の間に、層間絶縁膜９、１２よりも熱伝導率の低い空隙１３、１５を形成することにより、相変化メモリ内で発生する熱が層間絶縁膜９、１２を通じて散逸することを防ぎ、相変化材料膜５を従来より低い電流で効率的に加熱することを可能とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device wherein the semiconductor chip 40 having an electrode 42 is opposed to a face formed on the electrode 42 and mounted on a bendable board 10 forming the wiring pattern 10 includes a step for bending the board 10 so that an interval between the semiconductor chip 40 and the board 10 is wider than the center part on the end of the semiconductor chip 40.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、電極４２を有する半導体チップ４０を、前記電極４２の形成された面を対向させて、配線パターン２０が形成された屈曲可能な基板１０に搭載する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ４０と前記基板１０との間隔を、前記半導体チップ４０の端部においてその中央部よりも広くするように、前記基板１０を屈曲させる工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method including a step of evaporating a transparent electrode 11 on a transparent substrate 10; a step of forming a resistance layer 12 on the transparent electrode 11 by laminating UV-transmitting resistance materials 12; a step of forming an emitter layer 13 on the resistance materials 12 by laminating carbon nanotube; and a step of patterning the emitter layer 13 by a prescribed emitter pattern.例文帳に追加

透明基板１０上に透明電極１１を蒸着するステップと、透明電極１１上に、ＵＶ透過性抵抗性物質を積層して抵抗層１２を形成するステップと、ＵＶ透過性抵抗性物質１２上に炭素ナノチューブを積層してエミッタ層１３を形成するステップと、エミッタ層１３を所定のエミッタパターンによってパターニングするステップとを含むことを特徴とする電界放出素子用エミッタの製造方法である。 - 特許庁

To provide an electronic device which has first and second semiconductor devices disposed on a mounting substrate and differing in thickness and a wiring board having a conductor pattern connecting a first terminal electrode and a second terminal electrode formed on top portion surfaces of the first and second semiconductor devices to each other, the electronic device capable of suppressing variation in high frequency characteristics without making manufacturing processes complicated.例文帳に追加

実装基板上に配置された、互いに厚みが異なる第１及び第２の半導体装置と、第１及び第２の半導体装置の頂部表面にそれぞれ形成された第１の端子電極及び第２の端子電極を相互に接続する導体パターンを有する配線用基板と、を有する電子装置において、製造プロセスを煩雑化することなく、高周波特性のばらつきを抑制できる電子装置を提供する。 - 特許庁

In this first cover substrate 2, an external connecting electrode 25 is positioned inner than a second electrical connecting metal layer 29 jointed to a first electrical connecting metal layer 19 of the sensor substrate 1, and a groove 20b for loosening the stress generated to the movable part together with joint of an external connecting electrode 25 and a conductor pattern 43 of a mounting board 40 is formed between both of them.例文帳に追加

第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。 - 特許庁

The method has steps of forming an internal electrode pattern, forming a laminate, forming a laminate block, coating an outer periphery of the laminate block using a second dielectric material composition layer added with more SiO_2 to the first dielectric material composition in a non-sintered dielectric layer, forming a laminate chip, sintering the chip, and forming an external electrode.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極パターンを形成する工程、積層体を形成する工程、積層体ブロックを形成する工程、未焼成誘電体層中の第１の誘電体材料組成物に対してさらに多量のＳｉＯ_２が添加された第２の誘電体材料組成物層を用いて積層体ブロックの外周を被覆する工程、積層体チップを形成する工程、焼成工程、外部電極を形成する工程を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 has a pair of substrates 3, 4 which sandwich a liquid crystal layer 5, the light reflex film 22 provided on one substrate 3, an insulation film 23 provided on the light reflex film 22 and having a rugged pattern on the surface and a pixel electrode 24 provided on the insulation film 23.例文帳に追加

液晶層５を挟持する一対の基板３，４と、一方の基板３に設けられた光反射膜２２と、光反射膜２２上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた画素電極２４とを有する液晶表示装置１である。 - 特許庁

The ITO wiring 2 in a thin film multilayer wiring electrode pattern has a narrow part 2p between a terminal part 2c to be electrically connected to the wiring conductor of a film substrate and the substrate end face 1e of a TFT substrate 101, so as to connect a test probe for the display inspection of a liquid crystal panel single body.例文帳に追加

薄膜多層配線電極パターンのＩＴＯ配線２は、フィルム基板の配線導体に電気的に接続される端子部２ｃとＴＦＴ基板１０１の基板端面１ｅとの間に、液晶パネル単体の表示検査の際にテスト用プローブを接続するための狭小部２ｐを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an excellent heat dissipating property and a superior efficiency on a manufacture, also having neither deterioration of a reliability nor generation of a voltage potential in a heat sink because a heating and a partial high temperature are not generated in a junction among a circuit pattern and an electrode and a lead for a semiconductor.例文帳に追加

回路パターン及び半導体の電極とリードとの接合に加熱や局所的な高温を発生させることがないことで、信頼性を劣化させることがなく、また放熱板に電位を生じさせることがないことで、放熱性が良く、更に製造効率の良い半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A transparent glass substrate 7 formed with a transparent conductive membrane is placed and set on a stage, and a laser beam is irradiated on the transparent conductive membrane formed on the transparent glass substrate 7 corresponding to an electrode pattern for one cell through a mask 5 with a hole formed having a part corresponding to a discharge gap 11 formed at a center.例文帳に追加

透明導電性膜が形成された透明ガラス基板７をステージ上に載置し、１セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部１１に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク５を介して、透明ガラス基板７上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid oxide fuel cell uses a method such as pressing, pattern printing, mechanical grinding, etching, or ultrasonic machining, when the porous electrode 30 equipped with either one or both of the gas inflow side gas sub-passage and the gas exhaust side gas sub-passage is formed.例文帳に追加

前記固体電解質型燃料電池の製造方法は、ガス流入側ガス副通路及びガス排出側ガス副通路のいずれか一方又は双方を備える多孔質電極３０を形成するに当たり、プレス加工、パターン印刷加工、機械研削加工、エッチング加工、超音波加工などの方法を用いる。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

To provide a satisfactory output image for high density recording such as 1200 dpi image and 600 dpi or 300 dpi PWM image by rearranging the toner of a toner image on an image carrier with fidelity to a latent-image charge pattern by means of a re-arranging electrode set downstream of a developing device with respect to the image carrier.例文帳に追加

像担持体に対し現像装置の下流側に設置した再配置電極により、像担持体上のトナー画像のトナーを潜像電荷パターンに中実に再配置して、１２００ｄｐｉ画像や６００ｄｐｉ、３００ｄｐｉのＰＷＭ画像などの高密度記録に対して、良好な出力画像を得ることである。 - 特許庁

To rationally manufacture a conveyor belt producing no step at a bonded portion of a film composing the conveyor belt and no fold line of the conveyor belt in manufacturing a tubular conveyor belt on which an electrode pattern is formed to absorb an item to be recorded such as a recording paper sheet and the like by an electrostatic force.例文帳に追加

記録用紙等の被記録媒体を静電的な力によって吸着するために電極パターンが形成された管状の搬送ベルトを製造する際に、搬送ベルトを構成するフィルムの接合個所で段差が生じることがなく、また、搬送ベルトに折り目が付くことがなく、搬送ベルトを合理的に製造する。 - 特許庁

In the wiring sheet for a solar cell which feeds a current generated on the surface of a back contact type solar cell to an electrode on the rear surface, a laminate of an insulating substrate and a conductor is laminated with an ionomer resin interposed therebetween, and a wiring pattern is formed on the conductor.例文帳に追加

バックコンタクト型太陽電池の表面で発生する電流を裏面の電極に流すための太陽電池用配線シートであって、絶縁性を有する基材と導電体からなる積層体がアイオノマー樹脂を介して積層され、該導電体に配線パターンを施してなることを特徴とする太陽電池用配線シートである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated ceramic capacitor having high reliability and reproducibility with a small electrostatic capacity variance by realizing good transfer of a conductive paste especially from an intaglio to a transfer material when a pattern for an internal electrode of a thin film is printed, and forming a print coating film provided with a smooth surface.例文帳に追加

薄膜の内部電極用パターンを印刷する上で、特に凹版から転写体への導電性ペーストの良好な転移を実現し、表面が平滑な印刷塗膜を形成することにより、静電容量のバラツキが少なく、かつ信頼性や再現性が高い積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。 - 特許庁

Then, after removing the third resist pattern 25, heat treatment is carried out for the semiconductor substrate 11, and a tensile stress along the gate length direction is produced for the channel region located under the n-type gate electrode 15a in the first active region 11a by the tensile stress containing portion 24A.例文帳に追加

次に、第３のレジストパターン２５を除去した後、半導体基板１１に対して熱処理を行うことにより、引っ張り応力含有部２４Ａによって、第１の活性領域１１ａにおけるｎ型ゲート電極１５ａの下に位置するチャネル領域に対してゲート長方向に沿った引っ張り応力を生じさせる。 - 特許庁

A transparent conductive film 12 is formed covering the top surface and a flattening film 13 is formed thereupon and the entire surface is etched until the acryl-based resin film 10a in the area except the through hole and recess is exposed to pattern pixel electrodes 12a, and contact hole processing and pixel electrode patterning are carried out by a sheet of photomask.例文帳に追加

その表面を覆うように透明導電膜１２を形成し、その上に平坦化膜１３を形成し、貫通孔および凹所以外の領域のアクリル系樹脂膜１０が露出するまで全面エッチングすることで画素電極１２ａをパターニングし、コンタクトホール加工と画素電極パターニングを１枚のフォトマスクで行う。 - 特許庁

A position where a reference mark is to be formed is found based on the image data of the internal electrode pattern obtained by irradiating the X ray 38 to the ceramic green block 27, the reference mark is formed at the position where the reference mark is to be formed, and the ceramic green block 27 is cut based on the reference mark.例文帳に追加

セラミックグリーンブロック２７にＸ線３８を照射して得た内部電極パターンの画像データに基づいて、基準マーク形成予定位置を求め、この基準マーク形成予定位置に基準マークを形成し、基準マークに基づいて、セラミックグリーンブロック２７に対して切断加工を行なうようにする。 - 特許庁

The light emitting element package includes: a submount including a cavity; a light emitting element chip disposed within the cavity; an electrode electrically connected to the light emitting element chip; a reflection layer formed on the surface of the cavity; a dielectric pattern on the reflection layer; and a sealing material embedded into the cavity.例文帳に追加

本発明に従う発光素子パッケージは、キャビティを含むサブマウントと、上記キャビティの内部に配置される発光素子チップと、上記発光素子チップと電気的に連結される電極と、上記キャビティの表面に形成される反射層と、上記反射層の上に誘電体パターンと、上記キャビティを埋める封入材と、を含む。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that improves driving characteristics and reliability, a method for manufacturing the thin film transistor, and a display device including the thin film transistor by forming a semiconductor layer located over a metal pattern such as a gate electrode or a light shielding member by using polycrystalline silicon that does not include incomplete crystal growth region.例文帳に追加

不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。 - 特許庁