pattern lessの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 683件
PATTERN-LESS COLORED WALL SURFACE MATERIAL AND ITS MANUFACTURE, AND DOTTED PATTERN COLORED WALL SURFACE MATERIAL例文帳に追加
無模様着色壁面材とその製造方法、及び斑点模様着色 壁面材 - 特許庁
To provide a high-precision pattern position with less defect.例文帳に追加
欠陥が少なくかつ高精度なパタン位置精度を実現する。 - 特許庁
When less than the prescribed number, an input pattern generation part 205 generates an input pattern.例文帳に追加
所定数以上でない場合、入力パタン生成部205によって、入力パタンを生成する。 - 特許庁
The master pattern M is 'shaken' to the object pattern P by using the width of one pixel or less as a unit.例文帳に追加
その際、マスターパターンMを1画素未満の幅を単位としてオブジェクトパターンPに対して「揺すらせ」る。 - 特許庁
To provide an ink for a conductor pattern capable of manufacturing the conductor pattern in which there is less occurrence of cracks.例文帳に追加
クラックの発生が少ない導体パターンを製造することが可能な導体パターン用インクを提供する。 - 特許庁
To form a pattern in which a pattern with a dimension of less than a resolution limit of lithography and a pattern with an optional dimension are mixed and coexist, by using a sidewall spacer.例文帳に追加
サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a nano-mold, by which a nano-pattern with a less diameter and a less pitch is formed.例文帳に追加
より小径かつ小ピッチのナノパターンを形成することができるナノ金型の製造方法の提供。 - 特許庁
The depth of the recessed pattern is 70% or less of the thickness of the case 12, and the height of the projected pattern is 70% or less of the thickness of the case 12.例文帳に追加
凹設されている模様の深さはケース12の厚さの70%以下であり、凸設されている模様の高さはケース12の厚さの70%以下である。 - 特許庁
If the average print rate is less than 5%, a solid pattern is formed as a toner discharge pattern T, and if the average print rate is above 5%, a dot pattern is formed.例文帳に追加
5%未満である場合はトナー吐出パターンTとしてソリッドパターンを形成し、5%以上である場合はドットパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a multi-pattern wiring substrate, where swelling and separation are less apt to occur between an insulating resin layer and a dummy pattern.例文帳に追加
絶縁樹脂層とダミーパターンとの間に膨れや剥れが発生しにくい多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method for forming a pattern which decreases reflectivity of EUV light with a less dose amount.例文帳に追加
少ないドーズ量でEUV光の反射率を低下させたパターンを形成できるパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
A pattern dimension W2 of the contact window 19 is a half or less than the pattern dimension W1 of the emitter region 5.例文帳に追加
そのコンタクト窓19のパターン寸法W2は、エミッタ領域5のパターン寸法W1に対して1/2以下である。 - 特許庁
A land part share R in the creping pattern is 30% or more through 80% or less.例文帳に追加
シボ模様の陸地部占有率Rは、30%以上80%以下である。 - 特許庁
(3) The entire lower surface of the mounted flip chip 1 is pattern-less.例文帳に追加
実装するフリップチップの下全面をパターンレスとした半導体実装用回路基板。 - 特許庁
The rate of the area occupied by this Y-color dot pattern is suitably 3% or less, or 1% or less, to the whole of the printed matter and the pattern can be seen easily by a loupe.例文帳に追加
このY色のドットパターンの占める面積率は、好適には印刷物全体に対して3%以下、又は1%以下であり、ルーペで簡単に見ることができる。 - 特許庁
Not less than one synchronization word pattern within a frame is disposed within an interval of a noise period t.例文帳に追加
フレーム内の同期ワードパターンをノイズ周期tの1区画内に一つ以上配置する。 - 特許庁
To provide a high sensitivity thermal type infrared solid state image sensing device with less fixed pattern noises.例文帳に追加
固定パターンノイズの小さい高感度な熱型赤外線固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
The distance between the gate electrode and the shield pattern is preferably less than about 0.4 μm.例文帳に追加
ゲート電極と遮蔽パターンとの間隔は、好ましくは約0.4μm未満である。 - 特許庁
To compute an original pattern with which higher imaging performance is obtained with less load.例文帳に追加
より高い結像性能を得ることができる原版パターンをより少ない負荷で計算する。 - 特許庁
It is preferable to use the pattern 5 whose transmittance for visible light is 10% or less.例文帳に追加
前記遮光用パターン5としては、可視光の透過率が10%以下のものを用いる。 - 特許庁
The phase pattern is constituted by superposition of a blazed grating pattern for optical diffraction whose phase modulation range is equal to or less than 2π and a phase pattern having the predetermined phase modulation distribution whose phase modulation range is equal to or less than 2π.例文帳に追加
この位相パターンは、位相変調範囲が2π以下である光回折の為のブレーズドグレーティングパターンと、位相変調範囲が2π以下である所定の位相変調分布を有する位相パターンとが重畳されてなる。 - 特許庁
To provide a method for designing a new phase shift mask with less dimensional change in a pattern even in a random logic pattern.例文帳に追加
ランダムロジックパターンにおいてもパターンの寸法変動が少ない新たな位相シフトマスクの設計方法を実現できるようにする。 - 特許庁
The conceptual sequence pattern extracting part 4 calculates the support degree of the time series pattern in the time series data, and extracts a time series pattern whose support degree is not less than a threshold as a conceptual sequence pattern.例文帳に追加
概念系列パターン抽出部4は、時系列データにおける時系列パターンの支持度を算出し、この支持度がしきい値以上である時系列パターンを概念系列パターンとして抽出する。 - 特許庁
Also, a display control part 14 displays the optimal answer pattern among not less than two answer pattern to be derived from the constructed data base, and mask-displays the residual answer pattern.例文帳に追加
また、表示制御部14は、構築されたデータベースから導出される2以上の回答パターンのうち、最適な回答パターンを表示し、残る回答パターンをマスク表示する。 - 特許庁
To secure a mold hardness by pattern-squeezing a position less prone to be filled with molding sand in a molding of a pattern exchange system.例文帳に追加
模型交換式の鋳型造型において鋳物砂が充填されにくい難充填箇所を模型スクイズして鋳型硬度を確保する。 - 特許庁
The resistance value of the metal thin film becomes less than before and a pattern can easily be made fine.例文帳に追加
従来と比べ、金属薄膜の抵抗値が低くなると共に、パターンの微細化が容易となる。 - 特許庁
To provide a hot rolled steel strip of special steel free from a scale defect pattern and having less surface roughness.例文帳に追加
スケール欠陥模様のない、表面粗さの小さい特殊鋼熱延鋼帯を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern exposure device capable of being operated by an ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less.例文帳に追加
波長300nm以下の紫外光で動作できるパターン露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a lens array with less graininess, and also, which hardly generate a pattern having a sense of incongruity.例文帳に追加
粒状性が少なく、かつ違和感のある模様も発生しにくいレンズアレイを提供する。 - 特許庁
To enable a highly accurate density adjustment control using a multi-grayscale patch pattern constituting less number of patches.例文帳に追加
より少ないパッチ数の多階調パッチパターンで高精度な濃度調整制御を可能とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for forming a fine pattern with a pitch not less than a lithography limit.例文帳に追加
リソグラフィー限界以上のピッチを有する微細パターンを形成する製造方法を提供する。 - 特許庁
Preferably, one surface of the pattern defining layer is located at the height of 3/4 or less of whole thickness of the mesh thickness.例文帳に追加
好適には、パターン画定層の一面は、メッシュ厚の全厚の3/4以下に位置している。 - 特許庁
A resin pattern capable of ion exchange is formed by using a photosensitive resin, then a solution containing a metal constituent is absorbed in the resin pattern and calcined, to obtain a conductive member pattern; and in this method, the width of the resin pattern before calcination process is made 1 μm or less and (width/height) is made 5 or less.例文帳に追加
感光性樹脂を用いてイオン交換可能な樹脂パターンを形成し、該樹脂パターンに金属成分を含む溶液を吸収させ、次いで焼成して導電性部材パターンを得る方法において、焼成工程前の樹脂パターンの幅を1μm以下、(幅/高さ)を5以下とする。 - 特許庁
To provide a pattern forming material having high resolution, less liable to deteriorate the maintenance of tent film strength even after long-time development, and capable of forming a higher-definition pattern, a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加
解像度が高く、長時間現像を行ってもテント膜強度が維持低下しにくく、より高精細なパターンを形成可能であるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁
A circuit pattern is used by an electron beam projection exposure method by using the stencil reticle provided with an opening pattern 21 surrounding an island-like central pattern 23 and a support pattern 22 having a pattern width of a resolution limit or less of an electron beam exposure system and supporting the opening pattern 21.例文帳に追加
島状の中心パターン23を囲む開口パターン部21と、電子線描画装置の解像限界以下のパターン幅を有し、開口パターン部21を支持する支持パターン部22と、を備えたステンシルマスクを用いて、電子線投影露光法により回路パターンを形成する。 - 特許庁
When a temporarily discriminated standard voice pattern is an important standard voice pattern and distance L1 is a first threshold value Vth 1 or less, the DSP 19 decide upon that the important standard voice pattern is a voice pattern of an operator.例文帳に追加
DSP19は、仮判定した標準音声パターンが重要標準音声パターンの場合、距離L1が第1閾値Vth1以下ならば、重要標準音声パターンは操縦者の音声パターンと確定する。 - 特許庁
When a temporarily discriminated standard voice pattern is a normal standard voice pattern and distance L1 is a normal threshold value Vth 0 or less, the DSP 19 decide upon that the normal standard voice pattern is a voice pattern of an operator.例文帳に追加
DSP19は、仮判定した標準音声パターンが通常標準音声パターンの場合、距離L1が通常閾値Vth0以下ならば、通常標準音声パターンは操縦者の音声パターンと確定する。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus in which a pattern detection means is less likely to be soiled by paper powder or the like, the pattern detection means accurately reads a basic pattern formed and fixed on recording paper, and the pattern detection means maintains high reading accuracy, without lowering productivity, even at high-speed printing.例文帳に追加
パターン検知手段が紙粉等で汚染され難く、パターン検知手段により記録紙に形成され定着された基本パターンを精度良く読み取り可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁
By using a photomask with a pattern that has a line width being equal to or less than a resolution limit for the surface of the resist pattern 12, a groove (dummy pattern) with a depth that does not reach the substrate 11 is formed, and the volume of the resist pattern 12 is reduced.例文帳に追加
レジストパターン12の表面には、解像限界以下の線幅のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、基板11に達しない深さの溝(ダミーパターン)を形成し、レジストパターン12の体積を小さくする。 - 特許庁
At this time, the switching pattern has a waveform, with an effective switching frequency that is greater than and less than 2 times of the fundamental frequency of the switching pattern.例文帳に追加
このとき、切替パターンの波形は、切替パターンの基本周波数の等倍を上回りかつ2倍未満の有効切替周波数を有する。 - 特許庁
To provide an organic electronic device using a fine pattern electrode that does less damage to a support medium and a method for manufacturing the pattern electrode.例文帳に追加
支持体へのダメージの少ない、高精細なパターン電極の製造方法及びそのパターン電極を用いた有機電子デバイスを提供すること。 - 特許庁
To extremely make an influence of dispersion of an illumination strength by a near-field pattern and a far-field pattern which a semiconductor laser light source has less.例文帳に追加
半導体レーザ光源の有する近視野パターン及び遠視野パターンによる照明強度のばらつきの影響を極力少なくする。 - 特許庁
A lead-out pattern 3a, of a width equal to or less than L/2, is formed in both widthwise directions from the central part in the longitudinal direction of the metallizing pattern 2.例文帳に追加
また、メタライズパターン2の長手方向の中央部から両幅方向にL/2以下の幅の引き出しパターン3aを形成しておく。 - 特許庁
To achieve less pattern collapse than conventionally, in supercritical drying used for forming a fine pattern, when a semiconductor device is formed.例文帳に追加
半導体装置形成における微細パターンを形成するときに用いる超臨界乾燥におけるパターン倒れを、従来より減少すること。 - 特許庁
To provide an image pattern collation device and method, allowing accurate acquisition of a relative displacement amount between a first image pattern and a second image pattern with resolution less than a pixel pitch.例文帳に追加
第1画像パターンと第2画像パターンとの間の相対変位量をピクセルピッチ未満の分解能で正確に求めることができる画像パターン照合装置および方法を提供する。 - 特許庁
When the value of the counter CT is not less than 100 to less than 200, the scene of summer is displayed as the background display of each special pattern (step S60).例文帳に追加
カウンタCTの値が100以上200未満の場合は、各特別図柄の背景表示として夏の風景が表示される(ステップS260)。 - 特許庁
| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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