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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > pattern lessの意味・解説 > pattern lessに関連した英語例文

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pattern lessの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 683



例文

To provide a temperature sensor of thin-film resistance wherein less influence is given to temperature detection accuracy even when a thin-film pattern is deformed by stress given to a substrate.例文帳に追加

基板に応力が加わって薄膜パターンが変形しても、温度検出精度への影響が少ない薄膜抵抗温度センサを提供する。 - 特許庁

To provide a lighting device for a vehicle, which can form a light distributing pattern in which an area where a nearby vehicle exists is illuminated less than a surrounding area.例文帳に追加

周辺車両が存在する領域をその周囲の領域よりも暗くした配光パターンを形成することが可能な車両用灯具を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive laminate, a method of manufacturing the same, and a capacitance touch panel which have advantage to make a pattern shape less noticeable.例文帳に追加

パターン形状を目立たなくする上で有利な透明導電性積層体およびその製造方法並びに静電容量タッチパネルを提供する。 - 特許庁

To provide a conductive paste which can be hardened at a low temperature of 250°C or less and from which a conductive pattern of small specific resistance in length direction can be obtained.例文帳に追加

250℃以下の低温で硬化可能であり、かつ長さ方向の比抵抗が格段に小さい導電パターンを得ることができる導電ペーストを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a pattern modifying apparatus which can modify a disconnected electrode with a thin line that has a size of about 10 μm, having less contamination at the peripheries of defect parts.例文帳に追加

10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正装置を提供する。 - 特許庁


例文

Lands 1a having a pattern of 100 μm wide or less are formed on a basic material 2 and the surface of the land 1a is recessed 7.例文帳に追加

基材2上に幅100μm以下のパターンを有するランド1aを形成すると共にこのランド1aの表面を凹部7として形成する。 - 特許庁

Consequently, a colored pattern with less conspicuous flaw caused by the excessive carving can be made to emerge in the part carved out of the resin surface layer 4.例文帳に追加

そのため、彫刻により樹脂表面層4を削り取った部分に、削り過ぎによる傷が目立ちにくい色付き模様を現出させることができる。 - 特許庁

To provide a base station antenna device capable of achieving a wide half width of not less than 100° in a horizontal plane by improving F/B ratio of radiation pattern characteristics.例文帳に追加

放射パターン特性のF/B比を改善し、水平面内で100°以上の広域な半値幅を実現可能な基地局アンテナ装置を提供する。 - 特許庁

To greatly reduce rehabilitation costs of a roll by replacing or repairing an embossing roll with less man-hour in a case that an embossing pattern is damaged.例文帳に追加

エンボスパターンが疵付いた場合の、エンボスロールの交換や修復が、より少ない手間で簡便に行え、ロール更新のためのコストを大幅に削減する。 - 特許庁

例文

When disagreements in both the patterns are less, the image coordinates of the electrodes of a prescribed arrangement electrode pattern are determined based on the coordinates of the extracted electrodes.例文帳に追加

両パターンの不一致が最も少なくなったときに、抽出電極の座標値から所定配列の電極パターンの電極の画像座標が決定される。 - 特許庁

例文

When the value in the counter CT is at least 100 and less than 200, a scene in summer is displayed as a background display of each special pattern (Step S260).例文帳に追加

カウンタCTの値が100以上200未満の場合は、各特別図柄の背景表示として夏の風景が表示される(ステップS260)。 - 特許庁

To provide a voltage-controlled oscillator that can be downsized and provides less restriction in the layout of components and an inner layer pattern and to provide a composite module and a communication apparatus.例文帳に追加

小型化が可能で、部品配置や内層パターンの制約が少ない電圧制御発振器、複合モジュールおよび通信装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiographic apparatus capable of creating similar grid moire pattern image as the existing one with a less amount of calculation than the existing one.例文帳に追加

従来よりも少ない計算量で従来と同等のグリッドモアレパターン像を作成することが可能なX線撮影装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pattern correcting method which can correct the electrode discontinuity by using fine wires as thin as about 10 μm with less contamination around the defects.例文帳に追加

10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method of coating a resist that is suited for making a micro-pattern having a width of 0.2 μm or less even on an undercoated film containing nitrogen atoms and susceptible to moisture.例文帳に追加

吸湿性がある窒素原子を含む下地膜上においても0.2μm幅以下の微細パターン形成に適したレジスト塗布方法を提供する。 - 特許庁

To form an impedance added pattern for separating a circuit of a noise generating source and a power supply circuit in high frequency manner, in a less occupation area.例文帳に追加

ノイズ発生源となる回路と電源回路とを高周波的に分離するためのインピーダンス付加パターンを少ない占有面積により構成する。 - 特許庁

To provide a dashboard with less reflection to a windshield capable of freely selecting bright color tone and bright pattern and giving high design property.例文帳に追加

フロントガラスへの映り込みが少なく、明るい色調および絵柄などを自由に選択でき、高い意匠性を付与することが可能なダッシュボードを得る。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for automatically splitting a complex circuit pattern into two or more less complex masks in an efficient and effective manner.例文帳に追加

複雑な回路パターンを2つ以上のこれより複雑でないマスクに効率的かつ効果的な方法で自動的に分割する方法および装置を提供する。 - 特許庁

The width of wiring of the connection 2A on the wiring pattern 2 is less than the width of wiring of part except the connection 2A in the overlapping area.例文帳に追加

上記配線パターン2における接続部2Aの配線幅は、上記重畳領域における接続部2A以外の部分の配線幅よりも細い。 - 特許庁

To provide a pattern correcting method in which an electrode breaking part etc., are corrected with a thin wire of about 10 μm and a defective portion periphery is less contaminated.例文帳に追加

10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vehicular driving support device allowing traveling in a travel pattern with less fuel consumption by use of inter-vehicle communication.例文帳に追加

車車間通信を利用して、燃料消費量がより少なくなる走行パターンでの走行の実現を図ることができる車両用運転支援装置の提供。 - 特許庁

When the value in the counter CT is at least 300 and less than 400, a scene in winter is displayed as a background display of each special pattern (Step S280).例文帳に追加

カウンタCTの値が300以上400未満の場合は、各特別図柄の背景表示として冬の風景が表示される(ステップS280)。 - 特許庁

To provide a mold with which a complicated pattern shape can easily be fabricated by a less number of steps, and in addition, the heights in the unevenness of which are uniform, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable continuous production of a large surface area of pattern with less environmental load.例文帳に追加

環境負荷が少なく、大面積を連続的に生産することが可能となる導電性パターンの形成方法、配線板の製造方法及び配線板を提供する。 - 特許庁

In addition, no laser radiation is performed prior to dicing to the scribe line of a predetermined or less width on which a metal-containing accessory pattern is provided.例文帳に追加

また、金属を含むアクセサリパターンを配置したスクライブラインであって、所定の幅以下のスクライブラインには、ダイシングに先立つレーザ照射を行わないようにした。 - 特許庁

To provide a colored curable composition capable of forming a colored cured film with less dependence on developing time in pattern formation and with high light resistance.例文帳に追加

パターン形成における現像時間の依存性が小さく、耐光性の高い着色硬化膜を形成しうる着色硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

When the value in the counter CT is at least 200 and less than 300, a scene in autumn is displayed as a background display of each special pattern (Step S270).例文帳に追加

カウンタCTの値が200以上300未満の場合は、各特別図柄の背景表示として秋の風景が表示される(ステップS270)。 - 特許庁

To provide a negative colored photosensitive composition excellent in pattern adhesion and suitable for use in production of a color filter with less residue and good development margin.例文帳に追加

パターン密着性に優れ、かつ残渣、現像マージンが良好なカラーフィルターの製造に供されるネガ型着色感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polarizing lens which excels in impact resistance and productivity, and moreover, is less apt to cause color unevenness, such as rainbow pattern or distortion, and to provide a manufacturing method for the polarizing lens.例文帳に追加

耐衝撃性や生産性に優れ、しかも虹模様等の色ムラや歪みが発生し難い偏光レンズおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a glass ceramic substrate with less variation in adhesion density of a wiring pattern to be attached later being formed on the surface of the glass ceramic substrate.例文帳に追加

ガラスセラミック基板の表面に形成する後付け配線パターンの、密着強度のばらつきの少ないガラスセラミック基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of specifying the position of a line pattern with higher accuracy (accuracy of a unit less than one pixel of a reading image pitch) than an image reading resolution.例文帳に追加

ラインパターンの位置を、画像読取解像度よりも高い精度(読取画像ピッチの1画素未満単位の精度)で特定することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for realizing a formation of a resist pattern having a minimum size of less than an exposure wavelength (1/2) by simultaneously satisfying a resolution and a focal depth.例文帳に追加

解像度と焦点深度とを同時に満たし、露光波長の(1/2)未満の最小サイズを持つレジストパターンを形成し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for interlayer insulation films capable of using a general-purpose developer and ensuring less film thickness reduction of a formed pattern.例文帳に追加

汎用の現像液を使用可能であり、かつ、形成されたパターンの膜減りが少ない層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method to form an organic supermolecular pattern of several nanometers or less using the self-assembly of organic supermolecules and selective chemical adsorption of metals.例文帳に追加

有機超分子の自己集合及び金属の選択的化学吸着を用いて数ナノメートル以下の有機超分子パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The pattern size of the photomask 8 is allowed to be less than the length of from one end to the other end of adjacent two light shielding patterns 3 and 3.例文帳に追加

フォトマスク8のパターンサイズは、遮光膜3の隣接する2箇所の遮光膜パターンの端から端までの寸法よりも少し小さくなっている。 - 特許庁

The graphite powder having a spacing of (002) planes in c axis determined by a lattice constant precision measuring method from X-ray diffraction pattern of 3.368 Å or less is preferably used.例文帳に追加

黒鉛粉末は、X線回折図から格子定数精密測定法で求めたc軸(002) 面格子間隔の値が3.368 Å以下であるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a multi-layer structure and minute structure plotting method in which a pit pattern of diffraction limit or less can be formed using a laser beam.例文帳に追加

レーザー光を用いて回折限界以下のピットパターンを形成できる多層構造体及び微細描画方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To light a circular arc region at high illuminance with less illuminance irregularities by fining the pitch of an interference pattern in a lighting device using a circular arc MLA.例文帳に追加

円弧MLAを用いた照明装置において干渉縞のピッチを細かくして、円弧領域の照明を高照度かつ照度むら少なく照明する。 - 特許庁

To provide a method for forming an organic supramolecule pattern with a dimension of a nanometer or less using self-assembly of organic supramolecules and ultraviolet etching process.例文帳に追加

有機超分子の自己集合及びUVエッチングを用いて数ナノメートル以下の有機超分子パターンを形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

In addition, from read image data, a primary differentiated value of gradation value at the corresponding position of the test pattern and at an adjoining read pixel position is calculated (S84), and a test pattern arrangement possibility (adaptability) of the test pattern to a candidate position of the less than 1-pixel unit of the read pixel pitch is derived from the primary differentiated value (S86).例文帳に追加

また読取画像データから、テストパターンの対応位置及び隣接読取画素位置における階調値の一次微分値を算出し(S84)、読取画素ピッチの1画素未満単位の候補位置に対するテストパターンのテストパターンの配置可能性(適合度)を一次微分値から導出する(S86)。 - 特許庁

When the remaining charged amount M lowers to less than the reference remaining amount Mref, in a step S4, a present shift pattern is determined whether it is a first pattern adopted when the remaining charged amount is sufficient or a second pattern adopted when the remaining charged amount is not sufficient.例文帳に追加

充電残量Mが基準残量Mrefを下回っていればステップS4へ進み、現在の変速パターンが、充電残量が十分な場合に採用される第1パターンおよび充電残量が不十分な場合に採用される第2パターンのいずれであるかが判定される。 - 特許庁

Further, the diffusion reflection plate is manufactured by using a photomask 32 prepared by combining a region of pattern of size of resolution limit or more, a region of pattern less than resolution limit and a region having no pattern and, thereby, the liquid crystal display device can be manufactured with a few processes, at a good yield and at a low cost.例文帳に追加

また、この拡散反射板を、解像限界以上のサイズのパターンの領域と解像限界未満のパターンの領域とパターンのない領域とを組み合わせたフォトマスク32を用いて作製することにより、少ない工程で歩留まり良く安価に作製できるようにする。 - 特許庁

To provide a forming method of a resist pattern, a manufacturing method of a semiconductor device and a forming device for the resist pattern, which are capable of forming a fine pattern by comparatively simple and inexpensive equipment, and further, excellent in a dimensional accuracy and productivity and the less production of a substandard article.例文帳に追加

比較的に簡易且つ低コストの設備で微細パターンを形成することができ、しかも、寸法精度に優れて規格外れが少ない生産性に優れたレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive photoresist composition having superior sensitivity and resolution, capable of giving a good section shape of a resist pattern and less susceptible to a light proximity effect, that is, ensuring a small size difference between an isolated resist pattern and a dense resist pattern.例文帳に追加

感度、解像性が優れ、かつ良好なレジストパターン断面形状を与えることができるという特性に加えて、光近接効果による影響の少ない、すなわち孤立レジストパターンと密集レジストパターンのサイズの差が少ない化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Further, the pattern width W of the resist pattern 3a for the mark for exposure position confirmation is less than the thickness of the conductor layer, and when the conductor layer is processed by the wet etching, the conductor layer 3a positioned below the resist pattern 4a for the mark for exposure position confirmation is removed.例文帳に追加

また、露光位置確認マーク用レジストパターン3aのパターン幅Wは導電体層の厚さ以下であり、導電体層をウェットエッチングした際に、露光位置確認マーク用レジストパターン4aの下に位置する導電体層3aが除去されることを特徴とする。 - 特許庁

From the adaptability related to the candidate position, a corresponding position of the less than 1-pixel unit of the test pattern is obtained (S88), and from the corresponding position of the pixel unit and the corresponding position of the less than 1-pixel unit of the read pixel pitch acquired from the results of S82 and S88, a recording position of the test pattern is calculated (S90).例文帳に追加

候補位置に関する適合度からテストパターンの1画素未満単位の対応位置が求められ(S88)、S82及びS88の結果から取得された読取画素ピッチの画素単位の対応位置及び1画素未満単位の対応位置からテストパターンの記録位置が算出される(S90)。 - 特許庁

When stably printing a light diffusion pattern by using ultraviolet curing ink, a minimum diameter of a minimum unit of the light diffusion pattern (for example, a dot) can be made smaller than the case when using solvent ink, and a dot diameter of minimum dot can be made less than 0.2 mm, and further, less than 0.15 mm.例文帳に追加

本発明者は、紫外線硬化型インキを用いて光拡散パターンを工業的に安定に印刷した場合、当該光拡散パターンの最小単位(例えば、ドット)の最小径を、溶剤型インキを用いた場合よりも小さくでき、最小ドットのドット径を0.2mm未満、さらには0.15mm未満にできることを発見した。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board which can cause less deformation in a conductor pattern or less mutual positional displacement therein, and can suppress an increase in the resistance of a conductive material for interlayer connection, with a high reliability.例文帳に追加

導体パターンの変形や相互の位置ズレが起き難く、導体パターンを層間接続する導電材料の抵抗上昇を抑制することができ、高い信頼性を有する多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glazed substrate 2 which meets conditions that surface waviness 5 of a second convex glazed layer 4 is 0.2 μm or less, straightness B in a direction of length of a pattern is 10 μm or less, and a radius R of curvature at an end is in a range of 3-5 mm.例文帳に追加

凸状の第二グレーズ層4の表面うねり5が0.2μm以下、パターン長さ方向の直線度Bが10μm以下、先端曲率半径Rが3〜5mmを満足するグレーズド基板2を提供すること。 - 特許庁

例文

More specifically, when the pattern falling does not occur or the specific number or less of patterns falling exist when exposure is made under poor conditions as compared with normal conditions, the resist pattern that is exposed under the more excellent conditions can be acknowledged to be no pattern falling even without inspection, and the presence or absence of the pattern falling can be checked simply and quickly.例文帳に追加

すなわち、通常より悪条件で露光した場合にパターン倒れが発生していないか、又は、パターン倒れが所定数以下であれば、それより良好な条件で露光した場合のレジストパターンについて検査しなくても、それがパターン倒れないものと認定でき、パターン倒れの存否を簡易かつ迅速に行うことができる。 - 特許庁




  
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