pattern lessの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 683件
In a substrate for a photomask which is formed into the photomask by forming a pattern for transfer on a main surface, the maximum value ΔZmax of height variation of a pattern region on the main surface is 8.5 μm or less.例文帳に追加
主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすためのフォトマスク用基板であって、主表面上のパターン領域の高さ変動の最大値ΔZmaxが、8.5(μm)以下である。 - 特許庁
To make it possible to prevent deviation from the design of a lithography pattern that is caused by the switching of lithograph devices, when forming a resist pattern that includes a layout with a minimum line width of 100 nm or less.例文帳に追加
最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。 - 特許庁
To provide a pattern formation method capable of plotting a photosensitive material for an ultraviolet ray in a pattern with high throughput by a mask-less direct plotting exposure device having an irradiating light source being an h-line in a main wavelength.例文帳に追加
主波長がh線である照射光源を持つマスクレス直接描画露光装置で紫外線用の感光性材料を高スループットにパターン描画可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method for improving uniformity in adherence and ensuring formation of a pattern with less defects without generating an acid at the adherence portion of fine particles, and to provide a device production process.例文帳に追加
微粒子の付着部分に酸を発生させることがなく、付着の均一性を向上させ、低欠陥なパターンを形成することが可能となるパターン形成方法、デバイス作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加
2回のリソグラフィ工程によるSADP法(Self Align Double Patterning)を用いて、第1配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第1配線パターンを形成し、第2配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第2配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁
The spiral conductor pattern 8 which is closer to the capacitor part 5 than the spiral conductor pattern 10 constituting the inductor part 13 with the other spiral conductor pattern is less in number of turns or/and narrower in line width than the other spiral conductor pattern 10.例文帳に追加
インダクタ部13を構成する複数のスパイラル状導体パターン8,10のうち、最もコンデンサ部5に近いスパイラル状導体パターン8は、他のスパイラル状導体パターン10よりも巻回数が少ない構成と、他のスパイラル状導体パターン10よりもライン幅が狭い構成とのうちの一方又は両方を有する。 - 特許庁
The crosstalk evaluation section writes a first data pattern having less noise in a specific area of a magnetic disk to measure the writing speed or a writing time of the first data pattern, then writes a second data pattern having more noise in the specific area of the magnetic disk to measure the writing speed or the writing time of the second data pattern.例文帳に追加
磁気ディスクの特定領域にノイズの少ない第1のデータパターンを書き込み該第1のデータパターンの書込み速度又は書込み時間を測定し、次に、磁気ディスクの前記特定領域にノイズの多い第2のデータパターンを書き込み該第2のデータパターンの書込み速度又は書込み時間を測定する。 - 特許庁
By using the manufacturing device and rotating the flower pattern die 8, the contraction work for the pipe diameter after rolling is conducted with 20% or less diameter contraction rate.例文帳に追加
この製造装置を使用し、花柄ダイス8を回転させながら、縮径率が20%以下で転造後の管の縮径加工を行う。 - 特許庁
To carry out the evaluation of the defect inspection or the like of a test piece having a pattern of a minimum line width of 0.2 μ or less by using a multiple beam at high throughput.例文帳に追加
最小線幅0.2ミクロン以下のパターンを有する試料の欠陥検査等の評価を、マルチビームを用いて高スループットで行なう。 - 特許庁
Therefore, while maintaining strong phase shift effects as features of a conventional crome-less phase shift mask, pattern falling can be suppressed.例文帳に追加
したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 - 特許庁
To provide a resist composition for EUV from which less gas is released and which is suitable for lithography with EUV, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
脱ガスが少なく、EUVによるリソグラフィー用として好適なEUV用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To create surface processing data for forming a less-strained, impressive grained pattern on a product surface even when a product shape is not a developable surface.例文帳に追加
可展面でない製品形状であっても、製品表面に歪みの少ない、見栄えの良い絞が形成される表面加工データを作成する。 - 特許庁
To provide a pattern correction method which corrects disconnected electrodes by using a fine wire as thin as 10 μm while less contaminating the panel.例文帳に追加
10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、基板の汚染が少ないパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electron beam device to carry out with high throughput evaluation of a test piece such as a semiconductor wafer having a minute pattern of 0.1 μm or less.例文帳に追加
0.1μm以下の微細パターンを有する半導体ウエハ等の試料の評価を高スループットで行うための電子線装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a wiring pattern with very fine wire width of 100 nm or less on various kind of printed boards by an ink jet printing process.例文帳に追加
インクジェット印刷工程により、各種プリント基板上に100nm以下の微細線幅の配線パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a resist composition that can give a resist pattern having an excellent exposure margin and a mask error factor and less generation of defects.例文帳に追加
優れた露光マージン及びマスクエラーファクターを有し、且つ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To obtain a resist material which causes neither surface roughness nor pattern roughness to exposure light of which the wavelength is 300 nm band or less.例文帳に追加
波長が300nm帯又はそれ以下の露光光に対して、表面荒れ及びパターンラフネスが生じないレジスト材料を得られるようにする。 - 特許庁
To prevent an electrifying means from being soiled by a density sensor pattern or untransferred toner when transfer material is jammed in a cleaner-less image forming apparatus.例文帳に追加
クリーナーレスの画像形成装置において、濃度センサーパターンや転写材のジャム時の未転写トナーにより帯電手段が汚れることを防止する。 - 特許庁
Increase of surface gloss of the coating film is suppressed and Moire pattern of light can be made less noticeable by formulation with the thermoplastic fluororesin.例文帳に追加
熱可塑性フッ素樹脂の配合により、コーティング膜の表面光沢の増加を抑え、光の干渉模様を目立たなくすることができる。 - 特許庁
To provide a method of dry-etching a low-permittivity interlayer insulating film which brings forth a small CD loss, causes no damage to the film, and is set less pattern-dependent than usual.例文帳に追加
CDロスが小さく、膜ダメージもなく、また、パターン依存性の抑制された低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法の提供。 - 特許庁
To provide a plasma processing method capable of reducing sparse and dense micro-loading in a pattern where the dense space width is 20 nm or less.例文帳に追加
本発明は、密部スペース幅20nm以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To finish a beautiful wall surface in which a pattern is not discontinuous at the joint of building plates, and the joint of the building plates is less conspicuous.例文帳に追加
建築板の継ぎ目で模様パターンが不連続にならず、建築板の継ぎ目が目立たない美しい壁面に仕上げることができるようにする。 - 特許庁
To provide a low-cost photosensitive paste composition, with which a high-definition pattern in a thin film having a low resistance and less roughness at a pattern edge can be formed on a glass substrate, and to provide a method for forming a pattern that uses the photosensitive paste composition.例文帳に追加
安価で、かつ薄膜で、抵抗値が低く、パターンエッジの荒れが少ない高精細なパターンをガラス基板上に形成可能な感光性ペースト組成物ならびに前記感光性ペースト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Then, a liquid crystal display device 131 reports the pattern stop position capable of stop-displaying the ready-to-win pattern by the maximum number of slide frames or less when the variable display of the patterns in all pattern display areas 21L, 21C and 21R is stopped by a CPU 31.例文帳に追加
そして、液晶表示装置(131)は、CPU(31)により図柄表示領域(21L,21C,21R)の全てにおける図柄の変動表示が停止されたときにリーチ目を最大滑り駒数以下で停止表示できる図柄停止位置を報知する。 - 特許庁
To provide a photo-curable composition capable of forming a pixel pattern having a minute pattern size such as line width of 2.5 μm or less with a low exposure amount, capable of suppressing the occurrence of residue between pixels and capable of suppressing exposure dependency of the pattern size low.例文帳に追加
微細な(例えば、線幅2.5μm以下の)パターン寸法を有する画素パターンを、低い露光量で形成することができ、画素間の残渣の発生を抑制することができ、パターン寸法の露光量依存性が低い光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁
In the ceramics heater obtained in this way, fluctuations in thickness of the exothermic body can be made within ± 5% or less, and fluctuations in the width direction of the exothermic body pattern can be made within ± 3% or less against the design value.例文帳に追加
このようにして得られたセラミックスヒータは、発熱体の厚さのばらつきを±5%以下とすることができ、発熱体パターンの幅方向のばらつきを設計値に対して±3%以下とすることができる。 - 特許庁
Further, the profile data of pattern included in the reflective electron image can be extracted from at least not less than two reflective electron images produced by detecting reflective electrons at not less than two different spatial positions.例文帳に追加
なお、2つ以上の異なる空間的な位置で反射電子を検出して生成された少なくとも2つ以上の反射電子像から、反射電子像に含まれたパターンの輪郭データを抽出するようにしてもよい。 - 特許庁
To provide a resist material with excellent linearity capable of forming a fine resist pattern less than 2.0 μm in a low NA condition with NA less than 0.2, suitably used for system LCD manufacturing.例文帳に追加
NAが0.2以下のような、システムLCDの製造に好適に使用される低NA条件下でも、2.0μm以下の微細なレジストパターンを形成可能であるようなリニアリティに優れたレジスト材料を提供すること。 - 特許庁
The stamper includes a plate-like body having a Young's modulus of not less than 50 to not more than 500 GPa, a thickness of not less than 200 to not more than 1,000 μm, and a warp with a curvature of not less than 2×10^-5 to not more than 2×10^-3, and a fine structure pattern to be transferred is mounted on one surface.例文帳に追加
ヤング率が50GPa以上500Gpa以下、厚さが200μm以上1000μm以下であって、曲率が2×10^-5以上2×10^-3以下である反りを有する板状体からなり、その一面に転写すべき微細構造パターンが設けられているスタンパ。 - 特許庁
At the end of a special game after occurrence of a big win, when a big win occurs in a special figure pattern mode comprising an odd number figure pattern, a high probability (1/10) and a frequency cutting frequency (4) less than the number of reservable balls '4' are established.例文帳に追加
大当たり発生後の特別遊技終了時において、奇数図柄からなる特別図柄態様で大当たりした場合に、高確率(1/10)と、保留可能球数「4」以下の回数切り回数(4)が設定される。 - 特許庁
As a result, resonance between a ground pattern 17 of a circuit board 15 tends to occur less, in the upper casing 10A and a ground pattern 18 of a circuit board 20 in the lower casing 10B, and antenna performance can be improved.例文帳に追加
これにより、上筐体10A内の回路基板15のグランドパターン17と下筐体10B内の回路基板20のグランドパターン18との間で共振が起こり難くなり、アンテナ性能の向上が図れる。 - 特許庁
This approximation method guarantees that channel allocations will be no less than 1/6 of an optimal channel allocation scheme, if the interference pattern associated with APs within a given WLAN conforms to a unit disk graph interference pattern.例文帳に追加
ある近似法は、所与のWLAN内のAPに関連する干渉パターンが単位円グラフの干渉パターンに一致するならば、チャネル割当て方式が最適なチャネル割当て方式の1/6以上であることを保証する。 - 特許庁
To provide an optical element capable of taking out diffracted light beams in accordance with the pattern of a diffraction optical element outside a substrate even when the pattern pitch of the patter of the diffraction optical element is less than the wavelength of incident light.例文帳に追加
回折光学素子パタンのパタンピッチが入射光の波長以下であっても、当該回折光学素子パタンによる回折光を基板外部に取り出すことができる回折型光学素子を提供する。 - 特許庁
Each representation of a design, which consists of a repeating surface pattern, shall show the complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width, and shall not be of less size than 13.00 centimeters by 10.00 centimeters. 例文帳に追加
繰返し表面模様から構成される意匠の各表示は,完全な模様並びに長さ及び幅で当該繰返しの十分な部分を示し,かつ,寸法は少なくとも縦13.00cm,横10.00cmでなければならない。 - 特許庁
To provide a metal pattern forming method and a conductive film forming method capable of forming a metal pattern and a metal film having excellent adhesion to a board when less irregularities are present on a board interface.例文帳に追加
基板界面の凹凸が少ない場合であって基板と金属膜との密着性に優れた金属パターン、金属膜を形成可能な、金属パターン形成方法及び導電膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus which produces less incorrect separation between characters on a dot matrix and a dot matrix pattern by separating characters on the dot matrix in a legible manner and reproducing a dot matrix pattern without uncomfortable feeling during operation in economy mode.例文帳に追加
エコモード使用時に、網点上の文字を判読可能な程度に分離し、網点絵柄を違和感なく再生し、網点上の文字と網点絵柄との誤分離が少ない画像処理装置を提供する。 - 特許庁
The plurality of wiring patterns 2 are formed in one portion of the metal foil pattern formation region 4 so that the ratio of the width of the wiring pattern 2 to the interval between the wiring patterns 2 becomes not less than 1 and not more than 8.7.例文帳に追加
金属箔パターン形成領域4の一部では、配線パターン2同士の間隔に対する配線パターン2の幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように、複数の配線パターン2を形成している。 - 特許庁
To accurately detect a specific pattern less apt to interfere with vision by identifying the pixel which cannot be identified by a paper fiber as the specific pattern pixel from the result identifying the paper fiber from the specific color pixel.例文帳に追加
特定の色画素の中から紙繊維を識別した結果より、紙繊維が識別できない画素を特定パターン画素として識別することで、視覚の邪魔になり難い特定パターンを精度良く検出する。 - 特許庁
To provide a color image forming device having less toner consumption by not forming toner of a foundation and forming a patch pattern in a recording medium and detecting the patch pattern with high S/N ratio.例文帳に追加
本発明の課題は、下地のトナーを形成せずにパッチパターンを記録媒体に形成し、これを高いSN比で検出することによりトナーの消費量の少ないカラー画像形成装置を提供することである。 - 特許庁
As a preferred processing condition of cleaning a substrate that is formed with an Al wiring pattern, a gas flow rate of 80 L/min is used to process a substrate that is formed with a pattern having an aspect ratio of less than 2.2.例文帳に追加
好適な処理条件の1つとして、Al配線パターンが形成された基板上において、アスペクト比2.2未満のパターンが形成された基板に対して、気体流量80L/minで処理を行う。 - 特許庁
If the dot diameter of the minimum dot of the light diffusion pattern can be made less than 0.2 mm, the uniformization of the luminance over the entire surface of light guide plate itself can be promoted.例文帳に追加
そして、光拡散パターンの最小ドットのドット径を0.2mm未満にできれば、導光板自体の全面に亘る輝度の均一化を促進できる。 - 特許庁
A plane size of the irregular pattern P is almost a rectangle of 50 nm×50 nm to 30 μm×15 mm, and flatness of the disk is 50 μm or less.例文帳に追加
凹凸パターンPの平面サイズが50nm×50nm〜30μm×15mmの略矩形であり、ディスクの平坦度が50μm以下である。 - 特許庁
While, when the engine cooling water temperature is the injection pattern switching water temperature or less, after starting the cranking, the fuel injection is performed synchronously with an intake stroke.例文帳に追加
一方、機関冷却水温が噴射パターン切り替え水温以下であった場合には、クランキング開始後、吸気行程に同期して燃料噴射を実行させる。 - 特許庁
Whether the storage value of the number of starting held balls of a pattern display device is less than four, that is, other than four, is judged (step S15).例文帳に追加
図柄表示装置の始動保留球数の記憶値が上限値である4よりも少ない、即ち、4以外であるか否かを判定する(ステップS15)。 - 特許庁
To provide a pattern correction device which can repair electrode discontinuities by using a fine wire as thin as approximately 10 μm while less contaminating the area around the defective sections.例文帳に追加
10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正装置を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern correcting method in which an electrode breaking part etc., can be corrected with a thin wire of about 10 μm and a defective portion periphery is contaminated less.例文帳に追加
10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
At this time, the first insulating film pattern around the contact plug is prevented from being etched more or less due to the first etching ratio and the second etching ratio.例文帳に追加
このとき、前記第1食刻比と第2食刻比によって前記コンタクトプラグの周辺の第1絶縁膜パターンが食刻されることが多少緩和される。 - 特許庁
Important sections, such as semiconductor laser sections, can be protected, since the defective connection such as the short circuit is less likely to occur in the small-width pattern terminals 143 to 145.例文帳に追加
細幅パターン端子143〜145は、短絡などの接続不良を起こしにくいので半導体レーザ部などの重要部を保護することができる。 - 特許庁
To provide a chemically amplified negative resist composition less liable to cause bridges and having small substrate dependency of a pattern thereof, and to provide a patterning process using the same.例文帳に追加
ブリッジが発生しにくく、また、パターンの基板依存性の小さな化学増幅ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern correction method for correcting a disconnection portion of an electrode or the like with a thin wire of about 10 μm while having less contamination around a defective portion.例文帳に追加
10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
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