「react on」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An offensive smell in facilities (1) is discharged into a duct (2) and a spray means (5) for spraying weak acidic water in a mist form is provided on the way of the duct (2) to set the interior of the duct (2) on the downstream side of the spray means 5 as a reaction chamber (7) to react weak acidic water with the offensive smell component.例文帳に追加

施設(１)内の臭気をダクト(２)内へ捕集するとともに、このダクト(２)の途中に、弱酸性水をミスト状にして噴霧する噴霧手段(５)を設けて、その下流のダクト(２)内を反応室(７)として、前記弱酸性水と臭気成分を反応させるようにする。 - 特許庁

In the treatment chamber 40, the objects to be treated 18 installed on a supporting base 14 are heated by a resistance heater 20, and the oxide films formed on the surfaces of the objects 18 and the hydrogen radical react with each other to reduce and remove the oxide films.例文帳に追加

処理室４０においては、支持台１４上に設置された被処理物１８，１８，…が、抵抗加熱ヒータ２０によって加熱されおり、この被処理物１８，１８，…の表面に形成されている酸化膜と、水素ラジカルと、が互いに反応し合うことによって、当該酸化膜が還元され、除去される。 - 特許庁

A titania-containing layer 3 is formed on the substrate 2 and a catalyst support layer 4 containing the alkali metal is formed on the titania-containing layer 3 to prevent the alkali metal of the catalyst support layer 4 from coming into contact with the substrate 2 to react therewith by the titania-containing layer 3.例文帳に追加

基材２にチタニア含有層３を形成し、このチタニア含有層３の上にアルカリ金属を含む触媒担持層４を形成することにより、触媒担持層４のアルカリ金属が基材２に接触して該基材２と反応することをチタニア含有層３によって防止する。 - 特許庁

If the temperature continues to rise as the temperature-sensitive shutoff device 20 does not react, is delayed in reaction or repeats on and off, a soluble alloy 32 of the temperature fuse device 30 melts down, securing a complete shutoff of the circuit.例文帳に追加

感温遮断装置２０が無反応、反応遅延または通電（ＯＮ）、遮断（ＯＦＦ）を繰り返して温度が継続して上昇する場合、温度ヒューズ装置３０の可溶合金３２が溶断し、回路の完全に遮断（ＯＦＦ）が確保される。 - 特許庁

Furthermore, the plate-like powder included in the resultant mold is made to react with the perovskite-forming raw material and on/after the reaction, the surplus components produced by the reaction are thermally/chemically removed (a reacting and removing process).例文帳に追加

さらに、得られた成形体に含まれる板状粉末とペロブスカイト生成原料とを反応させ、この反応と同時に、又は、反応後に、反応により生成した余剰成分を熱的又は化学的に除去する（反応・除去工程）。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor, obtained by disposing a resin layer on an electrically conductive substrate, the resin layer is formed by making organic polymers react which have a metal alkoxide group at the end of its principal chain.例文帳に追加

導電性支持体上に樹脂層を設けてなる電子写真感光体において、該樹脂層が主鎖末端に金属アルコキシド基を有する有機重合体を反応させて形成されることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

Calcium phosphate hydrate is crystallized on the surface of the dephosphorizing material by causing the phosphorus component in the phosphorus-containing water to react with the dephosphorizing material when the phosphorus-containing water is passed through the reaction tank 3 while the reaction tank 3 is rotated.例文帳に追加

反応槽３を回転させた状態でリン含有水を反応槽３内に通水すれば、リン含有水のリン成分が脱リン材と化学反応を起こし、リン酸カルシウム水和物として脱リン材の表面に晶析する。 - 特許庁

The producing method of the antibacterial polymer comprises a vapor deposition polymerization of a gas obtained by vaporizing the diaminobenzoic acid monomer or the halogen element-containing diamine monomer and a gas obtained by vaporizing the monomer which can react with the former monomers on the surface of the article to be deposited in vacuum.例文帳に追加

ジアミノ安息香酸モノマー又はハロゲン元素含有ジアミンモノマーを蒸発させて得たガスと、これらのモノマーと反応し得るモノマーを蒸発させて得たガスとを、真空中で物品表面上で蒸着重合させる。 - 特許庁

On the other hand, if alicyclic polycarboxylic anhydride is used which is liquid or a solid of a low melting point, the phosphonium carboxylate is produced safely at an industrial level and simply by dropping the alicyclic polycarboxylic anhydride to react.例文帳に追加

しかし、脂環族ポリカルボン酸無水物を使用すると、液状若しくは低融点固体であるため、脂環族ポリカルボン酸無水物を滴下し反応させることでホスホニウムカルボキシレートを工業レベルで安全に、かつ簡便に製造できる。 - 特許庁

Next, after an aluminum film is formed on the silicon oxide film 20 and the copper film 24, the copper film 24 and the aluminum film are made to react with each other by applying heat treatment, and an alloy film 27 is formed between the copper film 24 and the aluminum film.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜２０および銅膜２４上にアルミニウム膜を形成した後、熱処理を施すことにより、銅膜２４とアルミニウム膜を反応させ、銅膜２４とアルミニウム膜の間に合金膜２７を形成する。 - 特許庁

When the PET film is peeled off the substrate after the irradiation with light for making the thin film layer react by an exposure machine, the sand-blasted unevenness is transferred on the thin film layer, and the unevenness of good light diffusibility is obtained.例文帳に追加

露光機で薄膜層が反応する光線を照射したのち、この基板からＰＥＴフィルムを剥がすと、薄膜層上にはサンドブラスト加工された凹凸が転写されており、光の拡散性にすぐれた凹凸形状であった。 - 特許庁

This method for producing hydrogen-containing gas features that a catalyst containing zinc oxide, palladium and platinum is used on the production of reformed gas consisting essentially of hydrogen by allowing methanol to react with water vapor and oxygen.例文帳に追加

メタノールを水蒸気および酸素と反応させて水素を主成分とする改質ガスを製造する際に、酸化亜鉛、パラジウムおよび白金を含有する触媒を使用することを特徴とする水素含有ガスの製造法。 - 特許庁

1,4-Alkanediol and/or a cyclic ether are allowed to react with ammonia or an alkylamide in the presence of a catalyst of titanium and/or lantern on alumina in the vapor phase.例文帳に追加

１，４−アルカンジオール及び／又は環状エーテルとアンモニア又はアルキルアミンをアルミナにチタン及び／又は又はランタンを坦持した触媒の存在下に気相接触反応を行うことを特徴とする環状アルキレンイミン類の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicide structure is that the silicide structure is self-aligned and prevented from increasing in sheet resistance due to a reduction in a wire width by taking advantage of the specific characteristic of cobalt in which cobalt moves downward to react on silicon atoms.例文帳に追加

コバルトの下向きに移動してシリコン原子と反応する特有の特性を利用して線幅の微細化に起因するシート抵抗の増大の問題が防止された自己整列したシリサイド構造体の製造方法について開示する。 - 特許庁

Prior to sputtering formation of a phase shift film on a transparent substrate by using a plurality of targets, surfaces of the targets are sputtered by using a gas (for example, argon) that does not substantially react with the targets.例文帳に追加

複数のターゲットを用いて透明基板上に位相シフト膜をスパッタリング成膜するに先立ち、これら複数のターゲットの表面を、ターゲットと実質的に反応しないガス（例えばアルゴン）を用いてスパッタ処理することとした。 - 特許庁

The positive electrode 1 is disposed on the other side of the separator 5 and is composed of a catalyst layer 1a which causes positive ions to react with oxygen in air and a diffusion layer 1b having countless vent holes through which oxygen in air passes, the catalyst layer 1a and the diffusion layer 1b being stacked in increasing order.例文帳に追加

正極１は、セパレータ５の他側に設けられ、陽イオンと空気中の酸素とを反応させる触媒層１ａと、空気中の酸素が通過する無数の通孔が形成された拡散層１ｂとが順に積層されている。 - 特許庁

A gaseous mixture of activated gas and inert gas is supplied by a gas mixing machine 5 to the inner space and the outer space of a photomask 1 with a pellicle, which is housed in a chamber 2 to thereby allow a foreign matter on the photomask 1 with a pellicle to react and dissolve.例文帳に追加

ガス混合機５によりチャンバー２内に収容されたペリクル付きフォトマスク１の内部空間および外部空間に活性ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給し、これによりペリクル付きフォトマスク１の異物を反応させて溶解させる。 - 特許庁

While applying a voltage between the silicon substrate 1 and a counter electrode 5 in the processing bath 2, the oxidizing solution 3, such as nitric acid, is made to react with the silicon substrate 1 so that a silicon dioxide film 15 is formed on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

処理槽２内に設置した、シリコン基板１と対向電極５との間で電圧を印加した状態で、シリコン基板１に硝酸等の酸化性溶液３を作用させて、前記シリコン１の表面に二酸化シリコン膜１５を形成する。 - 特許庁

The production process of a silicon wafer comprises a contaminant activation step for bringing the charged state of contaminants in the silicon wafer into activated state where the contaminants react easily on an oxygen deposition nucleus by irradiating the contaminants with a laser beam.例文帳に追加

シリコンウェーハ中の汚染物にレーザー光を照射することにより、前記汚染物の電荷状態を酸素析出核と反応しやすい活性化された状態とする汚染物活性化工程を備えるシリコンウェーハの製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for covering or treating a substrate by applying the gas containing film forming particles necessary for the covering which are deposited on a substrate surface or react with the substrate surface to the substrate surface in which a desired range of the substrate surface can be covered, or reacted with the gas, and in particular, the CVD process is applicable.例文帳に追加

本発明は基板の面に析出され、ないしは基板の面と反応する、被覆のために必要な膜形成粒子を含むガスを基板の面に作用させてこれを被覆ないしは処理するための方法及び装置に関する。 - 特許庁

In the detection for the fluorine-containing compound gas, the fluorine-containing compound gas is brought into contact with solid metal added with an alkali metal hydroxide or a metal oxide on its surface within a temperature range of 100-1000°C to react catalytically, to detect generated gas.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスの検出として、フッ素含有化合物ガスと表面にアルカリ金属水酸化物または金属酸化物を添着した固体金属と１００〜１０００℃の温度範囲で接触反応させ、生成したガスを検出する。 - 特許庁

This method is provided with a reaction process for making a sample liquid having the possibility of containing histamine react with 2,3-naphthalene dicarboxy aldehyde under a condition of pH8 or less, and a process for detecting the histamine, based on coloration generated in the reaction process.例文帳に追加

ヒスタミン含有可能性のある試料液と２，３−ナフタレンジカルボキシアルデヒドとを、ｐＨ８以下で反応させる反応工程と、前記反応工程により生じる呈色に基づいて前記ヒスタミンを検出する工程と、を備えるようにする。 - 特許庁

When the temperature-sensitive interruption device 20 does not react, delays in reaction, or repeats electricity conduction (ON) and shutoff (OFF) to cause temperature to continuously rise, soluble alloys 33, 33' of the thermal fuse device 30 melt down to secure perfect shutoff (OFF) of the circuit.例文帳に追加

感温遮断装置２０が無反応、反応遅延または通電（ＯＮ）、遮断（ＯＦＦ）を繰り返して温度が継続して上昇する場合、温度ニューズ装置３０の可溶合金３３、３３’が溶断し、回路の完全に遮断（ＯＦＦ）が確保される。 - 特許庁

A controller 10 controls plasma power of a plasma generator according to information on an engine operating state detected by a rotation sensor 18 and a load sensor 19, and controls so as to react and extinguish the particulate substance scavenged by the filter 3.例文帳に追加

コントローラ１０は，回転センサ１８と負荷センサ１９によって検出されたエンジン運転状態の情報に応じてプラズマ発生装置のプラズマ電力を制御し，フィルタ３に捕集されたパティキュレート物質を反応消滅させる制御を行う。 - 特許庁

When a titanium film is formed on the entire face of a wafer and heat-treatment is executed, the titanium silicide film 108 of the C54 phase does not react with the titanium film, but polysilicon exposed in the insulated part reacts with the titanium film and titanium silicide of a C49 phase is obtained.例文帳に追加

続いて、ウエハの全面にチタン膜を形成して加熱処理をすると、Ｃ５４相のチタンシリサイド膜１０８はチタン膜と反応しないが、断絶箇所で露出したポリシリコンはチタン膜と反応してＣ４９相のチタンシリサイドとなる。 - 特許庁

The method of modifying a macromolecule comprises the steps of: (i) providing the macromolecule; (ii) providing a compound of the general formula (I); and (iii) allowing the compound of the general formula (I) to react with the macromolecule so as to form grafts on the macromolecule.例文帳に追加

（ｉ）；高分子を提供する工程、（ｉｉ）；式（Ｉ）を有する化合物を提供する工程、および（ｉｉｉ）；式（Ｉ）の化合物を前記高分子と反応させて高分子にグラフトを形成する工程、を包含する高分子を変性する方法。 - 特許庁

To specifically react a protein complex labeled with a composite tag comprising a flag peptide and histidine with a nickel-bound carrier and an anti-flag antibody-bound carrier to determine the optimal reaction condition on the separation and purification of the protein complex.例文帳に追加

フラッグペプチドとヒスチジンとから成る複合タグで標識した蛋白質複合体をニッケル結合担体及び抗フラッグ抗体結合担体と特異的に反応させて、該蛋白質複合体を分離精製する際の最適な反応条件を求めること。 - 特許庁

In this manufacturing method, while a material gas for an interlayer insulation film is supplied, particles which do not react with the material gas are sprayed over the surface of semiconductor substrate 21 and 22, so that an interlayer insulation film 23, on which particles 24 are dispersed, is formed by the CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜の原料ガスを供給しながら半導体基板２１、２２の表面に原料ガスとは反応しない粒子を吹きかけることにより、粒子２４が分散した層間絶縁膜２３をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

The inexpensive delay unit 20 is secured to the switching valve 10, thereby the limit switch 24 does not react sensitively when the main valve 12 of the switching valve 10 temporarily turns on or off, and a control board 90 precisely grasps the switching condition of the switching valve 10.例文帳に追加

開閉弁１０に安価の遅延装置２０を付け、開閉弁１０の主弁１２が一時的開閉した場合リミットスイッチ２４が過敏に反応させず、そして制御盤９０が開閉弁１０の開閉状況を正確に捉える。 - 特許庁

In a film deposition chamber capable of controlling pressure- reduced atmosphere, a silicon dioxide film is deposited on a glass sheet or a resin sheet while irradiating an evaporation material of silicon with arc discharge plasma to evaporate silicon and allowing the resultant silicon vapor to react with oxygen.例文帳に追加

ガラス板または樹脂板上の二酸化珪素膜を、減圧された雰囲気が調整できる成膜室内で、シリコンの蒸着材料にアーク放電プラズマを照射し、これによりシリコンを蒸発させ酸素と反応させながら成膜する。 - 特許庁

After an Ni film 115 is formed to the entire part of the element forming surface of the silicon substrate 101 on which the sidewall 107 is formed, the silicon substrate 101 is heated to react between the silicon substrate 101 and the Ni film 115 in the source-drain region 109.例文帳に追加

サイドウォール１０７が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面全面に、Ｎｉ膜１１５を形成した後、シリコン基板１０１を加熱し、ソース・ドレイン領域１０９においてシリコン基板１０１とＮｉ膜１１５とを反応させる。 - 特許庁

The concentrated sulfuric acid shielded with the fine powders on the clay minerals, is brought into contact and react with the quick lime at the mixing, forming plaster (calcium sulfate), and the plaster facilitates to insolubilize stained materials such as harmful heavy metals by occuluding them therein, making them harmless.例文帳に追加

また粒状粘土鉱物表面の微粉で遮蔽されていた濃硫酸と生石灰とが接触して反応し、石膏（硫酸カルシウム）が生じて、石膏が有害重金属等の汚染物質を包み込んで不溶化を促進し無害化する。 - 特許庁

The method for producing propylene oxide comprises causing hydrogen, oxygen and propylene to react by a multi-stage process in the presence of a Ti-MWW layered precursor and a catalyst comprising palladium supported on a carrier in a mixed solvent of acetonitrile and water.例文帳に追加

Ｔｉ-ＭＷＷ層状前駆体とパラジウムを担体上に担持した触媒の存在下、アセトニトリルと水の混合溶媒中、水素と酸素とプロピレンを多段プロセスにより反応させることを特徴とするプロピレンオキサイドの製造方法。 - 特許庁

The catalyst for the aromatization of a lower hydrocarbon that causes the same to react with carbon dioxide to form an aromatic compound is prepared by depositing molybdenum and copper on a metallosilicate support and subsequently calcining them.例文帳に追加

前記課題を解決するための低級炭化水素芳香族化触媒は低級炭化水素及び二酸化炭素と反応して芳香族化合物を生成させる触媒であって、担体であるメタロシリケートにモリブデンと銅を担持した後に焼成してなる。 - 特許庁

As the silane modified polyamideimide resin, a product obtained by causing an alkoxysilane condensate containing glycidyloxy group to react on polyamideimide resin having a carboxyl group and/or an anhydride group at the end can be employed.例文帳に追加

前記シラン変性ポリアミドイミド樹脂としては、例えば、カルボキシル基および／または酸無水物基を末端に有するポリアミドイミド樹脂にグリシジルオキシ基含有アルコキシシラン縮合物を反応させることにより得られる生成物を用いることができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck capable of stably maintaining attraction even if using it in a long period since an electrostatic electrode does not react on a carbon even when the carbon is included in a ceramic substrate and/or ceramic dielectric film.例文帳に追加

セラミック基板および／またはセラミック誘電体膜中にカーボンが含まれている場合でも、静電電極がこのカーボンと反応することがないため、長期間使用してもチャック力を安定して維持することができる静電チャックを提供する。 - 特許庁

When air sent to a combustion chamber passes through the surface of a metal plate E fitted on the inside and the outside of an air cleaner, combustion-supporting and flammable gases in air are ionized and are allowed to react with fuel molecules for combustion.例文帳に追加

エアークリーナーの内外側に装着した金属製のプレートＥの表面を、燃焼室に送られる空気が通過する時に、空気中の支燃性及び可燃性ガスをイオン化し、燃料分子と反応させて燃焼するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a ceramic structure used for producing steel and holding the characteristics, such as high toughness and high thermal impact resistance, of a substrate itself by covering the surface of the substrate itself comprising a ceramic with a surface layer comprising a composite material based on Mo difficult to react with iron.例文帳に追加

本発明は，鉄と反応し難いＭｏをベースにした複合材から成る表面層でセラミックスから成る基盤本体を被覆し，基盤本体自体の高靱性，耐熱衝撃性等の特性を保持する製鋼用セラミック構造体を提供する。 - 特許庁

The most part of the water cure type resin 3 of the above support body 5 is maintained in an uncured state, and simultaneously, the water cure type resin 3 at a surface portion of the support body 5 is partially made to react and to be cured to form a protection film on the support body 5.例文帳に追加

上記支持体５の水硬化性樹脂３は、その大部分が未硬化状態に維持されているが、それと同時に、支持体５の表面部分の水硬化性樹脂３は部分的に反応・硬化させて支持体５に保護皮膜を形成する。 - 特許庁

In a jig for baking electronic parts having a thermally sprayed layer hard to react with the object to be baked on the surface of a base material, at least, the surface roughness of the face mounting the object to be baked is controlled within the range of 150 to 1,000 μm in terms of ten points average roughness.例文帳に追加

基材表面に被焼成物と難反応性の溶射層を有する電子部品焼成用治具において、少なくとも被焼成物を載置する面の表面粗さを十点平均粗さで１５０〜１０００μｍの範囲とする。 - 特許庁

After non-doped amorphous semiconductor layers 12a and 12b are respectively formed on source/drain layers 11a and 11b, a metallic film 13 is formed on the amorphous semiconductor layers 12a and 12b and the amorphous semiconductor layers 12a and 12b are silicified by making the semiconductor layers 12a and 12b and metallic film 13 to react with each other.例文帳に追加

ソース／ドレイン層１１ａ、１１ｂ上にノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをそれぞれ形成してから、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂ上に金属膜１３を成膜し、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂと金属膜１３とを反応させ、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをシリサイド化する。 - 特許庁

Silylation agent having a polycyclic aromatic functional group with 5 to 10 fused rings is made to react with hydroxyl group on the surfaces of carriers, stationary phase having the aromatic functional group is made to be formed on the surfaces of the carriers, thereby producing the fillers for liquid chromatography of the polychlorinated biphenyls or fullerenes.例文帳に追加

縮合環の数が５〜１０の多環芳香族官能基を有するシリル化剤を、担体表面の水酸基と反応せしめて、前記芳香族官能基を有する固定相を該担体の表面に形成せしめて、ポリ塩化ビフェニル類若しくはフラーレン類の液体クロマトグラフィー用充填剤を製造する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a preheating step of heating the surface of a silicon layer during formation of a metal film, when the metal film is formed on the silicon layer and then the silicon layer is heated to make the metal film react with the silicon layer and to form the silicide layer on the silicon layer.例文帳に追加

シリコン層の表面に金属膜を形成し、次いで、このシリコン層を加熱して金属膜とシリコン層とを反応させ、シリコン層の表面にシリサイド層に形成するに際し、金属膜の形成時にシリコン層の表面を加熱する前加熱工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 1 is subjected to a thermal treatment, by which the Ni film is made to react on Si contained in the semiconductor substrate 1 so as to form an Ni silicide layer 4, and an eutectic layer 5 composed of the Au film and Si contained in the semiconductor substrate 1 is formed.例文帳に追加

次いで、半導体基板１に熱処理を施すことにより、そのＮｉ膜と半導体基板１が含むＳｉを反応させてＮｉシリサイド層４を形成し、Ａｕ膜および半導体基板１が含むＳｉからなる共晶層５を形成する。 - 特許庁

A Zn particle in the targets A, B being subjected to sputtering is allowed to react with oxygen gas, and is arranged while being shifted from the axial direction of the opposing target, and is deposited on a substrate in which a gate electrode is formed for forming a ZnO film corresponding to the gate electrode.例文帳に追加

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 - 特許庁