「semiconductor array」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface light-emitting laser array is formed with a plurality of surface light-emitting laser elements including a semiconductor layer 100 having a first reflection mirror, an active layer, a current pinching part, and a second reflection mirror.例文帳に追加

第１の反射ミラーと、活性層と、電流狭窄部と、第２の反射ミラーとを含む半導体層１００を有する面発光レーザ素子が複数配置されている面発光レーザアレイである。 - 特許庁

To obtain a high-output semiconductor laser light emitter which is separated into a plurality of semiconductor laser light emitting elements arranged in an array state in a state of being secured to a support plate so that emission directions of laser beams are aligned and thermal stress is relieved, and has high reliability.例文帳に追加

支持板上に固着した状態で、アレイ状に配列された複数の半導体レーザ発光素子に分離することで、レーザ光の射出方向をそろえ、熱応力を緩和して、信頼性の高い、高出力の半導体レーザ発光装置を得ることを可能とする。 - 特許庁

To form an optical dot (optical scanning) on a surface to be scanned without using a mechanical optical scanning means such as a rotary polygonal mirror, by providing images on a photoreceptor surface with respective optical beams from a semiconductor laser array optical source constructed of semiconductor laser elements arrayed in a line, by using an imaging lens.例文帳に追加

列状に半導体レーザ素子を配列してなる半導体レーザアレイ光源からの各光束を結像レンズを用いて感光面上に結像せしめることにより、回転多面鏡等の機械的光走査手段を用いることなく被走査面上での光ドット形成（光走査）を行う。 - 特許庁

To perform optical dot formation (optical scanning) on a scanned surface without using mechanical optical scanning means such as rotating polygonal mirror by forming an image of light beams from a semiconductor laser array light source formed of semiconductor laser elements arranged in a row on a photosensitive surface by use of an image forming lens.例文帳に追加

列状に半導体レーザ素子を配列してなる半導体レーザアレイ光源からの各光束を結像レンズを用いて感光面上に結像せしめることにより、回転多面鏡等の機械的光走査手段を用いることなく被走査面上での光ドット形成（光走査）を行う。 - 特許庁

Since a semiconductor layer (1a) extends along an oblique direction (D) obliquely crossing a direction X and a direction Y in a pixel area (72g) on a TFT array substrate (10), a channel length direction in which a channel area (1a') of the semiconductor layer (1a) is extended along the oblique direction (D).例文帳に追加

半導体層（１ａ）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上の画素領域（７２ｇ）においてＸ方向及びＹ方向に斜めに交差する斜め方向（Ｄ）に沿って延びているため、半導体層（１ａ）のチャネル領域（１ａ´）が延びるチャネル長方向は斜め方向（Ｄ）に沿っている。 - 特許庁

Both the tapered section of the nozzle and the bore having the vertical wall are formed from one side of a semiconductor layer so that the tapered section and the bore are aligned with each other, even when an array of nozzles are formed across the whole of a die and a plurality of dies are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。 - 特許庁

A semiconductor laser element array 8 mounted on the sub-mount 6 has a structure of laminating a semiconductor layer 2 having two ridge parts 13 on a substrate 11, and an Au plating layer 14 is formed on a surface of a (p) type electrode 3 formed in an upper part of the respective ridge parts 13.例文帳に追加

サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 in an array form is mounted to a clamp member 16 via a solder layer 15, and the semiconductor laser element 10 mounted to the clamp member 16 is mounted to the cooling means 12 whose linear expansion coefficient is nearly equal to that of the clamp member 16 via a solder layer 13.例文帳に追加

アレイ状とされた半導体レーザー素子１０を狭持部材１６に半田層１５を介して実装し、狭持部材１６に実装された半導体レーザー素子１０を、狭持部材１６と線膨張係数が略等しい冷却手段１２に、半田層１３を介して実装する。 - 特許庁

The semiconductor package 10 is provided with a semiconductor chip 11 having a plurality of pads 13 arranged in a row and a package substrate 12 wherein a plurality of signal balls 20a are connected with the pads 13 via signal wires 16, respectively, and they are arranged in an array.例文帳に追加

半導体パッケージ１０は、列状に配設された複数のパッド１３を備える半導体チップ１１と、パッド１３にそれぞれ信号配線１６を介して接続されアレイ状に配設された複数の信号ボール２０ａを含む信号ボールアレイを有するパッケージ基板１２とを備える。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND THE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE AND THE LASER DEVICE, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, OPTICAL TRANSMITTING/RECEIVING MODULE, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法および面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザアレイおよび光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム - 特許庁

To provide a measurement circuit which is registant to noise and has a high precision and is suitable for measuring a voltage difference, in a semiconductor chip, and to provide a sense circuit capable of sensing with a high sensitivity regardless of an increase in size of an array in a semiconductor non-volatile memory or the like having, for example, a VGA configuration.例文帳に追加

半導体チップ内において、雑音に強く精度の良い電圧差の測定をするのに適した測定回路を提供し、例えばＶＧＡ構成の半導体不揮発性メモリ等において、アレーのサイズが大きくなっても、高感度のセンスが可能なセンス回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory, having a function with which read-out speed can be increased by equalizing input impedance of a main cell side seen from IV conversion circuits 2, 3 with input impedance of a reference cell side, in a semiconductor memory having plural cell arrays and one reference cell array.例文帳に追加

複数のセルアレイと１つのリファレンスセルアレイとを有する半導体記憶装置において、ＩＶ変換回路２、３から見えるメインセル側の入力インピーダンスとリファレンスセル側の入力インピーダンスを同一にして読み出しスピードの高速化を図る機能を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This laser printer apparatus has the semiconductor laser array light source 1 having a plurality of linearly arranged semiconductor laser elements (light emitting elements) 1a, and the image forming lens 3 for linearly forming an image from light beams from the light emitting elements 1a on the photosensitive surface 2.例文帳に追加

このレーザプリンタ装置は多数の半導体レーザ素子（発光素子）１ａを直線状に配列してなる半導体レーザアレイ光源１と、これら各発光素子１ａからの光束を各々感光面２上にしかも直線的に結像せしめる結像レンズ３とを備えている。 - 特許庁

To provide a 3000 VDC class semiconductor relay which is packaged compact without increasing a high voltage resistant DMOSFET element area and a chip area of a voltage output type photo-diode array as small as possible in comparison with a conventional voltage resistant 1500 VDC class semiconductor relay.例文帳に追加

従来の耐圧１５００ＶＤＣ級半導体リレーと比較し、高耐圧ＤＭＯＳＦＥＴ素子面積、電圧出力型フォトダイオードアレイのチップ面積を極力増加させることなしに、また、小型にパッケージされた３０００ＶＤＣ級の半導体リレーを提供する。 - 特許庁

A laser printer is provided with: the semiconductor laser array optical source 1 constructed of many semiconductor laser elements (light emitting elements) 1a arrayed in a straight line; and the imaging lens 3 to provide images not only on the photoreceptor surface 2 but also in a straight line, with the optical beams from the light emitting elements 1a respectively.例文帳に追加

このレーザプリンタ装置は多数の半導体レーザ素子（発光素子）１ａを直線状に配列してなる半導体レーザアレイ光源１と、これら各発光素子１ａからの光束を各々感光面２上にしかも直線的に結像せしめる結像レンズ３とを備えている。 - 特許庁

To adjust a line pitch T on the photoreceptor, when the multi-beam semiconductor laser 11 is assembled on a laser holder 11a, the multi-beam semiconductor laser 11 is fixed on the laser holder 11a in a turned state so that the laser array N has a predetermined inclination θ.例文帳に追加

感光体上のライン間隔Ｔ等を調整するために、マルチビーム半導体レーザ１１をレーザホルダ１１ａに組み付けるときに、レーザアレイＮが所定の傾斜角度θになるようにマルチビーム半導体レーザ１１を回転させた状態でレーザホルダ１１ａに固定する。 - 特許庁

In the process S103, a semiconductor region is etched using a first mask having the array of patterns including first-nth pattern parts and first-nth periodic structures for a diffraction grating corresponding to the first-nth pattern parts respectively are formed in the respective element sections of the semiconductor region.例文帳に追加

工程Ｓ１０３では、第１〜第ｎのパターン部を含むパターンの配列を有する第１のマスクを用いて半導体領域をエッチングして、第１〜第ｎのパターン部にそれぞれ対応する回折格子用の第１〜第ｎの周期構造を半導体領域の各素子区画に形成する。 - 特許庁

The arrangement of the thin-film transistor array is optimized so that (1) the direction of an electric current flowing in a semiconductor layer 12 coincides with the direction of a source wiring 28, (2) the source and drain electrodes 27, 26 are made in an interdigital configuration, and the like, and an organic semiconductor layer 12 formed by a printing process is stripe-shaped.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 - 特許庁

For such a illuminator, the spherical microlens array 3 is arranged concentrically between the spherical mask 5 and the spherical semiconductor 4, and a beam divided by diffraction on the spherical mask 5 surface is functioned so as to overlap again on the spherical semiconductor 4.例文帳に追加

このような照明装置に対し、前記球状マスク５と前記球状半導体４間に前記球状マイクロレンズアレイ３を同心円状に配置し、前記球状マスク面で回折により分割された光を、再び球状半導体４上で重なり合せるように機能させる構成となっている。 - 特許庁

A flexible printed wiring board 10 is constituted by forming the wiring pattern 12, electrically connected to a semiconductor bare chip 21 via a bump array, on a prescribed base material 11, and providing a short-circuit preventing overcoat layer 13 to a mounting region where the semiconductor bare chip 21 is mounted.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線基板１０は、バンプアレイを介して半導体ベアチップ２１が電気的に接続された配線パターン１２が所定のベース材１１上に形成されているとともに、半導体ベアチップ２１を実装する実装領域にショート防止用のオーバーコート層１３が設けられて構成される。 - 特許庁

In accordance with the array direction of leads 11-15, bonding pads (first bonding pads) 23S, 23G1-23G3 of the power semiconductor element 20 and bonding pads (second and third bonding pads) 41P and 42P of the control semiconductor element 40 are allocated in the same direction.例文帳に追加

さらに、リード１１〜１５の配列方向に一致させて、同一方向に電力用半導体素子２０のボンディングパッド（第１ボンディングパッド）２３Ｓ、２３Ｇ１〜２３Ｇ３、制御用半導体素子４０のボンディングパッド（第２及び第３ボンディングパッド）４１Ｐ，４２Ｐのそれぞれを配設する。 - 特許庁

An emission area of each light emitting part of a surface emitting laser array includes: a first semiconductor surface structure area 116B including a center part with a relatively high reflection rate; and a second semiconductor surface structure area 116A with a relatively low reflection rate when viewed from a z-axis direction.例文帳に追加

面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a memory cell array MCA including memory cells MC arranged in a matrix form, a plurality of word lines WL connected to the memory cells MC of each row in the memory cell array MCA, and a counter cell array CCA which includes counter cells prepared correspondingly to each word line, and stores the frequency of activating the word lines WL for reading the data of the memory cells MC.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、マトリクス状に配置されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＣＡと、メモリセルアレイＭＣＡの各行のメモリセルＭＣに接続された複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬの各々に対応して設けられたカウンタセルＣＣを含み、メモリセルＭＣのデータを読み出すためにワード線ＷＬを活性化させた回数を記憶するカウンタセルアレイＣＣＡとを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array including nonvolatile memory cells, a sense amplifier for verifying discriminating data of the memory cell array at program operation, a data input buffer receiving data from the outside, and a coincidence/noncoincidence determination circuit determining whether an input password inputted to the data input buffer from the outside coincides with a readout password read from the memory cell array and determined by the sense amplifier for verifying or not.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、プログラム動作時にメモリセルアレイのデータを判定するベリファイ用センスアンプと、外部からのデータを受け取るデータ入力バッファと、外部からデータ入力バッファに入力される入力パスワードとメモリセルアレイから読み出されベリファイ用センスアンプでデータ判定される読み出しパスワードとが一致するか否かを判定する一致／不一致判定回路を含む。 - 特許庁

The method for wiring the semiconductor integrated circuit adopting an array structure of a general purpose logic array as a base comprises the steps of forming wirings capable of being commonly used without depending upon designing of a user circuit by a lower layer interconnection, commonly using and staticizing the commonly usable wirings by a plurality of designing, and further customizing the more significant interconnection of the lower layer interconnection.例文帳に追加

汎用ロジックセルのアレイ構造をベースとする半導体集積回路の配線方法において、ユーザ回路のデザインに依存せず共通化可能な配線を下層配線層で形成し、共通化可能な配線を複数のデザインで共通、且つ、固定化し、更に、下層配線層の上位の配線層をカスタマイズする。 - 特許庁

To provide a light receiving element array and a method for the manufacturing the same, which maintain the crystalline quality of an light receiving layer formed on a group III-V semiconductor substrate to obtain excellent characteristics, and which improve the crystallinity at the surface of a window layer; an epitaxial wafer used for manufacturing the light receiving element array; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体基板上に形成される受光層の結晶品質を保ち良好な特性を得ることができ、且つ窓層表面の結晶性を良好にできる受光素子アレイ及びその製造方法、並びに該受光素子アレイの製造に用いられるエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device 10 is provided with a memory cell array 20; a shift value storing region 25 which stores a shift value SET; a control circuit 50 which controls data reading and writing for the memory cell array 20 and the shift value storing region 25; and a data processing circuit 100 which is connected to the control circuit 50.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１０は、メモリセルアレイ２０と、シフト値ＳＦＴを格納するシフト値格納領域２５と、メモリセルアレイ２０及びシフト値格納領域２５に対するデータの読み書きを制御する制御回路５０と、制御回路５０に接続されたデータ処理回路１００とを備える。 - 特許庁

The redundancy data storage circuit of the semiconductor memory includes: a memory cell array; a write driver configured to write redundancy data in the memory cell array in response to a test signal; and a sense amplifier configured to detect and output the redundancy data recorded on the memory cell in response to a read signal.例文帳に追加

本発明に係る半導体メモリのリダンダンシデータ格納回路は、メモリセルアレイと、テスト信号に応じてリダンダンシデータをメモリセルアレイに記録するように構成された書き込みドライバと、読み出し信号に応じて、前記メモリセルに記録されたリダンダンシデータを感知して出力するように構成されたセンスアンプとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor memory device composed of a memory cell array including a plurality of regular memory cells and a plurality of sense amplifier circuits, the memory cell array has regular memory cells MC to be used for write and read operation of desired data and a smoothing capacitor (specifically, dummy cells DMC to be used for smoothing capacitor) for reducing power source noise.例文帳に追加

複数の正規メモリセルを含むメモリセルアレイと複数のセンスアンプ回路からなる半導体記憶装置において、メモリセルアレイには、所望のデータの書込み及び読出し動作に利用する正規メモリセルＭＣと、電源ノイズを低減するための平滑容量（具体的には平滑容量に利用するダミーセルＤＭＣ）を有する。 - 特許庁

Related to the semiconductor device comprising fuse array, a plurality of fuses 13 constituting the fuse array are formed with a pattern which widens toward one end in y direction, which is the energizing direction, while the patterns are made to be inverted alternately with respect to y direction, which are arrayed in x direction which crosses the y direction.例文帳に追加

ヒューズアレイを有する半導体装置において、ヒューズアレイを構成する複数のヒューズ１３は、通電方向であるｙ方向に一端部が末広がりとなるパターンをもって形成され、且つ、そのパターンをｙ方向について交互に反転させてｙ方向と交差するｘ方向に配列される。 - 特許庁

A semiconductor storage device in an embodiment includes a first reference cell RC arranged in a first cell array 10-1 and a plurality of first fuse cells FC which are arranged in the first cell array 10-1 and which are arranged in the same row or column as the row or column in which the first reference cell RC is arranged.例文帳に追加

実施形態による半導体記憶装置は、第１セルアレイ１０−１内に配置された第１参照セルＲＣと、第１セルアレイ１０−１内に配置され、第１参照セルＲＣが配置されたロウ又はカラムと同一のロウ又はカラムに並べられた複数の第１フューズセルＦＣと、を具備する。 - 特許庁

At a joint surface between a laminating board 3 and a heat sink board 1 in a semiconductor device comprising such structure as C/D(cavity down) BGA(ball grid array), ABGA(advanced ball grid array), etc., a ventilation hole 8 which opens a cavity 5 to the outside is provided for exhausting the remaining air in the cavity 5 to the outside through the ventilation hole 8.例文帳に追加

Ｃ／Ｄ（キャビテイ・ダウン）ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ），ＡＢＧＡ（アドバンスト・ボール・グリッド・アレイ）等の構造をもつ半導体装置におけるヒートシンク基板１と積層基板３との接合面に、キャビテイ５内を外部に開放する通気孔８を設け、通気孔８を通してキャビテイ５内の残留空気を外部に排気する。 - 特許庁

The image sensor which improves image quality senses an image by photoelectric conversion, and comprises a scanner which is movable on a plane, a color filter array fixed to the scanner, and a photoelectric conversion semiconductor element in which multiple pixels are formed and arranged at a lower part of the color filter array.例文帳に追加

このための本発明の画質が向上するイメージセンサは、光電変換を通じてイメージを感知するものであって、平面上で移動可能なスキャナ部と、前記スキャナ部に固定されたカラーフィルタアレイと、前記カラーフィルタアレイの下部に整列される多数の画素が形成された光電変換半導体素子とを含む。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device 10 comprises: a memory cell array 11 having multiple pages which are provided in a common semiconductor region and respectively including multiple electrically-rewritable memory cells; a control circuit 23 for applying erasing operation to a selected page; and a verification circuit 18 for determining whether or not the memory cell array 11 has an excessively-erased memory cell after the erasing operation.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１０は、共通の半導体領域に設けられた複数のページを有し、複数のページの各々は電気的に書き換え可能な複数のメモリセルを有する、メモリセルアレイ１１と、選択ページに対して消去動作を行う制御回路２３と、消去動作後に、メモリセルアレイ１１に対して消去し過ぎたメモリセルが存在するか否かを判定するベリファイ回路１８とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads.例文帳に追加

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 - 特許庁

Among a specific signal wiring group included in the signal wiring, the length of the longest signal wiring that becomes largest when assuming that the center 31 of the semiconductor chip 11 and the center 34 of the signal ball array do not deviate, and becomes smaller than that in the assumed case that the centers do not deviate, because the center 34 of the signal ball array are displaced from the center 31 of the semiconductor chip 11.例文帳に追加

信号配線１６に含まれる特定の信号配線グループの内で、半導体チップ１１の中心３１と信号ボールアレイの中心３４とがずれていないと仮想した際に最長となる最長信号配線の長さが、信号ボールアレイの中心３４が半導体チップ１１の中心３１からずれていることによって、ずれていないと仮想した場合よりも短くなっている。 - 特許庁

A semiconductor tip constituting the probe array-producing liquid-ejecting device is provided by installing a water-repelling zone 3 at the surrounding of each of the supplying ports 6 at a surface for forming the opening port surface of the supplying port 6.例文帳に追加

プローブ・アレイ製造用液体吐出装置１を構成する半導体チップにおいて、供給口６の開口面を形成する面の各供給口６の周囲に撥水領域３が設けられている。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which high speed and low power consumption data read can be performed, a high speed read region and a low power consumption read region can be set freely for a memory cell array.例文帳に追加

高速・低消費電力読み出しを可能とし、且つメモリセルアレイに対して高速読み出し領域・低消費電力読み出し領域を自由に設定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image sensor which improves image quality by improving the quality of sensed images by using configurations of a conventionally-used photoelectric conversion semiconductor element and a color filter array as they are.例文帳に追加

本発明は、従来に使われる光電変換半導体素子及びカラーフィルタアレイの構造をそのまま使用しながら感知されるイメージの画質を向上させて、画質が向上するイメージセンサを提供するためのものである。 - 特許庁

With this configuration, the thermal stress generated in junction between a semiconductor laser array 20 and a base 10 can be absorbed and relaxed by elastic deformation by the stress relaxation layer 71 to improve reliability and efficiently execute heat radiation.例文帳に追加

半導体レーザアレイ２０とベース１０との接合時に発生する熱応力を応力緩和層７１の塑性変形により吸収、緩和して信頼性を高めると共に、熱放散を効率良く行う。 - 特許庁

To provide a ball grid array substrate provided with a window in which a window is formed in a core material without using a core material of a thin plate, and a semiconductor chip is built in the window to reduce the thickness of a package, and to provide a manufacturing method for it.例文帳に追加

薄板のコア材を使用せず、コア材にウィンドウを形成し、その中に半導体チップを内蔵してパッケージの厚さを減らした、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Optical detectors 4 are formed on a plurality of projecting parts 2 which are arranged like a two-dimensional array on one surface 20a of a semiconductor substrate 20, and they generate potential corresponding to the intensity of incident light.例文帳に追加

半導体基板２０の一方の面２０ａ上に２次元アレイ状に配列されて形成された複数の凸部２に、入射光強度に応じた量の電荷を発生する光検出部４が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage capable of reducing power consumption by charge/discharge currents, such as a bit line, and power consumption by the gate leak current of a memory cell in a unselective array.例文帳に追加

ビット線などの充放電電流による消費電力を低減させるとともに、非選択列におけるメモリセルのゲートリーク電流による消費電力を低減させることも可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the electronic component is a chip, of which are bump-connected in flip chip, or a semiconductor package with a BGA (Ball Grid Array) structure or a CSP (Chip Size Package) structure, for example.例文帳に追加

また、例えば、前記電子部品は、フリップチップにおいてバンプ接続されるチップ、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）またはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造の半導体パッケージである。 - 特許庁

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁