「semiconductor array」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device or the like having excellent operation efficiency by eliminating the need of complicated control when executing refresh operation of a memory array divided into a plurality of banks.例文帳に追加

複数のバンクに分割されたメモリアレイに対するリフレッシュ動作を実行する際の複雑な制御を不要とし動作効率の良好な半導体メモリ装置等を提供する。 - 特許庁

To improve a read margin by reducing a leak current that changes dependently upon a resistance value of a memory cell read in a semiconductor memory device including a cross-point type memory cell array.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、読み出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を低減し、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

Thus, reading and refreshing can be executed at the same time, or refreshing and reading mode setting can be executed at the same time, thereby shortening a time for scanning the semiconductor imaging element array.例文帳に追加

これにより、読み出しとリフレッシュを同時に実行、或いはリフレッシュと読み出しモード設定を同時に実行することができ、半導体撮像素子アレイの走査が短縮される。 - 特許庁

To provide configuration of a semiconductor line for reducing the voltage drop in wiring and power consumption, by reducing the resistivity of wiring for selecting memory cells of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのメモリセルを選択する配線の抵抗率を低減することにより、配線中の電圧降下を低減し、消費電力を低減する半導体ラインの構造を提供する。 - 特許庁

The method allows a laser array structure having laser elements of different wavelengths to be manufactured, even in a semiconductor materials which are not suitable for a manufacturing method based on etching and regrowth.例文帳に追加

この方法によりエッチングや再成長による製造方法に適合しない半導体材料系においても、異なる波長のレーザ素子をもつレーザアレー構造を製作することができる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor array substrate wherein contact holes which can surely establish conduction with a semiconductor layer can be effectively formed, and to provide its manufacturing method and a display device.例文帳に追加

半導体層と確実にコンタクトをとることができるコンタクトホールを効果的に形成することが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array determined only by contact points between word lines and bit lines formed on a substrate.例文帳に追加

基板上にそれぞれ形成された一つのビットラインと一つのワードラインとの接点によって唯一に決定される一つのメモリセルを持つメモリセルアレイを含む不揮発性半導体メモリ素子。 - 特許庁

Pixel electrodes, TFTs which include semiconductor layers (1a) connected to the electrodes, scanning lines (3a) connected to TFTs and data lines (6a) are provided on a TFT array substrate.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板上に、画素電極、これに接続された半導体層（１ａ）を含むＴＦＴ、該ＴＦＴに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備えている。 - 特許庁

A light bundle emitted from the semiconductor laser array stack 23, paralleled and having a longitudinally or laterally elongated sectional shape is divided into two light bundles by the first prism 43.例文帳に追加

半導体レーザアレイスタック２３から出射され、平行化された縦長又は横長の断面形状を有する光束は、第１のプリズム４３によって２つの光束に分割される。 - 特許庁

A memory cell array where a size of the MOS transistor is relatively small, and a peripheral circuit where the size of the MOS transistor is relatively large, are formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上には、ＭＯＳトランジスタのサイズが相対的に小さいメモリセルアレイ部と、該ＭＯＳトランジスタのサイズが相対的に大きい周辺回路部とが形成される。 - 特許庁

A vertical rapid cooling furnace, wherein a semiconductor wafer is treated with internal cooling and recirculating gas, comprises a heating wall reaction tube arranged in a cylindrical heating coil array.例文帳に追加

要約すると、半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉が、円筒状の加熱コイル列内に配置された加熱壁反応管を含んでいる。 - 特許庁

Next, a plurality of signal extracting electrodes 5 are formed on the half-insulating compound semiconductor film, and are cut into a predetermined size to form a radiation detecting element array chip 6.例文帳に追加

次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極５を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ６とする。 - 特許庁

A wire-bond protector has a thin and long shape corresponding to a long array of wire bonds which are provided along the end of an ultra compact electronic device and connect a semiconductor die with conductors present on a substrate.例文帳に追加

ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory that constitute a layered memory cell array and can contain memory cells arranged at high density and can prevent the reduction of working speed that may be caused by an increased bit line resistance.例文帳に追加

階層化されたメモリセルアレイを構成し、メモリセルを高密度に配置可能でビット線抵抗の増大に起因する動作速度の低下を防止可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device for making emitted laser beams of a stack array LD laser diode enter into an optical fiber and for making the laser beams to be able to be guided with low loss.例文帳に追加

本発明の目的は，スタックアレイＬＤの出射レーザビームを光ファイバに入射させて損失を少なく導波可能とするための半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁

In an LED array in which a plurality of island-like semiconductor layers each of which is formed by laminating one-side conductive semiconductor layer and an reverse-conductive semiconductor upon another on a substrate is arranged in a row and respectively connecting electrodes to the semiconductor layers, wires connected to an external circuit are obliquely bonded to electrodes pads.例文帳に追加

基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して形成した複数の島状半導体層を列状に配設し、それぞれの一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けたＬＥＤアレイにおいて、前記電極パッドに外部回路と接続するワイヤーを斜めにボンディングしたことを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array layer 400 having electrically rewritable memory cells MC connected in series; a control circuit layer 200 disposed below the memory cell array layer 400 and controlling a voltage applied to the memory cells MC; and an interconnection portion 500 electrically connecting the control circuit layer 200 and the memory cell array layer 400.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能であり且つ直列に接続されたメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイ層４００と、メモリセルアレイ層４００の下層に位置し且つメモリセルＭＣに印加する電圧を制御する制御回路層２００と、制御回路層２００とメモリセルアレイ層４００とを電気的に接続する接続配線部５００とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a memory cell array; a writing data buffer to which writing data is input by a prescribed unit; a program cell counter which counts the number of pieces of data to be programmed to the memory cell array among the writing data; and a program voltage generation circuit which differentiates the program voltage to be applied to the memory cell array depending on the number of pieces of data to be programmed.例文帳に追加

本発明に係る半導体メモリ装置は、メモリセルアレイと、書き込みデータが所定単位で入力される書き込みデータバッファと、前記書き込みデータのうちの前記メモリセルアレイにプログラムされるデータの数を数えるプログラムセルカウンタと、前記プログラムされるデータの数によって、前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を異にするプログラム電圧発生回路とを含む。 - 特許庁

This member has a semiconductor member where a pattern is arranged, comprising an array 1 of first diffraction gratings having a pitch dimension specified as an absolute dimension by an optical means, and the pattern has a constitution wherein an array 2 of second diffraction gratings different from the first diffraction gratings is interposed at a prescribed period in a part of the array 1 of the first diffraction gratings.例文帳に追加

光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。 - 特許庁

To obtain a projection type image display apparatus achieving temperature control of a light source element having a semiconductor laser element array as a light source with simple constitution, thereby always achieving very accurate color reproduction over a long term and keeping the service life of the semiconductor laser element array long in spite of change of ambient temperature and structural change with lapse of time of the light source element itself.例文帳に追加

投写型映像表示装置において半導体レーザ素子アレイを光源とする光源エレメントを簡素な構成で温度制御が可能となるようにし、環境温度の変化および光源エレメント自体の構造的経年変化に拘わらず、長期に亘り常に高い精度の色再現が可能となり、半導体レーザ素子アレイの寿命が長く保てるようにする。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

In a control circuit 201 provided in the semiconductor memory device, a chip connection part 300 provided with pads 301-306 is constituted so as to correspond to the maximum capacity of a memory cell array provided in the semiconductor memory device, and even when having a memory cell array having capacity being less than the maximum capacity, arrayed places and the number of these pads 301-306 are decided fixedly.例文帳に追加

半導体記憶装置に備える制御回路２０１上において、パッド３０１〜３０６を備えたチップ接続部３００は、半導体記憶装置内に備えられるメモリセルアレイの最大容量に対応した形で構成されていて、その最大容量未満の容量のメモリセルアレイを持つ場合であっても、これらパッド３０１〜３０６の配置場所や個数は固定的に決定されている。 - 特許庁

To provide a light-emitting semiconductor chip 1 which comprises an array 3 of semiconductor layers containing an activity layer 2 which forms electromagnetic radiation, and a passivation layer 12, disposed in the exit side of the array of the layers and which enables radiation emission to be adjusted and set to a target range during the manufacturing period to be more simple and lower cost than in the conventional technology.例文帳に追加

電磁放射を生成する活性層２を含んでいる半導体層列３と、この層列の出射側に配置されているパシベーション層１２とを備えている発光半導体チップ１において、発光が製造期間中従来技術の場合よりも一層簡単かつコスト面で有利に目標領域に調整設定可能である半導体ストラクチャを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate wherein an active layer having a photodetecting portion is formed on its surface, an adhesive layer so provided on the surface of the semiconductor substrate as to surround the photodetecting portion, a light transmitting protective member arranged at predetermined intervals on the photodetecting portion of the semiconductor substrate and bonded across the adhesive layer, and a plurality of external connection terminals arranged on the backside of the semiconductor substrate with the predetermined array.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、表面に受光部を有する活性層が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に、受光部を囲むように設けられた接着層と、半導体基板の受光部上に所定の間隙をおいて配置され接着層を介して接着された光透過性保護部材と、半導体基板の裏面に所定の配列で配置された複数の外部接続端子とを備えている。 - 特許庁

A first optical waveguide is connected to one end of a wavelength variable DFB laser array, a second optical waveguide is connected to the other end, a first semiconductor Mach-Zehnder modulator is connected to the first optical waveguide, and a second semiconductor Mach-Zehnder modulator is connected to the second optical waveguide.例文帳に追加

波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。 - 特許庁

A self-aligning method is provided for forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells in a semiconductor substrate having a plurality of spaced apart insulating regions and active regions on the substrate substantially parallel to one another in the column direction, and an apparatus is formed thereby.例文帳に追加

縦方向に互いに概ね平行している基板上に離間した複数の絶縁領域及び活性領域を有する半導体基板にフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより形成される装置。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment capable of cutting a part of a closed loop pattern, even if the array pitch of a pattern is small, in a method for forming the pattern having dimensions that exceed the resolution limit of lithography.例文帳に追加

リソグラフィの解像限界を超えた寸法を有するパターンを形成する方法において、パターンの配列ピッチが小さくても、閉ループ形状のパターンの一部を切断することができる半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser array 10 has N pieces of semiconductor laser elements LD_1 to LDN each for outputting the laser beam, and a temperature providing unit 20 for forming a temperature gradient along the direction in which the N pieces of the laser elements LD_1 to LDN are arranged.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１０は、レーザ光を各々出力するＮ個の半導体レーザ素子ＬＤ_1〜ＬＤ_Nが配列されており、Ｎ個の半導体レーザ素子ＬＤ_1〜ＬＤ_Nが配列されている方向に沿って温度提供部２０が温度勾配を形成する。 - 特許庁

As a semiconductor laser array device part, the clad layers 3, 7, 9 and an active layer 5 are provided at least, and the clad layers 3, 7 and 9 have lattice constants between with GaAs and GaP, and plurality of oscillation regions are provided on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体レーザアレイ素子部としてクラッド層３，７，９と活性層５とを少なくとも備え、前記クラッド層３，７，９はＧａＡｓとＧａＰとの間の格子定数を有しており、同一の半導体基板上に複数の発振領域を具備している。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a cell array in which a plurality of cells loaded with a circuit for characteristic evaluation are arrayed in a matrix shape in x and y directions on a semiconductor substrate, and the respective cells 10 are provided with symbols 11-16 indicating the respective addresses.例文帳に追加

半導体基板上に特性評価用回路を搭載した複数のセルがｘおよびｙ方向に行列状に配列されたセルアレイを備えた半導体装置であって、各セル１０にそれぞれのアドレスを表す記号１１〜１６が設けられている。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which a heat sink is made compact and an air blast fan is made compact and low noise of the fan is achieved by reducing thermal interference between power semiconductor modules with respect to a cooling air flow without spoiling lead wiring property between the modules only by changing the direction of an array of the power semiconductor modules mounted on the heat sink.例文帳に追加

ヒートシンクに搭載するパワー半導体モジュールの配列の向きを変更するだけで、モジュール間のリード配線性を損なうことなしに、冷却空気流に対するモジュール相互間の熱的干渉を低減してヒートシンクの小形化、および送風ファンの小形，低騒音化が図れるように改良したパワー半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tray for a semiconductor integrated circuit in which the semiconductor integrated circuit can be corrected to a proper storage position in a pocket even when a corner portion of the ball grid array type semiconductor integrated circuit to be stored in a storage pocket for the tray by an automatic machine drops in the corner portion in a recess on an inner bottom face in the storage pocket.例文帳に追加

自動機によってトレーの収納用ポケットに収納しようとするボールグリッドアレイ型の半導体集積回路のコーナ部分が収納用ポケット内底面における凹部内のコーナ部分に落ち込んだ場合でも、同半導体集積回路をポケット内の適正な収納位置に補正できる半導体集積回路用トレーを提供できるようにする。 - 特許庁

To provide a mold BGA(ball grid array) which can correspond to multi-pin design by high integration of a semiconductor element, prevent a bonding wire from being exposed to a sealing resin surface, connect a bonding pad of a semiconductor element and a lead of a lead frame to intersect, and seal an entirety of a semiconductor element with sealing resin even if a TAB tape is used.例文帳に追加

半導体素子の高集積化による多ピン化に対応でき、ボンディングワイヤが封止樹脂表面に露出することを防止でき、半導体素子のボンディングパッドとリードフレームのリードとを交差して接続することが出来、ＴＡＢテープを用いても半導体素子の全面を封止樹脂で封止したモールドＢＧＡを提供する。 - 特許庁

To prevent the defective connection of a semiconductor device and a wiring board, and to improve reliability on connection by relaxing stress applied to the connecting section of an external electrode for the semiconductor device and a connecting electrode for the wiring board by repeated thermal stress, in an electronic circuit board in which the land grid array type semiconductor device is mounted on the wiring board.例文帳に追加

配線基板にランドグリッドアレイタイプの半導体装置を実装する電子回路基板において、繰り返し熱ストレスによる半導体装置の外部電極と配線基板の接続電極の接続部分に加わる応力を緩和することにより、半導体装置と配線基板との接続不良を防止し、接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser device has a resonator, a semiconductor body having an array of layers prepared for the generation of radiation, a transparent thermal conduction element with frequency selectivity brought into heat-contact with the radiation passage face of the semiconductor body, and an optical band path filter suitable for suppressing a resonance mode which can be previously set.例文帳に追加

共振器と、放射発生用に設けられた層列を有する半導体ボディと、前記半導体ボディの放射通過面と熱コンタクトした透明な周波数選択性の熱伝導素子と、予め設定可能な共振モードを抑圧するのに適した光学バンドパスフィルタを有していることを特徴とする、表面発光半導体レーザ素子。 - 特許庁

When the laminated chip package 1 is manufactured, a semiconductor wafer is processed, a plurality of semiconductor chip scheduled parts arranged in an array are formed, one or more grooves extending so as to neighbor at least one semiconductor chip scheduled part are formed, an insulating layer is formed so as to fill in the groove; and further, a plurality of electrodes are formed and a fundamental structure is manufactured.例文帳に追加

積層チップパッケージ１を製造する際には、半導体ウェハを処理して、配列された複数の半導体チップ予定部を形成し、少なくとも１つの半導体チップ予定部に隣接するように延びる１以上の溝を形成し、この溝を埋めるように絶縁層を形成し、更に複数の電極を形成して、基礎構造物を作製する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer.例文帳に追加

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

Each of the semiconductor chips 4, 5 and the group of electrodes for external connections 6 are arranged in the lengthwise direction of the sticking-out part 2a, and of each semiconductor chip, the semiconductor chip 5 at least adjacent to the terminal electrode group 6 for connections is provided with metallic thin film wiring patterns 8, 9 formed to extend in the direction of their array.例文帳に追加

前記各半導体チップ４，５と前記接続用端子電極群６とを、前記はみ出し部２ａの長手方向に並べて配設し、前記各半導体チップのうち少なくとも前記接続用端子電極群６に隣接する半導体チップ５に、金属の薄膜による配線パターン８，９を、これらの並び方向に延びるように形成する。 - 特許庁

In a high-speed-synchronization semiconductor memory device, a data input buffer 33 is synchronized with the rise edge of a first clock CLK1, it buffers data which is input through a first port DQ, and it transmits the data to a memory cell array 31.例文帳に追加

高速同期の半導体メモリ装置では、デ−タ入力バッファ33が、第１クロックの立上りエッジに同期して、第１ポ−トDQを通じて入力されるデ−タをバッファリングし、メモリセルアレイ31へ伝達する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having two-row pad arrangement with a specified pad arrangement and the reference of array, which permit the realization of sufficient electric characteristic and the designing of a package at a low cost.例文帳に追加

２列パッド配置を持つ半導体装置に対して、十分な電気特性を実現しかつ低コストでパッケージの設計が可能となるような、特定のパッド配置と並びの基準を提供する。 - 特許庁

To provide a multibeam optical recorder attaining high speed optical recording by realizing scanning lines very close to each other at high light utility efficiency in an optical system in which an optical recording is performed by scanning with multibeams from a semiconductor laser array.例文帳に追加

半導体レーザアレイからのマルチビームを走査し、光記録する光学系において、高い光利用効率で密接した走査線を実現し、高速光記録可能な装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element having a recessed channel region which can prevent generation of moats, when a hard mask oxide film is removed in an RCAT (Recessed Channel Array Transistor) step.例文帳に追加

本発明は、ＲＣＡＴ工程の際、ハードマスク酸化膜を除去する時にモートの発生を防止することができるリセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the memory system, the semiconductor memory has a field programmable part FP in which logic for converting into each other an external signal input/output for the memory system and an internal signal input/output for a memory cell array is programmed.例文帳に追加

半導体メモリは、メモリシステムに入出力される外部信号とメモリセルアレイに入出力される内部信号とを相互に変換するための論理がプログラムされるフィールドプログラマブル部を有する。 - 特許庁

To control deterioration of the off-characteristics of a TFT by reducing the quantity of light that is made incident on an array substrate from behind and directly incident on a semiconductor layer forming a channel in a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置において、アレイ基板の裏面から入射した光がチャンネルを形成する半導体層に直接入射する量を低減し、ＴＦＴのオフ特性劣化を抑制すること。 - 特許庁