「set in array」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The method and the apparatus hold a REDO log block in a disk array cash (204), filter the REDO log block by using a data block writing flag (DBWF), and generate a recovery set as a subset of a REDO log record generated by a failed database instance in the disk array cash (204).例文帳に追加

本発明にかかる方法及び装置は、ディスクアレイキャッシュ（２０４）にＲＥＤＯログブロックを保持すること、データブロック書き込みフラグ（ＤＢＷＦ）を使用して前記ＲＥＤＯログブロックをフィルタリングすること、及び、障害のあった（failed）データベースインスタンスによって生成されたＲＥＤＯログレコードのサブセットであるリカバリセットを前記ディスクアレイキャッシュ（２０４）に生成することを含む。 - 特許庁

Emission of each light emitting element 3 is set such that the comparison results of a specified characteristic value for a light emitting element 3 in the vicinity of the end of each light emitting element array chip 2 are larger or smaller than the comparison results for other parts.例文帳に追加

各発光素子アレイチップ２の端部近傍の発光素子３に対して、所定の特性値の比較結果が他の部分より大きくまたは、小さくなるように各発光素子３の発光量を設定する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which high speed and low power consumption data read can be performed, a high speed read region and a low power consumption read region can be set freely for a memory cell array.例文帳に追加

高速・低消費電力読み出しを可能とし、且つメモリセルアレイに対して高速読み出し領域・低消費電力読み出し領域を自由に設定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁

The functions that the memory has are, for example, a multi-bank access function, a switching function for a data array corresponding to endian, and whether a function that a memory to be controlled has is available is set in the setting register 543.例文帳に追加

メモリが有する機能とは，例えば，マルチバンクアクセス機能や，エンディアンに対応するデータ配列の切り替え機能などであり，コントロール対象のメモリが有する機能の有無がこの設定レジスタ５４３に設定される。 - 特許庁

A second set constituted of control keys is provided to select the column of the conventional QWERTY array keyboard expressed by character keys in addition to the other functions such as case shift and an alphanumeric control function.例文帳に追加

制御キーからなる第２のセットは、ケース・シフト、及び英数字制御機能等の他の機能に加えて、文字キーで表される従来のＱＷＥＲＴＹ配列キーボードの列を選択するために設けられている。 - 特許庁

In a charged particle beam lens array constituted by arranging a plurality of charged particle lenses two-dimensionally, when the same voltage is supplied to all lenses, the power of each lens is set so as to be divided into at least two kinds.例文帳に追加

複数の荷電粒子線レンズを二次元配列してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、全レンズに同一電圧を供給したときに各レンズのパワーが少なくとも２種類に分かれるように設定する。 - 特許庁

In a memory cell array 11 of an SRAM10, a plurality of precharge & equalize circuits 14L, 14M, and 14U extending to the column direction of the memory cell 12 are set up to precharge bit lines Bit and XBit to the prescribed potential.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１０のメモリセルアレイ１１には、メモリセル１２の列方向に伸びるビット線Ｂｉｔ，ＸＢｉｔを所定の電位にプリチャージする複数のプリチャージ＆イコライズ回路１４Ｌ，１４Ｍ，１４Ｕが設けられている。 - 特許庁

Each set of writeback data preferably comprises a plurality of contiguous data blocks, and are preferably written (flushed) to the storage in conjunction with the operation of a separate access command within a selected proximity range of the data with respect to the storage array.例文帳に追加

好ましくは、各ライトバックデータは複数の隣接データブロックを含み、好ましくは記憶アレイに関してデータの選択された近接範囲内の別個のアクセスコマンドの操作と共に記憶装置に書き込まれる（フラッシュされる）。 - 特許庁

GNDs are arranged at (N-1)-th and (N+1)-th pole numbers which become both ends of a critical signal S302 (high-speed signal, reset signal or the like) set at a N-th pole number in a flat cable array A.例文帳に追加

フラットケーブルＡ列内において、Ｎ番目の極数に配置されるクリティカルな信号Ｓ３０２（高速信号やリセット信号等）の両端となるＮ−１、Ｎ＋１番目の極数には、ＧＮＤを配列させる。 - 特許庁

An initial aperture width Wo for positively irradiating a detection array in use with the complete shadow of X-ray beams is determined on the basis of a set slice thickness, and an aperture width W is adjusted to Wo (step S102).例文帳に追加

設定されたスライス厚に基づいて、使用する検出アレイにＸ線ビームの本影が確実に照射されるための初期開口幅Ｗ_０を決定し、開口幅ＷをＷ_０に調整する（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

A disk array system 100 has a microprogram 211 for, by the residence instructions from the residence management program 422, making the data set on the logical volume of the corresponding logical volume name resident in the cache memory 230.例文帳に追加

また、ディスクアレイ装置１００は、常駐管理プログラム４２２からの常駐指示を受けて、該当する論理ボリューム名の論理ボリューム上のデータセットをキャッシュメモリ２３０に常駐するマイクロプログラム２１１を有する。 - 特許庁

cleardependencies: since version 1.3.0, this option will erase any existing dependencies in the package.xml if set to trueignore: an array of filenames, directory names, or wildcard expressions specifying files to exclude entirely from the package.xml. 例文帳に追加

cleardependencies: バージョン 1.3.0 以降では、これを true に設定するとpackage.xml 内の既存の依存性をすべて消去します。 ignore: ファイル名、ディレクトリ名、あるいは複数ファイルを表すワイルドカード表現の配列で、package.xml から完全に除外するファイルを指定します。 - PEAR

One or more curled media sheets 132-138 can be propelled in a process direction via a set of rollers/nips associated with a curler from a leading edge and/or trailing edge towards the angled array sensor 130.例文帳に追加

１つ以上のカールした媒体シート１３２〜１３８が、先端縁及び後端縁のどちらか又は両方からカーラーをもつローラ／ニップのセットを経て、角度付アレイセンサ１３０へ向かって、プロセス方向に前進させられる。 - 特許庁

The disk array control part, if the load of the transfer destination does not satisfy set conditions, specifies the logical volume, collates the logical volume with a policy table in which policy for each logical volume is registered, specifies the policy, and detects a disk array selectable as the transfer destination of the data of the transfer source extent based on the policy.例文帳に追加

ディスクアレイ制御部は、移転元エクステントの負荷が設定された条件を満たさない場合に、その論理ボリュームを特定し、これを、論理ボリューム毎のポリシーが登録されているポリシーテーブルに照合してポリシーを特定し、このポリシーに基づき、移転元エクステントのデータの移転先として選択可能なディスクアレイを検出する。 - 特許庁

When the ink jetting part 2 and the holding member 3 are formed of materials exhibiting different thermal expansion, bonding range of the ink jetting part 2 and the holding member 3 in the array direction of nozzles is set narrower than the width of the ink jetting part 2 along the array direction of nozzles.例文帳に追加

インク噴射部２と保持部材３とは、それぞれ熱膨張が異なる材質で形成されている場合、インク噴射部２と保持部材３上との前記ノズルの配列方向における接着部の接着範囲は、インク噴射部２における前記ノズル配列方向に沿った幅よりも狭くなるように設定されている。 - 特許庁

The transmission vibrating element arrays 84, 86 and the reception vibrating element arrays 88, 90, 92 of a 1.75D array vibrator 82 in a continuous wave Doppler mode are set so as to be arranged by every other array, and respectively connected to a transmitting circuit 48 and a receiving circuit 50.例文帳に追加

連続波ドプラモードにおける１．７５Ｄアレイ振動子８２の送信振動素子列８４，８６と受信振動素子列８８，９０，９２の設定関係は、送信振動素子列と受信振動素子列とが一列おきに交互に配置されるように、それぞれ送信回路４８と受信回路５０に接続されている。 - 特許庁

A plurality of substrate type antennas 1 each having feeders 3 and 4 formed of microstrip lines and an antenna element 5 formed of a microstrip line on a dielectric substrate 2 are arranged in an array, a reflecting plate 5 is installed along the array, and the respective substrates 2 are set at mutually different tilt angles α to the reflecting plate 6.例文帳に追加

誘電体基板２にマイクロストリップ線路からなる給電線３，４とマイクロストリップ線路からなるアンテナ素子５とを形成した基板型アンテナ１を一列に複数個並べ、この並びの方向に沿って反射板６を設置し、この反射板６に対する各基板２の傾斜角αを基板２毎に異ならせた。 - 特許庁

In the memory device having a floating gate type memory cell array transistor, a boosting ratio of a boost voltage-generating circuit is set to be variable so that a value of a boost voltage for driving a word line at the read time is constant in accordance with a level of a source voltage.例文帳に追加

フローティングゲート型のメモリセルアレイトランジスタを有するメモリデバイスにおいて、電源電圧のレベルに応じて読み出し時のワード線駆動用の昇圧電圧値が一定になるように、昇圧電圧発生回路の昇圧比を可変設定する。 - 特許庁

A data storage circuit is connected to the bit line, and when threshold voltage of 2^k pieces (k: natural number) are set to respective memory cells in the memory cell array, the data storage circuit has at least one static latch circuit storing write-in data and a plurality of dynamic latch circuits.例文帳に追加

データ記憶回路は、ビット線に接続され、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは自然数）の閾値電圧を設定する場合、書き込みデータを記憶する少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路とを有している。 - 特許庁

This memory is provided with a memory cell array 11 having a ferroelectric storage element C and a transistor T for switch, and a low voltage write-in circuit 12 in which polarization quantity of a ferroelectric film of each memory cell is set to a lower value than a value at normal write-in and acceleration of imprint is reduced.例文帳に追加

強誘電体記憶素子Ｃとスイッチ用トランジスタＴとを有するメモリセルのアレイ11と、各メモリセルの強誘電体膜の分極量を通常書込み時より低く設定し、インプリントの加速を低減する低電圧書込み回路12を具備することを特徴とする。 - 特許庁

Each of multiple unit pixels includes first and second photoelectric conversion units and a pixel output unit common to the first and second photoelectric conversion units, and the first and second photoelectric conversion units are arranged in a second direction different from a first direction in which the unit pixels are set in array.例文帳に追加

複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部とを有し、複数の単位画素が配列される第１の方向とは異なるだい２の方向に、第１および第２の光電変換部を配置する。 - 特許庁

Combination of magnitude of a relieving region defined as a range in which replacement of defective elements are permitted by one redundant element in a memory cell array and the number of redundant elements used for replacing a defective element in one relieving region is set by only connection change of wirings.例文帳に追加

メモリセルアレイのなかで一つの冗長エレメントにより不良エレメント置換が許容される範囲として定義される救済領域の大きさと、その一つの救済領域内の不良エレメント置換に供される冗長エレメントの数との組み合わせが、配線の接続変更のみにより設定される。 - 特許庁

A quantity-of-light correction coefficient for each of recording elements set in an array shape at a red printing head 30a or the like is calculated by taking an overlap (adjacent contribution rate) of pixels of each recording element recorded to a printing paper 2 into account.例文帳に追加

印画紙２に記録された各記録素子の画素同士の重なり（隣接寄与率）を考慮することにより、赤色プリントヘッド３０ａなどがアレイ状に備える各記録素子に対する光量補正係数を算出する。 - 特許庁

A replacement control circuit 218 executes control so as to update the directory part 207 and data array part 214 of the way of the oldest rewrite among the ways allocated corresponding to the active signal in the set of the hit judgement at the time of erroneous hit.例文帳に追加

リプレイスメント制御回路２１８は、ミスヒット時、ヒット判定のセットにおけるアクティブ信号対応に割り当てられたウェイの内最も書換が古い前記ウェイのディレクトリ部２０７及びデータアレイ部２１４を更新するように制御する。 - 特許庁

Thus the phase center interval L0 is set without being affected by the interval of the antenna elements 13, the size and number of the elements 13 or the like by shifting optionally the array antennas 21, 22 in the lengthwise directions of comb teeth to detect an azimuth angle.例文帳に追加

これにより方位角検出のために、アレーアンテナ２１、２２をその櫛歯長手方向に任意にずらせば、アンテナ素子１３の間隔や大きさ、数等に影響されることなく位相中心間隔Ｌ_0を設定できる。 - 特許庁

The respective waveguides configuring the waveguide array are set to an optical path length for compensating an optical path length difference generated in the input star coupler and the output star coupler and for giving a phase difference for achieving wavelength separation, respectively.例文帳に追加

導波路アレイを構成する各導波路は、入力スターカプラ及び出力スターカプラで生じる光路長差を補償し、かつ波長分離が実現される位相差が与えられる光路長にそれぞれ設定されている。 - 特許庁

To automatically set parameters of equalizers capable of nearly coinciding with desired frequency characteristics in a listening sense even if changing utilization conditions of loudspeakers to different conditions like when changing control patterns of array loudspeakers.例文帳に追加

アレイスピーカの制御パターンを変化させる場合のようにスピーカの使用条件を異なる条件に変化させた場合でも、聴感上所望の周波数特性にほぼ一致させることが可能なイコライザのパラメータを自動設定できるようにする。 - 特許庁

When a skew correction value (the number of divided blocks, and dividing locations of the respective blocks) for skew-correction is set, if the dividing location of the blocks corresponds to an LED array edge boundary, the dividing location of the blocks is shifted in the main scanning direction.例文帳に追加

スキュー補正に使用するスキュー補正値(分割ブロック数、ブロックの分割位置)を設定するにあたっては、ブロックの分割位置がＬＥＤアレイ端部境界と一致した場合に、このブロックの分割位置を主走査方向にシフトさせる。 - 特許庁

The followings are formed on a substrate 1, i.e., optical input waveguides 2, a first slab waveguide 3, array waveguides 4 in which a plurality of channel waveguides 4a having mutually different lengths that are beforehand set is arranged in parallel, a second slab waveguide 5 and a waveguide forming section 10 in which optical output waveguides 6 are successively connected in parallel.例文帳に追加

光入力導波路２と、第１のスラブ導波路３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路４ａを並設してなるアレイ導波路４と、第２のスラブ導波路５と、複数の並設した光出力導波路６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１上に形成する。 - 特許庁

In the exclusive purpose storage area, an address is formed of two or more bytes, and a carry storage area including a carry from a low order byte of the address to a high order byte is set as an area for storing data in an accessible form according to the value of a counter or a predetermined array list.例文帳に追加

また、専用記憶領域はアドレスを複数バイトで構成し、アドレスの下位バイトから上位バイトへの桁上がりを含む桁上がり格納領域を、カウンタもしくは所定の配列リストの値に応じてアクセス可能な形式でデータを記憶する領域とする。 - 特許庁

A biometric authentication device images and inputs a compound-eye image constituted of a set of reduction images (ommatidium images) of a finger in a non-contact state by use of a reduction optical system including a lens array 3 in a state that a finger 1 is irradiated with the linearly polarized light of a specific polarized light direction by an illumination means 17.例文帳に追加

照明手段１７により特定の偏光方向の直線偏光を指１に照射した状態で、レンズアレイ３を含む縮小光学系を用い、非接触で指の縮小像（個眼像）の集合からなる複眼像を撮像・入力する。 - 特許庁

Emission of a plurality of light emitting elements 3 arranged, at a specified interval, in each light emitting diode array chip 2 is set such that the comparison results of characteristic value in the exposure intensity distribution of the light emitting elements 3 fall within a preset range.例文帳に追加

各発光ダイオードアレイチップ２に所定間隔で配列された複数の発光素子３の露光強度分布における特性値の比較結果が有効画像領域にわたってあらかじめ設定した範囲に収まるように発光素子３の発光量が設定される。 - 特許庁

In the original reading device using a photoelectric conversion element array 10 having a plurality of output terminals by a several drive frequencies, there is provided a multiple correction table 21 in which a correction table for correcting the level differences among the output terminals being set on a basis of each drive frequency.例文帳に追加

複数の出力端子を持つ光電変換素子列１０を幾通りかの駆動周波数で使用する原稿読取装置において、出力端子のレベル差を補正する補正テーブルを駆動周波数ごとに設定した多重補正テーブル２１を備えた。 - 特許庁

In each subsection, a plurality of programming cells (391-398) for the horizontal and the vertical directions are each interconnected, and a specified set out of a plurality of power source buses (A-H) are coupled to each programming cell, to enable programming for target positions in the array.例文帳に追加

各サブセクションには水平及び垂直それぞれの方向の複数のプログラミングセル（３９１−８）が接続され、また各プログラミングセルには複数の電源バス（Ａ〜Ｈ）のうちの特定のセットが接続され、アレイ内の目的の位置のプログラムを可能としている。 - 特許庁

Next, in order to generate sub image free from any distortion from arbitrary wide-angle image with distortion, the array of the pixel position of indication is expressed as a corresponding set of the direction of the view point, and converted to the set to the position corresponding thereto in the wide-angle image having the video characteristic at the position allocated to the pixel corresponding to the sub image by using the neural network.例文帳に追加

続いて、任意の歪みのある広角画像から歪みのないサブ画像を生成するため、表示の画素位置の配列が、視点方向の対応するセットとして表され、ニューラル・ネットワークを用いて、サブ画像の対応する画素に割り当てられる位置でのビデオ特性を有する、広角画像内で対応する位置のセットに変換される。 - 特許庁

The processing method includes a process which receives an original set of data related to an image in a form of an array where blocks are adjacent to each other and a process which prepares each block of converted data where a block boundary artifact does not exist essentially by processing data of each block together with data of block adjacent to each block in the array according to a prescribed conversion algorithm.例文帳に追加

ブロックが隣接し合うアレーの形態で、画像に関するデータの元のセットを受信する工程、および、所定の変換アルゴリズムに従って、それぞれのブロックのデータを、アレー内のそれぞれのすぐ隣のブロックのデータと一緒に処理することにより、ブロック境界人工物が実質的にない変換されたデータのそれぞれのブロックを作成する工程、を包含する。 - 特許庁

To provide a light-emitting semiconductor chip 1 which comprises an array 3 of semiconductor layers containing an activity layer 2 which forms electromagnetic radiation, and a passivation layer 12, disposed in the exit side of the array of the layers and which enables radiation emission to be adjusted and set to a target range during the manufacturing period to be more simple and lower cost than in the conventional technology.例文帳に追加

電磁放射を生成する活性層２を含んでいる半導体層列３と、この層列の出射側に配置されているパシベーション層１２とを備えている発光半導体チップ１において、発光が製造期間中従来技術の場合よりも一層簡単かつコスト面で有利に目標領域に調整設定可能である半導体ストラクチャを提供する。 - 特許庁

In detecting defects in a TFT array on a TFT substrate by applying a voltage to the TFT array and detecting secondary electrons obtained by irradiation with an electron beam, the voltage pattern of applying the voltage to the source and/or the gate of the TFT is set to such characteristics parameters as increase a leak current due to an internal leak in the TFT depending on the voltage level and/or the timing of application.例文帳に追加

ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。 - 特許庁

A POS terminal 11 one-dimensionally picks up the QR code image scroll-displayed at the portable telephone set 1 by a photosensor 21 composed of a one-dimensional array sensor and reproduces the information recorded in the original QR code image scroll-displayed at the portable telephone set 1 on the basis of the one-dimensionally picked-up image.例文帳に追加

ＰＯＳ端末１１は、携帯電話機１にスクロール表示されたＱＲコード画像を、１次元配列センサからなる光センサ２１により１次元的に撮像し、その１次元的に撮像した画像に基づいて、携帯電話機１にスクロール表示された元々のＱＲコード画像に記録されている情報を再生する。 - 特許庁

A CPU 123 controls the writing of a data block including a data part set with predetermined data and a check data part set with a check code unique to the data of the data part in an area in a data stripe belonging to a stripe group in the middle of writing when disk write processing in a disk array 11 abnormally ends only by the number of blocks matched with the size of the area.例文帳に追加

ＣＰＵ１２３は、ディスクアレイ１１へのディスクライト処理が異常終了した後の起動時に、その異常終了した際に書き込み途中であった、ストライプグループに属するデータストライプ中の領域に、所定のデータが設定されたデータ部と当該データ部のデータに固有のチェックコードが設定されたチェックデータ部とを含むデータブロックを、当該領域のサイズに一致するブロック数だけ書き込む制御を行う。 - 特許庁

The respective elements of existent Latin square set to an array 10 for storing the Latin square are replaced with the element of replacement information P stored in the part 11, thereby obtains the same effect as varying the selecting order of the array of the stored elements though the storage pattern of the Latin square is kept as it is.例文帳に追加

ラテン方陣記憶用配列１０に設定されている既存のラテン方陣のそれぞれの要素を、入れ替え情報記憶部１１に記憶されている入れ替え情報Ｐの要素に入れ替えることによって、ラテン方陣の記憶パターンはそのままであるが、記憶されている要素の配列の選択順を変化させたのと同じ効果を得る。 - 特許庁

The resistance change memory device has: a cell array in which memory cells which store resistance values set reversibly as data are arranged; a sense amplifier which reads data of a selected memory cell of the cell array; and a voltage generation circuit which generates a voltage pulse for converging a resistance status of the selected memory cell according to data after reading data of the selected memory cell.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、可逆的に設定される抵抗値をデータとして記憶するメモリセルが配列されたセルアレイと、前記セルアレイの選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプと、前記選択メモリセルのデータ読み出し後、前記選択メモリセルの抵抗状態を収束させるための電圧パルスをデータに応じて発生する電圧発生回路とを有する。 - 特許庁

The imager comprises an A/D converter circuit 11 for A/D- converting the pixel signals outputted from a pixel circuit 10 having a plurality of pixels set in array, and a compressor circuit 12 for compressing the pixel data outputted from the A/D converter circuit 11 to output the data in parallel.例文帳に追加

アレイ状に配置された複数の画素の配列を有する画素回路１０から出力される画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換回路１１と、このＡ／Ｄ変換回路１１が出力する画素データを圧縮して並列に出力する圧縮回路１２とを備える。 - 特許庁

Each output electrode 12 of an electrode array is divided into two groups, where a first area 16a, 16b and a second area 17a, 17b are respectively set, and this each area is placed so that a first joint part of the finger is located placed in the first area and a second joint area is located in the second area.例文帳に追加

電極アレイの各出力電極１２を２つのグループに分割し、それぞれ第１領域１６ａ，１６ｂ、第２領域１７ａ，１７ｂとし、この各領域を指の第１関節部が第１領域に位置し、指の第２関節部が第２領域に位置するように配置する。 - 特許庁