「single electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In carrying out aberration correction of a STEM device, a standard substrate with Au particles 102 deposited on a single-crystal substrate 101 made of Si is used, and based on electron diffraction images and a Kikuchi pattern, inclination of the standard substrate is adjusted.例文帳に追加

ＳＴＥＭ装置の収差補正に際して、Ｓｉからなる単結晶基板１０１上にＡｕパーティクル１０２が堆積されてなる標準基板を用い、電子線回折像及び菊池パターンに基づいて、標準基板の傾斜を調節する。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

In the CCD imaging apparatus having an electron multiplication type CCD imaging element and image signal processing circuit of two-phase read-out, a predetermined video image part of vertical two-divisions, vertical eight-divisions, horizontal eight-divisions or the like is changed into single phase video signal.例文帳に追加

２相読出しの電子増倍型ＣＣＤ撮像素子と映像信号処理回路とを有するＣＣＤ撮像装置において、上下２分割や上下８分割や水平８分割他の所定の映像部分を単相映像信号に切替える。 - 特許庁

To improve in simplification and certainty of electron-optical adjustment works of a charged particle beam scanning device through accurate and effective detection of shapes, sizes and density distribution of single charged- particle beams as well as display and recording of the result.例文帳に追加

荷電粒子線走査式装置において、単一荷電粒子線の形状、寸法、密度分布を正確かつ効率的に検出し、またその結果を表示または記録することで、電子光学系調整作業の簡略化と確実性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

In the single-layer type electrophotographic photoreceptor, a hole transport agent is a cyclohepto derivative which is represented by general formula (1), and the electron transport agent has a solubility with respect to tetrahydrofuran (measurement temperature: 25°C) in a range of 27 to 50 wt.%.例文帳に追加

単層型電子写真感光体であって、正孔輸送剤が、下記一般式（１）で表されるシクロヘプト誘導体であり、かつ、電子輸送剤が、テトラヒドロフランに対する溶解度（測定温度：２５℃）として、２７〜５０重量％の範囲内の値を有する。 - 特許庁

Although the silicon single crystal fine particles 14-17 do not directly contact each other, electric potentials applied to the metal electrodes 20-27 allow exchange of atomic nucleus spin among a plurality of phosphorus atoms 31-34 with an electron as a medium.例文帳に追加

こうして、各シリコン単結晶微粒子１４〜１７は直接接触していなくとも、金属電極２０〜２７に与える電位によって複数のリン原子３１〜３４間での電子を媒体とした原子核スピンの交換を行うことができる。 - 特許庁

The electron field emitter is arranged such that a plurality of chip sets, each having a different number of cathode needle chips, are disposed on a single rotatable disc, and that a chip can be selectively used from among the plurality of chip sets.例文帳に追加

また、前記電子電界エミッタは、それぞれ前記針状陰極チップの本数が異なっているチップセットを共通の回転可能円盤上に複数配した構成であり、その複数のチップセットのなかから用いるチップセットを選択可能にした。 - 特許庁

A raw material 2 for sublimation is arranged adjacent to a silicon carbide substrate 4 to form a region for growing a silicon carbide single crystal between the raw material 2 for sublimation and the silicon carbide substrate 4, and then a silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide substrate 4 by forming a sublimation atmosphere by electron-bombardment heating a crucible 10 from the side where the raw material 2 for sublimation is stored.例文帳に追加

昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 - 特許庁

The silica-titania composite oxide particle produced by a vapor deposition method has a titania content of 50 wt.% or more, a BET specific surface area of 100 m^2/g or less, a containing rate of a silica single particle and a titania single particle by electron microscope observation of 10% or less, favorably 5% or less, and a hydrophobic surface.例文帳に追加

気相法によって製造されたシリカ・チタニア複合酸化物粒子であって、チタニアの含有量が５０重量％以上、ＢＥＴ比表面積が１００ｍ^2／ｇ以下、電子顕微鏡観察下においてシリカ単独粒子およびチタニア単独粒子の割合が１０％以下、好ましくは５％以下であり、表面が疎水化されているシリカ・チタニア複合酸化物粒子。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate incorporating a high performance driver and an electrooptical device such as a thin film semiconductor device for a display using the substrate by uniformly film-forming a single crystal silicon thin film with high electron/hole mobility at a comparatively low temperature.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-temperature single electron pair tunnel element using a layered oxide superconducting material which is provided with a tunnel junction layer of sub-micron square order or smaller and can operate at a temperature equal to that of liquid helium (4.2 K) or higher.例文帳に追加

サブミクロン平方オーダー以下のトンネル接合層を備え、その接合数を可変にすることにより液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以上で動作可能な層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This hot-cathode electron emission source is constituted to form at least a junction portion of the heat-resistant metal support needle contacting with the rare-earth hexaboride single crystal nanofiber, of a heat resistant material not reacting chemically with the nanofiber even at a high temperature.例文帳に追加

少なくとも耐熱金属支持針の希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバとの接合箇所が当該ナノファイバに対して高温でも化学反応しない耐熱材料よりなる熱陰極電子放出源を構成することにより、上記問題を解決する。 - 特許庁

The manufacturing method of a selected area aperture plate includes: forming a preliminary fabrication region 16 (2 μm or less) by FIB fabrication in an aperture plate 11 composed of a single material such as tantalum or molybdenum with a depth of tens μm or more whose mechanical strength is secured and which screens an electron beam; and next, forming a fine pore 15 of 1 μm or less.例文帳に追加

機械的強度を確保した電子線を遮蔽する数10 μm以上の厚さのタンタル、モリブデンなどの単一材料で構成された絞りプレート11に、FIB加工により予備加工領域16(2μm以下)を形成し、次に1μm以下の微細孔15を形成する。 - 特許庁

Further, the insulating dielectric layer is conductive at a specific place, so a single-layer or multilayer metal film is provided when necessary, and the highly conductive metal member, an insulating layer, and a conductive metal film are tightly coupled to provide an electron element on the highly conductive metal member.例文帳に追加

さらに、該絶縁誘電体層の特定場所は導電するため、必要に応じて１層又は多層の導電金属膜を設け、該高伝導金属部材、絶縁層、導電金属膜の三者を緊密に結合させ、電子素子を該高伝導金属部材に設ける。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate having a structure in which an active layer such as an InAs layer is directly formed on a substrate such as GaAs, which has a high reliability and a small deterioration of electron mobility for a bulk single crystal.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。 - 特許庁

In a single-electron tunnel element where a lower electrode, a lower insulating thin-film layer, an intermediate electrode layer, an upper insulating thin-film layer and an upper electrode are laminated in the order on a substrate, the intermediate electrode layer is constituted of an insulating thin film, into which dendrimer molecules are inserted.例文帳に追加

基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成する。 - 特許庁

A spacer SPC on a scanning line sL is arranged as a single member that does not have a divided portion, and its both end portions are positioned beyond both sides of the left and right direction (x direction) of a display area AR configured by two dimensional arrangement of the electron source and the phosphor.例文帳に追加

スペーサＳＰＣを走査線ｓＬ上では分割部を有しない単一部材として配置し、その両端部を前記電子源と前記蛍光体の二次元配置からなる表示領域ＡＲの左右方向（ｘ方向）の両側を超えて位置させている。 - 特許庁

A carbon nanotube group containing a bundle structured carbon nanotube with the average diameter 30 nm or less and the average length 3 μm or less when a single-layered, a two-layered and a three-layered carbon nanotubes are changed into a bundle is made to be the electron source structural material, and this is used as the light-emitting display device.例文帳に追加

単層、２層および３層カーボンナノチューブをバンドル化した平均が直径３０ｎｍ以下で平均長さが３μｍ以下のバンドル構造化カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ群を電子源構造材とし、これを発光表示装置に用いた。 - 特許庁

In the electrophotographic photoconductor having at least a photoconductive layer on an electrically conductive support, the surface layer of the photoconductive layer can be obtained by curing at least a free-radical-polymerizable monomer (e.g., alkyl modified di-penta-erythritol pentaacrylate), having no electron transport structure, represented by general Formula (A), and a single functional free-radial-polymerizable compound having an electron transport structure.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、該感光層の表面層が少なくとも下記一般式（Ａ）で示される電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー（例えば、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート等）と１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を硬化することにより形成されることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

To provide a method for producing an active matrix substrate with a built-in high-performance driver, for which a single crystal silicon layer of a high electron/hole mobility is uniformly filmed at a comparative low temperature, and an electro-optical device such as a thin film semiconductor device using this substrate.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン層を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

There provided is an improved electrophotographic imaging member having a single layer in which a high mobility charge transport molecule contains a combination of one or more hole (charge) transport molecules and electron transport molecules selected from a group consisting of an arylamine transport molecule, a terphenyl transport molecule and mixture thereof.例文帳に追加

高移動度電荷輸送分子が、アリールアミン系輸送分子、ターフェニル系輸送分子及びその混合物からなる群選択される１つまたは複数の正孔（電荷）輸送分子および電子輸送分子の組合せを含む単層を有する改良された電子写真画像形成部材が提供される。 - 特許庁

To provide a method for producing an active matrix substrate with a built-in high-performance driver, for which a single crystal silicon layer of a high electron/hole mobility is uniformly filmed at a comparatively low temperature, and an electro-optical device such as a thin film semiconductor device for display using this substrate.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン層を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

To suppress the increase of a created stacking fault area by continuing energizing in a bipolar type semiconductor device which performs electron and hole recombination in the time of energization inside a silicon carbide epitaxial film grown up from the front surface of a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより引き起こされる積層欠陥面積の拡大を抑制すること。 - 特許庁

Using a π electron conjugated molecule 1 which is a kind of linear tetra-pyrrole and has a frame 2 having a nearly discoidal structure like porphyrin and a flexible side chain 3 composed of an alkyl chain, a single-layer molecular layer is formed in close contact with surfaces of the electrodes 5 and 6.例文帳に追加

まず、リニアテトラピロールの１種で、ポルフィリン様の略円盤状構造を有する骨格部２と、アルキル鎖からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を用いて、電極５および６の表面に密着した分子層を単層で形成する。 - 特許庁

The emission amount of a laminate-type ZnO-based single crystal scintillator 110 is significantly increased by manufacturing a laminate of a ZnO-based semiconductor with different band gaps and by making a layer with small band gap have a thickness of 5-50 μm, into which thickness ionizing radiation, such as α-rays and electron rays can enter.例文帳に追加

バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate, incorporating a high-performance driver and an electro-optical device such as a display thin-film semiconductor device using it by evenly film-forming a single-crystal silicon thin-film of high electron/positive hole mobility at a relatively low temperature.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜し、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

To provide a standard sample for evaluating silicon single crystal wafers containing octahedral BMD (bulk micro defects) in high density, of which the sizes can be found by LST (laser scattering tomography) and which can be measured by TEM (transmission electron microscopy) for size definition, its manufacturing method, and an evaluating method by using the correlation sample.例文帳に追加

ＬＳＴで欠陥サイズを求めることができ、かつサイズ定義に必要なＴＥＭで測定できる八面体のＢＭＤを高密度で含むシリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an active matrix substrate with a built-in high-performance driver, for which a single crystal silicon thin film of a high electron/hole mobility is uniformly filmed at a comparatively low temperature, and an electro-optical device such as a thin film semiconductor device for display using this substrate.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜し、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

By scanning an electronic beam from the electron irradiation equipment 34 into radiated nozzles 35 in an alternate current magnetic field along conveying direction of a PET bottle 31, and segmenting it into radiation nozzles inner faces of a number of PET bottles 31 are sterilized by a single equipment 34 and the equipment can be miniaturized.例文帳に追加

電子線照射装置３４からの電子線を交流磁場でペットボトル３１の搬送方向に沿って走査し放射状ノズル３５で細分化することにより、一つの電子線照射装置３４で多数のペットボトル３１の内面の殺菌を行うことができ、装置全体を小型化できる。 - 特許庁

To provide a radiation detector for discriminating gamma rays, X-rays or electron beam and particle radiation in the radiation detector for detecting phonons generated on a base by radiation absorption by a superconducting tunnel junction element manufactured on a single crystal base.例文帳に追加

単結晶基盤上に製作された超伝導トンネル接合素子により放射線吸収により基盤で発生したフォノンを検出する放射線検出器において、ガンマ線またはＸ線または電子線と、粒子線との弁別を可能とした放射線検出器を提供する。 - 特許庁

The compact X-ray generating device is composed of at least a compact chamber 21 provided with an electron-emitting cathode part 10 made of single-crystal diamond with its tip sharpened, a target part 22, and an X-ray transmission window 25, a flexible cable 31, and a high-voltage supply power source.例文帳に追加

少なくとも、先端を先鋭化加工された単結晶ダイヤモンドから成る電子放射陰極部１０、ターゲット部２２、及びＸ線透過窓２５を有する小型チャンバ２１と、可撓性ケーブル３１と、高電圧供給電源とから構成された小型Ｘ線発生装置。 - 特許庁

The single mode optical fiber containing a glass part made of quartz glass and having a center core and a clad, is characterized in that the density of non-crosslinked oxygen defects in the glass parts is ≤1.0×10^14 spins/g in terms of the spin density measured by an electron spin resonance method.例文帳に追加

石英系ガラスよりなり、中心コアとクラッドを有するガラス部分を含むシングルモード光ファイバにおいて、前記ガラス部分の非架橋酸素欠陥の密度が、電子スピン共鳴法により測定されるスピン密度の値として１．０×１０^^１４ｓｐｉｎｓ／ｇ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In each single cell 1 as the wrap and the weft, part thereof is replaced with a conductive lead wire 16 (for example, silver wire) such that an electron produced by electrode reaction is led into a load device (for a fuel cell) or a battery (for an electrolysis unit) via the lead wire 16.例文帳に追加

また、縦横ともに単セル１の一部が導電性のリード線１６（例えば銀線）に置き換えられており、電極反応により生成する電子をリード線１６により、負荷装置（燃料電池の場合）又は電池（電気分解装置の場合）に導くように構成されている。 - 特許庁

The material for organic electroluminescent devices contains (A) a compound in which a substituted or an unsubstituted nitrogen-containing ring being a single ring or condensed with another carbon ring or a heterocyclic ring is substituted with an electron-attracting group having a double bond which is not part of a constituent element of the ring and (B) a phosphorescence luminescent material.例文帳に追加

単環、または他の炭素環もしくは複素環と縮合した、置換もしくは未置換の含窒素環に、環の構成要素の一部ではない二重結合を有する電子求引性基が置換した化合物（Ａ）、および燐光発光材料（Ｂ）を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 - 特許庁

To provide an EPROM device which can improve datagram retention property in a single poly OTP (one time programmable) cell, and prevent leak of electron charged at a floating gate, and provide a semiconductor device which can secure the datagram retention property in the single poly OPT cell, and HCI and insulating properties in a transistor constituting a main chip in other regions except OTP cell region simultaneously, and its manufacturing method.例文帳に追加

シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を向上させ、フローティングゲートに荷電された電子の漏れを防止できるＥＰＲＯＭ素子と、シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を確保すると同時に、ＯＴＰセル領域を除いた他の領域でメインチップを構成するトランジスタにおけるＨＣＩ特性及び絶縁特性を確保できる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains a perionone pigment as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、ペリノン顔料を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

That is, the electron (e^-) and the proton (H^+) of the nascent hydrogen are reductively added to cationized carbon atom (C^+) and anionized oxygen atom (O^-) produced by polarization of one carbonyl group (C=O) of the carbon dioxide, thereby attaining single bonds between carbon atoms of two moles of carbon dioxide, so that one mole of oxalic acid is synthesized.例文帳に追加

すなわち二酸化炭素について、一方のカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）が分極してカチオン化した炭素原子（Ｃ^＋）とアニオン化した酸素原子（Ｏ^−）に対し、発生期の水素の電子（ｅ^−）とプロトン（Ｈ^＋）が、それぞれ還元付加反応し、もって、２モルの二酸化炭素の炭素間が単結合することにより、１モルの蓚酸を合成する。 - 特許庁

The heat-sensitive recording layer is obtained by laminating a high-temperature color developing layer and a low-temperature color developing layer or of a single layer type obtained by coating at least one type of two or more types of electron donative dye precursors, with a color developing adjusting layer obtained by addition polymerizing a vinyl monomer.例文帳に追加

多色感熱記録層は、高温発色層と低温発色層を積層したもの、二種以上の電子供与性染料前駆体のうち、少なくとも一種が、ビニル単量体を付加重合することにより得られる発色調節層で被覆されてなる単層タイプであることを特徴とする。 - 特許庁

The electron transport layer 4 is formed by supplying dispersing liquid with particles of a single-crystal material of multiple oxide salt dispersed in a dispersion medium on the electrode 3 to form a liquid-state coating, and then, putting it under heat treatment at a temperature below the heat-resistant temperature, and removing the dispersing medium from inside the liquid-state coating.例文帳に追加

電子輸送層４は、複酸化物塩の単結晶材料の粒子を分散媒に分散してなる分散液を、電極３上に供給して液状被膜を形成した後、樹脂材料の耐熱温度未満の温度で熱処理を施し、液状被膜中から分散媒を除去することにより形成される。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor which is charged to positive polarity and used is obtained by disposing at least a photosensitive layer on a conductive support, wherein the photosensitive layer is a single layer containing at least a charge generating material, an electron transporting material expressed by general formula (1) and an organic sulfur-containing antioxidant.例文帳に追加

プラス極性に帯電させて用いる電子写真感光体であって、電子写真感光体が少なくとも導電性支持体上に感光層を設けて成り、感光層が少なくとも電荷発生材料と下記一般式（１）で表わされる電子輸送材料と有機硫黄系酸化防止剤を含む単一の層からなる。 - 特許庁

On the basis of an image signal S output from the element 214, a beam position computing means 215 finds an actually measured value De of the irradiation position of the electron beam 203, and finds a shift of the actually measured value De from a single irradiation position design data as a beam drift amount ΔD.例文帳に追加

撮像素子２１４から出力された画像信号Ｓに基づき、ビーム位置計算手段２１５が電子ビーム２０３の照射位置実測値Ｄｅを求めた後、比較演算手段２１６が照射位置実測値Ｄｅの一の照射位置設計データからのズレ量をビームドリフト量ΔＤとして求める。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains an isoindoline compound as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、イソインドリン化合物を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

The optical functional element is obtained by forming the polarization inversion structure at the temperature lower than the Curie temperature by using an electron beam scanning irradiation method or voltage application method in a part of a ferroelectric single crystal substrate preparedly using LiNbO3 crystal having 0.95 to 1.01 molar ratio of Li/Nb as the substrate, and the optical functional element controls the light passing through the polarization inversion part.例文帳に追加

Li/Nbのモル比が0.95〜1.01の範囲のLiNbO_3結晶を基板として用いた強誘電体単結晶基板の一部に、電子ビーム走査照射法または電圧印加法を用いてキュリー温度以下の温度で分極反転構造を形成し、この分極反転部を通過した光を制御する光機能素子。 - 特許庁